显示装置及补偿其劣化的方法
阅读：658发布：2024-01-07
专利汇可以提供显示装置及补偿其劣化的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且公开了显示装置。显示装置包括多个 像素 、时序 控制器 和数据 驱动器 ，多个像素中的每个包括发光元件和驱动晶体管，驱动晶体管具有以第一距离彼此分离的源区和漏区以控制流过发光元件的 电流 量；时序控制器使用与多个像素中的一个的驱动晶体管的源区和漏区之间的第一距离对应地设置的数据校正系数而将输入的第一图像数据转换为第二图像数据；并且数据驱动器生成与第二图像数据对应的数据 信号 并且将数据信号供给到多个像素中的一个。也公开了补偿显示装置的劣化的方法。，下面是显示装置及补偿其劣化的方法专利的具体信息内容。
1.一种显示装置，包括：
多个像素，所述多个像素中的每个包括发光元件和驱动晶体管，所述驱动晶体管具有以第一距离彼此分离的源区和漏区以控制流过所述发光元件的电流量；
时序控制器，所述时序控制器使用与所述多个像素中的一个的所述驱动晶体管的所述源区和所述漏区之间的所述第一距离对应地设置的数据校正系数而将输入的第一图像数据转换为第二图像数据；以及
数据驱动器，所述数据驱动器生成与所述第二图像数据对应的数据信号，并且将所述数据信号供给到所述多个像素中的所述一个。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述时序控制器包括：
计算器，所述计算器基于所述第一图像数据而计算并存储所述多个像素中的至少一部分像素的累积应力信息；
存储器，所述存储器存储所述数据校正系数；以及
数据校正器，所述数据校正器逐个像素地使用所述累积应力信息和所述数据校正系数而将所述第一图像数据转换为所述第二图像数据。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述数据校正系数通过将与所述驱动晶体管的所述源区和所述漏区之间的所述第一距离对应的加权值应用于基准数据校正系数来计算。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述加权值被设置为当所述驱动晶体管的所述源区和所述漏区之间的所述第一距离增加时减小。
5.如权利要求2所述的显示装置，其中，分别与具有不同值的多个所述累积应力信息对应的所述数据校正系数存储在所述存储器中。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述数据校正系数用于对所述发光元件的劣化进行补偿。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管的所述源区和所述漏区之间的所述第一距离是所述源区和所述漏区之间的最短距离。
8.一种补偿显示装置的劣化的方法，所述显示装置包括多个像素，所述多个像素中的每个包括发光元件和控制流过所述发光元件的电流的驱动晶体管，所述方法包括以下步骤：
在存储器中存储与所述多个像素中的至少一部分像素的所述驱动晶体管的源区和漏区之间的先前测量的距离对应的多个数据校正系数；以及
通过时序控制器使用所述多个数据校正系数而将输入的第一图像数据转换为第二图像数据以驱动所述多个像素中的至少一部分像素。
显示装置及补偿其劣化的方法
[0001] 相关申请的交叉引用
技术领域
背景技术
[0007] 包括在像素中的每个中的有机发光二极管随着时间流逝而劣化，并且相应地，不显示具有期望亮度的图像。在背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解本发明概念的背景，并因此，其可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
[0008] 申请人认识到需要改进的装置和方法以对因发光元件(特别是有机发光显示装置中的有机发光二极管)的劣化而导致的亮度的降低进行补偿。
[0009] 根据本发明的示例性实现方式构造的装置和随后的方法能够通过逐个像素地对发光元件的劣化进行补偿来显示具有均匀亮度的图像。
[0010] 本发明的亮度补偿原理可解释申请人的发现，即单个像素劣化的速度可取决于其驱动晶体管的源区和漏区之间的距离而变化。
[0011] 本发明概念的额外的特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可通过实践本发明概念而习得。
[0012] 根据本发明的一方面，提供了显示装置，包括多个像素、时序控制器和数据驱动器，多个像素中的每个包括发光元件和驱动晶体管，驱动晶体管具有以第一距离彼此分离的源区和漏区以控制流过发光元件的电流量；时序控制器使用与多个像素中的一个的驱动晶体管的源区和漏区之间的第一距离对应地设置的数据校正系数而将输入的第一图像数据转换为第二图像数据；并且数据驱动器生成与第二图像数据对应的数据信号并且将数据信号供给到多个像素中的一个。
