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高频模块及其制造方法

阅读：762发布：2020-05-11

专利汇可以提供高频模块及其制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明涉及高频模块及其制造方法，通过在密封树脂层的表面设置阶梯减少高频模块的多余的部分，并且将屏蔽壁配设为与该阶梯交叉，提高安装部件的配置自由度。高频模块(1a)具备：布线基板 (2)；多个部件(3a、3b)，安装于布线基板(2)的上表面(2a)；密封树脂层(4)，层叠在布线基板(2)的上表面(2a)，覆盖多个部件(3a、3b)；沟(7)，形成在密封树脂层(4)的上表面(4a)，通过多个部件(3a、3b)中规定的部件(3a、3b)间；以及屏蔽壁(5)，由沟(7)内的导电性膏体形成，在密封树脂层(4)的上表面(4a)设置形成高处和低处的阶梯，沟(7)配设为在布线基板(2)的俯视时与阶梯交叉。，下面是高频模块及其制造方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种高频模块，具备：
布线基板；
多个部件，安装于上述布线基板的主面；
密封树脂层，层叠在上述布线基板的上述主面，覆盖上述多个部件；
沟，形成在上述密封树脂层，通过上述多个部件中规定的部件与其它的部件之间；以及屏蔽壁，配置在上述沟内，由导体形成，
上述高频模块的特征在于，
在上述密封树脂层中位于上述布线基板的上述主面侧的面的相反面设置有阶梯，上述沟配设为在俯视上述布线基板时与上述阶梯交叉。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
上述屏蔽壁由在上述密封树脂层中形成在上述阶梯的高处侧的沟中在到未到达上述阶梯的前方为止的部分填充上述导体直至上述高处的高度而成的第一部分、和在形成在上述阶梯的高处侧的沟的剩余部分填充上述导体直至上述阶梯的低处的高度而成的第二部分构成，
通过上述屏蔽壁的上述第一部分与上述第二部分的阶梯，在上述沟形成未填充上述导体的未填充区域。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，
还具备覆盖至少上述密封树脂层的上述相反面以及上述沟的上述未填充区域的壁面的屏蔽膜。
4.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，
上述沟的上述未填充区域的宽度形成为比上述未填充区域以外的宽度要宽。
5.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
上述沟的上述未填充区域的宽度形成为比上述未填充区域以外的宽度要宽。
6.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
通过在上述沟整体填充上述导体而构成上述屏蔽壁。
7.根据权利要求1～6中任意一项所述的高频模块，其特征在于，
上述阶梯从高处朝向低处倾斜。
8.根据权利要求1～6中任意一项所述的高频模块，其特征在于，
上述阶梯具有将阶梯状的角部倒角那样的形状。
9.根据权利要求1～6中任意一项所述的高频模块，其特征在于，
在上述俯视时，上述沟与上述阶梯倾斜地交叉。
10.根据权利要求1～6中任意一项所述的高频模块，其特征在于，
上述密封树脂层的上述阶梯在上述俯视时呈曲面状。
11.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
具备覆盖至少上述密封树脂层的上述相反面的屏蔽膜，
上述屏蔽壁分离为配设在上述阶梯的高处侧的部分和配设在低处侧的部分而设置，上述屏蔽膜还覆盖上述屏蔽壁的配设在上述高处侧的部分和配设在上述低处侧的部分之间的上述沟的壁面。
12.一种高频模块的制造方法，其特征在于，具备：
准备部件密封体的准备工序，上述部件密封体具备布线基板、安装于上述布线基板的主面的多个部件、以及层叠在上述布线基板的上述主面并覆盖上述多个部件的密封树脂层，并且在上述密封树脂层中在与上述布线基板的上述主面相接的面的相反面设置有阶梯；
形成沟和配设于该沟的屏蔽壁的屏蔽壁形成工序，上述沟配设为形成在上述密封树脂层且在上述多个部件中规定的部件与其它的部件之间通过并且在俯视上述布线基板时上述沟与上述阶梯交叉；以及
屏蔽膜形成工序，通过成膜技术，形成覆盖至少上述密封树脂层的上述相反面的屏蔽膜，
上述屏蔽壁形成工序具备：
第一工序，通过激光加工形成在上述密封树脂层的上述相反面形成在上述阶梯的高处侧的沟中直至上述阶梯的附近为止的中途部分；
第二工序，在上述第一工序形成的上述沟的中途部分填充导电性膏体，形成上述屏蔽壁的第一部分；
第三工序，通过激光加工形成上述沟的剩余部分；以及
第四工序，在上述沟的剩余部分注入导电性膏体至上述密封树脂层的上述阶梯的低处侧的高度，形成上述屏蔽壁的第二部分并且在上述沟形成未填充导电性膏体的未填充区域，
在上述屏蔽膜形成工序，覆盖上述密封树脂层的上述相反面以及上述沟的上述未填充区域的壁面。
13.一种高频模块的制造方法，其特征在于，具备：
准备部件密封体的准备工序，上述部件密封体具备布线基板、安装于上述布线基板的主面的多个部件、以及密封层叠在上述布线基板的上述主面的上述多个部件的密封树脂层，并且在上述密封树脂层中在与上述布线基板的上述主面相接的面的相反面设置有阶梯；
形成沟和配设于该沟的屏蔽壁的屏蔽壁形成工序，上述沟配设为形成在上述密封树脂层且在上述多个部件中规定的部件与其它的部件之间通过并且在俯视上述布线基板时上述沟与上述阶梯交叉；以及
屏蔽膜形成工序，通过成膜技术，形成覆盖至少上述密封树脂层的上述相反面的屏蔽膜，
上述屏蔽壁形成工序具备：
第五工序，通过激光加工形成直至上述沟中上述阶梯的高处侧的上述阶梯的附近为止的部分、和直至上述阶梯的低处侧的上述阶梯的附近为止的部分；
第六工序，分别在上述沟的上述高处侧的直至上述阶梯的附近为止的部分、以及直至上述低处侧的上述阶梯的附近为止的部分填充导电性膏体，形成分离为配设在上述密封树脂层的上述高处侧的部分、和配设在上述低处侧的部分的上述屏蔽壁；以及第七工序，利用激光加工形成在上述第五工序形成的部分以外的上述沟的剩余部分，在上述屏蔽膜形成工序，覆盖上述密封树脂层的上述相反面以及上述沟的上述剩余部分的壁面。

