具有复制偏置方案的电流感测放大器
专利汇可以提供具有复制偏置方案的电流感测放大器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及具有复制偏置方案的 电流 感测 放大器 。本公开的一些 实施例 涉及一种感测放大器架构，其便于快速且准确的读取操作。该感测放大器架构包括用于其第一感测放大器级的折叠共源共栅放大器以及用于建立感测放大器的感测线和参考感测线的预充电条件的预充电 电路 。预充电电路和折叠共源共栅放大器均包括一个或多个尺寸相同并且在其栅极上接收相同偏置 电压 的共源共栅晶体管。该架构以相对小的占地面积提供了快速且准确的读取操作，由此提供了成本和性能的良好调和。，下面是具有复制偏置方案的电流感测放大器专利的具体信息内容。
1.一种用于从耦接到存储器单元的感测线感测数据值的感测放大器，所述感测放大器包括：
第一共源共栅晶体管，布置在第一电流路径上并且耦接到所述感测线；以及预充电电路，包括附加共源共栅晶体管和预充电装置，所述附加共源共栅晶体管和所述预充电装置串联布置在与所述第一电流路径并联的附加电流路径上，其中所述预充电电路被配置成建立所述感测线上的预充电条件；以及
反馈路径，将所述感测线耦接到所述预充电装置的控制端子，其中所述感测线耦接到所述预充电装置和所述附加共源共栅晶体管之间的所述附加电流路径上的节点。
2.根据权利要求1所述的感测放大器，其中所述感测放大器包括单端输出并且进一步包括：
第一电流源晶体管，与所述第一共源共栅晶体管串联并且被配置成沿所述第一电流路径提供第一电流；
第一电流吸收晶体管，与所述第一共源共栅晶体管串联；
其中所述第一共源共栅晶体管设置在所述第一电流路径上的所述第一电流源晶体管和所述第一电流吸收晶体管之间。
3.根据权利要求1所述的感测放大器，其中所述感测放大器包括差分输出并且进一步包括：
第二共源共栅晶体管，在第二电流路径上并且耦接到参考感测线；
第一电流源晶体管和第二电流源晶体管，被配置成分别沿第一电流路径和第二电流路径分别提供第一电流和第二电流；
第一电流镜晶体管和第二电流镜晶体管，分别与第一共源共栅晶体管和第二共源共栅晶体管串联布置并且分别布置在第一电流路径和第二电流路径上，其中各个第一共源共栅晶体管和第二共源共栅晶体管设置在各个第一电流源晶体管和第二电流源晶体管与各个第一电流镜晶体管和第二电流镜晶体管之间。
4.根据权利要求1所述的感测放大器，其中所述第一共源共栅晶体管和所述附加共源共栅晶体管具有大致相等的尺寸或者具有限定的比。
5.根据权利要求4所述的感测放大器，进一步包括：
偏置电路，配置成向所述第一共源共栅晶体管和所述附加共源共栅晶体管的各个栅极递送偏置。
6.根据权利要求1所述的感测放大器，进一步包括：
上拉电流元件，具有耦接到供电电压的源极并且具有耦接到所述预充电装置的所述控制端子的漏极；
其中所述反馈路径包括开关元件。
7.根据权利要求6所述的感测放大器，其中所述开关元件包括传输门或晶体管中的至少一个。
8.根据权利要求3所述的感测放大器，进一步包括第二级感测放大器，包括：
一对交叉耦接的反相器，具有与其相关联的一对互补存储节点。
9.根据权利要求8所述的感测放大器，进一步包括：
锁存器，具有耦接到所述第二级感测放大器的一对互补存储节点的输入。
10.根据权利要求3所述的感测放大器，进一步包括：
第三电流源晶体管，被配置成沿第三电流路径提供第三电流，其中所述第三电流路径与第一电流路径和第二电流路径并联；
第三共源共栅晶体管，与所述第三电流源晶体管串联布置；以及
第三电流镜晶体管，与所述第三共源共栅晶体管串联布置，其中所述第三共源共栅晶体管布置在所述第三电流源晶体管和所述第三电流镜晶体管之间。
11.根据权利要求10所述的感测放大器，进一步包括：
第一个第二级感测放大器，包括分别耦接到第一电流路径和第二电流路径的第一感测线和第一参考感测线；
第二个第二级感测放大器，包括分别耦接到第一电流路径和第三电流路径的第二感测线和第二参考感测线。
12.根据权利要求10所述的感测放大器，其中所述感测放大器被配置成感测与耦接到所述感测放大器的存储器元件的至少三个不同的数据状态相关联的至少三个信号电平。