[0013] 时序控制器可包括计算器、存储器和数据校正器，计算器基于第一图像数据而计算并存储多个像素中的至少一部分像素的累积应力信息；存储器存储数据校正系数；并且数据校正器逐个像素地使用累积应力信息和数据校正系数而将第一图像数据转换为第二图像数据。
[0014] 数据校正系数可通过将与驱动晶体管的源区和漏区之间的第一距离对应的加权值应用于基准数据校正系数来计算。
[0015] 加权值可被设置为当驱动晶体管的源区和漏区之间的第一距离增加时减小。
[0016] 分别与具有不同值的多个累积应力信息对应的数据校正系数可存储在存储器中。
[0017] 数据校正系数可用于对发光元件的劣化进行补偿。
[0018] 驱动晶体管的源区和漏区之间的第一距离可为源区和漏区之间的最短距离。
[0019] 根据本发明的一方面，提供了补偿显示装置的劣化的方法，显示装置包括多个像素，多个像素中的每个包括发光元件和控制流过发光元件的电流量的驱动晶体管，该方法包括以下步骤：在存储器中存储与多个像素中的至少一部分像素的驱动晶体管的源区和漏区之间的先前测量的距离对应的多个数据校正系数；以及通过时序控制器使用多个数据校正系数而将输入的第一图像数据转换为第二图像数据以驱动多个像素中的至少一部分像素。
[0020] 该方法还可包括以下步骤：通过时序控制器基于第一图像数据而计算多个像素中的至少一部分像素的累积应力信息。
[0021] 第二图像数据可使用与经计算的累积应力信息对应的多个数据校正系数中的一个来转换。
[0022] 多个数据校正系数可通过将与驱动晶体管的源区和漏区之间的距离对应的加权值应用于基准数据校正系数来计算。
[0023] 加权值可被设置为当驱动晶体管的源区和漏区之间的距离增加时减小。
[0024] 加权值可被设置为当驱动晶体管的源区和漏区之间的距离减小时增加。
[0025] 驱动晶体管的源区和漏区之间的距离可为源区和漏区之间的最短距离。
[0026] 多个数据校正系数可用于对发光元件的劣化进行补偿。
[0029] 图1是示意性地示出根据本发明的示例性实施方式构造的显示装置的配置的框图。
[0030] 图2是示出图1中所示的代表性像素的结构的电路图。
[0031] 图3是示出与图2中所示的有机发光二极管的劣化对应的电流变化的曲线图。
[0032] 图4是示出像素的应力和亮度之间的相关性的曲线图。
[0033] 图5是示出根据本发明的示例性实施方式的补偿劣化的方法的示意图。
[0034] 图6是示出图2中所示像素的堆叠结构的显示装置的剖面图。
[0035] 图7是示出与有机发光二极管的劣化对应的电流变化的曲线图。
[0036] 图8是示意性地示出根据本发明的示例性实施方式的包括在时序控制器中的劣化补偿器的配置的框图。
具体实施方式
[0037] 在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对本发明的各种示例性实施方式或实现方式的透彻理解。如本文中所使用的，“实施方式”和“实现方式”为可互换的词，它们是采用本文中所公开的本发明概念中的一种或更多种的装置或方法的非限制性示例。然而，显而易见的是，各种示例性实施方式可在没有具体细节的情况下或者用一个或更多个等同布置的情况下实践。在其它实例中，公知的结构和装置以框图形式示出以避免不必要地混淆各种示例性实施方式。另外，各种示例性实施方式可为不同的，但不必是排他的。例如，在不背离本发明概念的情况下，示例性实施方式的具体形状、配置和特性可使用或实现在另一示例性实施方式中。
[0038] 除非另有说明，否则所示的示例性实施方式应被理解为提供能够在实践中实现本发明概念的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则各种实施方式的特征、部件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文中单独称为或统称为“元件”)可在不背离本发明概念的情况下以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
[0039] 交叉影线和/或阴影在附图中的使用通常被提供以阐明相邻元件之间的边界。由此，除非说明，否则无论交叉影线或阴影的存在与否都不会传达或表明对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求。另外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，元件的尺寸和相对尺寸可被夸大。当示例性实施方式可不同地实现时，具体工艺顺序可与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时进行或者以与描述的顺序相反的顺序进行。而且，相同的附图标记表示相同的元件。
