技术领域
[0001] 本
发明的
实施例涉及
半导体领域，尤其涉及一种
体声波谐振器、一种具有该谐振器的滤波器，以及一种具有该谐振器或者该滤波器的电子设备，一种体声波谐振器的频率调整方法。
背景技术
[0002] 体声波谐振器广泛应用于现代通讯领域的各类电子元器件中，如滤波器，双工器等等。该类电子器件对其中每个体波谐振器的工作频率通常有严格甚至苛刻的要求。而在设计尺寸完全相同的情况下，一片
晶圆上实际加工出来的谐振器很难保证其谐振频率达到指标工作频率，片内的每两个谐振器的
电极/压电层厚度、电极压电层的大小和形状均会存在一定范围内的差异。由所述事实可知，由前期MEMS工序初步得到的体波谐振器通常会有一部分频率会落到指标允许范围之外。如果简单地抛弃这部分谐振器，则会导致降低产能，变相提高成本。因此通常采取一定的工艺方法，对不符合频率要求的谐振器进行修整，使休整后的频率落入指标要求范围。
[0003] 对于频率低于指标要求的传统结构谐振器(电极无空气间隙)，目前常用的频率修整方法是使用离子束轰击顶电极或位于顶电极上表面其它的工艺层，来去除一部分电极或工艺层材料，去除材料后由于谐振器的
质量负载变小，其谐振频率会升高，从而达到频率修整的效果。
[0004] 但是，所述传统修频方法并不普遍适用于各种谐振器结构。
发明内容
[0005] 针对顶电极含有空气间隙的体波谐振器，本发明提出一种频率调整方案。
[0006] 根据本发明的实施例的一个方面，提出一种体声波谐振器，包括具有间隙层的顶电极，所述顶电极包括第一顶电极和第二顶电极，所述第一顶电极贴附于所述压电层，在谐振器的厚度方向上所述间隙层形成在第一顶电极与第二顶电极之间，其中：所述第二顶电极在谐振器的有效区域内设置有多个频率修整通道，所述频率修整通道贯穿所述第二顶电极而与间隙层相通。
[0007] 根据本发明的实施例的另一方面，提出了一种体声波谐振器的频率调整方法，包括步骤：利用离子束轰击顶电极表面，其中，通过所述频率调整通道的离子束使得所述第一顶电极的上表面形成与所述频率调整通道相对应的凹坑；或者
[0008] 包括步骤：利用离子束轰击顶电极表面，其中，通过所述频率调整通道的离子束使得所述第一
钝化层的上表面形成与所述频率调整通道相对应的凹坑。
[0009] 本发明的实施例也涉及一种具有上述谐振器的滤波器，以及具有上述谐振器或者滤波器的电子设备。
附图说明
[0010] 以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
[0011] 图1为根据本发明的一个实施例的体声波谐振器的俯视图；
[0012] 图1A为根据本发明的一个实施例的体声波谐振器的A-A剖视图；
[0013] 图1B为根据本发明的一个实施例的体声波谐振器的频率调整通道阵列图；
[0014] 图1C为根据本发明的一个实施例，离子束通过频率调整通道轰击第一顶电极后的结构示意图；
[0015] 图2A为根据本发明的一个实施例，第一顶电极和第二顶电极钝化后的结构示意图；
[0016] 图2B为图2A中结构经离子束轰击后的结构示意图；
[0017] 图3A和图3B为不具有频率调整通道的体声波谐振器的结构示意图。
具体实施方式
[0018] 下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在
说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
[0019] 图1为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的俯视示意图。在图1中，各附图标记如下：
[0020] 10：基底，可选材料为
硅(高阻硅)、砷化镓、蓝
宝石、
石英等。
[0021] 20：声学镜，在图2A-2B中为空腔20，也可采用布拉格反射层及其他等效形式。
[0022] 30：底电极，材料可选钼、钌、金、
铝、镁、钨、
铜，
钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其
合金等。
[0023] 36(31)：电极引脚。
[0024] 40：压电层，可选氮化铝(AlN)、
氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)、铌酸锂 (LiNbO3)、石英(Quartz)、铌酸
钾(KNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)等材料，也可包含所述材料的一定
原子比的稀土元素掺杂材料。
[0025] 50：第一顶电极，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
[0026] 56：电极引脚，材料与第一顶电极相同。
[0027] 60：位于顶电极中的空气间隙，处于第一顶电极50和第二顶电极70之间。
[0028] 70：第二顶电极，材料选择范围同第一顶电极50，但具体材料不一定与第一顶电极50相同。
[0029] 80：频率调整通道。
[0030] 需要说明的是，空气间隙构成空隙层，但是本发明中，空隙层除了可以为空气间隙层之外，还可以是
真空间隙层，也可以是填充了其他气体介质的空隙层。
[0031] 因为如图3A所示，当顶电极中具有空气间隙时，离子束会轰击到第2顶电极70上并以移除所述电极部分材料，但实验结果和理论分析均表明，由于空气间隙60的隔离作用，第二顶电极70质量的改变无法有效调整谐振器的频率，即70的厚度对谐振器谐振频率影响的灵敏度非常低。
[0032] 而用同样的方法对具有图3B中所示结构的谐振器(顶电极不含空气间隙) 进行修频时则可以获得显著的效果。
[0033] 因此需要一种特定结构以实现简单精确或有效的频率调整。