说明书全文

高频模块及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及具备覆盖安装于布线基板的多个部件的密封树脂层、和用于防止部件间的噪声的相互干扰的屏蔽壁的高频模块及其制造方法。

背景技术

[0002] 有在安装于移动终端装置等的高频模块设置有用于遮蔽电磁波的屏蔽层的情况。在这种高频模块中，有通过密封树脂覆盖安装在布线基板上的部件，并且设置屏蔽层以覆盖该密封树脂的表面的高频模块。

[0003] 屏蔽层为了遮蔽来自外部的噪声而设置，但在布线基板安装多个部件的情况下，有从这些部件产生的噪声干扰其它的部件这样的问题。因此，以往，提出了不仅仅是在外部在其它也设置相互遮蔽安装部件间的噪声的屏蔽层的高频模块。

[0004] 例如，如图10所示，专利文献1所记载的高频模块100在布线基板101上安装多个部件102，并以密封树脂层103覆盖这些部件102。在密封树脂层103的上表面形成有通过规定的部件间的沟槽104(沟)。屏蔽层105由覆盖密封树脂层103的表面并且填充到沟槽104的导电性树脂形成。另外，屏蔽层105在沟槽104的底部，与布线基板101上的表面导体106连接。表层导体106与高频模块100的接地端子电连接。

[0005] 根据该结构，通过覆盖密封树脂层103的表面的导电性树脂，能够针对部件102遮蔽来自外部的噪声。另外，通过填充在沟槽104的导电性树脂也能够防止规定的部件间的噪声的相互干扰。

[0006] 专利文献1:专利第5622906号公报(参照段落0030～0040、图4等)[0007] 然而，在以往的高频模块100中，密封树脂层103的表面平坦，所以例如在安装于布线基板101的部件102的厚度有差异的情况下，在厚度较薄的一方的部件102上形成密封树脂层103的多余的部分。近年，期望减少这样的多余的部分，实现高频模块100的小型化。另外，为了高频模块100的小型化，也要求部件102的配置自由度的提高。

发明内容

[0008] 本发明是鉴于上述的技术问题而提出的，目的在于通过在密封树脂层的表面设置阶梯减少高频模块的多余的部分，并且将屏蔽壁配设为与该阶梯交叉，来提高安装部件的配置自由度。

[0009] 为了实现上述的目的，本发明的高频模块的特征在于，具备：布线基板；多个部件，安装于上述布线基板的主面；密封树脂层，层叠在上述布线基板的上述主面，覆盖上述多个部件；沟，形成在上述密封树脂层，通过上述多个部件中规定的部件与其它的部件之间；以及屏蔽壁，配置在上述沟内，由导体形成，在上述密封树脂层中位于上述布线基板的上述主面侧的面的相反面设置有阶梯，上述沟配设为在俯视上述布线基板时与上述阶梯交叉。

