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一种桥驱动电路的防反电路

阅读：334发布：2020-05-11

专利汇可以提供一种桥驱动电路的防反电路专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本申请公开了一种桥驱动电路的防反电路，该防反电路包括桥驱动电路和防反电路，防反电路包括第一电阻、第一电容和第一MOS管；其中，第一MOS管的源极与电压源相连，第一MOS管的漏极与桥驱电路相连，第一电阻和第一电容并联形成RC并联电路，且RC并联电路一端与电压源连接，另一端与第一MOS管的栅极连接。本发明解决了二极管防反电路发热量大的问题，并且有效保证了电路的防反接。，下面是一种桥驱动电路的防反电路专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种桥驱动电路的防反电路，其特征在于，
所述防反电路包括桥驱动电路和防反电路，所述防反电路包括第一电阻、第一电容和第一MOS管；
其中，所述第一MOS管的源极与电压源相连，所述第一MOS管的漏极与所述桥驱电路相连，所述第一电阻和所述第一电容并联形成RC并联电路，且所述RC并联电路一端与电压源连接，另一端与所述第一MOS管的栅极连接。
2.根据权利要求1所述的一种桥驱动电路的防反电路，其特征在于，
所述防反电路还包括电源驱动电路，所述电源驱动电路为所述桥驱动电路的导通提供驱动电源。
3.根据权利要求2所述的一种桥驱动电路的防反电路，其特征在于，
所述电源驱动电路包括若干个二极管和控制开关，所述二极管连接在所述RC并联电路和所述第一MOS管的栅极的连接线上。
4.根据权利要求3所述的一种桥驱动电路的防反电路，其特征在于，
所述桥驱电路包括如下的任一种：半桥驱动电路、H桥驱动电路、三相全桥驱动电路和多项全桥驱动电路。
5.根据权利要求4所述的一种桥驱动电路的防反电路，其特征在于，
所述H桥驱动电路包括第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和第五MOS管，其中，所述第二MOS管和所述第三MOS管为上桥臂，所述第四MOS管和所述第五MOS管为下桥臂；
所述电源驱动电路中的二极管包括第一二极管和第二二极管，且所述第一二极管和所述第二二极管的负极与第一MOS管的栅极连接，所述第一二极管的正极与所述第二MOS管和所述第五MOS管的栅极连接，所述第二二极管的正极与所述第三MOS管和所述第四MOS管的栅极连接。
6.根据权利要求5所述的一种桥驱动电路的防反电路，其特征在于，所述MOS管为N-MOSSET管。

说明书全文

一种桥驱动电路的防反电路

技术领域

[0001] 本申请涉及电路设计领域，具体涉及一种桥驱动电路的防反电路。

背景技术

[0002] 桥驱电路包括半桥驱动电路、H桥驱动电路、三相全桥驱动电路和多项全桥驱动电路。桥驱电路有着共同的特点，都至少需要一个上桥臂和下桥臂。在大电流桥驱电路中桥臂的开关管多使用N-MOSFET或IGBT，由于N-MOSFET和IGBT中存在体二极管，所以如果电源反接，会造成体二极管直接导通，导致过流损坏。然而，一般电路的防反方式多采用功率二极管，如果桥驱电路的电流特别大，就会导致二极管发热量过大，进而造成损坏。发明内容

[0003] 鉴于上述问题，本发明提出了一种桥驱动电路的防反电路，以便解决或者至少部分解决上述存在的技术问题。

[0004] 为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

[0005] 本发明提供一种桥驱动电路的防反电路，所述防反电路包括桥驱动电路和防反电路，所述防反电路包括第一电阻、第一电容和第一MOS管；

[0006] 其中，所述第一MOS管的源极与电压源相连，所述第一MOS管的漏极与所述桥驱电路相连，所述第一电阻和所述第一电容并联形成RC并联电路，且所述RC并联电路一端与电压源连接，另一端与所述第一MOS管的栅极连接。

[0007] 优选的，所述防反电路还包括电源驱动电路，所述电源驱动电路为所述桥驱动电路的导通提供驱动电源。

[0008] 优选的，所述电源驱动电路包括若干个二极管和控制开关，所述二极管连接在所述RC并联电路和所述第一MOS管的栅极的连接线上。

[0009] 优选的，所述桥驱电路包括如下的任一种：半桥驱动电路、H桥驱动电路、三相全桥驱动电路和多项全桥驱动电路。

[0010] 优选的，所述H桥驱动电路包括第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和第五MOS管，其中，所述第二MOS管和所述第三MOS管为上桥臂，所述第四MOS管和所述第五MOS管为下桥臂；

[0011] 所述电源驱动电路中的二极管包括第一二极管和第二二极管，且所述第一二极管和所述第二二极管的负极与第一MOS管的栅极连接，所述第一二极管的正极与所述第二MOS管和所述第五MOS管的栅极连接，所述第二二极管的正极与所述第三MOS管和所述第四MOS管的栅极连接。

