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显示面板及显示装置

阅读：557发布：2020-05-08

专利汇可以提供显示面板及显示装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供一种显示面板及显示装置，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括基板、第一无机膜层、至少一辅助阴极、第二无机膜层以及至少一通孔；所述通孔排列为两个以上依次排列的压降区，同一压降区内的通孔均匀分布；其中，第一压降区与所述基板中心处或一侧边处相对设置。本发明的技术效果在于，辅助阴极与通孔的分布不再为线性，减弱相邻两个压降区之间的亮度差异，提高显示装置的亮度均一性。，下面是显示面板及显示装置专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种显示面板，包括阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板包括：
基板；
第一无机膜层，设于所述基板一侧的表面；
至少一辅助阴极，设于所述第一无机膜层远离所述基板一侧的表面；
第二无机膜层，设于所述辅助阴极远离所述第一无机膜层一侧的表面；以及至少一通孔，贯穿所述第二无机膜层，且与所述辅助阴极相对设置；
所述通孔排列成两个以上依次排列的压降区，同一压降区内的通孔均匀分布；
其中，第一压降区与所述基板的中心处或一侧边处相对设置；
第i压降区的孔密度大于第(i+1)压降区的孔密度，且小于第(i-1)压降区的孔密度。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述基板的四个侧边处均设有源输入点。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述通孔在所述第二无机膜层上的分布密度P(x)的公式为：
P(x)＝[(n+x)*(n-x-1)]/(n2+n)×100％；
其中，x为所述阵列基板的中心点到其边沿的第x个像素；n为所述阵列基板的中心点到所述阵列基板边沿的像素个数，x，n均为正整数。
4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述通孔的分布密度由所述中心点处向所述边沿处逐渐减小；
所述中心点处的通孔分布密度大于所述边沿处的通孔分布密度。
5.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
每一压降区的外边沿所围成的形状相同，且每一压降区的中心都为所述基板的中心点。
6.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，
每一压降区的通孔分布密度相同。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
定义所述基板具有相互平行的第一侧边与第二侧边；
其中，所述第一侧边处为第一压降区；
所述第二侧边处设有源输入点。
8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，
所述通孔在所述第二无机膜层上的分布密度P(x)的公式为：
P(x)＝[(n+x)*(n-x-1)]/(n2+n)×100％；
x为所述阵列基板的所述第一侧边到所述第二侧边的第x个像素；n为所述阵列基板的所述第一侧边到所述第二侧边的像素个数，x，n均为正整数。
9.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，
每一压降区为一矩形；
在所述矩形中，与所述第一侧边距离相同处的通孔分布密度相同。
10.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，
每一压降区的通孔分布密度相同。
11.一种显示装置，包括如权利要求1～10中任一项所述的显示面板。

说明书全文

显示面板及显示装置

技术领域

[0001] 本发明涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

[0002] 在大尺寸AMOLED面板中，发光模式分为顶发射和底发射两种发光方案，其中顶发射具有高开口率的优点。在目前OLED器件的寿命较短的问题上，高的开口率可以缓解器件
寿命带来的显示劣化。但是由于顶发射方案需要让OLED器件发出的光穿过阴极，因此，阴极
的厚度需要做得很薄，以保证光的透过率。这一要求会使得阴极的面电阻变得很大。较大的
面电阻会使得不同位置产生的电压降不一致，最终影响OLED器件的电流，影响面板的显示
均一性。

[0003] 目前较多的解决方案是设计一个辅助电极去降低薄阴极的面电阻。一般是使用的方案为整面均匀的辅助阴极孔，整面均匀分布辅助阴极方案虽然可以减轻电压降，但是面
板上的不同位置电压降效果差异仍然存在，只是降低了整体的电压降值，并没有改善不同
点位的显示差异。

[0004] 由于面板不同位置的电压降(IR drop)情况不一致，现有技术改善后采用的方法是单纯的对电压降进行简单的线性梯度划分，各个压降区的孔密度之间为线性变化，从显
示面板的中心点处到其边沿处分别为100％、75％、50％、25％、0％，但是，这种线性变化的
分布使得电压降的差异得到了一定程度的改善，但是在孔密度变化的过渡区，如100％到
75％的过渡区，会存在亮度突变，最终会在屏幕中出现一条模糊的亮线，影响显示面板的显
示效果。

