【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に関し、さらに詳しくは、複数のＥＬ素子をプッシュプル方式で駆動するＥＬ表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】腕時計の文字盤や携帯情報機器の表示板には、バックライト用または文字等の表示用としてＥＬ
素子を用いたＥＬ表示装置が用いられている。 この場合において、バックライトの色を変えたり、文字盤の表示を変えたりするために、複数のＥＬ素子を備えたＥＬ表示装置が用いられることがある。 このようなＥＬ表示装置では、複数のＥＬ素子の各々に対して、昇圧回路、発振回路、分周回路、およびスイッチング回路が設けられる。

【０００３】例えば、図４に示すように、２個のＥＬ素子９７，９８を備えたプッシュプル駆動方式のＥＬ表示装置では、ＥＬ素子９７に対して昇圧回路８０、発振回路７４、分周回路７９、およびスイッチング回路８１が設けられ、ＥＬ素子９８に対して昇圧回路９０、発振回路８４、分周回路８９、およびスイッチング回路９１が設けられる。

【０００４】このＥＬ表示装置では、分周回路７９，８
９は、それぞれ発振回路７４，８４からのパルス信号Ｐ
１，Ｐ２を分周する。 この分周信号Ｄ１に応答して、コントロール回路７７は、トランジスタ１０１，１０４がオン、トランジスタ１０２，１０３がオフとなる状態と、トランジスタ１０２，１０３がオン、トランジスタ１０１，１０４がオフとなる状態とが交互に切り替わるように制御信号Ａ１，ＮＡ１，Ｂ１，ＮＢ１を発生する。 同様に、分周信号Ｄ２に応答して、コントロール回路８７は、制御信号Ａ２，ＮＡ２，Ｂ２，ＮＢ２を発生する。 このようにして、ＥＬ素子９７，９８に印加する電圧の周波数を分周信号Ｄ１，Ｄ２の周波数と等しくしている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述のＥＬ表示装置では、複数のＥＬ素子９７，９８の各々に対して、昇圧回路８０，９０、発振回路７４，８４、分周回路７９，８
９、およびスイッチング回路８１，９１が必要となる。
そのため、半導体で構成される領域１０９，１１０のデバイス数が多く、複雑になる。 また、コイル、ダイオード、コンデンサといった周辺部品の数も増え、コストにおいても非常に不利となる。

【０００６】なお、特開平９−１７１３７０号公報には、１つの発振回路、昇圧回路、分周回路によって複数のＥＬ素子をシングル方式で駆動するＥＬ表示装置が開示されている。 シングル駆動方式のＥＬ表示装置には、
プッシュプル駆動方式のＥＬ表示装置に比べてＥＬ素子の輝度が低いという特徴がある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明によるＥＬ表示装置は、発振回路と、昇圧回路と、分周回路と、複数のＥＬ素子と、スイッチング回路とを備える。 発振回路は、所定の周波数のパルス信号を発生する。 昇圧回路は、パルス信号に応答して電源電圧を昇圧することによって昇圧電圧を生成する。 分周回路は、パルス信号を分周する。 スイッチング回路は、分周回路からの信号に応答して昇圧電圧の極性を反転させることによって交流信号を生成し、当該交流信号を複数のＥＬ素子に供給する。

【０００８】上記ＥＬ表示装置においては、スイッチング回路を設けたため、１つの発振回路、１つの昇圧回路、１つのスイッチング回路、および１つの分周回路という簡素な構成で、複数のＥＬ素子を点灯できるＥＬ表示装置を実現することができる。

【０００９】また、一般に、ＥＬ素子の点灯時の色合いは、印加する電圧の周波数によって異なる。 上記ＥＬ表示装置では、分周回路からの信号に応答して極性が反転する交流信号が複数のＥＬ素子に供給される。 したがって、複数のＥＬ素子へ印加する電圧の周波数は一定となる。 これにより、点灯するＥＬ素子の色合いが均一となる。 また、発振回路からのパルス信号の周波数、分周回路による分周比を変えることによって、複数のＥＬ素子へ印加する電圧の周波数を所望の値にすることができる。

【００１０】好ましくは、上記昇圧回路は、コイルと、
ダイオードと、スイッチ素子とを含む。 コイルは、一端に電源電圧を受ける。 ダイオードは、アノードがコイルの他端に接続され、カソードから昇圧電圧を出力する。
スイッチ素子は、コイルとダイオードとの相互接続ノードと接地ノードとの間に接続され、発振回路からのパルス信号に応答してオン／オフする。

【００１１】好ましくは、上記スイッチ素子は、トランジスタである。

【００１２】好ましくは、上記トランジスタは、パルス信号をゲートに受ける高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタである。