[0012] 优选的，所述MOS管为N-MOSSET管。

[0013] 本发明的有益效果是：

[0014] 与现有技术相比，通过在电压源的位置设置一个MOS管，可以有效防止电源反接，同时解决了二极管防反电路发热量大的问题；通过在MOS管的栅极上设置一个电容，保证了MOS管导通状态更稳定。

[0015] 上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。附图说明

[0016] 通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。在附图中：

[0017] 图1示出了本发明一个实施例提供的H桥驱动电路的防反电路的原理框图；

[0018] 图2示出了本发明一个实施例提供的半桥驱动电路的原理框图；

[0019] 图3示出了本发明一个实施例提供的H桥驱动电路的原理框图；

[0020] 图4示出了本发明一个实施例提供的三项全桥电路的原理框图。

具体实施方式

[0021] 下面将参照附图更详细地描述本申请的示例性实施例。虽然附图中显示了本申请的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请的范围完整的传达给本领域的技术人员。

[0022] 本发明公开一种桥驱动电路的防反电路。

[0023] 请参阅图1，本发明实施例中的防反电路包括桥驱动电路和防反电路，防反电路包括第一电阻R1、第一电容C1和第一MOS管Q1；

[0024] 其中，第一MOS管Q1的源极与电压源相连，第一MOS管Q1的漏极与桥驱电路相连，第一电阻R1和第一电容C1并联形成RC并联电路，且RC并联电路一端与电压源连接，另一端与第一MOS管Q1的栅极连接。

[0025] 当电源正接时，驱动电压通过RC并联电路传递给第一MOS管Q1的栅极，使第一MOS管Q1导通，进而实现电源为桥驱电路供电，在第一MOS管Q1栅极上连接的第一电容C1可以存储栅极电荷，使第一MOS管Q1的导通状态更稳定，同时也能使第一MOS管Q1在断电后不会立即关闭，而会保持一段时间的导通状态，保持的时间由第一电阻R1和第一电容C1的参数确定。当电源反接时，第一MOS管Q1的栅极没有电压，第一MOS管Q1无法被驱动导通，电源也就无法为桥驱电路供电，进而实现了电路的防反接功能。

[0026] 其中RC电路也可以由其他电路替代，比如还可以包括RC串联、RC串并联电路等，当然，上述Q1的驱动也可以通过其他的电源如桥驱动电路中的驱动电源来实现。

[0027] 在一个优选实施例中，防反电路还包括电源驱动电路，电源驱动电路为桥驱动电路的导通提供驱动电源。电源驱动电路为桥驱电路中MOS管的导通提供驱动电压。

[0028] 进一步的，电源驱动电路包括若干个二极管和控制开关，二极管连接在RC并联电路和第一MOS管的栅极的连接线上。

[0029] 在一个实施例中，桥驱电路包括如下的任一种：半桥驱动电路、H桥驱动电路、三相全桥驱动电路和多项全桥驱动电路。桥驱电路的原理框图请参照图2、图3和图4。

[0030] 在一个实施例中，如图1所示，H桥驱动电路包括第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4和第五MOS管Q5，其中，第二MOS管Q2和第三MOS管Q3为上桥臂，第四MOS管Q4和第五MOS管Q5为下桥臂，具体参见图1；

[0031] 进一步的，电源驱动电路中的二极管包括第一二极管D1和第二二极管D2，且第一二极管D1和第二二极管D2的负极与第一MOS管Q1的栅极连接，第一二极管D1的正极与第二MOS管Q2和第五MOS管Q5的栅极连接，第二二极管D2的正极与第三MOS管Q3和第四MOS管Q4的栅极连接。

[0032] 当电源正接时，第一MOS管Q1导通，电压源通过电源驱动电路给H桥驱动电路中的第二MOS管Q2和第五MOS管Q5提供驱动电压，也可给H桥驱动电路中的第三MOS管Q3和第四MOS管Q4提供驱动电压，使H桥驱动电路导通，通过控制开关来控制实现第二MOS管Q2和第五MOS管Q5导通或第二MOS管Q3和第五MOS管Q4导通，进而改变H桥电路中的电流方向。

[0033] 当然，电源驱动电路的结构和该结构与桥驱动电路的连接关系也可以根据实际情况进行调整，比如上述电源驱动电路可以仅与部分桥驱动电路中的桥臂连接，而其他桥臂可以采用原有的电源来驱动。

[0034] 在一个优选实施例中，MOS管为N-MOSSET管。

[0035] 综上，本发明公开一种桥驱动电路的防反电路，包括桥驱动电路和防反电路，防反电路包括第一电阻、第一电容和第一MOS管；其中，第一MOS管的源极与电压源相连，第一MOS管的漏极与桥驱电路相连，第一电阻和第一电容并联形成RC并联电路，且RC并联电路一端与电压源连接，另一端与第一MOS管的栅极连接。本发明解决了二极管防反电路发热量大的问题，并且有效保证了电路的防反接。

[0036] 以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化、替换或改进，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

[0037] 在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本申请的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。

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