【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気光学効果を利用してレーザ光により情報の再生を行う光磁気記録媒体、特に再生層と記録層とを有して成り、レーザ光として特に青紫色レーザすなわち３５０ｎｍ〜４５０ｎｍのレーザ光による磁気超解像再生がなされる光磁気記録媒体に係わる。

【０００２】

【従来の技術】書き換え可能な高密度光記録方法として、レーザ光の熱エネルギーを用いて、光磁気記録媒体の磁性層を部分的にキュリー温度または補償温度を超えて昇温し、この部分の保磁力を減少もしくは消滅させ、
例えば外部から印加される記録磁界の方向に磁化の向きを反転させることによって情報磁区の形成、すなわち情報の記録を行うことを基本原理とするものがある。

【０００３】この光磁気記録媒体は、例えばポリカーボネート（ＰＣ）から成る透明基板の一主面に、例えば窒化シリコンあるいは窒化アルミニウムによる誘電体層と、例えば希土類−遷移金属合金非晶質膜より成り膜面と垂直方向に磁化容易軸を有し優れた磁気光学効果特性を有する記録磁性層と、例えば窒化シリコンあるいは窒化アルミニウムによる誘電体層と、例えばアルミニウム、金、銀より成る反射層と、例えば紫外線硬化型樹脂よりなる保護層とが順次積層された構成とされる。

【０００４】この光磁気記録媒体に対して、例えばその透明基板側から、上述したレーザの照射がなされ、磁性層に対する上述した情報磁区の形成、すなわち情報の記録がなされ、その再生に当たっては、同様に、透明基板側から再生レーザ光を照射して、上述した磁性層における情報磁区による磁気光学効果例えばカー効果による偏光面の回転角を検出することによって記録情報の再生を行う。

【０００５】ところで、光磁気記録媒体に限らず、デジタルオーディオや、デジタルビデオディスクなどの光ディスクにおいても、線記録密度は主として再生時のＳ／
Ｎによって決められており、また再生信号の信号量は、
記録されている信号のビット列の周期と再生光学系のレーザ波長、対物レンズの開口数に依存する。 すなわち、
再生光学系のレーザ波長λと、対物レンズの開口数Ｎ．
Ａ． によって決まる光学的な検出限界すなわち光の回折限界によってビット周期ｆが決まる。 すなわち、光学的な検出限界ビット周期ｆは、ｆ＝λ／（２Ｎ．Ａ．）である。

【０００６】したがって、光磁気記録媒体において、高密度化を図るためには、再生光学系のレーザ波長λを短くし、対物レンズの開口数Ｎ． Ａ． を大きくする必要がある。 しかしながら、現在の技術ではレーザ光の波長λ
や、対物レンズの開口数Ｎ． Ａ． の改善には限度がある。 レーザ波長として青紫色レーザ光、すなわち３５０
ｎｍ〜４５０ｎｍのレーザ光を得ることのできる半導体レーザ、例えばＧａＮ半導体レーザによる波長４００ｎ
ｍ近傍のレーザが実現されており、一方、例えば樹脂モールドによる対物レンズにおいては、Ｎ． Ａ． が０．７
程度である。

【０００７】そこで、光磁気記録媒体構成や、記録、再生方法に関して多くの研究、開発、提案がなされている。 例えば記録方法については、情報マークを記録する際、記録するマークの有無で情報を記録するいわゆるマークポジション記録方式によるものではなく、記録するマークの長さを変化させることで、そのエッジ部分に情報を持たせ線記録密度を上げる記録方式いわゆるマーク長記録方式が提案されている。

【０００８】また、例えば記録方法において、磁界変調記録で記録する際、記録するレーザ光を連続的に照射せずに、その波形を記録外部磁界の位相に合わせて、パルス状に照射することにより、トラック方向の不要な拡大を防ぎ、隣接したトラックへの書き込み、消去においていわゆるクロスライト、クロスイレーズを改善し、トラック記録密度を上げる記録方式、すなわちレーザパルス照射磁界変調記録方式が提案されている。

