专利汇可以提供一种基于银基键合丝的半导体键合工艺专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 属于 半导体 封装技术领域,具体公开了一种基于 银 基键合丝的半导体键合工艺,所述工艺使用银基键合丝作为 焊接 线材,包括如下步骤:银基键合丝通过线夹进入瓷嘴,并在瓷嘴末端露出部分银基键合丝,瓷嘴移动到芯片焊盘上方 位置 ,线夹打开,瓷嘴垂直落下,与芯片焊盘 接触 ,完成一焊焊接;线弧,线夹关闭,瓷嘴往上抬起,银基键合丝被拉起到设定的高度后,从最高点移动到基材第二个焊点的位置;瓷嘴垂直向下移动,与基材焊盘接触,完成二焊焊接。本发明采用热超声键合的方式,利用银基键合丝将芯片和基材上的 引线键合 ,相对于金丝键合,具有更好的工艺兼容性,且能够极大的节约成本,并具有高的光反射率和更低的 电阻 。,下面是一种基于银基键合丝的半导体键合工艺专利的具体信息内容。
1.一种基于银基键合丝的半导体键合工艺,其特征在于,所述工艺使用银基键合丝作为焊接线材,包括如下步骤:
(1)银基键合丝通过线夹进入瓷嘴,并在瓷嘴末端露出部分银基键合丝,瓷嘴移动到芯片焊盘上方位置,线夹打开,瓷嘴垂直落下,与芯片焊盘接触,制作第一个焊点,完成一焊焊接;
(2)线弧,线夹关闭,瓷嘴往上抬起,银基键合丝被拉起到设定的高度后,从最高点移动到基材第二个焊点的位置,完成银基键合丝的走线;
(3)瓷嘴垂直向下移动,与基材焊盘接触,制作第二个焊点,完成二焊焊接;
(4)线夹关闭,瓷嘴往上移动,线尾被拉断;
(5)重复步骤(1)-(4),循环往复,完成多个焊点之间的引线键合;
在键合的整个过程中,均使用保护气体充盈所述瓷嘴及瓷嘴的周边。
2.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于:制作第一个焊点时,还包括预烧球阶段:瓷嘴先移动到焊头预备位置,并位于设定的烧球高度,由打火杆产生的高压电传导至打火杆尖端,与露出瓷嘴的银基键合丝之间放电形成一个完整的电流回路过后,将银基键合丝融化形成预烧球。
3.根据权利要求2所述的工艺,其特征在于:所述电流回路的电流为25~39mA。
4.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于:制作第一个焊点时,预烧球阶段电子打火后线尾烧结形成的小球的直径为1.6~2.0mil,焊接压力为28~40g,焊接的功率为60~
80mw,焊接时间为10~20ms;
和/或,制作第二个焊点时,焊接压力为80~110g,焊接功率为80~100mw。
5.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于:焊接第一焊点和第二焊点时,键合温度设置为140℃~160℃。
6.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于:所述预烧球的直径大小为所述银基键合丝直径的1.5-2倍。
7.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于:所述银基键合丝焊接线材的直径为0.7~
1.2mil。
8.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于:所述保护气体的成分为99%及以上纯度的氮气。
9.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于:所述芯片焊盘和/或基材焊盘为铝焊盘或金焊盘。
10.根据权利要求1所述的工艺,其特征在于:所述芯片焊盘和/或基材焊盘的上表面是银层,所述银层的厚度为40~120μm;
和/或,所述第一个焊点的焊球直径为所述芯片焊盘的直径的80%~95%。
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