Die Erfindung betrifft einen Verstärker mit einer Stromspiegelschaltung und einer Stromaufteilungsschaltung, welche ein dem Verstärker zugeführtes Eingangssignal polaritätsabhängig aufspaltet, wobei negative Eingangsströme, die aus dem Verstärker herausfließen, der Stromspiegelschaltung zugeführt werden, deren gesteuerter Ausgangsstrom einem Steuereingang einer ersten im Verstärker vorgesehenen Stromverstärkerschaltung zugeführt wird.

Ein derartiger Verstärker ist aus der US-PS 4 446 443 bekannt. Bei diesem Verstärker wird der Eingangsstrom in Abhängigkeit seiner Polarität auf eine erste Stromspiegelschaltung bzw. eine zweite Stromspiegelschaltung geschaltet. Die erste Stromspiegelschaltung steuert den Basiseingang eines npn-Transistors an. Die zweite Stromspiegelschaltung erzeugt bei der anderen Polarität einen Strom in einem npn-Transistor, wobei dieser Transistor kollektorseitig mit der Ausgangslast und emitterseitig mit der zweiten Stromspiegelschaltung verbunden ist. Durch diese unterschiedliche Beschaltung der beiden Ausgangstransistoren ergibt sich für das Ausgangssignal ein unsymmetrisches Verhalten, d.h. die Schaltung verhält sich je nach Polarität des Eingangs- und somit auch Ausgangssignals unterschiedlich.

Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Verstärker der eingangs genannten Art zu schaffen, welcher symmetrisch arbeitet.

Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß positive Eingangsströme, die in den Verstärker hineinfließen, einem Steuereingang einer zweiten im Verstärker vorgesehenen Stromverstärkerschaltung zugeführt werden, welche gleiche Bauweise wie die erste Stromverstärkerschaltung aufweist, daß die erste Stromverstärkerschaltung mit einer positiven Versorgungsspannung und die zweite Stromverstärkerschaltung mit einer negativen Versorgungsspannung beaufschlagt sind und daß beide Stromverstärkerschaltungen ausgangsseitig auf eine gemeinsame Last arbeiten.

Bei dem erfindungsgemäßen Verstärker sind also zwei Stromverstärkerschaltungen vorgesehen, welche in gleicher Weise aufgebaut sind und somit auch gleiches Verhalten haben. Damit beide Stromverstärkerschaltungen symmetrisch arbeiten, ist eine Stromaufteilungsschaltung vorgesehen, welche positive Eingangsströme, die in den Verstärker hineinfließen, direkt einem Steuereingang der zweiten Stromverstärkerschaltung zuführt. Ströme umgekehrter Polarität, also negative Ströme, die aus dem Verstärker herausfließen, sollen den Steuereingang der ersten Stromverstärkerschaltung in gleicher Weise ansteuern. Dafür ist zusätzlich eine Stromspiegelschaltung vorgesehen, welche dafür sorgt, daß die erste Stromverstärkerschaltung für negative Ströme in gleicher Weise angesteuert wird, wie die zweite Stromverstärkerschaltung für positive Eingangsströme. Es wird auf diese Weise ein vollständig symmetrisches Verhalten des Verstärkers erzielt.

Die beiden Stromverstärkerschaltungen werden über Ströme angesteuert, so daß in der Ansteuerschaltung geringe Spannungsänderungen auftreten, so daß in dieser vorhandene parasitäre Kapazitäten nur gering umgeladen werden müssen. Ferner gewährleistet der Aufbau des Verstärkers, daß die Ausgangsspannung nicht unter die negative Versorgungsspannung abtaucht, so daß bei einem Aufbau des Verstärkers als integrierter Schaltkreis kein sogenannter parasitärer Effekt eintritt. Der Verstärker weist keine pnp-Transistoren in den Leistungsstufen auf. Dadurch wird eine relativ hohe Stabilität gewährleistet. Diese Vorteile werden bei geringem schaltungstechnischem Aufwand erreicht.