【０００９】一方、再生方法として多くの磁気超解像再生方法が提案されている。 この磁気超解像再生方法においては、特に少なくとも再生層と記録層とを有する光磁気記録媒体が用いられ、高保磁力を有する記録層に記録された情報を再生層に転写する過程を有し、再生層に対するレーザ光の照射によって再生層における磁気光学効果によって偏光面の回転を得てこれを検出することによって記録情報の再生を行うものであり、この場合、その再生レーザ光のスポット内における再生層の温度分布を利用して、スポット内に位置する再生層において記録情報の一部を浮きだすとか、消滅させて、１つのスポット内で例えば１つの情報磁区を限定的に読み出すようにして、上述した光学的検出限界ビット周期以下で、その再生を可能にするものである。

【００１０】例えば特開平１−１４３０４１号公報、特開平１−１４３０４２号公報に開示されているものであり、これらの磁気超解像再生方法における光磁気記録媒体は、室温で互いに磁気的結合がなされた再生層、中間層、記録層を有し、再生時において再生レーザ光のスポット内で加熱された再生層の記録磁区を温度の高い部分で拡大、あるいは縮小、または反転させることにより、
再生時の情報マーク間の干渉を減少させ、光の回折限界以下の周期の再生を可能にすることで線記録密度、トラック記録密度を高めるいわゆる磁気超解像再生方法が提案されている。

【００１１】また、磁気超解像再生として、例えば特許第２８３９７８３号の再生方法を基本とする、すなわち再生レーザ光のスポットの中央部の記録ビット（記録磁区）のみを読み出すようになされたいわゆる中央検出型磁気超解像再生（Center Aperture Detection-Magnetic
Super Resolution:以下ＣＡＤ−ＭＳＲと略称する）が提案されている。

【００１２】従来のこのＣＡＤ−ＭＳＲ再生方法に用いられる光磁気記録媒体は、例えば図１０にその概略断面図を示すように、例えばポリカーボネートなどよりなる透明基板１０上に、順次第１の誘電体膜５、再生層１、
再生補助層２、中間非磁性層４、記録層３、第２の誘電体層６、熱制御層７が形成され、表面を覆って保護層８
が形成されて成る。

【００１３】その基本構成および動作は、図１１にその模式的断面図を示すように、再生層１、再生補助層２、
非磁性中間層（切断層）４、記録層３とを有して成るものであり、再生層１および再生補助層２は面内磁気異方性を有する磁性層によって構成され、記録層３は、垂直磁気異方性を有する磁性層によって構成され、中間非磁性層４は非磁性材層によって構成される。

【００１４】記録層３には、記録信号に応じて記録された記録マークＭ、すなわち情報磁区が形成（記録）される。 図１１において、白抜き矢印は磁化の向きを模式的に示したものである。

【００１５】この光磁気記録媒体に対するＣＡＤ−ＭＳ
Ｒ再生方法による記録の読み出し、すなわち再生は、再生レーザ光Ｌを、光学レンズ系、すなわち対物レンズ１
１を通じて光磁気記録媒体に照射することによってなされ、このレーザ光の照射によって生じた昇温部Ｉにおいて、再生補助層２の磁化を消失させ、此処に再生窓Ｗいわゆるアパーチャを形成し、この再生窓Ｗを通じて、再生層１が記録層３と磁気結合し、記録マークＭが再生層１に転写され、この転写記録マークによって再生レーザ光にカー回転を生じさせ、その戻り光のカー回転角を検出することによって記録信号の読み出しを行うものである。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】上述したような各種磁気超解像再生において、波長が３５０ｎｍ〜４５０ｎｍ
程度の青紫色レーザ光を用いて、その光の回折限界を低めてその再生を行う場合、従来一般の波長が６００ｎｍ
〜８００ｎｍ程度の赤色レーザ光を用いる磁気超解像再生の２倍以上の記録面密度を得ることができる。

【００１７】しかしながら、従来の光磁気記録媒体として用いられている希土類−遷移金属磁性膜は、例えばＴ
ｂＦｅＣｏや、ＧｄＦｅＣｏ等の合金非晶質薄膜は、上述した３５０ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の波長の青紫色光領域で、光磁気記録媒体の信号量（キャリアレベル）に比例する磁気光学効果であるカー回転角もしくはファラデー回転角が減少することが知られている。

