一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法
专利汇可以提供一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、取一片表面声滤波芯片 晶圆 ；步骤二、在表面声滤波芯片晶圆的 电极 区域制备第一金属层；步骤三、制备绝缘层用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层绝缘胶，将电极区域和芯片感应区域 位置 的绝缘胶去除；步骤四、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆全蚀刻出后续需要植球的位置，然后将贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起；步骤五、植球在植球的位置进行植球；步骤六、切割切割分成单颗产品。本发明一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，它能提供一种更小面积和体积的表面声 滤波器 件，并且具有更低的制造成本。，下面是一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法专利的具体信息内容。
1.一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；
步骤三、制备绝缘层
用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；
步骤四、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合
取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆全蚀刻出后续需要植球的位置，然后将已经完成全蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，贴合晶圆需要植球的位置对应于表面声滤波芯片晶圆的电极金属层位置，从而在芯片感应区域上方形成空腔；
步骤五、植球
在植球的位置进行植球；
步骤六、切割
切割分成单颗产品。
2.一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤：
步骤一、取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；
步骤三、制备绝缘层
用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；
步骤四、半蚀刻贴合晶圆并进行贴合
取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆半蚀刻出后续需要植球的位置，然后将已经完成半蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，贴合晶圆半蚀刻位置对应于表面声滤波芯片晶圆的电极金属层位置，从而在芯片感应区域上方形成空腔；
步骤五、减薄
将贴合晶圆进行研磨、减薄至贴合晶圆半蚀刻的位置，以露出植球的位置；
步骤六、植球
在植球的位置进行植球；
步骤七、切割
切割分成单颗产品。
3.根据权利要求1或2所述的一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，其特征在于：所述绝缘层采用B-stage胶，此时不需要在贴合晶圆上涂粘合胶，直接进行贴合。
4.根据权利要求1或2所述的一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法，其特征在于：所述贴合晶圆采用玻璃材料、绝缘材料。
一种蚀刻型表面声滤波芯片封装结构的制造方法
技术领域
背景技术
发明内容
步骤二、在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；
步骤三、制备绝缘层
用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域等位置的绝缘胶去除；
步骤四、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合
取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆全蚀刻出后续需要植球的位置，然后将已经完成全蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，贴合晶圆需要植球的位置对应于表面声滤波芯片晶圆的电极金属层位置，从而在芯片感应区域上方形成空腔；
步骤五、植球
在植球的位置进行植球；
步骤六、切割
切割分成单颗产品。
步骤二、在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；
步骤三、制备绝缘层
用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层绝缘胶，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；
步骤四、半蚀刻贴合晶圆并进行贴合
取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆半蚀刻出后续需要植球的位置，然后将已经完成半蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，贴合晶圆半蚀刻位置对应于表面声滤波芯片晶圆的电极金属层位置，从而在芯片感应区域上方形成空腔；
步骤五、减薄
将贴合晶圆进行研磨、减薄至贴合晶圆半蚀刻的位置，以露出植球的位置；
步骤六、植球
在植球的位置进行植球；
步骤七、切割
切割分成单颗产品。
2、本发明的圆片级表面声滤波芯片结构可以直接使用，也可以将整个结构和其他封装结构在基板上形成二次封装，形成系统级封装。
附图说明
电极区域1.1
感应区域1.2
第一金属层2
绝缘层3
贴合晶圆4
粘合胶5
金属球6
空腔7
开孔8。
具体实施方式
步骤一、参见图2，取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、参见图3，在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；
表面声滤波芯片晶圆通过清洗，烘烤，溅射，涂光刻胶，光刻，显影，电镀铜层，去光刻胶，蚀刻的方法在电极区域制备第一金属层；
步骤三、制备绝缘层
参见图4，用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶，如PI（聚酰亚胺）、PA(尼龙，聚酰胺)，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；
步骤四、全蚀刻贴合晶圆并进行贴合
参见图5，取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆全蚀刻出后续需要植球的位置，然后将已经完成全蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，贴合晶圆需要植球的位置对应于表面声滤波芯片晶圆的电极金属层位置，从而在芯片感应区域上方形成空腔；
步骤五、植球
参见图6，在贴合晶圆蚀刻出的植球的位置进行植球；
步骤六、切割
参见图7，切割分成单颗产品。
步骤一、参见图8，取一片表面声滤波芯片晶圆；
步骤二、参见图9，在表面声滤波芯片晶圆的电极区域制备第一金属层；
表面声滤波芯片晶圆通过清洗，烘烤，溅射，涂光刻胶，光刻，显影，电镀铜层，去光刻胶，蚀刻的方法在电极区域制备第一金属层；
步骤三、制备绝缘层
参见图10，用涂胶工艺在表面声滤波芯片晶圆上涂一层一定厚度的绝缘胶，如PI（聚酰亚胺）、PA(尼龙，聚酰胺)，用光刻，显影的方法将电极区域和芯片感应区域位置的绝缘胶去除；
步骤四、半蚀刻贴合晶圆并进行贴合
参见图11，取一片贴合晶圆，先将贴合晶圆半蚀刻出后续需要植球的位置，然后将已经完成半蚀刻的贴合晶圆通过粘合胶与表面声滤波芯片晶圆贴合在一起，贴合晶圆半蚀刻位置对应于表面声滤波芯片晶圆的电极金属层位置从而在芯片感应区域上方形成空腔；
步骤五、减薄
参见图12，将贴合晶圆进行研磨、减薄至贴合晶圆半蚀刻的位置，以露出植球的位置；
步骤六、植球
参见图13，在植球的位置进行植球；
步骤七、切割
参见图14，切割分成单颗产品。
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