[0040] 当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、连接到或耦接到另一元件或层，或者可存在有中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，则不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可指示在具有或不具有中间元件的情况下的物理的、电气的和/或流体的连接。另外，D1-轴、D2-轴和D3-轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x-轴、y-轴和z-轴)，并且可被解释为更广泛的含义。例如，D1-轴、D2-轴和D3-轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。为了这种公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z构成的集群中的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，诸如，例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或更多个的任何和所有组合。
[0041] 虽然术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种类型的元件，但是这些部件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被称为第二元件。
[0042] 空间相对术语诸如“下面(beneath)”、“下方(below)”、“下(lower)”、“上方(above)”、“上(upper)”、“在…上方(over)”、“更高(higher)”、“侧(side)”(例如，如在“侧壁(sidewall)”中)等可在本文中出于描述性目的使用，并因此，用以描述如图中所示的一个元件与另一个元件的关系。除了图中描绘的取向以外，空间相对术语还旨在包含设备在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随后被取向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可包含上方和下方的取向这两者。再者，设备可其它方式取向(例如，旋转90度或在其它取向)，并由此，本文中使用的空间相对描述词被相应地解释。
[0043] 本文中所使用的术语是出于描述特定实施方式的目的，而不旨在限制。除非上下文另有明确说明，否则如本文所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。此外，当术语“包括(comprise)”、“包括有(comprising)”、“包含(include)”和/或“包含有(including)”在本说明书中使用时指示所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在，但不排除一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或添加。还注意到，如本文中所使用的，术语“基本上(substantially)”、“约(about)”以及相似术语用作近似的术语而不是程度的术语，并且由此，利用于考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
[0044] 本文中参照作为理想化的示例性实施方式和/或中间结构的示意性图示的剖面图和/或分解图对各种示例性实施方式进行描述。由此，由例如制造技术和/或公差的结果所导致的图示的形状的变化是可预期的。因此，本文中所公开的示例性实施方式不应必须被解释为受限于特定所示的区域形状，而是包括由例如制造导致的形状上的偏差。通过这种方式，图中所示的区域本质上可为示意性的，并且这些区域的形状可不反映装置的区域的实际形状，并由此并不必须旨在限制。
[0045] 如本领域中的惯例，在功能块、单元和/或模块方面，在附图中示出并描述了一些示例性实施方式。本领域技术人员将理解，这些块、单元和/或模块通过电子(或光学)电路(诸如可使用基于半导体的制造技术或其它制造技术形成的逻辑电路、分立部件、微处理器、硬连线电路、存储器元件、布线连接等)物理地实现。在由微处理器或其它相似硬件实现的块、单元和/或模块的情况下，可使用软件(例如，微代码)对它们进行编程和控制，以执行本文中所讨论的各种功能，并且可选择性由固件和/或软件来驱动。还预期到每个块、单元和/或模块可由专用硬件实现，或者作为执行一些功能的专用硬件与处理器(例如，一个或更多个编程的微处理器和相关联的电路)的组合来执行其它功能。而且，在不背离本发明概念的范围的情况下，一些示例性实施方式的每个块、单元和/或模块可物理地分离成两个或更多个交互和分立的块、单元和/或模块。另外，在不背离本发明概念的范围的情况下，一些示例性实施方式的块、单元和/或模块可物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块。