【００１８】また、同時に従来用いられてきた例えば再生光の検出を行うＳｉフォトディテクタは、この３５０
ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の波長領域で、その量子効率が低下し、記録媒体に記録された磁化情報から得られた光学情報を電気信号に変換する際の信号量（キャリアレベル）も減少することが知られている。

【００１９】したがって、上述したように、波長が３５
０ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の青紫色レーザ光を用いた光磁気記録再生方法による場合、レーザ光の短波長化による光学的検出限界の向上による利点がある反面、レーザ光の短波長化に伴う磁気光学効果の減少とフォトディテクタ感度の減少による信号量（キャリアレベル）の減少、
したがって、キャリアとノイズの比（Ｃ／Ｎ）の低下、
ジッタの増加という不利益が生じるという問題がある。

【００２０】本発明による光磁気記録媒体は、この問題を効果的に改善することができるものである。

【００２１】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明においては、磁気超解像再生がなされる、すなわち、少なくとも再生層と記録層とを有し、更に少なくともこの再生において波長が３５０ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の青紫色レーザ光を用いる光磁気記録媒体にあって、その再生層の、
レーザ光の入射側に配置される誘電体膜（以下第１の誘電体膜という）が、チタンオキサイド膜と窒化シリコン膜との積層による構造とする。

【００２２】このように、本発明においては、その第１
の誘電体膜を、チタンオキサイド（ＴｉＯ）膜と窒化シリコン（ＳｉＮ）膜との積層構造とするものであるが、
磁性層側に窒化シリコン（ＳｉＮ）膜が配置された構成とする。

【００２３】すなわち、本発明においては、第１の誘電体膜を、チタンオキサイド膜と窒化シリコン膜との積層構造とすることにより、上述の青紫色レーザを用いる場合においてもＣ／Ｎ、ジッタの改善が図られ、更に光磁気記録媒体の性能指数√Ｒ×θｋ（Ｒは反射率、θｋはカー回転角）の改善が図られ、更に、光磁気記録媒体の特性の安定性を図ることができることを見い出したことによってなされたものである。

【００２４】

【発明の実施の形態】本発明による光磁気記録媒体は、
少なくとも再生層と記録層と第１の誘電体膜とを有する光磁気記録媒体であって、磁気超解像再生方法を基本原理とするものの、その再生もしくは記録再生が、特に青紫色レーザ（すなわち３５０ｎｍ〜４５０ｎｍ程度によってなされるという新しい方法に適用される光磁気記録媒体である。

【００２５】上述した本発明光磁気記録媒体が適用される磁気超解像再生の基本原理としては、前述したＣＡＤ
−ＭＳＲを始めとして、そのほか、例えば特開平９−１
７１６４３号公報等に記載された前方検出型磁気超解像再生（Front Aperture Detection-Magnetic Super Reso
lution: 以下ＦＡＤ−ＭＳＲと略称する）や、例えば特開平３−９３０５８号公報等に記載された後方検出型磁気超解像再生（Rear Aperture Detection-Magnetic Sup
er Resolution:以下ＲＡＤ−ＭＳＲと略称する）や、例えば特開平６−２９０４９６号公報等に記載された磁壁移動検出光磁気記録再生（Domain Wall Displacement D
etection: 以下ＤＷＤＤと略称する）や、例えば特開平８−７３５０号公報に記載された磁壁拡大検出光磁気記録再生（ＭＡＭＭＯＳ）等が挙げられる。 これら磁気超解像再生方法においては、少なくとも再生層と記録層とを有する光磁気記録媒体が用いられるものであり、その記録層の記録ビットを再生層に転写する過程を有する。

【００２６】本発明による光磁気記録媒体は、第１の誘電体膜を、チタンオキサイド（ＴｉＯ）膜と窒化シリコン（ＳｉＮ）膜とが積層された構成とし、磁性層側、すなわち再生層側に窒化シリコン（ＳｉＮ）膜が配置された構成とする。

【００２７】この光磁気記録媒体に対する情報の記録は、従来の光磁気記録媒体に対する通常の記録方法および光磁気記録装置によって行うことができる。 例えば光変調記録あるいは磁界変調記録によって行うことができる。