[0010] 根据该结构，由于在密封树脂层的上述相反面设置阶梯，所以例如能够在密封树脂层的阶梯的高处侧配置多个部件中较厚的一方的部件，并在密封树脂层的低处侧配置较薄的一方的部件等，从而减少密封树脂层的多余的部分。另外，由于屏蔽壁配设为与密封树脂层的阶梯交叉，所以能够提高安装于布线基板的主面的部件的配置自由度。

[0011] 另外，也可以上述屏蔽壁由在上述密封树脂层中形成在上述阶梯的高处侧的沟中在到未到达上述阶梯的前方为止的部分填充上述导体直至上述高处的高度而成的第一部分、和在形成在上述阶梯的高处侧的沟的剩余部分填充上述导体直至上述阶梯的低处的高度而成的第二部分构成，通过上述屏蔽壁的上述第一部分与上述第二部分的阶梯，在上述沟形成未填充上述导体的未填充区域。

[0012] 考虑在沟填充导电性膏体形成屏蔽壁的情况下，若在高处侧的沟填充导电性膏体，则该导电性膏体向阶梯的低处侧泄漏。然而，根据该结构，以密封树脂层的高处侧的高度形成的屏蔽壁的第一部分是到阶梯的前方为止的部分，所以能够减少这样的导电性膏体的泄漏。

[0013] 另外，也可以还具备覆盖至少上述密封树脂层的上述相反面以及上述沟的上述未填充区域的壁面的屏蔽膜。该情况下，以屏蔽膜覆盖沟的未填充区域的壁面，所以能够提高部件间的屏蔽特性。

[0014] 另外，也可以上述沟的上述未填充区域的宽度形成为比上述未填充区域以外的宽度要宽。根据该结构，例如在利用成膜技术形成屏蔽膜的情况下，屏蔽膜容易环绕沟的未填充区域的壁面，能够可靠地进行该壁面的覆盖。

[0015] 另外，也可以通过在上述沟整体填充上述导体而构成上述屏蔽壁。该情况下，不需要以屏蔽膜覆盖沟的壁面，所以能够容易地形成屏蔽膜。

[0016] 另外，也可以上述阶梯从高处朝向低处倾斜。该情况下，例如在使用金属模具使阶梯成形的情况下，密封树脂层容易从金属模具拔出。

[0017] 另外，也可以上述阶梯具有将阶梯状的角部倒角那样的形状。该情况下，能够实现密封树脂层的阶梯形状的多样化。

[0018] 另外，也可以在上述俯视时，上述沟与上述阶梯倾斜地交叉。根据该结构，能够提高高频模块的部件的配置自由度等设计自由度。

[0019] 另外，也可以上述密封树脂层的上述阶梯在上述俯视时呈曲面状。该情况下，能够提高高频模块的设计自由度。

[0020] 另外，也可以具备覆盖至少上述密封树脂层的上述相反面的屏蔽膜，上述屏蔽壁分离为配设在上述阶梯的高处侧的部分和配设在低处侧的部分而设置，上述屏蔽膜还覆盖上述屏蔽壁的配设在上述高处侧的部分和配设在上述低处侧的部分之间的上述沟的壁面。该情况下，通过将屏蔽壁分离为配设在高处侧的部分、和配设在低处侧的部分进行设置，能够容易地形成与密封树脂层的阶梯交叉的屏蔽壁。另外，由于屏蔽壁的两部分之间的沟的壁面被屏蔽膜覆盖，所以能够确保高频模块中的部件间的屏蔽特性。

[0021] 另外，本发明的高频模块的制造方法的特征在于，具备：准备部件密封体的准备工序，上述部件密封体具备布线基板、安装于上述布线基板的主面的多个部件、以及层叠在上述布线基板的上述主面并覆盖上述多个部件的密封树脂层，并且在上述密封树脂层中在与上述布线基板的上述主面相接的面的相反面设置有阶梯；形成沟和配设于该沟的屏蔽壁的屏蔽壁形成工序，上述沟配设为形成在上述密封树脂层且在上述多个部件中规定的部件与其它的部件之间通过并且在俯视上述布线基板时上述沟与上述阶梯交叉；以及屏蔽膜形成工序，通过成膜技术，形成覆盖至少上述密封树脂层的上述相反面的屏蔽膜，上述屏蔽壁形成工序具备：第一工序，通过激光加工形成在上述密封树脂层的上述相反面形成在上述阶梯的高处侧的沟中直至上述阶梯的附近为止的中途部分；第二工序，在上述第一工序形成的上述沟的中途部分填充导电性膏体，形成上述屏蔽壁的第一部分；第三工序，通过激光加工形成上述沟的剩余部分；以及第四工序，在上述沟的剩余部分注入导电性膏体至上述密封树脂层的上述阶梯的低处侧的高度，形成上述屏蔽壁的第二部分并且在上述沟形成未填充导电性膏体的未填充区域，在上述屏蔽膜形成工序，覆盖上述密封树脂层的上述相反面以及上述沟的上述未填充区域的壁面。

