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用于 阴极环修补的掩膜装置及其使用方法

阅读：858发布：2020-05-11

专利汇可以提供用于阴极环修补的掩膜装置及其使用方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了一种用于阴极环修补的掩膜装置及其使用方法，掩膜装置包括掩膜版，所述掩膜版包括显示区遮挡部、镂空部以及加强筋，所述镂空部通过所述加强筋连接在所述显示区遮挡部的外围。本发明的掩膜装置，用于阴极环修补时的遮挡保护，避免阴极环的修补材料进入器件显示区上而影响器件亮度及显示均匀性等光电性能，避免了因采用溅射法制备金属氧化物透明导电保护层时引起的黑点缺陷，从而可使用溅射、蒸镀等各类PVD工艺实现阴极环保护，在最大程度上保证了器件的光输出与工艺兼容性。，下面是用于阴极环修补的掩膜装置及其使用方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种用于阴极环修补的掩膜装置，其特征在于，包括掩膜版，所述掩膜版包括显示区遮挡部（10）、镂空部（20）以及加强筋（30），所述镂空部（20）通过所述加强筋（30）连接在所述显示区遮挡部（10）的外围；
所述显示区遮挡部（10）的形状为矩形；所述镂空部（20）包括四个环绕在所述显示区遮挡部（10）外围的镂空区（21）；所述加强筋（30）位于相邻的所述镂空区（21）之间；每一所述镂空区（21）呈L形，位于所述显示区遮挡部（10）的对角处并向所述显示区遮挡部（10）相接的两边延伸；
所述显示区遮挡部（10）的长、宽度分别为器件显示区长、宽度的100%-500%；所述镂空部（20）的宽度为阴极环宽度的50%-500%；所述加强筋（30）的长度与所述镂空部（20）的宽度一致；所述加强筋（30）的宽度为所述镂空部（20）宽度的10%；
所述掩膜版还包括通过所述加强筋（30）连接在所述镂空部（20）外围的边缘部（40）；
所述掩膜版为铁镍合金薄板，通过以下方法制得：
在铁镍合金薄板上旋涂光刻胶，并将掩模版图案光刻在铁镍合金薄板上；掩模版图案包括对应显示区遮挡部（10）的遮挡区、对应边缘部（40）的边缘区以及对应加强筋（30）的连接区，连接区连接在遮挡区和边缘区之间；
用干法或湿法刻蚀将铁镍合金薄板上没有光刻胶的部分刻穿，刻穿部分形成镂空部（20），制得掩模版。
2.一种权利要求1所述的掩膜装置的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将掩膜版放置在显示器（1）上；其中，所述掩膜版的显示区遮挡部（10）遮挡在显示器（1）的显示区（3）上，镂空部（20）对应在显示器（1）的阴极环（2）处；
S2、将修补材料透过所述镂空部（20）沉积在所述阴极环（2）上。

说明书全文

用于阴极环修补的掩膜装置及其使用方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种用于阴极环修补的掩膜装置，尤其涉及一种适用于OLED微型显示器阴极环修补的掩膜装置及其使用方法。

背景技术

[0002] 在OLED微型显示器的生产和制备过程中，一般采用顶发射式发光器件结构，其阳极为保证较高的反射率通常采用厚金属层制备，而阴极为保证光输出则采用热蒸镀法制备的一层极薄的半透明金属层实现。由于厚度差异较大，经常导致阳极金属层边缘台阶与半透明阴极层接触时出现断裂、接触性差等情况，引起器件驱动电压升高或断路失效。而单纯的加厚金属阴极层会导致器件光输出的大幅下降。

[0003] 目前，使用溅射法在阴极层上增加一层透明导电层(ITO)，可以解决阴极断裂问题，但溅射法本身会产生大量高速粒子冲击器件表面，造成黑点缺陷，使成品率大幅下降。而目前使用的所有透明导电薄膜由于其蒸发温度过高，都采用溅射法制备，无法解决黑点缺陷问题。

[0004] 因此，有必要设计一种阴极环修补掩膜装置，为保证阴极光输出和不产生黑点缺陷的前提下增强阴极环边缘阴极层与阳极金属的接触。

发明内容

[0005] 本发明要解决的技术问题在于，提供一种保证阴极光输出并且不产生黑点的用于阴极环修补的掩膜装置及其使用方法。

[0006] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种用于阴极环修补的掩膜装置，包括掩膜版，所述掩膜版包括显示区遮挡部、镂空部以及加强筋，所述镂空部通过所述加强筋连接在所述显示区遮挡部的外围。

[0007] 优选地，所述掩膜版还包括通过所述加强筋连接在所述镂空部外围的边缘部。

[0008] 优选地，所述显示区遮挡部的长、宽度分别为器件显示区长、宽度的100％-500％。

[0009] 优选地，所述镂空部的宽度为阴极环宽度的50％-500％。

[0010] 优选地，所述加强筋的长度与所述镂空部的宽度一致。

[0011] 优选地，所述加强筋的宽度为所述镂空部宽度的10％-500％。

[0012] 优选地，所述显示区遮挡部的形状为矩形；所述镂空部包括四个环绕在所述显示区遮挡部外围的镂空区；所述加强筋位于相邻的所述镂空区之间。

[0013] 优选地，每一所述镂空区呈L形。

[0014] 优选地，所述掩膜版为合金板。

[0015] 本发明还提供一种上述掩膜装置的使用方法，包括以下步骤：

[0016] S1、将掩膜版放置在显示器上；其中，所述掩膜版的显示区遮挡部遮挡在显示器的显示区上，镂空部对应在显示器的阴极环处；

[0017] S2、将修补材料透过所述镂空部沉积在所述阴极环上。

[0018] 本发明的掩膜装置，用于阴极环修补时的遮挡保护，避免阴极环的修补材料进入器件显示区上而影响器件亮度及显示均匀性等光电性能，避免了因采用溅射法制备金属氧化物透明导电保护层时引起的黑点缺陷，从而可使用溅射、蒸镀等各类PVD工艺实现阴极环保护，在最大程度上保证了器件的光输出与工艺兼容性。