【００２８】本発明による一実施形態は、ＣＡＤ−ＭＳ
Ｒにおいて、特にその波長が３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの青紫色レーザによる再生がなされる光磁気記録媒体である。 このＣＡＤ−ＭＳＲによる再生方法については、図１１で説明した通りであるが、本発明による光磁気記録媒体が用いられるＣＡＤ−ＭＳＲは、レーザ光Ｌが、上述したように、特にその波長が３５０ｎｍ〜４５０ｎｍ
の青紫色レーザ光による。

【００２９】図１は、本発明による光磁気記録媒体の一例の概略断面図を示す。 この光磁気記録媒体は、例えばＣＡＤ−ＭＳＲによる再生方法に用いられるものであるが、言うまでもなく本発明はこれらの構造に限られるものではない。 図１に示す例においては、例えばポリカーボネートよりなる透明基板１０上に、順次第１の誘電体膜５、再生層１、再生補助層２、中間非磁性層４、記録層３、第２の誘電体層６、熱制御層７が形成され、表面を覆って保護層８が形成されて成る。

【００３０】 そして、第１の誘電体膜５は、基板１０
上にチタンオキサイド膜５１が被着形成され、その上に窒化シリコン膜５２が形成されて成る。 このように、本発明における光磁気記録媒体においては、その第１の誘電体膜５をチタンオキサイド膜５１と窒化シリコン膜５
２との積層構造とするものであるが、その特性について説明する。

【００３１】まず、チタンオキサイド膜に関しては、その屈折率ｎと、消光係数κの波長依存性は、図２に示す通りで、このチタンオキサイド膜の消光係数κは、波長が８００ｎｍ〜３５０ｎｍ付近まで殆どゼロであることから、透明性にすぐれた材料であることが分かる。 したがって、本発明で対象とする３５０ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の青紫色レーザでの光磁気記録媒体における透明で屈折率の高い誘電体膜としては、使用可能と考えられる。
例えば波長４００ｎｍでの屈折率ｎは２．６５であり、
消光係数κは０である。

【００３２】一方、窒化シリコン膜に関しての、屈折率ｎと、消光係数κの波長依存性は、図３に示す通りで、
これについても８００ｎｍ〜３５０ｎｍ付近でその消光係数κは殆どゼロであることから、透明性を有する誘電体膜として用いることが可能で、本発明で対象とする３
５０ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の青紫色レーザでの光磁気記録媒体における誘電体膜として使用可能と考えられる。
例えば波長４００ｎｍでの屈折率ｎは２．０８であり、
消光係数κは０である。

【００３３】図４は、第１の誘電体膜を、窒化シリコン膜の単層構造とした場合の、光磁気記録媒体のカー回転角θｋと反射率Ｒの膜厚依存性を示したものである。 この場合の、光磁気記録媒体構成は、図５にその概略断面図に示すように、上述の透明基板１０上に、窒化シリコン膜による単層の第１の誘電体膜５を形成し、この上に順次厚さ４０ｎｍのＧｄＦｅＣｏによる再生層１、厚さ５ｎｍのＡｌによる中間非磁性層４、厚さ６０ｎｍのＴ
ｂＦｅＣｏによる記録層３、厚さ２０ｎｍの窒化シリコン膜による第２の誘電体膜６、厚さ３０ｎｍのＡｌによる熱制御層７を形成した場合である。 そして、この場合、消光係数κは０とし、再生レーザ光の波長は４００
ｎｍ、透明基板１０の屈折率は１．５８とした。 また、
このときの光磁気記録媒体の性能指数√Ｒ×θｋ（Ｒは反射率、θｋはカー回転角）は、ＳｉＮの膜厚が３５ｎ
ｍでピークとなり、その値は、Ｒ＝１４％、θｋ＝０．
６５°で、性能指数√Ｒ×θｋは０．２４３である。

【００３４】また、図６は、図５で示したと同様の構成によるものの、その第１の誘電体膜５をチタンオキサイド膜ＴｉＯ ₂の単層構造とした場合の光磁気記録媒体のカー回転角θｋと反射率Ｒの、ＴｉＯ ₂の膜厚との関係を示すものである。 この場合は、性能指数√Ｒ×θｋ
は、ＴｉＯ ₂の膜厚が２３ｎｍでピークとなり、その値は、Ｒ＝４％、θｋ＝１．３°で、性能指数√Ｒ×θｋ
は０．２６０である。

