专利汇可以提供具有漏电流补偿电路的半导体器件专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种 半导体 器件,包括具有多个晶体管的 电流 镜 电路 ;被构造为将恒定参考电流通过 节点 提供给该 电流镜 电路的电流源;以及被构造为将补偿电流提供给该节点的补偿电路,以补偿多个晶体管的至少一部分栅极 漏电流 。该补偿电路可以提供等于栅极漏电流的总和的补偿电流。,下面是具有漏电流补偿电路的半导体器件专利的具体信息内容。
1.一种半导体器件,包括:
包含多个晶体管的电流镜电路;
电流源,其构造为通过一节点向所述电流镜电路提供恒定参考 电流;以及
补偿电路,其构造为向所述节点提供补偿电流,以补偿所述多 个晶体管的至少一部分栅极漏电流。
2.根据权利要求1的半导体器件,其中所述补偿电路提供等于所 述栅极漏电流的总和的所述补偿电流。
3.根据权利要求1的半导体器件,其中所述电流补偿电路包括:
补偿器件,其具有基本上等于所述多个晶体管的栅极面积的总 和的面积的电极,并构造为基于施加到所述补偿器件的电极的预定电 压来产生所述补偿电流。
4.根据权利要求3的半导体器件,其中所述补偿器件包括:
MOS晶体管,其具有作为所述电极的栅极,以及互相连接并连 接到所述节点的源极和漏极。
5.根据权利要求3的半导体器件,其中所述预定电压是电源电 压。
6.根据权利要求3的半导体器件,其中所述电流补偿电路还包 括:
电压调节电路,其包括串联连接的第一和第二电阻,并构造为 通过所述第一和第二电阻从电源电压产生调节偏置电压,并将所述调 节偏置电压作为所述预定电压提供给所述补偿器件。
7.根据权利要求1的半导体器件,其中所述补偿电路包括:
电流源电路;以及
控制电路,其构造为基于所述电流源电路的输出电压和在参考节 点处的参考电压对所述电流源电路进行控制,使得所述电流源电路将 所述补偿电流提供给所述节点。
8.根据权利要求7的半导体器件,其中所述补偿电路还包括:
参考电压产生电路,其构造为将等于所述恒定参考电流的电流提 供给所述参考节点;以及
MOS晶体管,其具有与所述参考节点相连的漏极、与所述漏极连 接的栅极和接地的源极。
9.根据权利要求7的半导体器件,其中所述控制电路将所述电流 源电路的输出电压与在所述参考节点处的参考电压进行比较,并基于 比较结果对所述电流源电路进行控制。
10.根据权利要求1至9中的任一个的半导体器件,其中所述补偿 电路还包括:
激活控制电路,其构造为响应第一电压电平的第一信号来允许所 述电流镜电路正常地工作,并且响应不同于所述第一电压电平的第二 电压电平的第二信号来禁止所述电流镜电路工作。
11.根据权利要求10的半导体器件,其中所述激活控制电路包 括:
反相器,一控制信号提供给该反相器;
第一晶体管,其设置在所述节点和除了所述电流镜电路中的特定 晶体管之外的所述多个晶体管的栅极之间,其中所述特定晶体管具有 与所述节点连接的漏极、与所述特定晶体管的所述漏极和所述除了所 述特定晶体管之外的所述多个晶体管的栅极相连的栅极、以及接地的 源极;以及
控制晶体管,其具有与所述反相器的输出端相连的栅极,与所述 多个晶体管的栅极相连的漏极以及接地的源极。
12.根据权利要求11的半导体器件,其中所述反相器响应第一信 号来输出允许信号,以允许所述电流镜电路正常地工作,并响应第二 信号来输出禁止信号,以禁止所述电流镜电路工作。
13.一种抑制栅极漏电流的方法,包括:
将恒定参考电流从电流源经由一节点提供给多个晶体管的电流镜 电路;并且
将补偿电流从补偿电路经由所述节点提供给所述电流镜电路,以 补偿所述多个晶体管的至少一部分栅极漏电流。
14.根据权利要求13的方法,其中所述补偿电流等于所述栅极漏 电流的总和。
15.根据权利要求13或14的方法,还包括:
响应第一电压电平的第一信号来允许所述电流镜电路正常地工 作;以及
响应不同于所述第一电压电平的第二电压电平的第二信号来禁止 所述电流镜电路工作。
本发明涉及一种半导体器件。本发明特别涉及一种包括对栅极漏 电流进行补偿的电路的半导体器件。
在当今的信息技术社会中,计算机的存在是不可缺少的,并且需 要计算机具有越来越高的性能。计算机的信息处理能力极大地受到安 装到计算机中的半导体器件的性能的影响。为了提高计算机的性能, 要求对半导体器件进行更高的集成,这种集成是通过减小构成半导体 器件的MOS晶体管的大小来实现的。
当减小MOS晶体管的尺寸时,需要使栅绝缘膜更薄。结果,必须 降低电源电压VDD以防止晶体管的击穿。在这种情况下,除非降低MOS 晶体管的阈值电压,否则诸如高速工作等半导体器件的特性就会恶 化。如果降低了阈值电压,则会提高性能,但是在晶体管的截止状态 下从漏极流向源极的漏电流(截止漏电流)会增加。
而且,如果减小MOS晶体管的尺寸,MOS晶体管的栅极长度变 得更短,以致出现短沟道效应,也就是,通过栅极场对沟道区的控制 变弱,以致由于较小的栅极长度而降低阈值电压。已知有各种技术用 于抑制这种短沟道效应。例如,可以增加沟道区和空穴区中的杂质浓 度,但在源电极和衬底之间流动的带间隧道漏电流会增加。而且,在 另一种技术中,可以增加栅极长度。然而,在该情况下,不能实现高 速工作。在除了要求高速工作的电路部分之外的其它部分中,例如偏 置电路,可以使用具有长栅极长度的晶体管。然而,在这种情况下, 流经氧化膜的栅极漏电流会增加。因此,栅极漏电流进一步增加。结 果,不能获得期望的偏置点。
从上面的描述中可以看出,强烈需要解决漏电流增加的问题。
一种用于补偿MOS晶体管的漏电流的技术已在日本未决公开专利 公开(JP-A-Heisei 11-26694)中给出。在这种现有实例中,在半导 体器件中提供一个补偿电路,以补偿漏电流。图1是示出在现有实例 中公开的漏电流补偿电路的构造的电路图。如图1所示,该漏电流补 偿电路包括NMOS晶体管101和用于补偿该NMOS晶体管101的漏电流 的漏电补偿电路102。漏电补偿电路102包括NMOS晶体管103和电流镜 电路104。现有漏电流补偿电路通过从电流镜电路输出的电流,来补 偿反方向流经寄生二极管的漏电流。
如上所述,当栅绝缘膜的厚度较薄时流过栅极漏电流,以及在现 有实例中公开的由寄生二极管引起的漏电流。作为栅绝缘膜的绝缘特 性恶化的结果,由于隧道效应而流过栅极漏电流。因此,随着MOS晶 体管的大小变得越来越小,认为栅极漏电流更加严重。这样,需要一 种能够补偿栅极漏电流的技术。另外,要求补偿电路的电路规模较小。
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