【００１３】好ましくは、上記トランジスタは、バイポーラトランジスタである。

【００１４】好ましくは、上記スイッチング回路は、複数の第１のスイッチ素子と、複数の第２のスイッチ素子と、コントロール回路とを備える。 複数の第１のスイッチ素子は、複数のＥＬ素子の各々に対応して設けられ、
複数のＥＬ素子の一端または他端を、昇圧電圧を受ける昇圧ノードに選択的に接続する。 複数の第２のスイッチ素子は、複数のＥＬ素子の各々に対応して設けられ、複数のＥＬ素子の一端または他端を、接地ノードに選択的に接続する。 コントロール回路は、複数の第１および第２のスイッチ素子の接続状態を切り替える。 具体的には、上記コントロール回路は、複数のＥＬ素子の一端が昇圧ノードに接続され、他端が接地ノードに接続された第１の接続状態と、複数のＥＬ素子の他端が昇圧ノードに接続され、一端が接地ノードに接続された第２の接続状態とを、分周回路からの信号に応答して交互に切り替える。

【００１５】上記ＥＬ表示装置においては、第１の接続状態のとき複数のＥＬ素子の一端には昇圧電圧が供給され、他端には接地電圧が供給される。 この状態で分周回路からの信号のレベルが切り替わると、コントロール回路によって第２の接続状態に切り替えられる。 そして、
第２の接続状態のとき複数のＥＬ素子の一端には接地電圧が、他端には昇圧電圧が供給される。 この状態で分周回路からの信号のレベルが切り替わると、コントロール回路は第１の接続状態に切り替える。 このようにして、
分周回路からの信号の周波数に等しい周波数の交流信号が複数のＥＬ素子に印加される。

【００１６】好ましくは、上記複数の第１のスイッチ素子の各々は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを含み、上記複数の第２のスイッチ素子の各々は、
第３のトランジスタと、第４のトランジスタとを含む。
第１のトランジスタは、昇圧ノードと複数のＥＬ素子の一端との間に接続される。 第２のトランジスタは、昇圧ノードと複数のＥＬ素子の他端との間に接続される。 第３のトランジスタは、接地ノードと複数のＥＬ素子の一端との間に接続される。 第４のトランジスタは、接地ノードと複数のＥＬ素子の他端との間に接続される。

【００１７】上記ＥＬ表示装置においては、第１の接続状態のとき、第１のトランジスタはオン、第２のトランジスタはオフ、第３のトランジスタはオフ、第４のトランジスタはオンとなる。 これにより、複数のＥＬ素子の一端には昇圧電圧が供給され、他端には接地電圧が供給される。 また、第２の接続状態のとき、第１のトランジスタはオフ、第２のトランジスタはオン、第３のトランジスタはオン、第４のトランジスタはオフとなる。 これにより、複数のＥＬ素子の一端には接地電圧が供給され、他端には昇圧電圧が供給される。

【００１８】好ましくは、上記第１から第４のトランジスタは、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタである。

【００１９】好ましくは、上記第１および第２のトランジスタは、高耐圧ＰチャネルＭＯＳトランジスタであり、上記第３および第４のトランジスタは、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタである。

【００２０】好ましくは、上記第１から第４のトランジスタは、バイポーラトランジスタである。

【００２１】好ましくは、上記ＥＬ表示装置は、コンデンサをさらに備える。 コンデンサは、昇圧電圧を受ける昇圧ノードと接地ノードとの間に接続される。

【００２２】上記ＥＬ表示装置においては、ＥＬ素子の輝度を高くすることができるとともに、パルス信号と同周期のノイズを低減することができる。

【００２３】好ましくは、上記ＥＬ表示装置は、入力回路をさらに備える。 入力回路は、複数のＥＬ素子のうち点灯させるＥＬ素子を選択する。 さらに、上記スイッチング回路は、入力回路によって選択されたＥＬ素子に交流信号を供給する。

【００２４】上記ＥＬ表示装置においては、複数のＥＬ
素子のうち所望のＥＬ素子を選択的に点灯させることができる。

【００２５】好ましくは、上記入力回路はさらに、複数のＥＬ素子のいずれも点灯させない場合、発振回路および分周回路の機能を停止させる。

【００２６】上記ＥＬ表示装置においては、複数のＥＬ
素子のいずれも点灯させない場合の消費電力を低減することができる。

【００２７】好ましくは、上記発振回路、スイッチング回路、分周回路、およびスイッチ素子は、同一半導体基板上に集積化される。

【００２８】好ましくは、上記発振回路、スイッチング回路、分周回路、スイッチ素子、およびダイオードは、
同一半導体基板上に集積化される。

【００２９】好ましくは、上記発振回路、スイッチング回路、分周回路、スイッチ素子、および入力回路は、同一半導体基板上に集積化される。

【００３０】好ましくは、上記発振回路、スイッチング回路、分周回路、スイッチ素子、ダイオード、および入力回路は、同一半導体基板上に集積化される。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 なお、図中同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。

【００３２】図１は、この発明の実施の形態によるＥＬ
表示装置の全体構成を示すブロック図である。 このＥＬ
表示装置は、プッシュプル駆動方式のＥＬ表示装置であり、ＥＬ素子１７，１８と、直流電源１と、昇圧回路２
０と、発振回路４と、入力回路６と、分周回路１５と、
スイッチング回路３０と、コンデンサ１４とを備える。
発振回路４、入力回路６、分周回路１５、スイッチング回路３０、および昇圧回路２０に含まれる高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５は、同一の半導体基板１９上に集積化される。