【００３５】上述した結果によれば、波長が４００ｎｍ
の青紫色レーザによる光磁気記録再生における光磁気記録媒体の構成は、第１の誘電体膜をチタンオキサイド膜によって構成すれば、高い性能指数√Ｒ×θｋが得られることになる。 ところが、第１の誘電体膜をチタンオキサイド膜によって構成する場合、磁性層、図５においては、再生層１が、酸化物のチタンオキサイドに接触することによって磁性層を構成する例えばＴｂＦｅＣｏ膜や、ＧｄＦｅＣｏ膜による希土類−遷移金属非晶質が酸化され、本来有する磁気カー効果を減少、もしくは消滅させ、性能低下を来すことを見出した。

【００３６】そこで、本発明構成においては、上述したように、磁性層側においては、これに対して反応することがない化学的に安定な窒化シリコン膜を配置し、この窒化シリコン膜と、チタンオキサイド膜との積層によって例えば図１で示した第１の誘電体膜５を構成する。

【００３７】このようにして、本発明においては、チタンオキサイド膜が直接磁性層に接触することがない構成とし、かつ、窒化シリコン膜のみを使用した場合に比しては、性能指数√Ｒ×θｋが高い性能指数を実現できる構成とすることができる。

【００３８】図７は、本発明構成の一例の概略断面図を示すもので、この例においては、第１の誘電体膜５の構成以外は、図５と同様の構成とした場合で、図７において、図５と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。 そして、この例では、その第１の誘電体膜５をレーザ光の入射側とされる透明基板１０側にチタンオキサイドＴｉＯ ₂膜５１を厚さ３７ｎｍで形成し、その上に、すなわち再生層１と接触する側に、窒化シリコンＳｉＮ膜５２を形成した場合である。 この場合の、上述したと同様に、波長４００ｎｍの青紫色レーザ光を用い、透明基板１０の屈折率を１．５８、消光係数κが０
の場合の、ＳｉＮの膜厚によるカー回転角θｋと反射率Ｒの変化、すなわちＴｉＯ ₂膜とＳｉＮ膜との干渉効果は、図８に示すようになり、この場合、ＴｉＯ ₂膜が厚さ３７ｎｍにおいて、ＳｉＮ膜の厚さが８３ｎｍで、Ｒ
＝２％、カー回転角θｋ＝１．８５°となり、その性能指数√Ｒ×θｋは最も高い０．２６２となり、前述したＴｉＯ ₂膜、あるいはＳｉＮ膜の各単層による誘電体膜５を構成する場合に比し、性能指数√Ｒ×θｋの改善が図られている。

【００３９】しかしながら、この例では、第１の誘電体膜５の全体の厚さが、ＴｉＯ ₂膜５１の厚さ３７ｎｍ
と、ＳｉＮ膜５２の厚さ８３ｎｍとの和の、１２０ｎｍ
にもなることから、余り好ましくない。 例えば第１の誘電体膜５の厚さが余り厚くなると基板１０に形成したトラック溝等の形状をなだらかにしてしまうような形状変化を来し、再生特性を劣化させるなどの不都合が生じる。 そこで、図７の構成において、ＴｉＯ ₂膜の厚さを図６で説明した高い性能指数√Ｒ×θｋを示す厚さ２３
ｎｍとする。 そして、この構成において、同様の干渉効果をみると、図９に示すようになり、この場合、ＳｉＮ
の膜厚が、９ｎｍのとき、Ｒ＝１４．０％で、θｋ＝
０．５９°で、性能指数√Ｒ×θｋは０．２２１となり、ＳｉＮの膜厚が、６ｎｍのとき、Ｒ＝９．５％で、
θｋ＝０．７７°で、性能指数√Ｒ×θｋは０．２３７
となり、ＳｉＮの膜厚が、３ｎｍのとき、Ｒ＝６．１％
で、θｋ＝１．０４°で、性能指数√Ｒ×θｋは０．２
５７となり、ＳｉＮの膜厚が、０ｎｍのとき、Ｒ＝４．
３％で、θｋ＝１．２９°で、性能指数√Ｒ×θｋは０．２６８となる。 そして、図９からＳｉＮの膜厚は、
ＴｉＯ ₂の膜厚を２３ｎｍに設定するとき、２ｎｍ〜７
ｎｍが高い性能指数√Ｒ×θｋを示すことが分かる。

