一种控制电路
专利汇可以提供一种控制电路专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种控制 电路 ，包括电源、MCU 微处理器 、稳压电路、 升压电路 、外部时钟电路、按键检测电路、射频控制电路、射频 电极 、超声片和 超 声波 控制电路；射频控制电路、 超声波 控制电路、外部时钟电路、按键检测电路和稳压电路均连接到MCU微处理器；本实用新型控制电路集成性较高，选用元器件较少，连接较简单，对射频美容和超声导入进行组合使用，控制电路可控制射频电极输出一定 频率 的 电磁波 ，促进 胶原蛋白 重组和新生和促进脂肪细胞缩小，同时控制超声片震动，通过超声波的震动 能量 使扩散速度变快，能够让保养品渗透到 皮肤 里面去吸收，帮促进肌肤新陈代谢，进而加快细胞活化功能，增强导入效果。，下面是一种控制电路专利的具体信息内容。
1.一种控制电路，其特征在于，包括电源、MCU微处理器、稳压电路、升压电路、外部时钟电路、按键检测电路、射频控制电路、射频电极、超声片和超声波控制电路；射频控制电路、超声波控制电路、外部时钟电路、按键检测电路和稳压电路均连接到MCU微处理器；射频电极连接到射频控制电路，超声片连接到超声波控制电路；稳压电路连接电源，稳压电路为MCU提供供电电源；电源与射频控制电路之间，以及电源与超声波控制电路之间均设置有升压电路，射频控制电路用于驱动美容仪的射频电极；超声波控制电路用于驱动美容仪超声片；外部时钟电路用于为整个控制电路运行提供时钟频率；按键检测电路通过外部按键输入能够开关机和切换不同工作模式；
按键检测电路为按键检测电路或一键开关机检测电路，按键检测电路包括按键S1；按键S1的一端接地，另一端连接MCU；一键开关机检测电路，包括芯片U2、三极管Q5、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻R7、电阻R12、电阻R14、按键S2；芯片U2的管脚1、芯片U2的管脚3、二极管D1负极、电阻R7一端并联接VBAT+，芯片U2的管脚2、芯片U2的管脚4、二极管D1正极、电阻R7另一端、电阻R12一端并联，芯片U2的管脚5、芯片U2的管脚6、芯片U2的管脚
7、芯片U2的管脚8并联接VBAT，三极管Q5的脚3、电阻R12的另一端、二极管D2的正极并联、三极管的管脚1连接电阻R14的一端，三极管的管脚2、按键S2的一端并联接地，R14的另一端接二极管D4的负极，二极管的正极连接MCU，二极管D2的负极、二极管D3的负极、按键S2的另一端并联，二极管D3的正极连接MCU；
射频控制电路包括：电阻R16、电阻R18、电容C3、二极管D5、MOS管Q6、变压器T1；电阻R16一端连接MCU，电阻R16另一端、电阻R18一端、MOS管Q6管脚1并联，MOS管Q6脚2连接变压器T1，MOS管Q6管脚3、电阻R18另一端、二极管D5正极、电容C3负极并联接地，电容C3正极连接变压器，二极管D5负极连接变压器。
2.根据权利要求1所述的一种控制电路，其特征在于，稳压电路包括芯片U5、电容C14、电容C15、静电放电管E1；芯片U5管脚1接地，管脚2与电容C14一端并联后接VBAT，管脚3与电容C15一端、静电放电管E1一端并联后接VDD。
3.根据权利要求1所述的一种控制电路，其特征在于，升压电路为可控制输出电压电路或固定输出电压电路，可控制输出电压电路包括：芯片U4、三极管Q8、三极管Q9、三极管Q10、肖特基二极管D7、电感L2、电容C11、电容C12、电阻R21、电阻R22、电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R28、电阻R29；芯片U4的管脚1、电感L2的一端、二极管D7的正极并联，芯片U4的管脚2接地，芯片U4的管脚3、电阻R21的一端、电阻R24的一端、电阻R25的一端、电阻R26的一端并联，芯片U4的脚4连接电阻R22的一端，芯片U4的管脚5、电阻R22的另一端、电容C11的一端、电感L2的另一端并联，二极管D7的负极、电阻R21的另一端、电容C12的一端并联，电容C11、电容C12的另一端接地，三极管Q8的管脚1接R27的一端，三极管Q8的管脚2接地，三极管Q8的管脚3接R24的另一端，三极管Q9的管脚1接R28的一端，三极管Q9的管脚2接地，三极管Q9的管脚3接R28的另一端，三极管Q10的管脚1接R29的一端，三极管Q10的管脚2接地，三极管Q10的管脚3接R29的另一端；固定输出电压电路包括：芯片U6、电容C6、电容C8、肖特基二极管D6、电感L1、电感L5、电阻R8、电阻R9；芯片U6的管脚1悬空，芯片U6的管脚2、电容C6正极、电容C23一端、电感L1一端、电感L5一端并联，芯片U6的管脚3、电阻R8一端、电阻R9一端并联，芯片U6的管脚4悬空，芯片U6的管脚5、芯片U6的管脚6、电感L1的另一端并联、芯片U6的管脚7、芯片U6的管脚8、电容C6负极、电容C23的另一端、电阻R9另一端、电容C8负极并联接地，肖特基二极管D6负极、电阻R8另一端、电容C8正极并联。
