矽晶圓之評價方法
阅读：552发布：2021-12-04
专利汇可以提供矽晶圓之評價方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且[課題]本發明的目的是提供一種矽晶圓之評價方法。矽晶圓之評價方法可簡易地預測鏡面加工和洗淨等矽晶圓處理步驟對 氧 化層耐壓的品質上的影響，以及可促成矽晶圓加工工程中的品質管理和改善。[解決方法]本發明的矽晶圓之評價方法可預測在矽晶圓上氧化層耐壓劣化的起因，其是由目視無法判別的局部殘留應變或加工錯誤所產生。評價方法包括下列步驟：由選擇性蝕刻矽晶圓表面除去0.5~5μｍ深的層；由光學顯微鏡算出在矽晶圓表面上的蝕刻洞數；以及基於由上述蝕刻洞數算出的蝕刻洞 密度 和蝕刻洞密度的判定值判定矽晶圓品質。由選擇性蝕刻處理的矽晶圓的蝕刻洞密度的判定值是設在5╳ 10^5個/c㎡以下，且改善不良矽晶圓的加工工程可進行。，下面是矽晶圓之評價方法专利的具体信息内容。
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