具有改善的线性度的放大设备
阅读：587发布：2020-05-11
专利汇可以提供具有改善的线性度的放大设备专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且提供一种具有改善的线性度的放大设备。所述放大设备包括放大 电路 ，所述放大电路包括功率 放大器 、 偏置电路 以及 温度 控制电路，所述偏置电路被配置为检测所述 功率放大器 的周围温度以输出温度 电压 并基于输入的控制 信号 调节内部 电流 ，以将通过所述调节获得的偏置电流供应到所述功率放大器，所述 温度控制 电路在从传输模式起始时间点至输入 输入信号 的输入时间点的初始驱动期间基于所述温度电压产生所述 控制信号 ，并将所述控制信号输出到所述放大电路。，下面是具有改善的线性度的放大设备专利的具体信息内容。
1.一种放大设备，所述放大设备包括：
放大电路，包括功率放大器、偏置电路和温度控制电路，其中，所述偏置电路被配置为：
检测所述功率放大器的周围温度；
基于所述周围温度的所述检测输出温度电压；
基于输入的控制信号调节内部电流，并且
将通过所述内部电流的所述调节获得的偏置电流供应到所述功率放大器；并且所述温度控制电路被配置为在从传输模式起始时间点至输入输入信号的输入时间点的初始驱动期间基于所述温度电压产生所述控制信号，并且将所述控制信号输出到所述放大电路。
2.根据权利要求1所述的放大设备，其中，所述偏置电路包括被配置为检测所述功率放大器的所述周围温度以输出所述温度电压的温度检测电路。
3.根据权利要求2所述的放大设备，其中，所述温度控制电路包括：
温度电压转换器，被配置为将所述温度电压转换为检测电压；
比较电路，被配置为将所述检测电压与参考电压彼此比较并且输出具有基于所述比较的结果的电平的比较信号；
信号检测电路，被配置为检测所述输入信号的强度并且输出检测信号；以及控制输出电路，被配置为基于所述检测信号和所述比较信号产生所述控制信号。
4.根据权利要求3所述的放大设备，其中，所述控制输出电路包括被配置为通过对所述检测信号和所述比较信号执行逻辑运算产生所述控制信号的逻辑电路。
5.根据权利要求3所述的放大设备，其中，所述控制输出电路包括开关电路，所述开关电路被配置为：基于所述检测信号导通或断开，并且当所述开关电路导通时提供所述比较信号作为所述控制信号。
6.根据权利要求3所述的放大设备，其中，所述偏置电路包括：
温度检测电路，包括被配置为接收参考电流以检测所述功率放大器的所述周围温度并且产生温度检测电压的晶体管电路；
电流输出电路，被配置为基于所述温度检测电压产生内部电流；以及
电流附加电路，被配置为在所述初始驱动期间基于所述控制信号产生附加电流，并且通过将所述附加电流与所述内部电流相加产生所述偏置电流。
7.根据权利要求6所述的放大设备，其中，所述偏置电路还包括连接在所述温度检测电路与地之间并且被配置为在所述初始驱动期间断开的开关。
8.根据权利要求3所述的放大设备，其中，所述偏置电路包括：
电流附加电路，被配置为在所述初始驱动期间基于所述控制信号产生附加电流并且将所述附加电流与参考电流相加以产生内部电流；
温度检测电路，包括被配置为接收所述内部电流以检测所述功率放大器的所述周围温度并且产生温度检测电压的晶体管电路；以及
电流输出电路，被配置为基于所述温度检测电压产生偏置电流。
9.一种放大设备，所述放大设备包括：
放大电路，包括功率放大器、温度检测电路和偏置电路，其中，所述温度检测电路被配置为检测所述功率放大器的周围温度以输出温度电压，并且所述偏置电路被配置为基于输入的控制信号调节内部电流以将通过所述调节获得的偏置电流供应到所述功率放大器；以及
温度控制电路，被配置为在从传输模式起始时间点至输入输入信号的输入时间点的初始驱动期间基于所述温度电压产生所述控制信号，并且将所述控制信号输出到所述放大电路。
10.根据权利要求9所述的放大设备，其中，所述温度控制电路包括：
温度电压转换器，被配置为将所述温度电压转换为检测电压；
比较电路，被配置为将所述检测电压与参考电压彼此比较并且输出具有基于所述比较的结果的电平的比较信号；
信号检测电路，被配置为检测所述输入信号的强度并且输出检测信号；以及控制输出电路，被配置为基于所述检测信号和所述比较信号产生所述控制信号。
11.根据权利要求10所述的放大设备，其中，所述控制输出电路包括逻辑电路，所述逻辑电路被配置为通过对所述检测信号和所述比较信号执行逻辑运算产生所述控制信号。