发明内容

[0005] 本发明的目的在于，解决现有的显示面板中电压降较大，显示装置的显示亮度均一性差的技术问题。

[0006] 为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板包括：基板；第一无机膜层，设于所述基板一侧的表面；至少一辅助阴极，设于所述第一无机膜层
远离所述基板一侧的表面；第二无机膜层，设于所述辅助阴极远离所述第一无机膜层一侧
的表面；以及至少一通孔，贯穿所述第二无机膜层，且与所述辅助阴极相对设置；所述通孔
排列成两个以上依次排列的压降区，同一压降区内的通孔均匀分布；其中，第一压降区与所
述基板的中心处或一侧边处相对设置；第i压降区的孔密度大于第(i+1)压降区的孔密度，
且小于第(i-1)压降区的孔密度。

[0007] 进一步地，所述基板的四个侧边处均设有源输入点。

[0008] 进一步地，所述通孔在所述第二无机膜层上的分布密度P(x)的公式为：P(x)＝[(n+x)*(n-x-1)]/(n2+n)×100％；其中，x为所述阵列基板的中心点到其边沿的第x个像素；n
为所述阵列基板的中心点到所述阵列基板边沿的像素个数，x，n均为正整数。

[0009] 进一步地，所述通孔的分布密度由所述中心点处向所述边沿处逐渐减小；所述中心点处的通孔分布密度大于所述边沿处的通孔分布密度。

[0010] 进一步地，每一压降区的外边沿所围成的形状相同，且每一压降区的中心都为所述基板的中心点。

[0011] 进一步地，每一压降区的通孔分布密度相同。

[0012] 进一步地，定义所述基板具有相互平行的第一侧边与第二侧边；其中，所述第一侧边处为第一压降区；所述第二侧边处设有源输入点。

[0013] 进一步地，所述通孔在所述第二无机膜层上的分布密度P(x)的公式为：P(x)＝[(n2
+x)*(n-x-1)]/(n+n)×100％；x为所述阵列基板的所述第一侧边到所述第二侧边的第x个
像素；n为所述阵列基板的所述第一侧边到所述第二侧边的像素个数，x，n均为正整数。

[0014] 进一步地，每一压降区为一矩形；在所述矩形中，与所述第一侧边距离相同处的通孔分布密度相同。

[0015] 进一步地，每一压降区的通孔分布密度相同。

[0016] 为实现上述目的，本发明还提供一种显示装置，包括前文所述的显示面板。

[0017] 本发明的技术效果在于，辅助阴极与通孔的分布不再为线性，减弱相邻两个压降区之间的亮度差异，提高显示装置的亮度均一性。
附图说明

[0018] 下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

[0019] 图1为本发明实施例1或2所述显示面板的结构示意图；

[0020] 图2为本发明实施例1所述通孔在所述第二无机膜层上的俯视图；

[0021] 图3为本发明实施例2所述通孔在所述第二无机膜层上的俯视图。

[0022] 部分组件标识如下：

[0023] 1、基板；2、第一无机膜层；3、辅助阴极；4、第二无机膜层；5、通孔；6、源输入点；

[0024] 10、第一压降区；20、第二压降区；30、第三压降区；40、第四压降区；50、第五压降区。

具体实施方式

[0025] 下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施
例，都属于本申请保护的范围。

[0026] 在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特
定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于
描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在
本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

[0027] 在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可
以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间
接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术
人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

[0028] 在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它
们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特
征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在
第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示
第一特征水平高度小于第二特征。

[0029] 下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并
且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，
这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的
关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以
意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

[0030] 实施例1

[0031] 具体的，请参阅图1至图2，本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，所述显示装置包括所述显示面板，如图1所示，所述显示面板包括基板1、第一无机膜层2、辅助阴极3、
第二无机膜层4以及通孔5，还包括栅极层、有源层、电极层等结构。

[0032] 基板1为玻璃基板，起到支撑及衬底的作用。

[0033] 遮光层设于基板1的上表面，起到遮光作用。所述遮光层的材质为遮光材料，所述遮光材料为金属，包括：钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金。

[0034] 缓冲层设于所述遮光层及基板1的上表面，起到缓冲的作用，所述缓冲层的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物，或是氧化物与硅的氮化物的多层
结构。

[0035] 有源层设于所述缓冲层的上表面，所述有源层的材质为半导体材料，所述半导体材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓钛氧化物(IZTO)，铟镓锌钛氧化物(IGZTO)。所述有源
层设于所述遮光层的上方，即所述有源层与所述遮光层相对设置，所述有源层给显示面板
提供电路支持。

[0036] 栅极绝缘层设于所述有源层的上表面，所述栅极绝缘层的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构。所述栅极绝缘层与所述有源层
相对设置，起到绝缘的作用，防止显示面板内部的各线路之间短路。

[0037] 栅极层设于所述栅极绝缘层的上表面，所述栅极层的材质为金属材料，所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，或者是多层薄膜结构。所述栅极
层与所述栅极绝缘层相对设置。