In weiterer Ausgestaltung der Erfindung ist für eine erste Ausführungsform vorgesehen, daß in der ersten Stromverstärkerschaltung ein npn-Transistor vorgesehen ist, dessen Kollektor mit der positiven Versorgungsspannung und dessen Emitter mit der Last verbunden ist und dessen Basis den Steuereingang darstellt, und daß in der zweiten Stromverstärkerschaltung ein npn-Transistor vorgesehen ist, dessen Kollektor mit der Last und dessen Emitter mit der negativen Versorgungsspannung verbunden ist und dessen Basis den Steuereingang darstellt.

In dieser ersten Ausführungsform arbeiten die beiden Stromverstärkerschaltungen mit je einem npn-Transistor. Trotz des einfachen Aufbaus der Schaltung werden die oben beschriebenen Vorteile erzielt. Insbesondere haben npn-Transistoren gegenüber Ausgangsschaltungen mit pnp-Transistoren den Vorteil der größeren Stabilität.

Nach einer weiteren Ausgestaltung ist für eine zweite Ausführungsform vorgesehen, daß beide Stromverstärkerschaltungen jeweils eine Darlington-Schaltung mit jeweils zwei npn-Transistoren aufweisen, wobei in der ersten Stromverstärkerschaltung die Kollektoren der beiden Transistoren mit Versorgungsspannung und der Emitter des Ausgangstransistors mit der Last verbunden ist und wobei die Kollektoren der beiden Transistoren der zweiten Stromverstärkerschaltung mit der Last und der Emitter des Ausgangstransistors mit der negativen Versorgungsspannung verbunden ist.

Durch die Darlington-Schaltungen kann eine hohe Stromverstärkung erzielt werden, da die resultierende Stromverstärkung sich aus der Multiplikation der Stromverstärkungswerte der Einzeltransistoren einer Darlington-Schaltung ergibt. Bei der aus der US-PS 4 446 443 bekannten Verstärkerschaltung kann eine dermaßen hohe Stromverstärkung nur durch entsprechende Auslegung des zweiten Stromspiegels erzielt werden, was jedoch einen sehr viel höheren Aufwand bedeutet.

Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist für die erste und zweite Ausführungsform vorgesehen, daß der Stromaufteilungsschaltung eingangsseitig ein Widerstand vorgeschaltet ist, welcher so dimensioniert ist, daß die Stromaufteilerschaltung eingangsseitig etwa den gleichen Eingangswiderstand wie die Steuereingänge der Stromverstärkerschaltungen aufweist.

Durch diesen Vorwiderstand am Eingang der Stromaufteilungsschaltung wird erreicht, daß der Eingangsstrom unabhängig von seiner Polarität auf etwa den gleichen Eingangswiderstand trifft. Bei der einen Polarität wird der Eingangsstrom auf einen Steuereingang der einen Stromverstärkerschaltung geschaltet. Bei der anderen Polarität sorgt die Stromaufteilungsschaltung dafür, daß der Strom über die Stromspiegelschaltung auf den Steuereingang der anderen Stromverstärkerschaltung gelangt. In diesem Falle bildet also der Eingang der Stromaufteilungsschaltung den Eingangswiderstand, der mittels des Widerstandes etwa gleich gewählt werden kann, wie die Eingangswiderstände der Stromverstärkerschaltungen.