【００４０】次に、本発明による光磁気記録媒体の実施例を挙げて説明するが、この実施例についても、これらに限られるものではない。 〔実施例１〕この実施例においては、直径１２０ｍｍ、
厚さ０．６ｍｍを有し、トラック溝が形成されトラックピッチが０．３５μｍとされたポリカーボネートより成る透明基板１０を用い、これに図１で説明したように、
順次第１の誘電体膜５、再生層１、再生補助層２、中間非磁性層４、記録層３、第２の誘電体層６、熱制御層７
が形成され、表面を覆って保護層８を形成した。 そして、この場合、図示しないが、記録層３を第１、第２および第３の３層の磁性膜によって構成した。

【００４１】先ず、スパッタリング装置の真空チャンバ内に、チタンオキサイドターゲットを取付け、基板ホルダーに透明基板１０を装着し、１×１０ ^-5 [Pa] 以下の高真空になるまで真空チャンバ内をクライオポンプで真空排気した。 真空チャンバ内に、真空排気しながらＡｒ
ガスと酸素ガスとをそれぞれ５０ [sccm] と３０ [scc
m] をもって導入し、チャンバ内の圧力が０．２４ [Pa]
となるまでメインバルブを調整した後、チタンオキサイドターゲットから、高周波（ＲＦ）反応性スパッタリングにより基板１０上に、第１の誘電体膜５を構成するチタンオキサイド膜５１を厚さ２３ｎｍに成膜した。

【００４２】次に、別途用意した２つの真空チャンバを有するマグネトロンスパッタリング装置の第１の真空チャンバ内に、Ｓｉ，Ｔｂ，Ｇｄ，ＦｅＣｏ，Ｆｅ，Ａｌ
の各ターゲットを取付け、上述した透明基板１０を基板ホルダーに装着し、１×１０ ^-5 [Pa] 以下の高真空になるまで真空チャンバ内をクライオポンプで真空排気した。

【００４３】第１の真空チャンバ内に、真空排気しながらＡｒガスとＮ ₂ガスとをそれぞれ５０ [sccm] と３０
[sccm] とをもって導入し、チャンバ内の圧力が０．２
４ [Pa] となるまでメインバルブを調整した後、Ｓｉターゲットの高周波（ＲＦ）反応性スパッタリングにより、チタンオキサイド膜５１上に、厚さ３ｎｍに窒化シリコン膜５２を成膜して第１の誘電体膜５を形成した。

【００４４】次いで、ＡｒガスとＮ ₂ガスの導入バルブを閉じ、基板ホルダーを第１の真空チャンバから、第２
の真空チャンバに移動させた。 その後、この第２の真空チャンバ内を１×１０ ^-5 [Pa] 以下の高真空になるまでクライオポンプで真空排気した。 第２の真空チャンバ内に、真空排気しながらＡｒガスを１００ [sccm] をもって導入し、チャンバ内の圧力が０．１２ [Pa] となるまでメインバルブを調整した後、更に第１の誘電体膜５上に、順次連続直流スパッタリングにより、それぞれ厚さ３０ｎｍのＧｄＦｅＣｏによる再生層１、厚さ８ｎｍのＧｄＦｅによる再生補助膜２、厚さ４ｎｍのＡｌによる中間非磁性層４、続いて記録層３を構成する厚さ１０ｎ
ｍのＧｄＦｅＣｏによる第１の磁性膜、厚さ３０ｎｍのＴｂＦｅＣｏによる第２の磁性膜、厚さ３０ｎｍのＴｂ
ＦｅＣｏによる第３の磁性膜を成膜した。