【００３３】ＥＬ素子１７は、半導体基板１９の端子Ｅ
Ｌ０と端子ＥＬ１との間に接続される。 ＥＬ素子１８
は、半導体基板１９の端子ＥＬ０と端子ＥＬ２との間に接続される。 直流電源１は、電源電圧を発生する。 この電源電圧は、半導体基板１９の端子Ｖｃｃに供給される。

【００３４】発振回路４は、所定の周波数のパルス信号Ｐを発生する。

【００３５】昇圧回路２０は、コイル２と、ダイオード３と、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５とを含む。 コイル２は、直流電源１とダイオード３のアノードとの間に接続される。 ダイオード３は、そのアノードがコイル２に接続され、そのカソードが半導体基板１９の端子ＤＣに接続される。 ダイオード３は、コイル２に対して逆方向の電圧が印加されるのを阻止する。 高耐圧Ｎ
チャネルＭＯＳトランジスタ５は、ソースが接地され、
ドレインが半導体基板１９の端子ＣＩＬに接続され、発振回路４からのパルス信号Ｐをゲートに受ける。 このパルス信号Ｐによって高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５のスイッチング周波数が定まる。 端子ＣＩＬは、コイル２とダイオード３との相互接続ノードに接続される。 以上のように構成された昇圧回路２０は、発振回路４からのパルス信号Ｐに応答して直流電源１からの電源電圧を昇圧して、ダイオード３のカソードに出力する。

【００３６】入力回路６は、半導体基板１９の端子ＩＮ
１，ＩＮ２に入力される信号に応答して、発振回路４および分周回路１５の動作を制御する制御信号ＳＴと、点灯させるＥＬ素子１７，１８を選択する選択信号Ｃ１，
Ｃ２とを出力する。

【００３７】分周回路１５は、発振回路４からのパルス信号Ｐを分周して分周信号Ｄを出力する。

【００３８】スイッチング回路３０は、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８−１３と、コントロール回路７
とを含む。

【００３９】高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８，
１０が、ＥＬ素子１７に対する第１のスイッチ素子を構成する。 高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ９，１１
が、ＥＬ素子１７に対する第２のスイッチ素子を構成する。 高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８，１２が、
ＥＬ素子１８に対する第１のスイッチ素子を構成する。
高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ９，１３が、ＥＬ
素子１８に対する第２のスイッチ素子を構成する。

【００４０】高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８
は、端子ＤＣと端子ＥＬ０との間に接続される。 高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ９は、端子ＥＬ０と接地ノードとの間に接続される。 高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１０は、端子ＤＣと端子ＥＬ１との間に接続される。 高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１は、
端子ＥＬ１と接地ノードとの間に接続される。 高耐圧Ｎ
チャネルＭＯＳトランジスタ１２は、端子ＤＣと端子Ｅ
Ｌ２との間に接続される。 高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１３は、端子ＥＬ２と接地ノードとの間に接続される。

【００４１】コントロール回路７は、選択信号Ｃ１，Ｃ
２および分周信号Ｄに応答して、高耐圧ＮチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ８−１３のゲートに制御信号Ａ−Ｃ，Ｎ
Ａ−ＮＣを出力する。

【００４２】コンデンサ１４は、ダイオード３のカソードと接地ノードとの間に接続される。 コンデンサ１４
は、ＥＬ素子１７，１８の発光輝度を高くする。 また、
コンデンサ１４は、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５のスイッチングと同期するノイズを低減する。

【００４３】図２は、図１に示された入力回路６およびコントロール回路７の構成を具体的に示すブロック図である。 以下、図２を参照しつつ説明する。

【００４４】入力回路６は、抵抗３４，３５，４１，４
２と、インバータ４５−４７と、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４３，４４と、ＮＯＲ回路４８とを含む。

【００４５】抵抗３４は、半導体基板１９の端子ＩＮ１
と接地ノードとの間に接続される。 抵抗４１およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ４３は、電源電圧を受ける電源ノードと接地ノードとの間に直列に接続される。 ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４３のゲートは、端子ＩＮ１
に接続される。 インバータ４５は、抵抗４１とＮチャネルＭＯＳトランジスタ４３との相互接続ノードの電圧を反転する。 インバータ４５の出力が選択信号Ｃ１となる。 抵抗３５は、半導体基板１９の端子ＩＮ２と接地ノードとの間に接続される。 抵抗４２およびＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタ４４は、電源電圧を受ける電源ノードと接地ノードとの間に直列に接続される。 ＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタ４４のゲートは、端子ＩＮ２に接続される。 インバータ４６は、抵抗４２とＮチャネルＭＯＳ
トランジスタ４４との相互接続ノードの電圧を反転する。 インバータ４６の出力が選択信号Ｃ２となる。 ＮＯ
Ｒ回路４８は、インバータ４５の出力とインバータ４６
の出力とのＮＯＲを出力する。 インバータ４７は、ＮＯ
Ｒ回路４８の出力を反転する。 インバータ４７の出力が制御信号ＳＴとなる。