In einer weiteren Ausgestaltung ist für eine dritte Ausführungsform vorgesehen, daß in der ersten Stromverstärkerschaltung ein Feldeffekttransistor vorgesehen ist, dessen Source-Anschluß mit der positiven Versorgungsspannung und dessen Drain-Anschluß mit der Last verbunden ist und dessen Gate-Anschluß, der über einen Widerstand mit dem Drain-Anschluß verbunden ist, den Steuereingang der ersten Stromverstärkerschaltung bildet und daß in der zweiten Stromverstärkungsschaltung ein Feldeffekttransistor vorgesehen ist, dessen Source-Anschluß mit der Last und dessen Drain-Anschluß mit der negativen Versorgungsspannung verbunden ist und dessen Gate-Anschluß, der über einen Widerstand mit dem Drain-Anschluß verbunden ist, den Steuereingang der zweiten Stromverstärkerschaltung darstellt. Der Einsatz von Feldeffekttransistoren in den Stromverstärkerschaltungen hat vor allem den Vorteil, daß aufgrund des geringen Drain-Source Durchlaßwiderstandes (rdon) kleine Sättigungsspannungen und damit gegenüber Lösungen mit NPN-Transistoren geringere Verlustleistungen erreichbar sind.

Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß die Stromaufteilerschaltung als Stromspiegel ausgeführt ist. Ist der Eingangsstrom Null, so fließt durch die Transistoren der beiden Stromverstärkerschaltungen ein Querstrom, der also nicht durch die Last fließt. Der Umschaltpunkt dieses Querstroms bei geringem negativem oder geringem positivem Eingangsstrom ist bei einfachen Stromaufteilerschaltungen temperaturabhängig. Bei Verwendung eines Stromspiegels kann diese Temperaturabhängigkeit weitgehend ausgeschaltet werden, so daß sich der Ruhestrom nur noch geringfügig ändert und die Übernahmeverzerrung klein bleiben. Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist für einen solchen Stromspiegel vorgesehen, daß die Stromaufteilerschaltung einen ersten npn-Transistor aufweist, dessen Emitter den Eingang der Stromaufteilerschaltung darstellt und mit dem Steuereingang der zweiten Stromverstärkerschaltung verbunden ist, dessen Kollektor den Steuerstrom für den Stromspiegel liefert und dessen Basis mit der Basis und dem Kollektor eines zweiten npn-Transistors verbunden ist, dessen Kollektor ein Referenzstrom zugeführt wird und dessen Emitter mit den negativen Versorgungsspannung gekoppelt ist. Ein positiver Eingangsstrom, der in den Verstärker hineinfließt, gelangt fast ausschließlich auf den Steuereingang der zweiten Stromverstärkerschaltung, da der erste Transistor der Stromaufteilerschaltung sperrt. Bei einem negativen Eingangsstrom, der aus dem Verstärker herausfließt, fließt dieser Strom im wesentlichen durch den ersten Transistor der Stromaufteilerschaltung und gelangt über die Stromspiegelschaltung auf den Steuereingang der ersten Stromverstärkerschaltung.

Die dem Emitter des zweiten Transistors der Stromaufteilungsschaltung bzw. des Stromspiegels zugeführte Referenzspannung ist in Abhängigkeit des an der Basisemitterstrecke des oder der Transistoren in der zweiten Stromverstärkerschaltung abfallenden Spannung zu wählen. Es ist daher nach weiteren Ausgestaltungen der Erfindung vorgesehen, daß für die erste Ausführungsform eine Diode zwischen dem zweiten Transistor der Stromaufteilungsschaltung und der negativen Versorgungsspannung geschaltet ist. Für die zweite Ausführungsform mit einer Darlington-Schaltung sind zwei Dioden in Reihe geschaltet. Für die dritte Ausführungsform mit Feldeffekttransistoren in den Stromverstärkerschaltungen genügt ein einfacher Widerstand.

Anhand der Zeichnung werden drei Ausführungsformen der Erfindung näher erläutert. Es zeigen:

• Fig. 1 eine erste Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verstärkers mit je einem npn-Transistor in den Stromverstärkerstufen,
• Fig. 2 eine zweite Ausführungsform mit je einer Darlington-Schaltung in den Stromverstärkerschaltungen und
• Fig. 3 eine dritte Ausführungsform mit je einem Feldeffekttransistor in den Stromverstärkerschaltungen.