【００４５】次いで、Ａｒガスの導入バルブを閉じ、基板ホルダーを第２真空チャンバから第１の真空チャンバに移動させた。 その後、この第１の真空チャンバ内で、
１×１０ ^-5 [Pa] 以下の高真空になるまでクライオポンプで真空排気した。

【００４６】そして、第１のチャンバ内に、真空排気しながらＡｒガスとＮ ₂ガスとをそれぞれ５０ [sccm] と３０ [sccm] とをもって導入し、チャンバ内の圧力が０．２４ [Pa] となるまでメインバルブを調整した後、
ＳｉターゲットのＲＦ反応性スパッタリングにより、透明基板１０上に窒化シリコン膜を厚さ２０ｎｍに成膜して第２の誘電体膜６を形成した。

【００４７】次いで、ＡｒガスとＮ ₂ガスの導入バルブを閉じ、第１の真空チャンバ内を１×１０ ^-5 [Pa] 以下の高真空になるまでクライオポンプで真空排気した。

【００４８】そして、第１の真空チャンバ内に、真空排気しながらＡｒガスを１００ [sccm] で導入し、チャンバ内の圧力が０．２３ [Pa] となるまでメインバルブを調整した後、第２の誘電体膜６上に、厚さ４０ｎｍのＡ
ｌによる熱制御層７をスパッタリングにより成膜した。
尚、各層の組成は、各ターゲットに印加するパワーを選定することに選定した

【００４９】その後、これら成膜がなされた透明基板１
０を、真空チャンバから取出し、Ａｌによる熱制御層７
を保護する保護膜８を、紫外線硬化樹脂の塗布および紫外線照射による硬化を行って２０μｍの厚さに形成した。

【００５０】このようにして、光磁気記録媒体を作製した。 この場合、再生層１のＧｄＦｅＣｏ膜の組成は、室温で面内磁化を示し、１５０℃以上で垂直磁化を示す光磁気記録膜で、そのキュリー温度が３５０℃となるように調整した。 再生補助層２のＧｄＦｅ膜の組成は、室温からキュリー温度まで遷移金属優勢組成の面内磁化膜で、そのキュリー温度が１５０℃となるように調整した。 記録層３の第１の磁性膜のＧｄＦｅＣｏ膜の組成は、室温からキュリー温度まで遷移金属優勢組成の垂直磁化膜で、そのキュリー温度が３００℃となるように調整した。 記録層３の第２の磁性膜のＴｂＦｅＣｏ膜の組成は、室温からキュリー温度まで遷移金属優勢組成の垂直磁化膜で、そのキュリー温度が２８０℃となるように調整した。 記録層３の第３の磁性膜のＴｂＦｅＣｏ膜の組成は、室温からキュリー温度まで遷移金属優勢組成の垂直磁化膜で、そのキュリー温度が３００℃となるように調整した。 この構成による光磁気記録媒体を光ディスク番号１とする。

【００５１】〔実施例２〕実施例１と同様の方法および構成によるものの、その第１の誘電体膜５の窒化シリコン膜の厚さを６ｎｍとした。 この光磁気記録媒体を光ディスク番号２とする。

【００５２】〔比較例１〕実施例１と同様の方法および構成によるものの、その第１の誘電体膜５の窒化シリコン膜の厚さを９ｎｍとした。 この光磁気記録媒体を光ディスク番号３とする。

【００５３】〔比較例２〕実施例１と同様の方法および構成によるものの、その第１の誘電体膜５の窒化シリコン膜の厚さを０ｎｍ、すなわちこの窒化シリコン膜の形成を行わなかった。 この光磁気記録媒体を光ディスク番号４とする。

【００５４】〔比較例３〕実施例１と同様の方法および構成によるものの、その第１の誘電体膜５を、厚さ３５
ｎｍの窒化シリコン膜のみによって形成した。 この光磁気記録媒体を光ディスク番号５とする。