13.一种存储器装置，包括：
存储器单元阵列，布置成许多个行和列；
多个位线，耦接到各个存储器单元列并且被配置成提供与各个存储器单元中存储的各个数据状态对应的各个偏置；
多个感测放大器，分别耦接到各个存储器单元列并且具有耦接到各个位线的各个感测线，其中各个感测放大器包括与各个感测线耦接的各个第一共源共栅晶体管和各个折叠共源共栅放大器；以及
多个预充电电路，分别与所述多个感测放大器相关联，其中所述预充电电路包括在与第一共源共栅晶体管并联的第二电流路径上与预充电装置串联布置的第二共源共栅晶体管；
反馈路径，将所述感测线耦接到所述预充电装置的控制端子，其中所述感测线耦接到所述预充电装置和所述第二共源共栅晶体管之间的所述第二电流路径上的节点。
14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中所述第一共源共栅晶体管和第二共源共栅晶体管中的每个具有大致相等的尺寸或限定的比。
15.根据权利要求13所述的存储器装置，进一步包括：
单偏置电路，耦接到所述多个预充电电路并且配置成便于所述感测线通过其进行预充电。
16.根据权利要求13所述的存储器装置，进一步包括：
多个参考感测线，耦接到各个感测放大器，其中至少两个参考感测线耦接到共享的参考源或参考单元。
17.根据权利要求13所述的存储器装置，进一步包括：
多个参考感测线，耦接到各个感测放大器，其中所述多个参考感测线分别耦接到多个参考源，或者其中所述多个参考感测线分别耦接到多个参考单元。
18.一种用于从耦接到存储器单元的感测线感测数据值的感测放大器，所述感测放大器包括：
第一电流源晶体管和第二电流源晶体管，配置成分别沿第一电流路径和第二电流路径分别提供第一电流和第二电流，其中所述第一电流路径耦接到所述感测线并且其中所述第二电流路径耦接到参考感测线；
第一共源共栅晶体管和第二共源共栅晶体管，分别与第一电流镜晶体管和第二电流镜晶体管串联布置并且被分别布置在第一电流路径和第二电流路径上；
第一电流镜晶体管和第二电流镜晶体管，分别与所述第一共源共栅晶体管和第二共源共栅晶体管串联布置，并且分别布置在第一电流路径和第二电流路径上，其中各个共源共栅晶体管设置在第一电流路径和第二电流路径上的各个电流源晶体管和各个电流镜晶体管之间；以及
预充电电路，包括串联布置在第三电流路径上的第三共源共栅晶体管和预充电装置，其中所述预充电电路被配置成在所述感测线上建立预充电条件；
与第三电流路径并联的第四电流路径，将所述感测线耦接到所述预充电装置的控制端子，其中所述感测线耦接到所述预充电装置和所述第三共源共栅晶体管之间的所述第三电流路径上的节点。
19.根据权利要求18所述的感测放大器，其中第一共源共栅晶体管、第二共源共栅晶体管和第三共源共栅晶体管中的每个具有大致相等的尺寸。
20.根据权利要求19所述的感测放大器，进一步包括：
偏置电路，耦接到所述预充电电路并且耦接第一共源共栅晶体管、第二共源共栅晶体管和第三共源共栅晶体管；
其中第一共源共栅晶体管、第二共源共栅晶体管和第三共源共栅晶体管的各个栅极端子耦接到一起以从偏置电路接收偏置电压。
21.根据权利要求20所述的感测放大器，其中所述预充电电路进一步包括：
上拉电流元件，布置在所述第四电流路径上，其中所述上拉电流元件具有耦接到供电电压的漏极以及耦接到所述预充电装置的控制端子的源极。
具有复制偏置方案的电流感测放大器
背景技术
具体实施方式
第四电流路径226（其也可以被称为反馈路径）包括开关元件（例如，传输门232）。
234流动到感测线218a和位线上，由此在感测线218和位线上建立预充电条件。由于连续施加bias_cas信号，因此节点244和250上的电位随着对感测线218a充电而逐渐建立，其最终在某个时间之后限制通过234的预充电。在这一点上，预充电电路204是自调节的并且提供了对感测线218a和位线预充电的高效方式。最终，上拉信号（pu）被解除断言，尽管预充电很可能已经被限于预充电电路的自调节行为。
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