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一种带有 温度补偿的欠压保护电路

阅读：502发布：2020-05-08

专利汇可以提供一种带有温度补偿的欠压保护电路专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明涉及一种带有温度补偿的欠压保护电路，包括二极管、齐纳管、第一至第四电阻、第一至第五MOS管、反相器，二极管的正极接电源，二极管的负极接齐纳管的负极，齐纳管的正极接第一电阻，第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一MOS管和反相器构成常规的欠压保护电路，第四电阻、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管构成对常规欠压保护电路的温度补偿电路，第五MOS管的栅极连接反相器的输出端。通过温度补偿电路对常规的欠压保护电路中的电阻和MOS管温度系数所带来的阈值变化，实现成本低，温度补偿效果明显，可极大改善温度带来的阈值点的变化。，下面是一种带有温度补偿的欠压保护电路专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种带有温度补偿的欠压保护电路，其特征在于：包括二极管、齐纳管、第一至第四电阻、第一至第五MOS管、反相器，二极管的正极接电源，二极管的负极接齐纳管的负极，齐纳管的正极接第一电阻的一端，第一电阻的另一端与第二电阻的一端串联，第二电阻的另一端接地，第三电阻的一端连接电源，另一端连接反相器的输入端，第一MOS管的栅极接在第一电阻和第二电阻之间，第一MOS管的源极接地，第一MOS管的漏极连接反相器的输入端，第四电阻的一端接在二极管和齐纳管之间，另一端连接第二MOS管的源极，第二MOS管的栅极接齐纳管的正极，第二MOS管的漏极接第三MOS管的漏极，第三MOS管和第四MOS管的栅极互连，第三MOS管和第四MOS管的源极接地，第三MOS管的栅极连接漏极，第四MOS管的漏极接在第一电阻和第二电阻之间，第五MOS管的源极接在第一电阻和第二电阻之间，第五MOS管的漏极接在第一电阻和齐纳管的正极之间，第五MOS管的栅极连接反相器的输出端。
2.如权利要求1所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路，其特征在于，所述第一MOS管和第二MOS管的栅源电压温度系统能够相互补偿。
3.如权利要求1或2所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路，其特征在于，所述第一MOS管采用NMOS管，第二MOS管采用PMOS管。
4.如权利要求3所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路，其特征在于，所述第三MOS管和第四MOS管采用NMOS管。
5.如权利要求4所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路，其特征在于，所述第一电阻、第二电阻和第四电阻的类型保持一致。
6.如权利要求5所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路，其特征在于，所述齐纳管的击穿电压具有正温度系数，第四电阻具有负温度系数。
7.如权利要求6所述的一种带有温度补偿的欠压保护电路，其特征在于，所述二极管和齐纳管的温度系数可以相互补偿。

说明书全文

一种带有温度补偿的欠压保护电路

技术领域

[0001] 本发明涉及摄像模组技术领域，尤其涉及一种小型化双摄头模组。

背景技术

[0002] 目前，常规的欠压保护电路结构如图1所示，其中电阻003、004和006都是相同类型的电阻，MOS管0005和012为NMOS管，007为反相器。当电源电压开始增加并超过齐纳管002的击穿电压时，电阻003、004开始分压，并在当电阻004上的电压超过MOS管005的场开启电压时，该MOS管导通，电压被拉到地电压，通过反相器007后产生高电平。而在电压下降时，MOS管012作为正反馈功能，为欠压保护提供迟滞，如图2所示。

[0003] 由于该结构的欠压保护电路在不同温度和工艺影响的情况下，该种欠压保护电路的欠压保护的高/低阈值电压UVH/UVL会发生明显的偏差。主要原因是由于MOS管005的阈值电压具有负温度系数，因此，为了消除欠压保护的高/低阈值电压UVH/UVL的偏差，需要额外进行温度补偿。

发明内容

[0004] 本发明的目的在于提供一种结构简单可靠、实现成本低且温度补偿效果明显的带有温度补偿的欠压保护电路。

[0005] 为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为，一种带有温度补偿的欠压保护电路，包括二极管、齐纳管、第一至第四电阻、第一至第五MOS管、反相器，二极管的正极接电源，二极管的负极接齐纳管的负极，齐纳管的正极接第一电阻的一端，第一电阻的另一端与第二电阻的一端串联，第二电阻的另一端接地，第三电阻的一端连接电源，另一端连接反相器的输入端，第一MOS管的栅极接在第一电阻和第二电阻之间，第一MOS管的源极接地，第一MOS管的漏极连接反相器的输入端，第四电阻的一端接在二极管和齐纳管之间，另一端连接第二MOS管的源极，第二MOS管的栅极接齐纳管的正极，第二MOS管的漏极接第三MOS管的漏极，第三MOS管和第四MOS管的栅极互连，第三MOS管和第四MOS管的源极接地，第三MOS管的栅极连接漏极，第四MOS管的漏极接在第一电阻和第二电阻之间，第五MOS管的源极接在第一电阻和第二电阻之间，第五MOS管的漏极接在第一电阻和齐纳管的正极之间，第五MOS管的栅极连接反相器的输出端。