【００５５】これら光ディスク番号１〜５について、再生特性としてＣ／Ｎ、ジッタ、再生パワーマージンの測定結果を表１に示す。 この測定は、ＣＡＤ−ＭＳＲによる再生方法によった。 そして対物レンズの開口数Ｎ．
Ａ． は０．６、再生レーザ光の波長は、４０６ｎｍとした。 また、その記録は、発光レーザ波形をパルス状にしたパルス照射磁界変調記録による記録を行い、このときのパルス波形のデューティはシステムクロック周期時間の３５％とした。 また、光ディスクの線速度は、３．７
ｍ／ｓ、外部記録磁界は３５０〔Oe〕とした。 また、再生時の外部磁界は印加せずに測定した。 そして、このような条件の下で、０．２５μｍと１．０μｍのマーク長の記録を行った場合のキャリアレベルとノイズレベルの比（Ｃ／Ｎ）と、ビット長０．１９μｍの（１．７）Ｒ
ＬＬで変調されたランダムパターンを記録した際のジッタを測定した。

【００５６】

【表１】

【００５７】表１によっても、前述した誘電体膜としてＳｉＮ膜５２の厚さを、２ｎｍ〜７ｎｍの範囲内の実施例１および２による光ディスク番号１および２において、Ｃ／Ｎおよびジッタの改善が図られている。

【００５８】尚、本発明による光磁気記録媒体は、上述した例に限られるものではなく、例えば再生層１、再生補助層２、記録層３等において種々の構成を採るなど、
種々の変形変更を行うことができる。

【００５９】また、上述した形態では、ＣＡＤ−ＭＳＲ
による磁気超解像再生を行う場合であるが、記録層の記録マークを再生層に転写する過程を有する磁気超解像再生、例えばＦＡＤ−ＭＳＲ、ＲＡＤ−ＭＳＲ、ＤＷＤ
Ｄ、ＭＡＭＭＯＳ等に適用される光磁気記録媒体に適用して同様の効果を奏することができるものであり、この場合において、少なくとも再生層と記録層とを有する構成とするものの、各層の構成は種々の変更がなされ得る。

【００６０】

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、波長が３５０ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の青紫色レーザによる磁気超解像再生を行う光磁気記録媒体において、その誘電体膜、特に光入射側の第１の誘電体膜をチタンオキサイド膜と窒化シリコン膜との積層構造とし、磁性層側に、
磁性層と反応しない窒化シリコン膜を配置した構成としたことにより、安定した特性を有し、性能指数√Ｒ×θ
ｋにすぐれ、Ｃ／Ｎ、ジッタの改善を効果的に図ることができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光磁気記録媒体の一例の概略断面図である。

【図２】本発明の説明に供するＴｉＯ ₂の屈折率ｎおよび消光係数κの波長依存性特性図である。

【図３】本発明の説明に供するＳｉ ₃ Ｎ ₄の屈折率ｎおよび消光係数κの波長依存性特性図である。

【図４】本発明の説明に供するＳｉ ₃ Ｎ ₄による第１の誘電体膜を用いた光磁気記録媒体の干渉効果を示すＳｉ
₃ Ｎ ₄の膜厚に対するカー回転角θｋと、反射率Ｒを示す図である。

【図５】図４の特性を示す光磁気記録媒体の構成図である。

【図６】本発明の説明に供するＴｉＯ ₂による第１の誘電体膜を用いた光磁気記録媒体の干渉効果を示すＴｉＯ
₂の膜厚に対するカー回転角θｋと、反射率Ｒを示す図である。

【図７】本発明による光磁気記録媒体の他の例の概略断面図である。

【図８】本発明による光磁気記録媒体の一例の干渉効果を示すＳｉ ₃ Ｎ ₄の膜厚に対するカー回転角θｋと、反射率Ｒを示す図である。

【図９】本発明による光磁気記録媒体の他の例の干渉効果を示すＳｉ ₃ Ｎ ₄の膜厚に対するカー回転角θｋと、
反射率Ｒを示す図である。

【図１０】光磁気記録媒体の比較例の概略断面図である。

【図１１】磁気超解像再生方法の一例の説明図である。

【符号の説明】

１・・・再生層、２・・・再生補助層、３・・・記録層、４・・・非磁性中間層、５・・・第１の誘電体層、
６・・・第２の誘電体層、７・・・熱制御層、８・・・
保護層、１０・・・透明基板、１１・・・対物レンズ、
５１・・・チタンオキサイド膜、５２・・・窒化シリコン膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西田 真達 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D075 EE03 FF13 FG03 FG04