Eine erste in der Fig. 1 dargestellte Ausführungsform weist eine erste Stromverstärkerstufe 1, eine zweite Stromverstärkerstufe 2, eine Stromaufteilungsschaltung 3 und eine Stromspiegelschaltung 4 auf. Die erste Stromverstärkerschaltung 1 weist einen npn-Transistor 5 auf, dessen Kollektor mit einer positiven Versorgungsspannung + V_s verbunden ist. Der Emitter des Transistors 5 ist mit dem Kollektor eines in der zweiten Stromverstärkerschaltung 2 vorgesehenen npn-Transistors 6 verbunden. Dieser Verbindungspunkt zwischen dem Emitter des Transistors 5 und dem Kollektor des Transistors 6 stellt den Ausgang des Verstärkers dar, der beispielsweise, wie in der Fig. 1 angedeutet, auf eine Last 7 geführt sein kann. Der Emitter des Transistors 6 ist mit einer negativen Versorgungsspannung - V_s verbunden. Die beiden Basisanschlüsse der Transistoren 5 und 6 stellen die Steuereingänge der Stromverstärkerschaltungen 1 bzw. 2 dar.

Ein dem in der Fig. 1 dargestellten Verstärker zugeführter Eingangsstrom I_e wird sowohl dem Steuereingang der zweiten Stromverstärkerschaltung 2 wie auch der Stromaufteilerschaltung 3 zugeführt.

In der Stromaufteilerschaltung 3 ist eine Stromspiegelschaltung mit einem ersten Transistor 8 und einem zweiten Transistor 9 vorgesehen, welche beide als npn-Transistoren vorgesehen sind.

Der Eingangsstrom I_e gelangt über einen Widerstand 10 auf den Emitter des ersten Transistors 8, dessen Kollektor den Ausgangsstrom der Stromaufteilerschaltung liefert, der auf den Stromspiegel 4 geführt ist.

Die Basis des ersten Transistors 8 der Stromaufteilerschaltung 3 ist mit der Basis des zweiten Transistors 9 sowie mit dessen Kollektor verbunden. Dem Kollektor des Transistors 9 ist ferner ein Referenzstrom I_ref zugeführt. Der Emitter des Transistors 9 ist über eine Diode 11 mit der negativen Versorgungsspannung - V_s verbunden, wobei die Diode 11 anodenseitig mit dem Emitter des Transistors 9 verbunden ist.

Der vom Kollektor des ersten Transistors 8 der Stromaufteilerschaltung 3 gelieferte Strom gelangt auf eine Stromspiegelschaltung 4, in der zwei pnp-Transistoren in an sich bekannter Weise als Stromspiegelschaltung verschaltet sind. Es ist ein erster Transistor 12 vorgesehen, dessen Kollektor und dessen Basis der von der Stromaufteilerschaltung 3 kommende Strom zugeführt wird. Der Emitter dieses Transistors 12 sowie der Emitter eines zweiten Transistors 13 der Stromspiegelschaltung 4 sind mit der positiven Versorgungsspannung + V_s verbunden. Die Basen dieser beiden Transistoren sind miteinander verbunden. Der Kollektor des zweiten Transistors 13 liefert das Ausgangssignal der Stromspiegelschaltung 4, das auf den Steuereingang der ersten Stromverstärkerschaltung 1 geführt ist.

Im folgenden wird die Arbeitsweise des Verstärkers gemäß Fig. 1 näher erläutert:

Für die nachfolgende Beschreibung wird davon ausgegangen, daß ein positiver Eingangsstrom I_e als ein in den Verstärker hineinfließenden Strom definiert ist und daß ein negativer Eingangsstrom als ein aus dem Verstärker herausfließender Eingangsstrom angesehen wird.