[0006] 作为本发明的一种改进，所述第一MOS管和第二MOS管的栅源电压温度系统能够相互补偿。

[0007] 作为本发明的一种改进，所述第一MOS管采用NMOS管，第二MOS管采用PMOS管。

[0008] 作为本发明的一种改进，所述第三MOS管和第四MOS管采用NMOS管。

[0009] 作为本发明的一种改进，所述第一电阻、第二电阻和第四电阻的类型保持一致。

[0010] 作为本发明的一种改进，所述齐纳管的击穿电压具有正温度系数，第四电阻具有负温度系数。

[0011] 作为本发明的一种改进，所述二极管和齐纳管的温度系数可以相互补偿。

[0012] 相对于现有技术，本发明的电路整体结构设计巧妙，结构合理简单，实现成本低，通过使用由第四电阻、第二至第四MOS管组成的温度补偿模块来补偿第一和第二电阻及第一和第五MOS管的温度系数所带来的欠压保护高/低阈值电压的偏差，并使用二极管来补偿齐纳管的击穿电压温度系数，温度补偿模块的结构简单，易于实现且实现成本低，其温度补偿效果明显，可极大改善电路中温度所带来的欠压保护高/低阈值电压点的变化。附图说明

[0013] 图1为现有的欠压保护电路架构图。

[0014] 图2为现有的欠压保护电路的电压波形图。

[0015] 图3为本发明所提出的带有温度补偿的欠压保护电路架构图。

具体实施方式

[0016] 为了加深对本发明的理解和认识，下面结合附图对本发明作进一步描述和介绍。

[0017] 如图3所示，为本发明所提出的一种带有温度补偿的欠压保护电路，包括二极管001、齐纳管002、第一至第四电阻008、第一至第五MOS管012、反相器007，二极管001的正极接电源，二极管001的负极接齐纳管002的负极，齐纳管002的正极接第一电阻003的一端，第一电阻003的另一端与第二电阻004的一端串联，第二电阻004的另一端接地，第三电阻006的一端连接电源，另一端连接反相器007的输入端，第一MOS管005的栅极接在第一电阻003和第二电阻004之间，第一MOS管005的源极接地，第一MOS管005的漏极连接反相器007的输入端，第四电阻008的一端接在二极管001和齐纳管002之间，另一端连接第二MOS管009的源极，第二MOS管009的栅极接齐纳管002的正极，第二MOS管009的漏极接第三MOS管010的漏极，第三MOS管010和第四MOS管011的栅极互连，第三MOS管010和第四MOS管011的源极接地，第三MOS管010的栅极连接漏极，第四MOS管011的漏极接在第一电阻003和第二电阻004之间，第五MOS管012的源极接在第一电阻003和第二电阻004之间，第五MOS管012的漏极接在第一电阻003和齐纳管002的正极之间，第五MOS管012的栅极连接反相器007的输出端。

[0018] 其中，所述第一MOS管005和第二MOS管009的栅源电压温度系统能够相互补偿。优选的是，所述第一MOS管005采用NMOS管，第二MOS管009采用PMOS管。

[0019] 进一步地，所述第三MOS管010和第四MOS管011采用NMOS管。

[0020] 更进一步地，所述第一电阻003、第二电阻004和第四电阻008的类型保持一致。

[0021] 更进一步地，所述齐纳管002的击穿电压具有正温度系数，第四电阻008具有负温度系数。

[0022] 更进一步地，所述二极管001和齐纳管002的温度系数可以相互补偿。

[0023] 在电源电压上升并超过齐纳管002的击穿电压后，第四电阻008和第二MOS管009开始产生电流，其电流值为I=
其中，齐纳管002的VZ具有正温度系数，第四电阻008的阻值R具有负温度系数，第二MOS管009的栅源电压VGS具有负温度系数，所以此处电流具有正温度系数。

[0024] 由于主路上电流具有正温度系数，第二电阻004的电压为上式中VDD为电源电压，由于第一电阻003和第二电阻004是同一类型的电阻，所以可以忽略，
并在抽去由第三MOS管010和第四MOS管011构成的电流镜复制的正温度系数电流后，此时第二电阻004上的电流为
由此可得第二电阻004上的电压
因此降低了第二电阻004电压的负温度系数，由于第一MOS管005的VGS同样是负温度系数，因此可通过设计温度补偿模块来使得两者温度系数达到一致，使得欠压保护结构在不同温度和工艺条件下的欠压保护高/低阈值电压分布更加集中。在本发明中使用第二MOS管
009的VGS来补偿第一MOS管005的VGS的温度特性。

[0025] 本发明方案所公开的技术手段不仅限于上述实施方式所公开的技术手段，还包括由以上技术特征任意组合所组成的技术方案。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

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