[0022] 例如，考虑在一次形成与密封树脂层的阶梯交叉的沟的整体的情况下，若在阶梯的高处侧的沟填充导电性膏体，则该导电性膏体向低处侧泄漏。因此，根据该结构，在形成屏蔽壁时，在第一工序形成到高处侧的沟的中途部分为止，之后在第二工序在该中途部分填充导电性膏体形成屏蔽壁的第一部分，所以能够防止在高处侧的沟填充的导电性膏体向密封树脂层的低处侧泄漏。另外，在通过第三工序以及第四工序，形成了屏蔽壁的剩余的第二部分时，虽然在沟形成导电性膏体的未填充区域，但该沟的未填充区域的壁面被屏蔽膜覆盖。因此，能够制造在形成与密封树脂层的阶梯交叉的屏蔽壁的情况下，能够防止在阶梯的高处侧填充的导电性膏体向低处侧泄漏这样的不良情况，并确保部件间的屏蔽特性的高频模块。

[0023] 另外，本发明的高频模块的其它的制造方法的特征在于，具备：准备部件密封体的准备工序，上述部件密封体具备布线基板、安装于上述布线基板的主面的多个部件、以及密封层叠在上述布线基板的上述主面的上述多个部件的密封树脂层，并且在上述密封树脂层中在与上述布线基板的上述主面相接的面的相反面设置有阶梯；形成沟和配设于该沟的屏蔽壁的屏蔽壁形成工序，上述沟配设为形成在上述密封树脂层且在上述多个部件中规定的部件与其它的部件之间通过并且在俯视上述布线基板时上述沟与上述阶梯交叉；以及屏蔽膜形成工序，通过成膜技术，形成覆盖至少上述密封树脂层的上述相反面的屏蔽膜，上述屏蔽壁形成工序具备：第五工序，通过激光加工形成直至上述沟中上述阶梯的高处侧的上述阶梯的附近为止的部分、和直至上述阶梯的低处侧的上述阶梯的附近为止的部分；第六工序，分别在上述沟的上述高处侧的直至上述阶梯的附近为止的部分、以及直至上述低处侧的上述阶梯的附近为止的部分填充导电性膏体，形成分离为配设在上述密封树脂层的上述高处侧的部分、和配设在上述低处侧的部分的上述屏蔽壁；以及第七工序，利用激光加工形成在上述第五工序形成的部分以外的上述沟的剩余部分，在上述屏蔽膜形成工序，覆盖上述密封树脂层的上述相反面以及上述沟的上述剩余部分的壁面。

[0024] 该情况下，分为配设在密封树脂层的高处侧的部分和配设在低处侧的部分形成屏蔽壁，所以能够防止在一次形成与密封树脂层的阶梯交叉的沟的整体的情况下产生的、在沟填充的导电性膏体向低处侧泄漏这样的不良情况。另外，由于能够一次形成屏蔽壁的配设在高处侧的部分和配设在低处侧的部分，所以能够削减导电性膏体的填充工时。另外，两部分之间的沟的壁面被屏蔽膜覆盖。因此，能够制造在形成与密封树脂层的阶梯交叉的屏蔽壁的情况下，能够防止在阶梯的高处侧填充的导电性膏体向低处侧泄漏这样的不良情况，并确保部件间的屏蔽特性的高频模块。

[0025] 根据本发明，由于在密封树脂层的上述相反面设置阶梯，所以例如能够在密封树脂层的阶梯的高处侧配置多个部件中较厚的一方的部件，并在密封树脂层的低处侧配置较薄的一方的部件等，从而减少密封树脂层的多余的部分。另外，由于屏蔽壁配设为与密封树脂层的阶梯交叉，所以能够提高安装于布线基板的主面的部件的配置自由度。附图说明