Der Eingangsstrom I_e wird in Abhängigkeit seines Vorzeichens mit Hilfe der Stromaufteilerschaltung 3 und des Stromspiegels 4 auf die Steuereingänge der beiden Stromverstärkerschaltungen 1 und 2 verteilt. Ist der Strom positiv, so fließt der gesamte Strom in den Steuereingang der zweiten Stromverstärkerschaltung 2, so daß infolge des Stromverstärkungsfaktors des Transistors 6 ein entsprechender höherer Strom in der Last fließt. Dieser Strom wird bei Aktivierung des Transistors 6 der zweiten Stromverstärkerschaltung quasi aus der Last 7 herausgezogen und fließt gegen die Versorgungsspannung - V_s. Bei negativem Eingangsstrom gelangt dieser über die Stromaufteilerschaltung 3 und den Stromspiegel 4 auf den Steuereingang der ersten Stromverstärkerschaltung 1, so daß in Abhängigkeit des Stromverstärkungsfaktors des Transistors 5 ein entsprechender Strom von + V_s in die Last 7 fließt. Der in den Steuereingang der ersten Stromverstärkerschaltung 1 fließende Strom ist dabei ein genaues Abbild des Eingangsstromes, jedoch mit umgekehrter Polarität. Auf diese Weise wird ein vollständig symmetrisches Verhalten der Schaltung erzielt.

Im nachfolgenden wird die Arbeitsweise der Stromaufteilerschaltung näher erläutert:

Es wird zunächst angenommen, daß der Eingangsstrom I_e gleich Null ist. In Abhängigkeit des dem zweiten Transistor 9 der Stromaufteilerschaltung zugeführten Referenzstromes I_ref und der durch die Diode 11 erzeugten Referenzspannung U_beref fließt dann ein Kollektorstrom in dem ersten Transistor 8 der Stromaufteilerschaltung 3. Nahezu der gleiche Strom fließt aus dem Emitter des Transistors 8 heraus und gelangt an den Steuereingang der zweiten Stromverstärkerschaltung, also an die Basis von Transistor 6. Der Kollektorstrom des Transistors 8 der Stromaufteilerschaltung 3 gelangt an die Stromspiegelschaltung 4 und über diese mit umgekehrter Polarität an den Steuereingang der ersten Stromverstärkerschaltung 1 bzw. an die Basis dessen Transistors 5. Es wird also beiden Steuereingängen der Stromverstärkerschaltungen der gleiche Strom zugeführt, so daß die Basisströme der Transistoren 5 und 6 gleich groß sind und in den Kollektoren ebenfalls die gleichen Ströme fließen. Durch die Last 7 fließt in diesem Falle kein Strom; die Anordnung befindet sich im Übernahmepunkt.

Ist der Eingangsstrom I_e positiv, fließt er also in die Schaltung hinein, so gelangt dieser Strom vollständig auf die Basis des Transistors 6, also dem Steuereingang der zweiten Stromverstärkerschaltung 2. Die Basisemitterspannung am Transistor 6 steigt entsprechend an, so daß die Basisemitterspannung des Transistors 8 der Stromaufteilerschaltung 3 entsprechend kleiner wird. Dies führt dazu, daß der Transistor 8 schnell sperrt, so daß sein Kollektorstrom zu Null wird. Somit erhält die Stromspiegelschaltung 4 keinen Strom mehr, so daß auch dem Steuereingang der ersten Stromverstärkerschaltung 5 kein Strom mehr zugeführt wird, was wiederum dazu führt, daß der Transistor 5 sperrt. Es fließt also ausschließlich ein Strom aus der Last heraus, der durch die zweite Stromverstärkerschaltung 2 gesteuert wird.

Ist der Eingangsstrom I_e dagegen negativ, so fließt dieser Strom vollständig durch den Transistor 8 der Stromaufteilerschaltung 3 und gelangt durch den Stromspiegel 4 auf den Steuereingang der ersten Stromverstärkerschaltung 1 bzw. auf die Basis deren Transistors 5. Da dieser Eingangsstrom I_e durch den Transistor 8 fließt, steigt dessen Basisemitterspannung an, so daß die Basisemitterspannung des Transistors 6 der zweiten Stromverstärkerschaltung 2 entsprechend kleiner wird und somit dieser Transistor schnell sperrt. Bei negativem Eingangsstrom wird also der durch die Last 7 fließende Strom ausschließlich durch die erste Stromverstärkerschaltung 1 bestimmt. Es fließt ein Strom von der positiven Versorgungsspannung + V_s zur Last 7.

