具有最佳化的導通電阻及崩潰電壓之功率金氧半場效電晶體及絕緣閘極雙極性電晶體
专利汇可以提供具有最佳化的導通電阻及崩潰電壓之功率金氧半場效電晶體及絕緣閘極雙極性電晶體专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本發明描述一同時具有高崩潰電壓及低導通電阻的金 氧 半場效電晶體和絕緣閘極雙極性電晶體之結構。為達成這樣的目的可製備一N型分流路徑(shunt path)由N+汲極(對於功率金氧半場效電晶體而言)或P+射極(對於絕緣閘極雙極性電晶體而言)向上延伸而經過N-區到達閘極氧化層之下一小段距離。要製作此一分流路徑,須先提供一具 N+或P+矽基底之N-矽磊晶晶圓。以一適合的罩幕(接觸或獨立)置於N-矽磊晶晶圓上表面,再以質子或氘核子轟擊,由於離子摻雜效應而在未罩蔽的磊晶表面上形成N型區。以調整離子的 能量 ,此N型區可擴展至磊晶表面下以至於正好接觸到N+或P+層,或甚至穿越整個磊晶晶圓。為了將緊鄰閘極氧化層的分流路徑上之矽材料轉變回N-,須施以逆摻雜。或者，形成溝槽再施以介電層填入和化學機械 研磨 ，實質上將閘極作用分成兩邊。，下面是具有最佳化的導通電阻及崩潰電壓之功率金氧半場效電晶體及絕緣閘極雙極性電晶體专利的具体信息内容。
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