【００４６】以上のように構成された入力回路６では、
端子ＩＮ１，ＩＮ２の電圧がともにＬレベルのとき、選択信号Ｃ１，Ｃ２はＬレベルとなり、制御信号ＳＴはＬ
レベルとなる。 端子ＩＮ１，ＩＮ２の少なくとも一方がＨレベルのとき、制御信号ＳＴはＨレベルとなる。 なお、抵抗３４，３５を設けているため、端子ＩＮ１，Ｉ
Ｎ２がオープン状態であってもＬレベルの信号が入力されたのと同じ状態となる。

【００４７】コントロール回路７は、抵抗４９−５１
と、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５２−５４
と、インバータ５５−６０と、ＮＡＮＤ回路６１−６６
とを含む。

【００４８】抵抗４９−５１は、それぞれ半導体基板１
９の端子ＤＣと高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５
２−５４のドレインとの間に接続される。

【００４９】高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５２
は、抵抗４９と接地ノードとの間に接続され、インバータ５５の出力をゲートに受ける。 高耐圧ＮチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ５３は、抵抗５０と接地ノードとの間に接続され、ＮＡＮＤ回路６１の出力をゲートに受ける。
高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５４は、抵抗５１
と接地ノードとの間に接続され、ＮＡＮＤ回路６３の出力をゲートに受ける。

【００５０】インバータ５６は、分周回路１５からの分周信号Ｄを反転する。 インバータ５５は、インバータ５
６の出力を反転する。 インバータ５７は、ＮＡＮＤ回路６２の出力を反転する。 インバータ５８は、ＮＡＮＤ回路６４の出力を反転する。 インバータ５９は、選択信号Ｃ１を反転する。 インバータ６０は、選択信号Ｃ２を反転する。

【００５１】ＮＡＮＤ回路６２は、インバータ５６の出力と選択信号Ｃ１とのＮＡＮＤを出力する。 ＮＡＮＤ回路６４は、インバータ５６の出力と選択信号Ｃ２とのＮ
ＡＮＤを出力する。 ＮＡＮＤ回路６５は、選択信号Ｃ２
とインバータ５９の出力とのＮＡＮＤを出力する。 ＮＡ
ＮＤ回路６６は、選択信号Ｃ１とインバータ６０の出力とのＮＡＮＤを出力する。 ＮＡＮＤ回路６１は、ＮＡＮ
Ｄ回路６２の出力とＮＡＮＤ回路６５の出力とのＮＡＮ
Ｄを出力する。 ＮＡＮＤ回路６３は、ＮＡＮＤ回路６４
の出力とＮＡＮＤ回路６６の出力とのＮＡＮＤを出力する。

【００５２】高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５２
−５４のドレインの電圧は、それぞれ制御信号Ａ，Ｂ，
Ｃとして高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８，１
０，１２のゲートに供給される。 これにより、高耐圧Ｎ
チャネルＭＯＳトランジスタ８，１０，１２のソース電位が高電位になる場合でも、ＥＬ素子１７，１８へ印加する電圧の極性反転を制御することができる。

【００５３】インバータ５５，５７，５８の出力は、それぞれ制御信号ＮＡ，ＮＢ，ＮＣとして高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ９，１１，１３のゲートに供給される。

【００５４】次に、以上のように構成されたＥＬ表示装置の動作について説明する。

【００５５】図３は、図１および図２に示されたＥＬ表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。 以下、図３および図２を参照しつつ説明する。 なお、図３では、図２に示された半導体基板１９の端子Ｉ
Ｎ１，ＩＮ２，ＣＩＬ，ＤＣ，ＥＬ０−ＥＬ２の電圧を、それぞれの符号で表す。 また、端子ＥＬ０と端子Ｅ
Ｌ１との間の電圧をＥＬ０−ＥＬ１で、端子ＥＬ０と端子ＥＬ２との間の電圧をＥＬ０−ＥＬ２で表す。

【００５６】以下、（１）ＥＬ素子１７のみを点灯させる場合、（２）ＥＬ素子１８のみを点灯させる場合、
（３）ＥＬ素子１７，１８を同時に点灯させる場合、
（４）ＥＬ素子１７，１８のいずれも点灯させない場合に分けて説明する。

【００５７】（１）ＥＬ素子１７のみを点灯させる場合 図３の期間Ｔ１に相当する場合である。 このとき、半導体基板１９の端子ＩＮ１をＨレベル、端子ＩＮ２をＬレベルとする。

【００５８】これに応答して、入力回路６の高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４３がオンになり、選択信号Ｃ１はＨレベルとなり、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４４がオフになり、選択信号Ｃ２はＬレベルとなる。

【００５９】この選択信号Ｃ１，Ｃ２に応答して、コントロール回路７の高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５４がオンになり、制御信号ＣはＬレベルとなる。 また、インバータ５８の出力、すなわち、制御信号ＮＣもＬレベルとなる。 これによって、高耐圧ＮチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ１２，１３は、ともにオフになる。 この結果、端子ＥＬ２はオープン状態となり、ＥＬ素子１８
は点灯しない。

【００６０】また、選択信号Ｃ１，Ｃ２に応答して、制御信号ＳＴはＨレベルとなる。 Ｈレベルの制御信号ＳＴ
は、発振回路４および分周回路１５に供給される。 発振回路４および分周回路１５は、Ｈレベルの制御信号ＳＴ
を受けて活性化する。