[0038] 第一无机膜层2设于所述栅极层、所述有源层及所述缓冲层的上表面，第一无机膜层2的材质为为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，
起到绝缘作用，防止电路短路。在所述有源层的上方设有绝缘层通孔，所述绝缘层通孔贯穿
第一无机膜层2，所述绝缘层通孔便于电极层与所述有源层之间的电性连接。

[0039] 源漏极层设于第一无机膜层2的上表面，所述源漏极层的材质包括金属材料，所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，或者是多层薄膜结构。部分
金属材料设于所述绝缘层通孔内，所述源漏极层通过所述绝缘层通孔电连接至所述有源
层，形成电路连接。

[0040] 辅助阴极3设于第一无机膜层2的上表面，辅助阴极3可与阴极搭接，降低阴极的方块电阻。

[0041] 第二无机膜层4设于第一无机膜层2、所述源漏极层及辅助阴极3的上表面，第二无机膜层4为钝化层，其材质包括硅的氧化物材料，起到绝缘作用及隔绝外界水氧的作用。

[0042] 平坦层设于第二无机膜层4的上表面，所述平坦层使得膜层表面平整，利于后续膜层的贴合，防止出现脱离的现象。在所述平坦层上设有平坦层通孔，所述平坦层通孔与所述
源漏极层相对设置，为电极层提供通道。

[0043] 电极层设于所述平坦层的上表面，所述电极层为像素电极，所述电极层的材质为氧化铟锡材料，填满所述平坦层通孔，使得所述电极层与所述源漏极层电性连接，为后续发
光材料的发光提供电路支持。

[0044] 通孔5贯穿所述平坦层及第二无机膜层4，且与辅助阴极3相对设置，在图1中只显示一个通孔与一个辅助阴极，在实际的显示面板中，通孔与辅助阴极为若干组，分布于第二
无机膜层与第一无机膜层之间。

[0045] 如图2所示，在本实施例中，所述显示面板为四边驱动，即在基板1的四个侧边都设有源输入点，此时，形成若干个压降区，每个压降区内的通孔均匀分布。

[0046] 基板1的中心点处为第一压降区10，从所述中心点处依次向外分别为第二压降区20、第三压降区30、第四压降区40、第五压降区50等i个压降区(i为大于等于2的正整数)，第
i压降区的孔密度大于第(i+1)压降区的孔密度，且小于第(i-1)压降区的孔密度。

[0047] 所述通孔在所述第二无机膜层上的分布密度P(x)的公式为：P(x)＝[(n+x)*(n-x-1)]/(n2+n)×100％；其中，x为所述阵列基板的中心点到其边沿的第x个像素；n为所述阵列
基板的中心点到所述阵列基板边沿的像素个数，x，n均为正整数。

[0048] 例如：在16：9的面板上，分辨率为3840*1920，且A、B点位为中心点的到边沿的像素个数，则A、B点的x分别为960和480，n(A)＝1920，n(B)＝960，带入可得P(A)＝0.748829≈
75％，P(B)＝0.747659≈75％，实际A，B为同一密度的区域。因此A、B可以取平均值，通过点
位可以构建一条由两个半圆和一个矩形构建的类椭圆轮廓线，最终在该轮廓线区域的辅助
阴极孔密度为75％。如此类推设计0-100％的孔轮廓线的渐变分布，最终可得到如图2所示
的辅助阴极分布图。

[0049] 因为源输入点设于所述基板的四个侧边处，所以在侧边处的压降较小，距离侧边处越远，压降就越大，所以在所述中心点处的通孔分布密度大于所述边沿处的通孔分布密
度，所述通孔的分布密度由所述中心点处向所述边沿处逐渐减小。

[0050] 每一压降区的外边沿所围成的形状相同，都为一个矩形与两个相同的半圆围成的类椭圆形，两个相同的半圆分别设于所述矩形的相互平行的一组侧边处，所述半圆的弧线
与所述矩形的另一组侧边相连。每一压降区的中心都为所述基板的中心点，在每一压降区
内的通孔分布密度相同。

[0051] 本发明所述显示装置的技术效果在于，辅助阴极与通孔的分布不再为线性，减弱相邻两个压降区之间的亮度差异，提高显示装置的亮度均一性。

[0052] 实施例2

[0053] 如图1及图3所示，本实施例提供一种显示装置，包括显示面板，所示显示面板包括所述显示面板包括基板1、第一无机膜层2、辅助阴极3、第二无机膜层4以及通孔5，还包括栅
极层、有源层、电极层等结构。

[0054] 基板1为玻璃基板，起到支撑及衬底的作用。

[0055] 遮光层设于基板1的上表面，起到遮光作用。所述遮光层的材质为遮光材料，所述遮光材料为金属，包括：钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金。