Die beiden Transistoren 8 und 9 bilden zusammen mit ihrer Verschaltung einen Stromspiegel in der Stromaufteilerschaltung 3. Dieser Stromspiegel hat vor allem den Vorteil, daß der Ruhestrom, der bei Eingangsstrom I_e = 0 durch die beiden Transistoren 5 und 6 fließt, nicht temperaturabhängig ist. Es muß hierfür gelten, daß die Diode 11 die gleiche Temperatur aufweisen muß wie der Transistor 6 der zweiten Stromverstärkerschaltung. Diese Bedingung kann bei integrierter Bauweise leicht erfüllt werden. Auch Bauteilestreuungen bewirken nur eine geringe Veränderung dieses Ruhestroms. Der in dem Eingang der Stromaufteilerschaltung 3 vorgesehene Widerstand 10 hat vor allem den Vorteil, daß über ihn ein zusätzlicher Spannungsabfall erfolgt, welcher dafür sorgt, daß schon bei kleinem negativen Eingangsstrom I_e die Basisemitterspannung des Transistors 6 so klein wird, daß der Transistor 6 frühzeitig sperrt.

Die Schaltung hat ferner den Vorteil, daß der sogenannte parasitäre Effekt verhindert wird. Dazu ist es erforderlich zu verhindern, daß die Ausgangsspannung unter - V_s sinkt. Hat z.B. die Last 7 induktives Verhalten, so wird bei schnellen Schaltvorgängen eine Spannung induziert, die dafür sorgt, daß die Kollektorspannung des Transistors 6 unter - V_s abtauchen möchte. Die Basis des Transistors 6 liegt auf einem Potential, das um eine Basisemitterspannung höher ist als - V_s. Läuft die Kollektorspannung vom Transistor 6 nun gegen - V_s, so wird die Kollektorbasisdiode invers leitend und es fließt ein Strom vom Emitter des Transistors 8 über die leitende Basiskollektorstrecke des Transistors 6 in die Last hinein. Damit fließt auch im Kollektor des Transistors 8 ein Strom, der mit dem Stromspiegel 3 in die Basis des Transistors 5 der ersten Stromverstärkerschaltung 1 gespiegelt wird. Dadurch wird der Transistor 5 leitend und wirkt dem weiteren Abtauchen der Kollektorspannung des Transistors 6 entgegen, so daß dieses Potential bei - V_s geklemmt wird und kein Abtauchen unter dieses Potential stattfindet.

Die Schaltung gemäß Fig. 1 liefert gegenüber dem Eingangsstrom I_e eine Stromverstärkung entsprechend der Stromverstärkungen der beiden Endtransistoren 5 und 6. In manchen Fällen ist eine höhere Stromverstärkung wünschenswert, welche auf einfache Weise mit einer in Fig. 2 dargestellten zweiten Ausführungsform der Verstärkerschaltung erzielt werden kann. Der in Fig. 2 dargestellte Verstärker weist weitgehend den gleichen Aufbau auf wie der in Fig. 1 dargestellte Verstärker. Der Verstärker gemäß Fig. 2 unterscheidet sich nur durch den Aufbau der beiden Stromverstärkerschaltungen 1 und 2 und durch eine entsprechende Anpassung der Stromspiegelschaltung der Stromaufteilerschaltung 3.