【００６１】＜時刻ｔ１０−ｔ１１＞時刻ｔ１０において活性化された発振回路４は、所定の周波数のパルス信号Ｐを発生する。 このパルス信号Ｐに応答して、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５はオン／オフする。 これにより、端子ＣＩＬの電圧は、図３のＣＩＬに示すようなる。 端子ＣＩＬの電圧は、ダイオード３によって整流されて端子ＤＣに供給される。 このように、端子ＤＣ
の電圧は昇圧される。

【００６２】分周回路１５は、発振回路４からのパルス信号Ｐを分周して周波数ｆ０の分周信号Ｄを発生する。
分周信号Ｄは、時刻ｔ１０−ｔ１２間を一周期とする。
時刻ｔ１０−ｔ１１において分周信号ＤはＬレベルである。

【００６３】Ｌレベルの分周信号Ｄに応答して、コントロール回路７の高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５
２はオフになる。 これにより、Ｈレベルの制御信号Ａが高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８のゲートに供給され、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８はオンになる。

【００６４】また、Ｌレベルの制御信号ＮＡが高耐圧Ｎ
チャネルＭＯＳトランジスタ９のゲートに供給され、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ９はオフになる。

【００６５】また、コントロール回路７の高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５３はオンになる。 これにより、Ｌレベルの制御信号Ｂが高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１０のゲートに供給され、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１０はオフになる。

【００６６】また、Ｈレベルの制御信号ＮＢが高耐圧Ｎ
チャネルＭＯＳトランジスタ１１のゲートに供給され、
高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１はオンになる。

【００６７】この結果、端子ＥＬ０は端子ＤＣに接続され、端子ＥＬ１は接地ノードに接続される。 よって、端子ＥＬ０，ＥＬ１の電圧は、図３のＥＬ０，ＥＬ１に示すようになる。 また、ＥＬ素子１７の両端に印加される電圧、すなわち、端子ＥＬ０と端子ＥＬ１との間の電圧は、図３のＥＬ０−ＥＬ１に示すようになる。

【００６８】＜時刻ｔ１１−ｔ１２＞時刻ｔ１１において、分周信号ＤがＬレベルからＨレベルに切り替わる。
時刻ｔ１１−ｔ１２において分周信号ＤはＨレベルである。

【００６９】Ｈレベルの分周信号Ｄに応答して、コントロール回路７の高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５
２はオフからオンになる。 これにより、Ｌレベルの制御信号Ａが高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８のゲートに供給され、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８
はオンからオフになる。

【００７０】また、Ｈレベルの制御信号ＮＡが高耐圧Ｎ
チャネルＭＯＳトランジスタ９のゲートに供給され、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ９はオフからオンになる。

【００７１】また、コントロール回路７の高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５３はオンからオフになる。 これにより、Ｈレベルの制御信号Ｂが高耐圧ＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタ１０のゲートに供給され、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１０はオフからオンになる。

【００７２】また、Ｌレベルの制御信号ＮＢが高耐圧Ｎ
チャネルＭＯＳトランジスタ１１のゲートに供給され、
高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１はオンからオフになる。

【００７３】この結果、端子ＤＣに接続されていた端子ＥＬ０が接地ノードに接続され、接地ノードに接続されていた端子ＥＬ１が端子ＤＣに接続される。 そして、時刻ｔ１０−ｔ１１におけるのと同様にして、端子ＤＣの電圧が昇圧される。

【００７４】したがって、端子ＥＬ０，ＥＬ１の電圧は、図３のＥＬ０，ＥＬ１に示すようになる。 また、Ｅ
Ｌ素子１７の両端に印加される電圧は、時刻ｔ１０−ｔ
１１における電圧の極性を反転したものとなる。

【００７５】＜時刻ｔ１２−ｔ１３＞時刻ｔ１２において、分周信号ＤがＨレベルからＬレベルに切り替わる。
時刻ｔ１２−ｔ１３において分周信号ＤはＬレベルである。 以下、時刻ｔ１０−ｔ１１におけるのと同様にして、ＥＬ素子１７の両端に印加される電圧、すなわち、
端子ＥＬ０と端子ＥＬ１との間の電圧は、図３のＥＬ０
−ＥＬ１に示すようになる。

【００７６】＜時刻ｔ１３−ｔ１４＞時刻ｔ１３において、分周信号ＤがＬレベルからＨレベルに切り替わる。
時刻ｔ１３−ｔ１４において分周信号ＤはＨレベルである。 以下、時刻ｔ１１−ｔ１２におけるのと同様にして、ＥＬ素子１７の両端に印加される電圧、すなわち、
端子ＥＬ０と端子ＥＬ１との間の電圧は、図３のＥＬ０
−ＥＬ１に示すようになる。

【００７７】以上のように、この実施の形態によるＥＬ
表示装置では、分周信号Ｄのレベルが切り替わるごとに、端子ＥＬ０，ＥＬ１の接続状態が切り替わる。 したがって、端子ＥＬ０，ＥＬ１の電圧の周波数ｆＥＬ０，
ｆＥＬ１は、分周信号Ｄの周波数ｆ０と等しくなる。 また、分周信号Ｄのレベルが切り替わるごとに、ＥＬ素子１７へ印加する電圧ＥＬ０−ＥＬ１の極性が反転するため、ＥＬ素子１７へ印加する電圧ＥＬ０−ＥＬ１の周波数ｆＥＬも、分周信号Ｄの周波数ｆ０と等しくなる。 つまり、分周信号Ｄの周波数ｆ０によってＥＬ素子１７へ印加する電圧ＥＬ０−ＥＬ１の周波数ｆＥＬが決まる。