12.根据权利要求10所述的放大设备，其中，所述控制输出电路包括开关电路，所述开关电路被配置为基于所述检测信号导通或断开，并且当所述开关电路导通时提供所述比较信号作为所述控制信号。
13.根据权利要求10所述的放大设备，其中，所述温度检测电路包括彼此串联连接在操作电压端子与地之间的电阻器和晶体管，并且所述晶体管是二极管接法的双极结型晶体管。
14.根据权利要求13所述的放大设备，其中，所述偏置电路包括：
温度补偿电路，被配置为基于参考电流产生温度补偿电压；
电流输出电路，被配置为基于所述温度补偿电压产生内部电流；以及
电流附加电路，被配置为在所述初始驱动期间基于所述控制信号产生附加电流，并且通过将所述附加电流与所述内部电流相加产生所述偏置电流。
15.根据权利要求13所述的放大设备，其中，所述偏置电路还包括连接在所述温度补偿电路与地之间并且被配置为在所述初始驱动期间断开的开关。
16.根据权利要求13所述的放大设备，其中，所述偏置电路包括：
电流附加电路，被配置为在所述初始驱动期间基于所述控制信号产生附加电流，并且通过将所述附加电流与参考电流相加产生内部电流；
温度补偿电路，被配置为基于所述内部电流产生温度补偿电压；以及
电流输出电路，被配置为基于来自所述温度补偿电路的所述温度补偿电压产生偏置电流。
具有改善的线性度的放大设备
技术领域
[0002] 本申请涉及一种具有改善的线性度的放大设备。
背景技术
[0004] 尽管TDD方法的优点在于使用一个频率，但由于通过分配不同的传输时隙来执行通信，因此可能在通信过程期间重复地切换发送和接收。
[0005] 此外，发射机中的线性度是重要的性能指标。在频分双工(FDD)系统中，相邻信道泄漏比(ACLR)可能是针对线性度的最重要的参数，并且在TDD系统中，考虑时间的动态误差矢量幅度(EVM)是重要的。
[0007] 为了减小作为实现TDD方法的通信系统的线性度的指标的动态EVM(DEVM)，一旦传输模式开始，通过使放大器(PA)尽可能快地达到饱和区域以执行控制，使得功率放大器的温度和增益变得恒定可能是有利的。
[0008] 一旦传输模式开始，由于功率放大器在特定时间之后达到饱和区域，并且当达到饱和区域时，功率放大器达到特定温度或更高的温度，对于应用到实现TDD方法的通信系统的放大设备可能有利的是：使功率放大器基于功率放大器的温度信息快速地达到饱和区域。
[0009] 然而，实现TDD方法的典型通信系统的放大设备可能不提供控制功率放大器的预热以允许功率放大器基于温度信息快速地达到饱和区域的功能，并且因此，可能无法执行用于允许功率放大器快速地达到饱和区域的合适的基于温度的控制。发明内容
[0010] 提供本发明内容以简化的形式介绍所选择的构思，并在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本发明内容既不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在帮助确定所要求保护的主题的范围。
[0011] 在一个总体方面，一种放大设备包括放大电路，所述放大电路包括功率放大器、偏置电路和温度控制电路，其中，所述偏置电路被配置为检测所述功率放大器的周围温度、基于所述周围温度的所述检测输出温度电压、基于输入的控制信号调节内部电流并且将通过所述内部电流的所述调节获得的偏置电流供应到所述功率放大器；并且所述温度控制电路被配置为在从传输模式起始时间点至输入输入信号的输入时间点的初始驱动期间基于所述温度电压产生所述控制信号，并且将所述控制信号输出到所述放大电路。
[0012] 所述偏置电路可包括被配置为检测所述功率放大器的所述周围温度以输出所述温度电压的温度检测电路。
[0013] 所述温度控制电路可包括：温度电压转换器，被配置为将所述温度电压转换为检测电压；比较电路，被配置为将所述检测电压与参考电压彼此比较并且输出具有基于所述比较的结果的电平的比较信号；信号检测电路，被配置为检测所述输入信号的强度并且输出检测信号；以及控制输出电路，被配置为基于所述检测信号和所述比较信号产生所述控制信号。
[0014] 所述控制输出电路可包括被配置为通过对所述检测信号和所述比较信号执行逻辑运算产生所述控制信号的逻辑电路。