[0019] 本发明适用于各种型号显示器的阴极环保护。附图说明

[0020] 下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

[0021] 图1是本发明一实施例的用于阴极环修补的掩膜装置的结构示意图；

[0022] 图2是图1所示掩膜装置在显示器上的结构示意图；

[0023] 图3是使用本发明掩膜版的阴极环修补后的结构示意图。

具体实施方式

[0024] 为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本发明的具体实施方式。

[0025] 如图1所示，本发明一实施例的用于阴极环修补的掩膜装置，包括掩膜版，掩膜版包括显示区遮挡部10、镂空部20以及加强筋30，镂空部20通过加强筋30连接在显示区遮挡部10的外围。

[0026] 在阴极环修补时，掩膜版设置在阴极环所在器件上方。

[0027] 结合图1、2，在OLED微型显示器等显示器1中，阴极环2位于显示器1上显示区3的外围。本发明的掩膜版中，显示区遮挡部10正对于显示器1的显示区3，遮挡在显示区3上，防止修补阴极环2的薄膜沉积于显示区3内，影响器件的光电性能，还可避免了因采用溅射法制备金属氧化物透明导电保护层时引起的黑点缺陷。显示区遮挡部10的长度、宽度分别可为显示区的长度、宽度的100％-500％。

[0028] 镂空部20正对于阴极环2处，使修补阴极环2的材料透过镂空部20沉积在阴极环2上，实现阴极环2修补的作用。镂空部20的宽度可为阴极环2宽度的50％-500％，以能够覆盖阴极环2且不影响显示区3为佳。

[0029] 加强筋30为至少一个，连接在显示区遮挡部10的边缘，实现镂空部20连接在显示区遮挡部10外围，避免显示区遮挡部10悬空，并增强显示区遮挡部10的机械强度，防止其变形，保证了掩膜版的强度。

[0030] 在掩膜版中，加强筋30形成在镂空部20之间，加强筋30的长度对应镂空部20的宽度，横跨在阴极环2上，因此加强筋30的长度与镂空部20的宽度一致；而加强筋30的宽度可为镂空部20宽度的10％-500％。

[0031] 掩膜版中各部分的具体尺寸以显示器显示尺寸和阴极环尺寸为参考进行设置。

[0032] 进一步地，掩膜版还包括通过加强筋30连接在镂空部20外围的边缘部40。其中，镂空部20形成在边缘部40和显示区遮挡部10之间，加强筋30穿过镂空部20，两端分别连接边缘部40和显示区遮挡部10，从而掩膜版为一体结构，作为阴极环修补的保护结构。

[0033] 本实施例中，如图1中所示，掩膜版的外周为矩形。其中，显示区遮挡部10的形状为矩形；镂空部20包括四个环绕在显示区遮挡部10外围的镂空区21；加强筋30位于相邻的镂空区21之间。每一镂空区21呈L形，位于显示区遮挡部10的对角处并向显示区遮挡部10相接的两边延伸。

[0034] 加强筋30少量为佳。优选地，相邻的两个镂空区21之间设一个加强筋30。

[0035] 本发明的掩膜版，优选为合金板，如铁镍合金薄板。制作时：

[0036] 1、在铁镍合金薄板上旋涂光刻胶，并将掩模版图案光刻在铁镍合金薄板上；掩模版图案包括对应显示区遮挡部10的遮挡区、对应边缘部40的边缘区以及对应加强筋30的连接区，连接区连接在遮挡区和边缘区之间。

[0037] 2、用干法或湿法刻蚀将铁镍合金薄板上没有光刻胶的部分刻穿，刻穿部分形成镂空部20，制得掩模版。

[0038] 本发明的掩膜版，在阴极环修补时对其进行遮挡保护，从而可通过溅射、蒸镀等各类PVD工艺在阴极环上设置修补层，在最大程度上保证了器件的光输出与工艺兼容性。

[0039] 参考图1-3，本发明的掩膜装置的使用方法，包括以下步骤：

[0040] S1、将掩膜版放置在显示器1上。

[0041] 其中，掩膜版的显示区遮挡部10遮挡在显示器1的显示区3上，镂空部20对应在显示器1的阴极环2处。加强筋30跨过阴极环2的部分，边缘部40对应显示器1的边缘部分。

[0042] S2、将修补材料透过镂空部20沉积在阴极环2上。

[0043] 其中，修补材料可通过溅射、蒸镀等工艺沉积在阴极环2上，形成阴极环2的修补层4，增厚阴极环2处的导电薄膜，增强阴极环2导电性，如图3所示。

[0044] 在一些实施例中，步骤S2中，可通过双蒸发源共蒸镀法将修补材料透过镂空部20沉积在阴极环2上。修补材料包括质量比为8:1的Mg和Ag，形成的修补层4为合金薄膜，厚度可为 (埃米)。

[0045] 以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

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