[0026] 图1是本发明的第一实施方式所涉及的高频模块的立体图。

[0027] 图2是图1的高频模块的俯视图。

[0028] 图3是用于说明图1的高频模块的制造方法的图。

[0029] 图4是表示沟形状的变形例的图。

[0030] 图5是表示密封树脂层的阶梯形状的变形例的图。

[0031] 图6是表示密封树脂层的阶梯形状的其它的变形例的图。

[0032] 图7是表示本发明的第二实施方式所涉及的高频模块的图。

[0033] 图8是表示本发明的第三实施方式所涉及的高频模块的图。

[0034] 图9是本发明的第四实施方式所涉及的高频模块的立体图。

[0035] 图10是以往的高频模块的剖视图。

具体实施方式

[0036] ＜第一实施方式＞

[0037] 参照图1以及图2对本发明的第一实施方式所涉及的高频模块进行说明。此外，图1是高频模块的立体图，图2是高频模块的俯视图。此外，在图2中图示省略屏蔽膜。

[0038] 如图1以及图2所示，该实施方式所涉及的高频模块1a具备布线基板2、安装在该布线基板2的上表面2a的多个部件3a、3b、与布线基板2的上表面2a层叠的密封树脂层4、覆盖密封树脂层4的表面的屏蔽膜6、以及设在密封树脂层4内的屏蔽壁5，例如安装在使用高频信号的电子设备的母基板等。

[0039] 布线基板2例如由低温共烧陶瓷、玻璃环氧树脂等形成。在布线基板2的上表面2a(相当于本发明的“布线基板的主面”)形成有各部件3a、3b的安装用的安装电极(图示省略)、与屏蔽壁5连接的表层导体(图示省略)，并且在下表面2c形成有外部连接用的外部电极(图示省略)。另外，在布线基板2的内部形成有各种布线电极(图示省略)、贯通孔导体(图示省略)。另外，表层导体与形成在布线基板2的内部的接地电极(布线电极)电连接。此外，布线基板2可以是单层结构以及多层结构的任意一种。

[0040] 安装电极、表层导体、外部电极以及布线电极均由Cu、Ag、Al等一般作为布线电极采用的金属形成。另外，各贯通孔导体由Ag、Cu等金属形成。此外，也可以在与屏蔽壁5连接的表层导体层叠例如焊料膜等保护表层导体的金属部件。

[0041] 各部件3a、3b由以Si、GaAs等半导体形成的半导体元件、片式电感器、片式电容器、片式电阻等芯片部件构成。

[0042] 密封树脂层4层叠于布线基板2以覆盖布线基板2的上表面2a和各部件3a、3b。密封树脂层4能够由环氧树脂等一般作为密封树脂采用的树脂形成。另外，在该实施方式中，在密封树脂层4的与布线基板2相接的面的相反面亦即上表面4a形成有形成高处和低处的阶梯。该阶梯由大致平行地配置的高处面4a1以及低处面4a2、和在与这些面4a1、4a2垂直的方向将两面连接的阶梯面4a3形成。

[0043] 屏蔽壁5由形成在密封树脂层4的上表面4a的沟7内的导体形成。具体而言，如图1以及2所示，在密封树脂层4的上表面4a形成有与密封树脂层4的阶梯交叉，并且通过规定的部件3a、3b间的沟7，通过在该沟7配设导体形成屏蔽壁5。另外，该实施方式的沟7设置为遍及其全长在厚度方向贯通密封树脂层4，且构成为布线基板2的上表面2a的表层导体与沟7内的屏蔽壁5能够连接。另外，屏蔽壁5的上端部与后述的屏蔽膜6的顶面电连接。

[0044] 另外，屏蔽壁5由在形成于密封树脂层4的阶梯的高处侧(高处面4a1)的沟中的、到未到达阶梯的前方为止的部分，填充导体(导电性膏体)到高处面4a1的高度而成的高处部分5a(相当于本发明的“屏蔽壁的第一部分”)、和在沟7的剩余部分，填充导体到密封树脂层4的低处面4a2的高度而成的低处部分5b(相当于本发明的“屏蔽壁的第二部分”)构成。这里，由于通过屏蔽壁5的高处部分5a与低处部分5b的阶梯，在密封树脂层4的高处侧的沟7形成未填充导体的未填充区域7a。此外，屏蔽壁5例如能够由含有Cu、Ag、Al的任意一种金属填充物的导电性膏体形成。

[0045] 屏蔽膜6用于针对布线基板2内的各种布线电极、各部件3a、3b遮蔽来自外部的噪声，层叠于密封树脂层4以覆盖密封树脂层4的上表面4a以及周侧面4b、及布线基板2的侧面2b。此外，屏蔽膜6与在布线基板2的侧面2b露出的接地电极(图示省略)连接。