[0016] 所述偏置电路可包括温度检测电路，所述温度检测电路包括被配置为接收参考电流以检测所述功率放大器的所述周围温度并且产生温度检测电压的晶体管电路；电流输出电路，被配置为基于所述温度检测电压产生内部电流；以及电流附加电路，被配置为在所述初始驱动期间基于所述控制信号产生附加电流，并且通过将所述附加电流与所述内部电流相加产生所述偏置电流。
[0017] 所述偏置电路还可包括连接在所述温度检测电路与地之间并且被配置为在所述初始驱动期间断开的开关。
[0018] 所述偏置电路可包括电流附加电路，所述电流附加电路被配置为在所述初始驱动期间基于所述控制信号产生附加电流并且将所述附加电流与参考电流相加以产生内部电流；温度检测电路，包括被配置为接收所述内部电流以检测所述功率放大器的所述周围温度并且产生温度检测电压的晶体管电路；以及电流输出电路，被配置为基于所述温度检测电压产生偏置电流。
[0019] 在一个总体方面，一种放大设备包括：放大电路，所述放大电路包括功率放大器、温度检测电路和偏置电路，其中，所述温度检测电路被配置为检测所述功率放大器的周围温度以输出温度电压，并且所述偏置电路被配置为基于输入的控制信号调节内部电流以将通过所述调节获得的偏置电流供应到所述功率放大器；以及温度控制电路，被配置为在从传输模式起始时间点至输入输入信号的输入时间点的初始驱动期间基于所述温度电压产生所述控制信号，并且将所述控制信号输出到所述放大电路。
[0020] 所述温度控制电路可包括：温度电压转换器，被配置为将所述温度电压转换为检测电压；比较电路，被配置为将所述检测电压与参考电压彼此比较并且输出具有基于所述比较的结果的电平的比较信号；信号检测电路，被配置为检测所述输入信号的强度并且输出检测信号；以及控制输出电路，被配置为基于所述检测信号和所述比较信号产生所述控制信号。
[0021] 所述控制输出电路可包括逻辑电路，所述逻辑电路被配置为通过对所述检测信号和所述比较信号执行逻辑运算产生所述控制信号。
[0022] 所述控制输出电路可包括开关电路，所述开关电路被配置为基于所述检测信号导通或断开，并且当所述开关电路导通时提供所述比较信号作为所述控制信号。
[0024] 所述偏置电路可包括温度补偿电路，所述温度补偿电路被配置为基于参考电流产生温度补偿电压；电流输出电路，被配置为基于所述温度补偿电压产生内部电流；以及电流附加电路，被配置为在所述初始驱动期间基于所述控制信号产生附加电流，并且通过将所述附加电流与所述内部电流相加产生所述偏置电流。
[0025] 所述偏置电路还可包括连接在所述温度补偿电路与地之间并且被配置为在所述初始驱动期间断开的开关。
[0026] 所述偏置电路可包括电流附加电路，所述电流附加电路被配置为在所述初始驱动期间基于所述控制信号产生附加电流，并且通过将所述附加电流与参考电流相加产生内部电流；温度补偿电路，被配置为基于所述内部电流产生温度补偿电压；以及电流输出电路，被配置为基于来自所述温度补偿电路的所述温度补偿电压产生偏置电流。
附图说明
[0028] 图1是示出根据一个或更多个实施例的放大设备的示例的示图；
[0029] 图2是示出根据一个或更多个实施例的放大设备的示例的示图；
[0030] 图3是示出根据一个或更多个实施例的温度控制电路的示例的示图；
[0031] 图4是示出图3的控制输出电路的示例的示图；
[0032] 图5是示出图3的控制输出电路的示例的示图；
[0033] 图6是示出图1的放大电路的示例的示图；
[0034] 图7是示出图1的放大电路的示例的示图；
[0035] 图8是示出图1的放大电路的示例的示图；
[0036] 图9是示出图2的放大电路的示例的示图；
[0037] 图10是示出图2的放大电路的示例的示图；
[0038] 图11是示出图2的放大电路的示例的示图；以及
[0039] 图12是图1的放大设备和图3的温度控制电路的主信号的时序图的示例。
[0040] 在整个附图和具体实施方式中，除非另有描述或提供，否则相同的附图标号将被理解为指示相同的元件、特征和结构。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明以及便利起见，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
[0041] 提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须按照特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的改变。此外，为了更加清楚和简洁，可省略本领域中已知的特征的描述。