[0034] 如图1、1A所示的示例性的体声波谐振器包括具有间隙层60的顶电极，顶电极进一步包括第一顶电极50和第二顶电极70，其中，所述第二顶电极70在有效区域内设置有多个频率修整通道80。
[0035] 对于顶电极含空气间隙的谐振器，通过在第二顶电极70形成通孔结构80，可使离子束穿过第二顶电极70并轰击到第一顶电极50上，从而有效的实现频率修整。
[0036] 同时，通过设计第二顶电极上的通孔阵列图案，一方面可以使离子束在第一顶电极50上形成具有额外声学意义的凹坑阵列，用于抑制寄生模式；另一方面还可在顶电极
电阻和修频效率之间寻求平衡。
[0037] 在可选的实施例中，多个频率修整通道80呈预定图案布置。如在图1B中所示，所述预定图案为阵列图案。
[0038] 频率修整通道80可以具体化为通孔。
[0039] 而如图1中所示，所述预定图案为发散状图案。即第二顶电极70上的若干通孔80一定规律排成阵列，通孔80占据的总面积与第二顶电极70剩余的有效面积比值在预定范围内。
[0040] 可以通过调整通孔80的总面积以调整修整频率的灵敏度，原则上总面积越大，灵敏度越高。但是占空比过低不利于修频，占空比过高电极电阻会变大。在本发明的进一步的实施例中，可以进一步考虑频率修整通道占谐振器的有效区域的面积比，在可选的实施例中，所述多个频率修整通道占谐振器有效区域面积的比例范围是10％-90％，进一步的，在30％-75％的范围内。
[0041] 在可选的实施例中，也可直接将第一顶电极50和第二顶电极70暴露在空气中会导致其氧化，并使其电
阻变大，此外离子束轰击会增加第一顶电极50的表面粗糙度，
加速电极氧化。为了防止电极氧化，可如图2A所示在第一顶电极 50和第二顶电极70的上表面分别沉积
钝化层51和52，同时使通孔80穿过钝化层52。即，第一顶电极50上表面可沉积有钝化层51。
[0042] 另外，第二顶电极70上表面也可沉积有钝化层52，且所述频率调整通道 80贯穿所述钝化层52。
[0043] 可选地，如图2B所示，进行离子束修频时，离子束从通孔80穿过钝化层 52和第二顶电极70轰击在位于第一顶电极50表面的钝化层51上，离子束轰击在钝化层51形成凹坑，而位于51下方的第一底电极50则不受离子束影响。
[0044] 同时，也可如图1C所示，第一顶电极50形成有与所述频率调整通道相对应的若干凹坑。具体地，当利用离子束进行修频时，离子束可由通孔阵列穿过第二顶电极70，轰击到第一顶电极50表面，并在其上形成凹坑阵列，从而去除 50部分材料，达到提升频率的目的。
[0045] 如图1所示，位于第二顶电极70的频率修整通道还可以充当释放通道，用于制作顶电极的空气间隙60。
[0046] 需要指出的是，离子束轰击时，可以使得第二顶电极或设置于第二顶电极上的第二钝化层减薄。
[0047] 在本发明中，提到的数值范围除了可以为端点值之外，还可以为端点值之间的中值或者其他值，均在本发明的保护范围之内。
[0048] 基于以上，本发明提出了如下技术方案：
[0049] 1、一种体声波谐振器，包括具有间隙层的顶电极，所述顶电极包括第一顶电极和第二顶电极，所述第一顶电极贴附于所述压电层，在谐振器的厚度方向上所述间隙层形成在第一顶电极与第二顶电极之间，其中：
[0050] 所述第二顶电极在谐振器的有效区域内设置有多个频率修整通道，所述频率修整通道贯穿所述第二顶电极而与间隙层相通。
[0051] 2、根据1所述的体声波谐振器，其中，
[0052] 所述多个频率修整通道呈预定图案布置。
[0053] 3、根据2所述的体声波谐振器，其中，
[0054] 所述预定图案为阵列图案。
[0055] 4、根据2所述的体声波谐振器，其中，
[0056] 所述预定图案为发散状图案，或者同心环形图案。
[0057] 5、根据1所述的体声波谐振器，其中，
[0058] 所述多个频率修整通道占谐振器有效区域面积的比例范围是10％-90％，进一步的，在30％-75％的范围内。
[0059] 6、根据1所述的体声波谐振器，其中，所述第二顶电极上表面沉积有第二钝化层，且所述频率调整通道贯穿所述第二钝化层。
[0060] 7、根据1-6中任一项所述的体声波谐振器，其中，所述第一顶电极的上表面形成有与所述频率调整通道相对应的若干凹坑。
[0061] 8、根据1-6中任一项所述的体声波谐振器，其中，所述第一顶电极上表面沉积有第一钝化层。
[0062] 9、根据8所述的体声波谐振器，其中，所述第一钝化层形成有与所述频率调整通道相对应的若干凹坑。
[0063] 10、一种包括
权利要求1-9中任一项所述的体声波谐振器的滤波器。
[0064] 11、一种包括根据1-9中任一项所述的体声波谐振器或权利要求10所述的滤波器的电子设备。
[0065] 12、一种体声波谐振器的频率调整方法，其中：
[0066] 所述体声波谐振器为根据1-6中任一项所述的体声波谐振器，所述方法包括步骤：利用离子束轰击顶电极表面，其中，通过所述频率调整通道的离子束使得所述第一顶电极的上表面形成与所述频率调整通道相对应的凹坑；或者
[0067] 所述体声波谐振器为根据8所述的体声波谐振器，所述方法包括步骤：利用离子束轰击顶电极表面，其中，通过所述频率调整通道的离子束使得所述第一钝化层的上表面形成与所述频率调整通道相对应的凹坑。
[0068] 13、根据12所述的方法，还包括步骤：
[0069] 利用离子束直接轰击第二顶电极的上表面，以减小第二顶电极的厚度。
[0070] 13、根据12所述的方法，其中所述第二顶电极的上表面还设置有钝化层，所述方法还包括步骤：
[0071] 利用离子束轰击第二顶电极的上表面的钝化层，以减小所述钝化层的厚度。
[0072] 尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