[0046] 另外，屏蔽膜6能够由具有层叠在密封树脂层4的表面的紧贴膜、层叠于紧贴膜的导电膜、亦即层叠于导电膜的保护膜的多层结构形成。

[0047] 紧贴膜为了提高导电膜与密封树脂层4的紧贴强度而设置，例如能够由SUS等金属形成。导电膜是负责屏蔽膜6的实际的屏蔽功能的层，例如能够由Cu、Ag、Al中的任意一种金属形成。保护膜为了防止导电膜腐蚀，或者损伤而设置，例如能够由SUS形成。

[0048] (高频模块的制造方法)

[0049] 接下来，参照图3对高频模块1a的制造方法进行说明。此外，图3(a)～图3(e)均为图2的A-A箭头方向的剖视图，示出高频模块1a的制造方法的各工序。

[0050] 首先，利用公知的方法准备形成了用于安装部件3a、3b的安装电极、与屏蔽壁5连接的表层导体、各种布线电极以及贯通孔导体的布线基板2。

[0051] 接下来，使用焊料安装等公知的表面安装技术在布线基板2的上表面2a安装各部件3a、3b。

[0052] 接下来，在布线基板2的上表面2a层叠密封树脂层4以覆盖各部件3a、3b，从而形成部件密封体(准备工序)。此时，在密封树脂层4的上表面4a形成阶梯。这样的密封树脂层4例如能够由传递模方式、压铸模方式等形成。

[0053] 接下来，在密封树脂层4形成配置在规定的部件3a、3b间的屏蔽壁5(屏蔽壁形成工序)。此时，分为高处部分5a和低处部分5b形成屏蔽壁5。具体而言，如图3(a)所示，通过激光加工形成在密封树脂层4的上表面4a的阶梯的高处侧(高处面4a1)形成的沟7中的到阶梯的附近为止的中途部分7b(第一工序)。

[0054] 接下来，如图3(b)所示，在沟7的中途部分7b填充导电性膏体，之后使该膏体固化形成屏蔽壁5的高处部分5a(第二工序)。此时，屏蔽壁5的高处部分5a成为与密封树脂层4的高处面4a1大致相同的高度。此外，沟7的中途部分7b停止到阶梯的前方，所以能够防止在高处部分5a填充的导电性膏体流出到密封树脂层4的低处侧(低处面4a2)。

[0055] 接下来，如图3(c)所示，通过激光加工形成沟7的剩余部分7c(第三工序)。此时，为了可靠地连接沟7的中途部分7b和剩余部分7c，也可以稍微切削屏蔽壁5的高处部分5a。

[0056] 接下来，如图3(d)所示，在沟7的剩余部分7c注入导电性膏体至密封树脂层4的低处侧(低处面4a2)的高度，形成屏蔽壁5的低处部分5b，并且在沟7的形成在密封树脂层4的高处侧的部分形成未填充导电性膏体的未填充区域7a(第四工序)。利用该第四工序，连接高处部分5a与低处部分5b，从而屏蔽壁5的整体完成。此外，沟7的未填充区域7a通过在布线基板2的俯视时，使屏蔽壁5的阶梯(高处部分5a与低处部分5b的连接部)的位置相对于密封树脂层4的阶梯的位置向密封树脂层4的高处侧偏移而形成。

[0057] 接下来，如图3(e)所示，例如使用溅射法、蒸镀法等成膜技术形成覆盖密封树脂层4的上表面4a、周侧面4b以及布线基板2的侧面2b的屏蔽膜6，从而高频模块1a完成(屏蔽膜形成工序)。此时，也一起覆盖沟7的未填充区域7a的壁面7a1。

[0058] 因此，根据上述的实施方式，在密封树脂层4的上表面4a设置阶梯，所以例如能够将多个部件3a、3b中的厚度较厚的一方的部件3a、3b配置在密封树脂层4的阶梯的高处侧，并将较薄的一方的部件3a、3b配置在密封树脂层4的低处侧等，从而减少密封树脂层4的多余的部分。另外，由于屏蔽壁5配设为与密封树脂层4的阶梯交叉，所以能够提高安装在布线基板2的上表面2a1部件3a、3b的配置自由度。

[0059] 另外，根据该实施方式的高频模块1a的制造方法，通过分为中途部分7b和剩余部分7c形成沟7，能够防止在密封树脂层4的高处侧的沟7填充的导电性膏体向密封树脂层4的低处侧流出。另外，通过分为高处部分5a和低处部分5b形成屏蔽壁5，虽然在沟7形成未填充导电性膏体的未填充部分7a，但由于该未填充区域7a的壁面7a1被屏蔽膜6覆盖，所以能够确保高频模块1a的部件3a、3b间的屏蔽特性。因此，能够容易地制造能够在密封树脂层4的上表面4a设置阶梯实现小型化，并且能够将用于形成屏蔽壁5的沟7配设为与密封树脂层4的阶梯交叉实现部件3a、3b的配置自由度等设计自由度的提高的高频模块1a。