[0042] 在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。
[0043] 尽管在此可使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分将不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用来将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
[0044] 在此使用的术语仅用于描述各种示例，并且将不用于限制本公开。除非上下文另外清楚指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
[0045] 在此描述的示例的特征可以以在理解了本申请的公开内容之后将显而易见的各种方式进行组合。此外，虽然在此描述的示例具有多种配置，但是在理解本申请的公开内容之后将显而易见的其他配置是可行的。
[0046] 除非另外定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员在理解本公开之后通常理解的含义相同的含义。除非在此明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)将被解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且不被解释为理想化的或过度正式的意义。
[0047] 此外，在整个本申请的公开内容中，在示例的描述中，相同的标号指示相同的元件，并且省略其相关的重复的描述。此外，当认为这样的描述将导致对本公开的模糊解释时，将省略已知的相关结构或功能的详细描述。
[0048] 图1是示出根据一个或更多个实施例的放大设备的示例的示图。
[0049] 参照图1，放大设备可包括放大电路100和温度控制电路200。
[0050] 在非限制性示例中，放大电路100可包括功率放大器110和偏置电路130。
[0051] 在示例中，在饱和区域中，功率放大器110可接收来自偏置电路130的偏置电流Ibias以放大通过输入端子RF IN输入的信号，并通过输出端子RF OUT输出放大的信号。因此，为了使功率放大器110执行放大操作，一旦传输模式开始，功率放大器110可能必须快速地达到饱和区域。
[0052] 例如，偏置电路130可检测功率放大器(PA)的周围温度并输出温度电压Vtd，并可响应于通过温度控制电路200产生并从温度控制电路200传输的输入的控制信号SC而调节内部电流Iint，以将通过调节获得的偏置电流Ibias供应到功率放大器110。
[0053] 例如，温度控制电路200可在从基于传输模式使能信号TXen的传输模式起始时间点至输入输入信号Sin的输入时间点的初始驱动期间基于温度电压Vtd产生控制信号SC并将控制信号SC输出到放大电路100。
[0054] 例如，偏置电路130可包括温度检测电路131。温度检测电路131可检测功率放大器(PA)的周围温度并输出温度电压Vtd。
[0055] 在本公开的各个附图中，将省略对由相同附图标号表示并具有相同功能的组件的不必要的重复描述，并且将描述在各个附图中彼此不同的内容。
[0056] 图2是示出根据一个或更多个实施例的放大设备的示例的示图。
[0057] 参照图2，放大设备可包括放大电路100和温度控制电路200。
[0058] 放大电路100可包括功率放大器110、温度检测电路120和偏置电路130。
[0059] 温度检测电路120可检测功率放大器(PA)的周围温度并输出温度电压Vtd。偏置电路130可响应于输入的控制信号SC调节内部电流Iint并将通过调节获得的偏置电流Ibias供应到功率放大器110。
[0060] 温度控制电路200可在从基于传输模式使能信号TXen的传输模式起始时间点至输入输入信号Sin的输入时间点的初始驱动期间基于温度电压Vtd产生控制信号SC并将控制信号SC输出到放大电路100。
[0061] 图3是示出根据一个或更多个实施例的温度控制电路的示例的示图。
[0062] 参照图3，温度控制电路200可包括温度电压转换器210、比较电路220、信号检测电路230和控制输出电路240。
