专利汇可以提供一种低电压CMOS工艺下的VCSEL激光器驱动电路专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种 低 电压 CMOS工艺下的VCSEL 激光器 驱动 电路 ,包括第一、第二NMOS管,第一、第二、第三、第四PMOS管;第一NMOS管的栅极接第一输入电压,漏极通过 电阻 、电感接第二 电源电压 ,通过第一电容接第一PMOS管的栅极和漏极,通过第二电容接第三PMOS管的栅极和漏极,源极接 电流 源;第二NMOS管的栅极接第二输入电压,漏极接第四PMOS管的漏极及激光 二极管 VCSEL的 阳极 ,源极接电流源;第一PMOS管的漏极接第三PMOS管的源极,源极接第一电源电压,栅极接第二PMOS管的栅极,第二PMOS管的漏极接第四PMOS管的源极,源极接第一电源电压;第三PMOS管的漏极接电流源,栅极接第四PMOS管的栅极。本实用新型实现高电源电压与低电压核心MOS管设计的结合,避免高压MOS管的使用,有效保障高带宽指标。,下面是一种低电压CMOS工艺下的VCSEL激光器驱动电路专利的具体信息内容。
1.一种低电压CMOS工艺下的VCSEL激光器驱动电路,其特征在于:包括第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2,第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4,第一电容C1、第二电容C2,电阻R1,电感L和激光二极管VCSEL;
所述第一NMOS管NM1的栅极接第一输入电压Vinp,第一NMOS管NM1的漏极一方面通过电阻R1、电感L与第二电源电压VDD2相连,另一方面通过第一电容C1分别与第一PMOS管PM1的栅极和漏极相连接,而且还通过第二电容C2分别与第三PMOS管PM3的栅极和漏极相连接,第一NMOS管NM1的源极与电流源Imod相连接;
所述第二NMOS管NM2的栅极接第二输入电压Vinn,第二NMOS管NM2的漏极与第四PMOS管PM4的漏极相连接,第二NMOS管NM2的源极与电流源Imod相连;
所述第一PMOS管PM1的漏极与第三PMOS管PM3的源极相连接,第一PMOS管PM1的源极接第一电源电压VDD1;
所述第二PMOS管PM2的栅极与第一PMOS管PM1的栅极相连接,第二PMOS管PM2的漏极与第四PMOS管PM4的源极相连接,源极接第一电源电压VDD1;
所述第三PMOS管PM3的漏极与电流源Ibias相连接,第三PMOS管PM3的栅极与第四PMOS管PM4的栅极相连接;
所述激光二极管VCSEL的阳极与第四PMOS管PM4的漏极及第二NMOS管NM2的漏极连接,激光二极管VCSEL的阴极接地。
2.根据权利要求1所述的低电压CMOS工艺下的VCSEL激光器驱动电路,其特征在于:所述第一电源电压VDD1为3.3V电源电压。
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