In der ersten Stromverstärkerschaltung 1 der Schaltung gemäß Fig. 2 ist zusätzlich zu dem Transistor 5 ein weiterer Transistor 21 vorgesehen, der zusammen mit dem Transistor 5 eine Darlington-Schaltung bildet. Der Kollektor des Transistors 21 ist mit der positiven Versorgungsspannung + V_s und dem Kollektor des Transistors 5 verbunden. Der Emitter des Transistors 21 ist mit der Basis des Transistors 5 verbunden. Die Basis des Transistors 21 bildet den Steuereingang der Stromverstärkungsschaltung 1. Der Emitter des Transistors 5 ist weiterhin mit der Last 7 verbunden.

In der zweiten Stromverstärkungsschaltung ist zusätzlich zu dem Transistor 6 ein Transistor 22 vorgesehen, welche in entsprechender Weise eine Darlington-Schaltung mit dem Transistor 6 bildet. Die Basis des Transistors 22 bildet dabei den Steuereingang der zweiten Stromverstärkerschaltung 2.

Für die Arbeitsweise der Stromaufteilerschaltung 3 bzw. der in ihr vorgesehenen Stromspiegelschaltung ist zu berücksichtigen, daß die Darlington-Schaltung mit den beiden Transistoren 6 und 22 zwei Basisemitterstrecken bildet, so daß in der Stromaufteilungsschaltung 3 zusätzlich zu der Diode 11 eine weitere Diode 23 vorzusehen ist. Mittels der Schaltung gemäß Fig. 2 wird eine Stromverstärkung erreicht, welche sich aus der Multiplikation der Stromverstärkungsfaktoren der Transistoren 21 und 5 bzw. 22 und 6 bildet. Es wird hier eine sehr hohe Stromverstärkung mit äußerst einfachem Aufbau erzielt.

In Fig. 3 ist eine dritte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verstärkers dargestellt, welche mit der zweiten Ausführungsform gemäß Fig. 2 bzw. der ersten Ausführungsform gemäß Fig. 1 weitgehend identischen Aufbau hat, jedoch mit der Ausnahme, daß in den Stromverstärkerschaltungen 1 bzw. 2 jeweils ein Feldeffekttransistor vorgesehen ist.

In der ersten Stromverstärkerschaltung 1 ist ein Feldeffekttransistor 31 vorgesehen, welcher mit seinem Source-Anschluß mit der positiven Versorgungsspannung + V_s verbunden ist. Der Gate-Anschluß des Feldeffekttransistors 31 bildet den Steuereingang der Stromverstärkerschaltung 1 und ist über einen Widerstand 32 mit dem Drain-Anschluß des Feldeffekttransistors 31 verbunden, welcher auf die Last 7 geführt ist.

In der zweiten Stromverstärkerschaltung 2 ist ein Feldeffekttransistor 33 vorgesehen, dessen Source-Anschluß mit der Last 7 verbunden ist. Der Drain-Anschluß des Transistors 33 ist auf die negative Versorgungsspannung - V_s geführt und ist über einen Widerstand 34 mit dem Gate-Anschluß des Feldeffekttransistors 33 verbunden, der auch den Steuereingang der Stromverstärkerschaltung 2 bildet.

Auch für die dritte Ausführungsform gemäß Fig. 3 ist die Referenzspannung bzw. die Kupplung des Transistors 9 der Stromspiegelschaltung in der Aufteilerschaltung 3 mit der negativen Versorgungsspannung - V_s entsprechend dem Spannungsabfall zwischen dem Steuereingang der zweiten Stromverstärkerschaltung 2 und der Versorgungsspannung - V_s anzupassen. Es ist daher zwischen dem Emitter des zweiten Transistors 9 und der negativen Versorgungsspannung - V_s ein Widerstand 35 vorgesehen.

Die Arbeitsweise der Schaltung der zweiten Ausführungsform gemäß Fig. 2 sowie der Schaltung der dritten Ausführungsform gemäß Fig. 3 entspricht der Arbeitsweise der Schaltung der ersten Ausführungsform gemäß Fig. 1 mit den oben bereits erläuterten Abweichungen.