[0063] 温度电压转换器210可将温度电压Vtd转换为检测电压Vd。例如，温度电压转换器210可包括放大电路，并且放大电路可放大温度电压Vtd并输出通过放大获得的检测电压Vd。
[0064] 比较电路220可将检测电压Vd与参考电压Vref彼此比较并输出具有根据比较结果的电平的比较信号Scom。例如，当检测电压Vd高于参考电压Vref时，比较电路220可输出具有高电平的比较信号Scom，当检测电压Vd低于参考电压Vref时，比较电路220可输出具有低电平的比较信号Scom。然而，本发明不限于此，在改变检测电压Vd所输入的输入端子时，比较电路220可输出具有不同电平的比较信号。
[0065] 在示例中，信号检测电路230可检测输入信号Sin的强度并将检测信号Sdet输出到控制输出电路240。
[0066] 控制输出电路240可基于检测信号Sdet和比较信号Scom产生控制信号SC。将参照图4和图5描述控制输出电路240。
[0067] 图4是示出图3的控制输出电路240的示例的示图。
[0068] 参照图4，例如，控制输出电路240可包括逻辑电路242。逻辑电路242可通过对检测信号Sdet和比较信号Scom执行逻辑运算产生控制信号SC。
[0070] 例如，在检测电压Vd低于参考电压Vref的示例中，比较信号Scom可具有高电平，在未输入输入信号Sin的示例中，检测信号Sdet可具有高电平，在输入输入信号Sin的示例中，检测信号Sdet可具有低电平，并且逻辑电路242可包括与门。
[0071] 在比较信号Scom具有高电平并且检测信号Sdet由于未输入输入信号Sin而具有高电平的示例中，与门可提供具有导通电平(例如，高电平)的控制信号SC。相反地，在比较信号Scom具有低电平并且检测信号Sdet由于输入输入信号Sin而具有低电平的示例中，与门可提供具有断开电平(例如，低电平)的控制信号SC。
[0072] 图5是示出图3的控制输出电路240的示例的示图。
[0073] 参照图5，在示例中，控制输出电路240可包括开关电路244。开关电路244可根据检测信号Sdet导通或断开。在开关电路244响应于检测信号Sdet而导通的示例中，可提供比较信号Scom作为控制信号SC，在开关电路244断开的示例中，可不输出比较信号Scom并且可输出具有断开电平的控制信号SC。
[0074] 将参照图6至图11描述放大电路100的各种实施方式。将省略其重复描述。
[0075] 图6是示出图1的放大电路的示例的示图。
[0076] 参照图6，放大电路100可包括功率放大器110和偏置电路130。
[0077] 在非限制性示例中，偏置电路130可包括温度检测电路131、电流输出电路133和电流附加电路135A。
[0078] 例如，温度检测电路131可包括彼此串联连接在参考电流Iref端子与地之间的二极管接法的晶体管电路T1和T2。晶体管电路T1和T2可接收参考电流Iref并检测功率放大器110的周围温度并且产生温度检测电压Vtd。
[0079] 在示例中，为了使温度检测电路131的输出电压稳定，电容器C1可连接在温度检测电路131的输出端子与地之间。
[0080] 例如，电流输出电路133可包括偏置晶体管T3，偏置晶体管T3包括接收来自二极管接法的晶体管电路T1和T2的温度检测电压Vtd的基极、通过电阻器R2连接到电池电压VBAT端子的集电极以及通过偏置电阻器R3将偏置电流供应到信号线的发射极。偏置晶体管T3可基于来自温度检测电路131的温度检测电压Vtd产生内部电流Iint。
[0081] 例如，电流附加电路135A可包括补偿晶体管TS，补偿晶体管TS包括连接到电源电压VCC端子的集电极、接收控制信号SC的基极以及连接到偏置晶体管T3的发射极的发射极。在初始驱动期间，补偿晶体管TS可响应于控制信号SC而导通以产生附加电流Iadd并将产生的附加电流Iadd提供到偏置晶体管T3的发射极。因此，附加电流Iadd可与内部电流Iint相加以产生偏置电流Ibias。
[0082] 此外，功率放大器110可包括放大晶体管T4，放大晶体管T4包括通过线圈L1连接到电源电压VCC端子并通过电容器C3连接到输出端子RF OUT的集电极、通过电容器C2连接到输入端子RF IN并通过偏置电阻器R3连接到偏置晶体管T3的发射极的基极，并且放大晶体管T4的发射极接地。放大晶体管T4可接收偏置电流Ibias，放大通过输入端子RF IN输入的信号，并经由通过电容器C3连接的输出端子RF OUT输出放大的信号。