[0046] 除非另有限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属技术领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非在本文中明确地这样限定，否则诸如常用词典中限定的那些术语应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的含义来解释。
[0047] 图1是示意性地示出根据本发明的示例性实施方式构造的显示装置的配置的框图。
[0048] 参照图1，根据本发明的示例性实施方式的显示装置1可包括显示单元100和显示驱动器200。
[0049] 显示单元100可包括像素PXL以及连接到像素PXL的数据线D1至Dq和扫描线S1至Sp。
[0050] 可通过数据线D1至Dq中的对应的一个和扫描线S1至Sp中的对应的一个而向像素PXL中的每个供给数据信号和扫描信号。
[0052] 像素PXL中的每个可包括发光元件(或发光器件，例如有机发光二极管)，并且通过从第一电源ELVDD经由发光元件流到第二电源ELVSS的电流而生成与数据信号对应的光。
[0053] 显示驱动器200可包括扫描驱动器210、数据驱动器220和时序控制器240。
[0054] 扫描驱动器210可响应于扫描驱动器控制信号SCS而将扫描信号供给到扫描线S1至Sp。例如，扫描驱动器210可顺序地将扫描信号供给到扫描线S1至Sp。
[0055] 为了将扫描驱动器210连接到扫描线S1至Sp，扫描驱动器210可直接安装在形成有像素PXL的衬底上，或者通过诸如柔性印刷电路板的独立部件连接到衬底。
[0056] 数据驱动器220可从时序控制器240接收数据驱动器控制信号DCS和第二图像数据DATA2以生成数据信号。
[0057] 数据驱动器220可将生成的数据信号供给到数据线D1至Dq。
[0058] 为了将数据驱动器220连接到数据线D1至Dq，数据驱动器220可直接安装在形成有像素PXL的衬底上，或者通过诸如柔性印刷电路板的独立部件连接到衬底。
[0059] 当扫描信号被供给到具体的扫描线时，可向连接到具体的扫描线的一些像素PXL供给从数据线D1至Dq传输的数据信号。然后，这些像素PXL可发射具有与供给的数据信号对应的亮度的光。
[0060] 时序控制器240可生成用于控制扫描驱动器210和数据驱动器220的控制信号。
[0061] 例如，控制信号可包括用于控制扫描驱动器210的扫描驱动器控制信号SCS和用于控制数据驱动器220的数据驱动器控制信号DCS。
[0062] 时序控制器240可使用外部输入信号生成扫描驱动器控制信号SCS和数据驱动器控制信号DCS。
[0064] 而且，时序控制器240可将扫描驱动器控制信号SCS供给到扫描驱动器210，并且将数据驱动器控制信号DCS供给到数据驱动器220。
[0065] 时序控制器240可将从外部输入的第一图像数据DATA1转换为适合于数据驱动器220的规格的第二图像数据DATA2，并且将第二图像数据DATA2供给到数据驱动器220。
[0066] 第一图像数据DATA1可包括显示单元100的像素PXL中的每个的亮度信息，并且亮度可具有设置数字，例如1024灰度、256灰度或64灰度。然而，本发明不限于此，并且亮度可具有另一值。此外，输入的第一图像数据DATA1可以帧为单位进行划分。
[0067] 时序控制器240可通过基于第一图像数据DATA1执行诸如亮度补偿的图像处理来生成并输出第二图像数据DATA2。
[0068] 数据使能信号DE可为用于限定输入有效数据的周期的信号，并且一个周期可设置为一个水平周期，诸如水平同步信号Hsync的一个周期。
[0069] 尽管图1示出了扫描驱动器210、数据驱动器220和时序控制器240被彼此分离地设置，但是如果需要，则可集成部件中的至少一部分集成部件。
[0070] 图2是示出图1中所示的代表性像素的结构的电路图。为了描述的便利，在图2中示出了连接到第i扫描线Si和第j数据线Dj的像素PXL。
[0073] 当从第i扫描线Si供给扫描信号时，开关晶体管Ts可被导通以将从第j数据线Dj接收到的数据信号供给到存储电容器Cst。
[0074] 存储电容器Cst可充电有与数据信号对应的电压。
[0075] 驱动晶体管Td可包括连接到第一电源ELVDD的第一电极、连接到有机发光二极管OLED的第二电极以及连接到第一节点N1的栅电极。
[0076] 驱动晶体管Td可与存储在存储电容器Cst中的电压对应地控制从第一电源ELVDD经由有机发光二极管OLED流到第二电源ELVSS的电流量。