[0056] 缓冲层设于所述遮光层及基板1的上表面，起到缓冲的作用，所述缓冲层的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物，或是氧化物与硅的氮化物的多层
结构。

[0057] 有源层设于所述缓冲层的上表面，所述有源层的材质为半导体材料，所述半导体材料包括铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓钛氧化物(IZTO)，铟镓锌钛氧化物(IGZTO)。所述有源
层设于所述遮光层的上方，即所述有源层与所述遮光层相对设置，所述有源层给显示面板
提供电路支持。

[0058] 栅极绝缘层设于所述有源层的上表面，所述栅极绝缘层的材质为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构。所述栅极绝缘层与所述有源层
相对设置，起到绝缘的作用，防止显示面板内部的各线路之间短路。

[0059] 栅极层设于所述栅极绝缘层的上表面，所述栅极层的材质为金属材料，所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，或者是多层薄膜结构。所述栅极
层与所述栅极绝缘层相对设置。

[0060] 第一无机膜层2设于所述栅极层、所述有源层及所述缓冲层的上表面，第一无机膜层2的材质为为无机材料，所述无机材料包括硅的氧化物或硅的氮化物或是多层薄膜结构，
起到绝缘作用，防止电路短路。在所述有源层的上方设有绝缘层通孔，所述绝缘层通孔贯穿
第一无机膜层2，所述绝缘层通孔便于电极层与所述有源层之间的电性连接。

[0061] 源漏极层设于第一无机膜层2的上表面，所述源漏极层的材质包括金属材料，所述金属材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，或者是合金，或者是多层薄膜结构。部分
金属材料设于所述绝缘层通孔内，所述源漏极层通过所述绝缘层通孔电连接至所述有源
层，形成电路连接。

[0062] 辅助阴极3设于第一无机膜层2的上表面，辅助阴极3可与阴极搭接，降低阴极的方块电阻。

[0063] 第二无机膜层4设于第一无机膜层2、所述源漏极层及辅助阴极3的上表面，第二无机膜层4为钝化层，其材质包括硅的氧化物材料，起到绝缘作用及隔绝外界水氧的作用。

[0064] 平坦层设于第二无机膜层4的上表面，所述平坦层使得膜层表面平整，利于后续膜层的贴合，防止出现脱离的现象。在所述平坦层上设有平坦层通孔，所述平坦层通孔与所述
源漏极层相对设置，为电极层提供通道。

[0065] 电极层设于所述平坦层的上表面，所述电极层为像素电极，所述电极层的材质为氧化铟锡材料，填满所述平坦层通孔，使得所述电极层与所述源漏极层电性连接，为后续发
光材料的发光提供电路支持。

[0066] 通孔5贯穿所述平坦层及第二无机膜层4，且与辅助阴极3相对设置，在图1中只显示一个通孔与一个辅助阴极，在实际的显示面板中，通孔与辅助阴极为若干组，分布于第二
无机膜层与第一无机膜层之间。

[0067] 如图3所示，在本实施例中，所述显示面板为单边驱动，即只在基板1的一个侧边设有源输入点，在本实施例中，定义设有源输入点的一侧边为第二侧边200，与之平行的为第
一侧边100，此时，形成若干个压降区，每个压降区内的通孔均匀分布。

[0068] 第一侧边100处为第一压降区10，从第一侧边100处依次向第二侧边200分别为第二压降区20、第三压降区30、第四压降区40、第五压降区50等i个压降区(i为大于等于2的正
整数)，第i压降区的孔密度大于第(i+1)压降区的孔密度，且小于第(i-1)压降区的孔密度。

[0069] 所述通孔在所述第二无机膜层上的分布密度P(x)的公式为：P(x)＝[(n+x)*(n-x-1)]/(n2+n)×100％；其中，x为所述阵列基板的第一侧边100到第二侧边200的第x个像素；n
为所述阵列基板的第一侧边100到第二侧边200的像素个数，x，n均为正整数。

[0070] 因为源输入点设于所述基板的第二侧边200处，所以在第二侧边200的压降较小，距离第二侧边200越远，压降就越大，所以在第二侧边200处的通孔分布密度大于第一侧边
100处的通孔分布密度，所述通孔的分布密度由第二侧边200处向第一侧边100处逐渐减小。

[0071] 每一压降区所围成的形状相同，都为一个矩形，与第一侧边100距离相同处的通孔分布密度相同。

[0072] 本发明所述显示装置的技术效果在于，辅助阴极与通孔的分布不再为线性，减弱相邻两个压降区之间的亮度差异，提高显示装置的亮度均一性。

[0073] 在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

[0074] 以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助
理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前
述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些
修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

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