[0083] 图6中示出的功率放大器110可具有与图7至图11的功率放大器的结构和功能相同的结构和功能，并因此将省略重复的描述。
[0084] 图7是示出图1的放大电路的示例的示图。
[0085] 在非限制性示例中，与图6中示出的放大电路相比，图7中示出的放大电路100还可包括开关137。
[0086] 开关137可连接在温度检测电路131与地之间，并可在初始驱动期间断开。
[0087] 因此，在初始驱动期间断开开关137的示例中，通过温度检测电路131流向地的电流可不流向地，转而可流过偏置晶体管T3的基极。因此，内部电流和偏置电流可相应地增大。
[0088] 图8是示出图1的放大电路的示例的示图。
[0089] 参照图8，放大电路100可包括功率放大器110和偏置电路130。
[0090] 在非限制性示例中，偏置电路130可包括电流附加电路135B、温度检测电路131以及电流输出电路133。
[0091] 电流附加电路135B可包括连接在电池电压VBAT端子与温度检测电路131之间的开关晶体管Ta和电阻器Ra，在初始驱动期间，开关晶体管Ta可响应于控制信号SC而导通，以将通过电池电压VBAT端子和电阻器Ra产生的附加电流Iadd输出到温度检测电路131。
[0092] 温度检测电路131可包括如在图6中示出的可彼此串联连接在参考电流Iref端子与地之间的二极管接法的晶体管电路T1和T2。在初始驱动期间，二极管接法的晶体管电路T1和T2可接收通过将附加电流Iadd与参考电流Iref相加获得的内部电流Iint以检测功率放大器110的周围温度并产生温度检测电压Vtd。此外，在初始驱动之后，二极管接法的晶体管电路T1和T2可接收参考电流Iref。在初始驱动期间，由于附加电流Iadd，内部电流Iint可大于参考电流Iref。
[0093] 因此，例如，电流输出电路133可包括偏置晶体管T3，偏置晶体管T3包括接收来自二极管接法的晶体管电路T1和T2的温度检测电压Vtd的基极、通过电阻器R2连接到电源电压VCC端子的集电极以及通过偏置电阻器R3将偏置电流供应到信号线的发射极。在初始驱动期间，偏置晶体管T3可基于来自温度检测电路131的温度检测电压Vtd产生相对大的偏置电流Ibias。
[0094] 图9是示出图2的放大电路的示例的示图。
[0095] 参照图9，放大电路100可包括功率放大器110、温度检测电路120以及偏置电路130。
[0096] 在示例中，偏置电路130可包括温度补偿电路132、电流输出电路133以及电流附加电路135A。
[0097] 如在图6中示出并进一步在图9中示出的，温度补偿电路132可包括彼此串联连接在参考电流Iref端子与地之间的二极管接法的晶体管电路T1和T2。在初始驱动期间，二极管接法的晶体管电路T1和T2可接收参考电流Iref以检测功率放大器110的周围温度并产生温度补偿电压Vc。
[0098] 例如，电流输出电路133可包括偏置晶体管T3，偏置晶体管T3包括接收来自二极管接法的晶体管电路T1和T2的温度补偿电压Vc的基极、通过电阻器R2连接到电池电压VBAT端子的集电极以及通过偏置电阻器R3将偏置电流供应到信号线的发射极。偏置晶体管T3可基于来自温度补偿电路132的温度补偿电压Vc产生内部电流Iint。
[0099] 在非限制性示例中，电流附加电路135A可包括补偿晶体管TS，补偿晶体管TS包括连接到电源电压VCC端子的集电极、接收控制信号SC的基极以及连接到偏置晶体管T3的发射极的发射极。在初始驱动期间，补偿晶体管TS可响应于控制信号SC而导通，以产生附加电流Iadd并将产生的附加电流Iadd提供到偏置晶体管T3的发射极。因此，附加电流Iadd可与内部电流Iint相加以产生偏置电流Ibias。
[0100] 在初始驱动期间，可响应于控制信号SC产生附加电流Iadd，并且附加电流Iadd可与内部电流Iint相加以产生偏置电流Ibias。因此，在初始驱动期间，可通过附加电流Iadd产生相对大的偏置电流Ibias。
[0101] 温度检测电路120可包括串联连接在操作电压VCC端子与地之间的电阻器R4和晶体管T5，并且在非限制性示例中，晶体管T5可以是二极管接法的双极结型晶体管(BJT)。温度检测电路120可产生温度检测电压Vtd。