[0077] 有机发光二极管OLED可包括连接到驱动晶体管Td的第二电极的第一电极(阳电极)和连接到第二电源ELVSS的第二电极(阴电极)。
[0078] 有机发光二极管OLED可生成与从驱动晶体管Td供给的电流量对应的光。
[0079] 有机发光二极管OLED可包括唯一地发射红色、绿色和蓝色的原色中的任一种或者一种或更多种光的有机材料，并且显示装置1可通过颜色的空间之和来显示期望的图像。
[0080] 在图2中，晶体管Td和Ts中的每个的第一电极可设置为源电极和漏电极中的任一个，并且晶体管Td和Ts中的每个的第二电极可设置为与第一电极不同的电极。例如，当第一电极设置为源电极时，第二电极可设置为漏电极。
[0081] 而且，晶体管Td和Ts中的每个可为PMOS晶体管或NMOS晶体管。
[0082] 图2中所示的像素PXL的结构仅仅是本发明的示例性实施方式，并因此，本发明的像素PXL不限于该结构。像素PXL可具有能够向有机发光二极管OLED供给电流的任意电路结构，并且可被选择为本领域中当前已知的各种结构中的任一种。
[0083] 也就是说，除了图2中所示的开关晶体管Ts和驱动晶体管Td以外，像素PXL还可包括对提供给有机发光二极管OLED的电流进行补偿的附加晶体管和电容器。
[0084] 图3是示出与图2中所示的有机发光二极管的劣化对应的电流变化的曲线图。
[0085] 参照图2和图3，与漏-源电压Vds和栅-源电压Vgs对应地，预定电流Id流入驱动晶体管Td的漏电极中。
[0086] 当有机发光二极管OLED劣化时，例如，由于制造缺陷或公差、随着时间的使用和/或本领域已知的其它条件，施加到驱动晶体管Td的漏-源电压Vds通过有机发光二极管OLED的电阻中的改变(或阈值电压中的改变)而改变。
[0087] 具体地，在有机发光二极管OLED劣化之前，电流“A”与预定的栅-源电压Vgs对应地流动。另一方面，当有机发光二极管OLED劣化时，低于电流“A”的电流“B”与预定的栅-源电压Vgs对应地流动。也就是说，尽管供给了相同的数据信号(即，用于确定栅-源电压Vgs的电压)，但是从驱动晶体管Td供给到有机发光二极管OLED的电流量与有机发光二极管OLED的劣化对应地降低，并且相应地，期望的亮度量未被实现。
[0088] 图4是示出像素的应力和亮度之间的相关性的曲线图。在图4中，曲线图1示出了设置在第一显示装置中的像素的亮度和应力之间的相关性，并且曲线图2示出了设置在第二显示装置中的像素的亮度和应力之间的相关性。第一显示装置和第二显示装置可在相同的工艺条件下使用相同的材料制备。
[0089] 参照图4的曲线图1和曲线图2，当施加到像素的应力增加时，亮度可降低。具体地，当像素的累积驱动时间(或累积驱动量)增加时，施加到像素的累积应力增加。当累积应力增加时，包括在像素中的有机发光二极管劣化，并因此，亮度可降低。
[0090] 例如，尽管将相同的数据信号施加到像素，但是施加有应力S1的像素可发射具有亮度L1的光。另一方面，施加有应力S2的像素可发射具有亮度L2的光。
[0091] 图5是示出根据本发明的示例性实施方式的补偿劣化的方法的示意图。图5可示例性地示出布置在显示单元100中的图像。
[0092] 参照图4和图5，应力S1可施加到与第一区域AA1对应的像素，并且应力S2可施加到与第二区域AA2对应的像素。
[0093] 当相同的数据信号供给到与第一区域AA1和第二区域AA2对应的像素时，在第一区域AA1中显示的图像的亮度可高于在第二区域AA2中显示的图像的亮度。因此，供给到与第二区域AA2对应的像素的数据信号可被校正，以使得在第二区域AA2中显示的图像的亮度可为更亮的，以与在第一区域AA1中显示的图像的亮度一致。用于校正数据信号的信息(例如，校正系数等)可被预先设置以存储在显示装置中。
[0094] 然而，即使当在相同环境下制备显示装置时，包括在相应的显示装置中的像素劣化的速度也可彼此不同。例如，如图4中所示，包括在第二显示装置中的像素的劣化程度可低于包括在第一显示装置中的像素的劣化程度。
[0095] 因此，当用于校正数据信号的信息被均等地施加到显示装置时，可能难以执行精准的劣化校正，因为迄今为止必须基于均匀地施加到整个显示装置中的所有像素的有限的像素校正信息来设置和施加适合于整个显示装置的校正信息。
[0096] 图6是示出图2中所示像素的结构的一部分的显示装置的剖面图。
[0097] 包括在像素PXL中的晶体管Td和Ts可以薄膜晶体管的形式形成在衬底110上。此外，包括在像素PXL中的存储电容器Cst和有机发光二极管OLED也可被堆叠并形成在衬底110上。在图6中示出了在图2中所示的像素结构中与其连接的驱动晶体管Td和有机发光二极管OLED。
[0099] 缓冲层120可增加衬底110的上表面的平滑度或者防止或最小化杂质从衬底110等渗透到驱动晶体管Td的半导体层135中。