[0060] (沟形状的变形例)

[0061] 接下来，参照图4对用于形成屏蔽壁5的沟7的变形例进行说明。此外，图4(a)以及图4(b)分别是表示沟形状的变形例的模块1a的立体图。另外，图4(a)以及图4(b)均图示省略屏蔽膜6。

[0062] 沟7也可以形成为导电性膏体的未填充区域7a的宽度W2、W3比未填充区域7a以外的宽度W1宽。若像这样构成，则能够容易地进行通过屏蔽膜6对未填充区域7a的壁面7a1的覆盖。此外，图4(a)示出从密封树脂层4的低处侧朝向高处侧拓宽未填充区域7a的沟的宽度W2的情况下的图，图4(b)示出从密封树脂层4的高处侧朝向低处侧拓宽未填充区域7a的沟的宽度W3的情况下的图。

[0063] (阶梯形状的变形例)

[0064] 接下来，参照图5以及图6对密封树脂层4的上表面4a的阶梯形状的变形例进行说明。此外，图5(a)～图5(f)均示出与布线基板2的上表面2a垂直，并且，与密封树脂层4的阶梯交叉的方向的剖视图。另外，图6示出本例所涉及的高频模块1a的俯视图。另外，在图5(a)～图5(f)中，图示省略密封树脂层4和布线基板2以外的构成，在图6中图示省略屏蔽膜6。

[0065] 能够适当地变更密封树脂层4的阶梯形状。例如，如图5(a)所示，密封树脂层4的阶梯也可以从高处(高处面4a1)朝向低处(低处面4a2)倾斜。这样一来，例如，在利用金属模具使密封树脂层4的阶梯成形的情况下容易从金属模具拔出密封树脂层4。

[0066] 另外，如图5(b)所示，密封树脂层4的阶梯也可以具有使阶梯状的角部倒角那样的形状。该情况下，阶梯面4a3由从低处面4a2垂直向上的方向的第一面4a4、和连接第一面4a4的上端与高处面4a1的倾斜面(第二面4a5)构成。根据该结构，能够使密封树脂层4从金属模具的拔出变得容易，并且扩大密封树脂层4的低处面4a2的面积。

[0067] 另外，如图5(c)所示，密封树脂层4的阶梯也可以形成多个。另外，如图5(d)所示，也可以是具有凸部40a那样的阶梯形状。另外，如图5(e)所示，阶梯面4a3也可以形成为流畅地连接高处面4a1和低处面4a2的曲面状。另外，如图5(f)所示，也可以是具有凹部40b那样的阶梯形状。另外，如图6所示，密封树脂层4的阶梯也可以在布线基板2的俯视时呈曲面状。此外，该情况下，也可以是密封树脂层4的阶梯的一部分俯视时呈曲面状的结构。

[0068] ＜第二实施方式＞

[0069] 接下来，参照图7对本发明的第二实施方式所涉及的高频模块1b进行说明。此外，图7是表示高频模块1b的图，相当于图2的A-A箭头方向的剖视图。

[0070] 如图7所示，该实施方式所涉及的高频模块1b与参照图1以及图2说明的第一实施方式的高频模块1a不同之处在于密封树脂层4的阶梯形状、和屏蔽壁50的构成不同。其它的构成与第一实施方式的高频模块1a相同，所以通过附加相同的附图标记省略说明。

[0071] 该情况下，密封树脂层4的阶梯由高处面4a1、低处面4a2、以及连接高处面4a1和低处面4a2的倾斜面(阶梯面4a3)形成。另外，屏蔽壁50分离为配设在密封树脂层4的高处侧的部分50a(以下，称为高处部分50a)、和配设在低处侧的部分50b(以下，称为低处部分50b)进行设置，并在两部分50a、50b之间形成导电性膏体的未填充区域7a。此时，以密封树脂层4的高处面4a1的高度形成屏蔽壁50的高处部分50a，并以密封树脂层4的低处面4a2的高度形成低处部分50b。另外，屏蔽膜6覆盖密封树脂层4的上表面4a、周侧面4b以及布线基板2的侧面2b，并且一起覆盖沟7的未填充区域7a的壁面7a1。

[0072] (高频模块1b的制造方法)