[0102] 图10是示出图2的放大电路的示例的示图。
[0103] 图10中示出的偏置电路130还可包括开关137，这与图9的偏置电路不同。
[0104] 开关137可连接在温度补偿电路132与地之间，并可在初始驱动期间断开。
[0105] 因此，在初始驱动期间断开开关137的示例中，通过温度补偿电路132流向地的电流可不流向地，转而可流过偏置晶体管T3的基极。因此，内部电流和偏置电流可增大。
[0106] 图11是示出图2的放大电路的示例的示图。
[0107] 参照图11，放大电路100可包括功率放大器110、温度检测电路120以及偏置电路130。
[0108] 在示例中，偏置电路130可包括电流附加电路135B、温度补偿电路132以及电流输出电路133。
[0109] 电流附加电路135B可包括连接在电池电压VBAT端子与温度补偿电路132之间的开关晶体管Ta和电阻器Ra。在初始驱动期间，开关晶体管Ta可响应于控制信号SC而导通以产生附加电流Iadd并将产生的附加电流Iadd输出到温度补偿电路132。
[0110] 如在图6中示出并进一步在图11中示出的，温度补偿电路132可包括彼此串联连接在参考电流Iref端子与地之间的二极管接法的晶体管电路T1和T2。在初始驱动期间，二极管接法的晶体管电路T1和T2可根据通过将附加电流Iadd与参考电流Iref相加获得的内部电流Iint产生温度补偿电压Vc。
[0111] 电流输出电路133可基于来自温度补偿电路132的温度补偿电压Vc产生偏置电流Ibias。
[0112] 因此，在初始驱动期间，可通过附加电流Iadd产生相对大的偏置电流Ibias。
[0113] 图12是图1的放大设备和图3的温度控制电路的主要信号的时序图。
[0114] 参照图1、图2和图12，TXen表示传输模式使能信号，其可在传输模式起始时间点处具有高电平。Sin表示输入信号。Iint表示偏置电路130的内部电流。Vtd表示从温度检测电路131或120输出到温度控制电路200的温度电压。Vref表示输入到比较电路220的参考电压。Vd表示从温度电压转换器210输出到比较电路220的检测电压。Scom表示从比较电路220输出的比较信号。
[0115] 在图12中，传输模式使能信号TXen可在表示初始驱动开始的时间点的传输模式起始时间点处具有高电平。在从传输模式起始时间点起经过预定时间之前，可以不输入输入信号Sin，并可在经过预定时间(例如，大约50μs至250μs)之后输入输入信号Sin。可在自传输模式起始时间点起1μs内产生内部电流Iint。温度电压Vtd是表示功率放大器110的周围温度的电压，并且功率放大器的周围温度可根据供应到功率放大器110的偏置电流而逐渐地增大，并且在功率放大器的周围温度的增大和减小可重复。不管温度的改变如何，参考电压Vref是大小恒定的电压。检测电压Vd是通过将温度电压Vtd放大而获得的电压。此外，根据检测电压Vd和参考电压Vref彼此比较的结果，当参考电压Vref高于检测电压Vd时，比较信号Scom可以是具有高电平的脉冲宽度调制(PWM)信号，当参考电压Vref低于检测电压Vd时，比较信号Scom可以是具有低电平的脉冲宽度调制(PWM)信号。
[0116] 如上所述，根据本公开的示例，一旦传输模式开始，可通过将功率放大器实现为快速地达到饱和区域来减小动态EVM(DEVM)。
[0117] 虽然本公开包括具体示例，但是对于本领域的普通技术人员将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可在形式和细节上对这些示例做出各种改变。在此描述的示例将仅被认为是描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果按照不同的顺序执行描述的技术，和/或如果按照不同的方式组合所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，和/或由其他组件或其等同物来替换或者添加所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物限定，并且在权利要求及其等同物的范围内的全部变型将被解释为被包含在本公开中。
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