[0100] 半导体层135可形成在缓冲层120上。半导体层135可由多晶硅或氧化物半导体制成。
[0101] 半导体层135可划分为未掺杂有杂质的沟道区1355以及通过将杂质掺杂到沟道区1355的两侧中而形成的源区1356和漏区1357。杂质可取决于薄膜晶体管的种类而改变。杂质可为n型杂质或p型杂质。
[0102] 半导体层135的沟道区1355可包括未掺杂有任何杂质的多晶硅，即，本征半导体。
[0103] 此外，半导体层135的源区1356和漏区1357可包括掺杂有导电杂质的多晶硅，即，杂质半导体。
[0104] 用于确保与栅电极125的绝缘性质的栅极绝缘层140形成在半导体层135上方。栅极绝缘层140可以以包括无机材料的单层或多层提供，无机材料包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
[0105] 栅电极125可形成在栅极绝缘层140上。形成在栅极绝缘层140上的栅电极125可由金属制成。金属可包括钼(Mo)。此外，金属可包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种或它们的任意合金。
[0106] 栅电极125可与沟道区1355重叠。除了驱动晶体管Td的栅电极125以外，开关晶体管Ts的栅电极、形成电容器Cst的电极等还可定位在栅极绝缘层140上。
[0107] 层间绝缘层160可布置在栅电极125上方。层间绝缘层160可包括无机材料，无机材料包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
[0108] 分别暴露源区1356和漏区1357的源极接触孔61和漏极接触孔62可形成在层间绝缘层160和栅极绝缘层140中。
[0109] 源电极176和漏电极177可设置在层间绝缘层160上。设置在层间绝缘层160上的电极(或线)可由金属制成。例如，金属可由金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种或它们的任意合金制成。
[0110] 除了驱动晶体管Td的源电极176和漏电极177以外，开关晶体管Ts的源电极和漏电极、形成电容器Cst的电极等还可定位在层间绝缘层160上。
[0111] 半导体层135、栅电极125、源电极176和漏电极177可形成驱动晶体管Td。
[0113] 钝化层180可为由无机材料制成的无机绝缘层。无机材料可包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。在一些示例性实施方式中，钝化层180可被省略。
[0114] 有机绝缘层190可形成在钝化层180上。有机绝缘层190可为由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料可包括有机绝缘材料，诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟隆的氟类化合物或苯并环丁烯类化合物。
[0115] 第一像素电极710可形成在有机绝缘层190上。第一像素电极710可包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)的透明导电材料，或者诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或金(Au)的反射金属。
[0116] 第一像素电极710通过形成在钝化层180和有机绝缘层190中的接触孔181电连接到驱动晶体管Td的漏电极177，并且可成为有机发光二极管OLED的阳电极。
[0117] 像素限定层350可形成在有机绝缘层190和第一像素电极710的边缘部分上。像素限定层350可包括暴露第一像素电极710的开口。也就是说，像素限定层350可限定像素区以对应于每个像素。
[0118] 像素限定层350可为由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料可包括有机绝缘材料，诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、诸如特氟隆的氟类化合物或苯并环丁烯类化合物。
[0119] 有机发射层720可设置在像素限定层350的开口中。
[0120] 第二像素电极730可设置在像素限定层350和有机发射层720上。
[0121] 第二像素电极730可由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir或Cr的金属层和/或诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电层制成。
[0122] 如上所述，随着第一像素电极710成为有机发光二极管OLED的阳电极，第二像素电极730可成为有机发光二极管OLED的阴电极。