[0073] 接下来，对高频模块1b的制造方法进行说明。此外，到准备工序为止，与第一实施方式的高频模块1a的制造方法相同，所以对该准备工序以后的工序进行说明。

[0074] 在形成了部件密封体之后，形成屏蔽壁50(屏蔽壁形成工序)。该情况下，首先，通过激光加工形成沟7中的、密封树脂层4的阶梯的高处侧的到阶梯的附近为止的部分、和阶梯的低处侧的到阶梯的附近为止的部分(第五工序)。

[0075] 接下来，分别在沟7的两部分填充导电性膏体，之后使导电性膏体固化，形成分离为高处部分50a和低处部分50b的屏蔽壁50(第六工序)。接下来，利用激光加工形成在第五工序形成的部分以外的沟7的剩余部分(第七工序)。此时，为了可靠地连接沟7，稍微切削屏蔽壁50的高处部分50a和低处部分50b双方即可。

[0076] 接下来，使用成膜技术形成屏蔽膜6从而高频模块1b完成(屏蔽膜形成工序)。此时，屏蔽膜6与密封树脂层4的上表面4a以及周侧面4b、布线基板2的侧面2b一起，覆盖沟7的剩余部分(沟7的高处部分50a与低处部分50b之间的部分)的壁面7a1。

[0077] 根据该实施方式，能够得到与第一实施方式的高频模块1a相同的效果。另外，在屏蔽壁50的形成时，能够一次进行高处部分50a的导电性膏体的填充和低处部分50b的导电性膏体的填充，所以能够实现工时的削减。

[0078] ＜第三实施方式＞

[0079] 接下来，参照图8对本发明的第三实施方式所涉及的高频模块1c进行说明。此外，图8(a)是表示布线基板2的阶梯形状的剖视图，图8(b)是高频模块1c的俯视图。此外，在图8(a)中仅图示布线基板2和密封树脂层4，在图8(b)中仅图示密封树脂层4、屏蔽壁5以及沟70。

[0080] 如图8所示，该实施方式的高频模块1c与参照图1以及图2所说明的第一实施方式的高频模块1a不同之处在于密封树脂层4的上表面4a的阶梯由高处面4a1以及低处面4a2、及从高处(高处面4a1)朝向低处(低处面4a2)倾斜的阶梯面4a3形成、和屏蔽壁5的沟70的构成不同。其它的构成与第一实施方式的高频模块1a相同，所以通过附加相同的附图标记省略说明。

[0081] 该情况下，在布线基板2的俯视时，用于形成屏蔽壁5的沟70配设为与密封树脂层4的阶梯倾斜地交叉。根据该结构，能够提高高频模块1c的部件3a、3b的配置自由度等设计自由度。

[0082] ＜第四实施方式＞

[0083] 接下来，参照图9对本发明的第四实施方式所涉及的高频模块1d进行说明。此外，图9是除去屏蔽膜6后的状态的高频模块1d的立体图。

[0084] 如图9所示，该实施方式的高频模块1d与参照图1以及图2所说明的第一实施方式的高频模块1a不同之处在于密封树脂层4的上表面4a的阶梯由高处面4a1以及低处面4a2、及从高处(高处面4a1)朝向低处(低处面4a2)倾斜的阶梯面4a3形成、和屏蔽壁51的构成不同。其它的构成与第一实施方式的高频模块1a相同，所以通过附加相同的附图标记省略说明。

[0085] 该情况下，屏蔽壁51通过在沟7整体填充导电性膏体形成。换句话说，在沟7未形成第一实施方式的未填充区域7a，而将屏蔽壁51形成为屏蔽壁51的上表面与密封树脂层4的上表面4a构成同一平面。这样一来，不需要如第一实施方式的高频模块1a那样，以屏蔽膜6覆盖沟7的未填充区域7a的壁面7a1，所以屏蔽膜6的形成变得容易。

[0086] 此外，本发明并不限定于上述的各实施方式，只要不脱离其主旨，则除了上述的变更以外还能够进行各种变更。例如，也可以组合上述的各实施方式、变形例的结构。

[0087] 另外，在上述的各实施方式中，虽然对在俯视时将屏蔽壁5、50、51形成为直线状的情况进行了说明，但也可以具有弯曲部。

[0088] 本发明能够应用于具备覆盖安装于布线基板的多个部件的密封树脂层、和用于防止部件间的噪声的相互干扰的屏蔽壁的各种高频模块。

[0089] 附图标记说明

[0090] 1a～1d…高频模块，2…布线基板，2a…上表面(主面)，3a、3b…部件，4…密封树脂层，4a…上表面(相反面)，5、50、51…屏蔽壁，5a…高处部分(第一部分)，5b…低处部分(第二部分)，6…屏蔽膜，7…沟，7a…未填充区域，7b…中途部分，7c…剩余部分。

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