【００７８】（２）ＥＬ素子１８のみを点灯させる場合 図３の期間Ｔ２に相当する場合である。 このとき端子Ｉ
Ｎ１をＬレベル、端子ＩＮ２をＨレベルとする。

【００７９】これに応答して、入力回路６の高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４３がオフになり、選択信号Ｃ１はＬレベルとなり、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４４がオンになり、選択信号Ｃ２はＨレベルとなる。

【００８０】この選択信号Ｃ１，Ｃ２に応答して、コントロール回路７の高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５３がオンになり、制御信号ＢはＬレベルとなる。 また、インバータ５７の出力、すなわち、制御信号ＮＢもＬレベルとなる。 これによって、高耐圧ＮチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ１０，１１は、ともにオフになる。 この結果、端子ＥＬ１はオープン状態となり、ＥＬ素子１７
は点灯しない。

【００８１】また、選択信号Ｃ１，Ｃ２に応答して、制御信号ＳＴはＨレベルとなる。 Ｈレベルの制御信号ＳＴ
は、発振回路４および分周回路１５に供給される。 発振回路４および分周回路１５は、Ｈレベルの制御信号ＳＴ
を受けて活性化する。 分周回路１５は、周波数ｆ０の分周信号Ｄを発生する。

【００８２】＜時刻ｔ２０−ｔ２１＞時刻ｔ１０−ｔ１
１におけるのと同様にして、端子ＤＣの電圧は昇圧される。 また、時刻ｔ２０−ｔ２１において分周信号ＤはＬ
レベルである。

【００８３】Ｌレベルの分周信号Ｄに応答して、時刻ｔ
１０−ｔ１１におけるのと同様にして、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８はオンになり、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ９はオフになる。 また、コントロール回路７の高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５４
はオンになる。 これにより、Ｌレベルの制御信号Ｃが高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１２のゲートに供給され、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１２はオフになる。 また、Ｈレベルの制御信号ＮＣが高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１３のゲートに供給され、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１３はオンになる。

【００８４】この結果、端子ＥＬ０は端子ＤＣに接続され、端子ＥＬ２は接地ノードに接続される。 よって、端子ＥＬ０，ＥＬ２の電圧は、図３のＥＬ０，ＥＬ２に示すようになる。 また、ＥＬ素子１８の両端に印加される電圧、すなわち、端子ＥＬ０と端子ＥＬ２との間の電圧は、図３のＥＬ０−ＥＬ２に示すようになる。

【００８５】＜時刻ｔ２１−ｔ２２＞時刻ｔ２１において、分周信号ＤがＬレベルからＨレベルに切り替わる。
時刻ｔ２１−ｔ２２において分周信号ＤはＨレベルである。

【００８６】時刻ｔ１１−ｔ１２におけるのと同様に、
この分周信号Ｄに応答して、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８はオンからオフになり、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ９はオフからオンになる。

【００８７】また、コントロール回路７の高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５４はオンからオフになる。 これにより、Ｈレベルの制御信号Ｃが高耐圧ＮチャネルＭ
ＯＳトランジスタ１２のゲートに供給され、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１２はオフからオンになる。
また、Ｌレベルの制御信号ＮＣが高耐圧ＮチャネルＭＯ
Ｓトランジスタ１３のゲートに供給され、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１３はオンからオフになる。

【００８８】この結果、端子ＤＣに接続されていた端子ＥＬ０が接地ノードに接続され、接地ノードに接続されていた端子ＥＬ２が端子ＤＣに接続される。 そして、時刻ｔ２０−ｔ２１におけるのと同様にして、端子ＤＣの電圧が昇圧される。 したがって、端子ＥＬ０，ＥＬ２の電圧は、図３のＥＬ０，ＥＬ２に示すようになる。 また、ＥＬ素子１８の両端に印加される電圧は、時刻ｔ２
０−ｔ２１における電圧の極性を反転したものとなる。

【００８９】＜時刻ｔ２２−ｔ２３＞時刻ｔ２２において、分周信号ＤがＨレベルからＬレベルに切り替わる。
時刻ｔ２２−ｔ２３において分周信号ＤはＬレベルである。 以下、時刻ｔ２０−ｔ２１におけるのと同様にして、ＥＬ素子１８の両端に印加される電圧、すなわち、
端子ＥＬ０と端子ＥＬ２との間の電圧は、図３のＥＬ０
−ＥＬ２に示すようになる。

【００９０】＜時刻ｔ２３−ｔ２４＞時刻ｔ２３において、分周信号ＤがＬレベルからＨレベルに切り替わる。
時刻ｔ２３−ｔ２４において分周信号ＤはＨレベルである。 以下、時刻ｔ２１−ｔ２２におけるのと同様にして、ＥＬ素子１８の両端に印加される電圧、すなわち、
端子ＥＬ０と端子ＥＬ２との間の電圧は、図３のＥＬ０
−ＥＬ２に示すようになる。