[0123] 然而，在一些情况下，第一像素电极710可成为阴电极，并且第二像素电极730可成为阳电极。
[0124] 第一像素电极710、有机发射层720和第二像素电极730可形成有机发光二极管OLED。
[0125] 封装层200可设置在第二像素电极730上方。封装层200可防止氧气和湿气渗透到有机发光二极管OLED中。封装层200可包括多个无机层和/或多个有机层。例如，封装层200可包括多个单元封装层，每个单元封装层包括无机层和布置在无机层上的有机层。
[0126] 像素劣化的速度可取决于驱动晶体管Td的源区1356和漏区1357之间的距离D而变化。本文中所使用的源区1356和漏区1357之间的距离D可为源区1356和漏区1357之间的最短距离。
[0127] 图7是示出与有机发光二极管的劣化对应的电流变化的曲线图。
[0128] 图7中的曲线图3示出了与连接到在源区1356和漏区1357之间具有距离D的驱动晶体管的有机发光二极管的劣化对应的电流变化，而该距离D为d1。此外，曲线图4示出了与连接到在源区1356和漏区1357之间具有距离D的驱动晶体管的有机发光二极管的劣化对应的电流变化，而该距离D为d2，其中，d2大于d1。
[0129] 参照图7的曲线图3，在有机发光二极管劣化之前流过有机发光二极管的电流量与在有机发光二极管劣化之后流过有机发光二极管的电流量之间的差异可为ΔId1。此外，参照图7的曲线图4，在有机发光二极管劣化之前流过有机发光二极管的电流量与在有机发光二极管劣化之后流过有机发光二极管的电流量之间的差异可为小于ΔId1的ΔId2。也就是说，当驱动晶体管Td的源区1356和漏区1357之间的距离D增加时，有机发光二极管劣化的速度还可降低。
[0130] 图8是示意性地示出根据本发明的示例性实施方式的包括在时序控制器中的劣化补偿器的配置的框图。
[0131] 参照图8，根据本发明的示例性实施方式的劣化补偿器300可包括数据校正器310、存储器320(或存储装置)和计算器330。
[0132] 计算器330可使用从劣化补偿器300的外部提供的第一图像数据DATA1来计算像素的应力。针对每个像素，计算器330可通过累计包括在第一图像数据DATA1中的显示时间、灰度、亮度和温度信息来计算每个像素的累积应力信息。
[0133] 与累积应力值对应的数据校正系数可存储在存储器320中。数据校正系数可参考驱动晶体管的源区和漏区之间的距离来设置。
[0134] 为此，可在显示装置的制造工艺期间测量驱动晶体管的源区和漏区之间的距离。例如，可测量排列在具体位置(例如，显示装置的中心)处的驱动晶体管的源区和漏区之间的距离，并且可参考经测量的距离来设置数据校正系数。可替代地，可测量设置在显示装置中的驱动晶体管中的每个的源区和漏区之间的距离，并且可参考经测量的距离的平均值来设置数据校正系数。可替代地，可测量排列在具体区(例如，包括显示装置的中心的区)处的驱动晶体管中的每个的源区和漏区之间的距离，并且可参考经测量的距离的平均值来设置数据校正系数。
[0135] 例如，可使用以下等式1来计算与驱动晶体管中的每个的源区和漏区之间的距离对应的加权值W。
[0136] 等式1
[0137]
[0138] 在等式1中，L可表示用作预设值的驱动晶体管的源区和漏区之间的基准距离。而且，Lo可表示实际测量的驱动晶体管中的每个的源区和漏区之间的距离。而且，α可为具有任意值的系数，并且可取决于累积应力值而不同地应用。
[0139] 当计算与驱动晶体管中的每个的源区和漏区之间的距离对应的加权值W时，可使用以下等式2计算当累积应力为Si时的数据校正系数CF(Si)。
[0140] 等式2
[0141] CF(Si)＝W×CFb(Si)
[0142] 在等式2中，CFb可表示当累积应力为Si时的基准数据校正系数。成为基准的数据校正系数可应用于包括在源区和漏区之间具有为L的距离的驱动晶体管的像素，并且是通过模拟等为每个累积应力设置的值。
[0143] 图8中所示的数据校正器310可通过将每个像素的累积应力信息和从存储器320获取的数据校正系数应用于第一图像数据DATA1来生成第二图像数据DATA2。
[0144] 也就是说，当计算器330确定像素的累积应力为Si时，数据校正器310可从存储器320获取数据校正系数CF(Si)。此外，数据校正器310可通过将数据校正系数CF(Si)应用于第一图像数据DATA1来输出第二图像数据DATA2。
[0145] 虽然已在本文中描述了某些示例性实施方式和实现方式，但是其它实施方式和变型将通过本描述而显而易见。相应地，本发明概念不限于这些实施方式，而是限于随附的权利要求书以及对于本领域普通技术人员显而易见的各种显而易见的变型和等同布置的较宽的范围。
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