4.根据权利要求1所述的一种控制电路，其特征在于，外部时钟电路包括：两脚晶体振荡器Y1、电容C9和电容C10；电容C9的一端接地，另一端与晶体振荡器Y1的一端并联连接MCU；电容C10的一端接地，另一端与晶体振荡器Y1的另一端并联连接MCU。
5.根据权利要求1所述的一种控制电路，其特征在于，超声波控制电路包括：芯片U8、电阻R30、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电容C22、TVS管D8、TVS管D9、电感L4、MOS管Q11、MOS管Q12、变压器T2；芯片U8管脚1、芯片U8管脚8悬空，芯片U8管脚2、芯片U8管脚4连接MCU，芯片U8管脚3、电容C22一端接地，芯片U8管脚6连接电容C22另一端，芯片U8管脚7连接电阻R30，芯片U8管脚5连接电阻R31，电阻R30、电阻R32、MOS管Q11脚1并联，MOS管Q11管脚2、TVS管D8负极并联接变压器T2，电阻R32另一端、MOS管Q11管脚3、TVS管D8正极并联接地，电阻R31、电阻R33、MOS管Q12管脚1并联，MOS管Q12管脚2、TVS管D9负极并联接变压器T2，电阻R33另一端、MOS管Q12管脚3、TVS管D9正极并联接地，电感L4一端接变压器，电感L4另一端接VCV。
6.根据权利要求1所述的一种控制电路，其特征在于，电源连接有电池充电管理电路，电池充电管理电路包括：芯片U1、电容C1、电容C2、电阻R5、电阻R6、双色发光二极管LD5；芯片U1的管脚1、管脚3接地，芯片U1的管脚2接电阻R6一端，芯片U1的管脚4、管脚8三脚与电容C1一端、电阻R5一端并联后接VCC，芯片U1的管脚5与电容C2的一端并联后接VBAT+，芯片U1的管脚6接双色发光二极管LD5的管脚3，芯片U1的脚7接双色发光二极管LD5的管脚2；电容C1、电容C2、电阻R6的另一端接地；电阻R5的另一端接双色发光二极管LD5的管脚1。
7.根据权利要求1所述的一种控制电路，其特征在于，MCU微处理器还连接有指示灯控制电路和电池电压采集电路；指示灯控制电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、发光二极管LD1、发光二极管LD2、发光二极管LD3、发光二极管LD4；电阻R1一端连接发光二极管LD1负极，电阻R1另一端连接MCU，发光二极管LD1正极连接VDD，电阻R2一端连接发光二极管LD2负极，电阻R2另一端连接MCU，发光二极管LD2正极连接VDD，电阻R3一端连接发光二极管LD3负极，电阻R3另一端连接MCU，发光二极管LD3正极连接VDD，电阻R4一端连接发光二极管LD4负极，电阻R4另一端连接MCU，发光二极管LD4正极连接VDD；电池电压采集电路包括：电阻R17、电阻R19、电容C5；电阻R17一端、电阻R19一端、电容C5一端并联后接MCU，电阻R19另一端、电容C5另一端并联接地，电阻R17另一端接VBAT。
8.根据权利要求1所述的一种控制电路，其特征在于，MCU微处理器为STM32F103C8T6/ST。
一种控制电路
技术领域
背景技术
2、TVS管D9负极并联接变压器T2，电阻R33另一端、MOS管Q12管脚3、TVS管D9正极并联接地，电感L4一端接变压器，电感L4另一端接VCV。
具体实施方式
芯片U6的管脚1悬空，芯片U6的管脚2、电容C6正极、电容C23一端、电感L1一端、电感L5一端并联，芯片U6的管脚3、电阻R8一端、电阻R9一端并联，芯片U6的管脚4悬空，芯片U6的管脚5、芯片U6的管脚6、电感L1的另一端并联、芯片U6的管脚7、芯片U6的管脚8、电容C6负极、电容C23的另一端、电阻R9另一端、电容C8负极并联接地，肖特基二极管D6负极、电阻R8另一端、电容C8正极并联。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 镜像磁路感应耦合无极灯及其电磁参数设计方法 | 2021-06-25 | 2 |
| 一种电源选择模块 | 2020-05-12 | 0 |
| Synchronous rectifier circuit | 2022-07-07 | 1 |
| Logic circuit | 2023-02-28 | 2 |
| SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME | 2021-12-04 | 0 |
| Semiconductor device and electrical apparatus | 2022-02-19 | 2 |
| Semiconductor memory device | 2022-12-08 | 1 |
| 一种锂电池智能充电电路 | 2020-08-14 | 3 |
| Method of manufacturing a Schottky diode device | 2022-08-03 | 3 |
| SEMICONDUCTOR DEVICE ASSEMBLIES AND CIRCUITS | 2022-06-20 | 2 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