【００９１】以上のように、端子ＥＬ０，ＥＬ２の電圧の周波数ｆＥＬ０，ｆＥＬ２は、（１）の場合と同様、
分周信号Ｄの周波数ｆ０と等しくなる。 すなわち、ｆＥ
Ｌ０＝ｆＥＬ２となる。 また、ＥＬ素子１８へ印加する電圧ＥＬ０−ＥＬ２の周波数ｆＥＬは、分周信号Ｄの周波数ｆ０と等しい。

【００９２】（３）ＥＬ素子１７，１８を同時に点灯させる場合 図３の期間Ｔ３に相当する場合である。 このとき端子Ｉ
Ｎ１をＨレベル、端子ＩＮ２をＨレベルとする。

【００９３】これに応答して、入力回路６の高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４３，４４がオンになり、選択信号Ｃ１，Ｃ２はＨレベルとなる。

【００９４】また、選択信号Ｃ１，Ｃ２に応答して、制御信号ＳＴはＨレベルとなる。 したがって、（１），
（２）の場合と同様に、発振回路４および分周回路１５
が活性化される。 分周回路１５は、発振回路４からのパルス信号Ｐを分周して周波数ｆ０の分周信号Ｄを発生する。

【００９５】＜時刻ｔ３０−ｔ３１＞時刻ｔ１０−ｔ１
１におけるのと同様にして、端子ＤＣの電圧が昇圧される。 また、時刻ｔ３０−ｔ３１において分周信号ＤはＬ
レベルである。

【００９６】Ｌレベルの分周信号Ｄに応答して、時刻ｔ
１０−ｔ１１におけるのと同様にして、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８はオンになり、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ９はオフになる。

【００９７】また、Ｌレベルの分周信号ＤおよびＨレベルの選択信号Ｃ１，Ｃ２に応答して、コントロール回路７の高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５３，５４はオンになる。 これにより、Ｌレベルの制御信号Ｂ，Ｃが高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１０，１２のゲートに供給され、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１
０，１２はオフになる。 また、Ｈレベルの制御信号Ｎ
Ｂ，ＮＣが高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１，
１３のゲートに供給され、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１，１３はオンになる。

【００９８】この結果、端子ＥＬ０は端子ＤＣに接続され、端子ＥＬ１，ＥＬ２は接地ノードに接続される。 よって、端子ＥＬ０，ＥＬ１，ＥＬ２の電圧は、図３のＥ
Ｌ０，ＥＬ１，ＥＬ２に示すようになる。 また、ＥＬ素子１７，１８の両端に印加される電圧は、図３のＥＬ０
−ＥＬ１，ＥＬ０−ＥＬ２に示すようになる。

【００９９】＜時刻ｔ３１−ｔ３２＞時刻ｔ３１において、分周信号ＤがＬレベルからＨレベルに切り替わる。
時刻ｔ３１−ｔ３２において分周信号ＤはＨレベルである。

【０１００】時刻ｔ１１−ｔ１２におけるのと同様に、
この分周信号Ｄに応答して、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８はオンからオフになり、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ９はオフからオンになる。

【０１０１】また、コントロール回路７の高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５３，５４はオンからオフになる。 これにより、Ｈレベルの制御信号Ｂ、Ｃが高耐圧Ｎ
チャネルＭＯＳトランジスタ１０，１２のゲートに供給され、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１０，１２
はオフからオンになる。 また、Ｌレベルの制御信号Ｎ
Ｂ，ＮＣが高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１，
１３のゲートに供給され、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１，１３はオンからオフになる。

【０１０２】この結果、端子ＤＣに接続されていた端子ＥＬ０が接地ノードに接続され、接地ノードに接続されていた端子ＥＬ１，ＥＬ２が端子ＤＣに接続される。 そして、時刻ｔ３０−ｔ３１におけるのと同様にして、端子ＤＣの電圧が昇圧される。 したがって、端子ＥＬ０，
ＥＬ１，ＥＬ２の電圧は、図３のＥＬ０，ＥＬ１，ＥＬ
２に示すようになる。 また、ＥＬ素子１７，１８の両端に印加される電圧ＥＬ０−ＥＬ１，ＥＬ０−ＥＬ２は、
時刻ｔ３０−ｔ３１における電圧の極性を反転したものとなる。

【０１０３】＜時刻ｔ３２−ｔ３３＞時刻ｔ３２において、分周信号ＤがＨレベルからＬレベルに切り替わる。
時刻ｔ３２−ｔ３３において分周信号ＤはＬレベルである。 以下、時刻ｔ３０−ｔ３１におけるのと同様にして、ＥＬ素子１７，１８の両端に印加される電圧は、図３のＥＬ０−ＥＬ１，ＥＬ０−ＥＬ２に示すようになる。

【０１０４】＜時刻ｔ３３−ｔ３４＞時刻ｔ３３において、分周信号ＤがＬレベルからＨレベルに切り替わる。
時刻ｔ３３−ｔ３４において分周信号ＤはＨレベルである。 以下、時刻ｔ３１−ｔ３２におけるのと同様にして、ＥＬ素子１７，１８の両端に印加される電圧は、図３のＥＬ０−ＥＬ１，ＥＬ０−ＥＬ２に示すようになる。

【０１０５】以上のように、端子ＥＬ０，ｆＥＬ１，Ｅ
Ｌ２の電圧の周波数ｆＥＬ０，ｆＥＬ１，ｆＥＬ２は、
（１），（２）の場合と同様、分周信号Ｄの周波数ｆ０
と等しくなる。 すなわち、ｆＥＬ０＝ｆＥＬ１＝ｆＥＬ
２となる。 また、ＥＬ素子１７，１８へ印加する電圧Ｅ
Ｌ０−ＥＬ１，ＥＬ０−ＥＬ２の周波数ｆＥＬは、分周信号Ｄの周波数ｆ０と等しい。

【０１０６】一般に、ＥＬ素子の点灯時の色合いは、印加する電圧の周波数によって異なる。 この実施の形態によるＥＬ表示装置では、分周回路１５からの分周信号Ｄ
のレベルの切り替わりに応答してＥＬ素子１７，１８へ印加する電圧の極性を反転させている。 したがって、Ｅ
Ｌ素子１７，１８へ印加する電圧の周波数は、（１）−
（３）のいずれの場合もｆＥＬと一定となる。 これにより、点灯するＥＬ素子１７，１８の色合いが均一となる。 また、発振回路４からのパルス信号Ｐの周波数、分周回路１５による分周数を変えることによって、ＥＬ素子１７，１８への印加電圧の周波数ｆＥＬを所望の値にすることができる。

【０１０７】（４）ＥＬ素子１７，１８のいずれも点灯させない場合 図３の期間Ｔ４に相当する場合である。 このとき、半導体基板１９の端子ＩＮ１をＬレベル、端子ＩＮ２をＬレベルとする。

【０１０８】これに応答して、入力回路６の高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４３，４４がオフになり、選択信号Ｃ１，Ｃ２はＬレベルとなる。

【０１０９】この選択信号Ｃ１，Ｃ２に応答して、制御信号ＳＴはＬレベルとなる。 Ｌレベルの制御信号ＳＴ
は、発振回路４および分周回路１５に供給される。 発振回路４および分周回路１５は、Ｌレベルの制御信号ＳＴ
を受けて不活性化する。 この結果、発振回路４および分周回路１５はその機能を停止する。 これにより、発振回路４および分周回路１５による消費電力を低減することができる。

【０１１０】以上のように、このＥＬ表示装置では、入力回路６と、スイッチング回路３０とを設けたため、２
個のＥＬ素子１７，１８に対して、１つの発振回路４、
１つの昇圧回路２０、１つのスイッチング回路３０、および１つの分周回路１５という簡素な構成で、２個のＥ
Ｌ素子１７，１８を点灯できるＥＬ表示装置を実現できる。

【０１１１】また、ＥＬ素子１７，１８の点灯パターンや面積が違っても、ＥＬ素子１７，１８への印加電圧の周波数は一定値ｆＥＬとなるため、点灯するＥＬ素子１
７，１８の色合いが均一となる。

【０１１２】なお、ここでは、ＥＬ素子が２個の場合について説明したが、さらに複数個のＥＬ素子で構成される表示装置においても同様に簡素な構成で実現できる。
また、複数のＥＬ素子に対する種々の点灯パターンでの印加電圧の周波数は一定となる。

【０１１３】また、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ８，１０，１２に代えて、高耐圧ＰチャネルＭＯＳトランジスタを用いてもよい。

【０１１４】また、高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５，８−１３に代えて、バイポーラトランジスタを用いてもよい。

【０１１５】また、ダイオード３は半導体基板１９上に集積化されていないが、これを半導体基板１９上に集積化してもよい。

【０１１６】

【発明の効果】この発明によるＥＬ表示装置は、スイッチング回路を設けたため、１つの発振回路、１つの昇圧回路、１つのスイッチング回路、および１つの分周回路という簡素な構成で、複数のＥＬ素子を点灯できるＥＬ
表示装置を実現することができる。

【０１１７】また、分周回路からの信号に応答して極性が反転する交流信号が複数のＥＬ素子に供給されるため、複数のＥＬ素子へ印加する電圧の周波数は一定となる。 これにより、点灯するＥＬ素子の色合いが均一となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態によるＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。

【図２】図１に示された入力回路およびコントロール回路の具体的構成を示すブロック図である。

【図３】図１に示されたＥＬ表示装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。

【図４】従来のＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。

【符号の説明】

１７，１８ ＥＬ素子 ４ 発振回路 ２０ 昇圧回路 １５ 分周回路 ３０ スイッチング回路 ６ 入力回路 １４ コンデンサ １９ 半導体基板 ２ コイル ３ ダイオード ５，８−１３ 高耐圧ＮチャネルＭＯＳトランジスタ ７ コントロール回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB04 DA05 GA00 GA01 5C080 AA06 BB01 CC03 DD22 DD30 FF09 JJ02 JJ03 JJ04 KK07 KK49