有机发光二极管显示器及其制造方法
阅读：166发布：2020-05-11
专利汇可以提供有机发光二极管显示器及其制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且公开了一种 有机发光 二极管 (OLED)显示器和制造该 有机 发光二极管 显示器 的方法。一方面，所述OLED显示器包括：基底； 薄膜 晶体管(TFT)，形成在基底上方；第一 像素 限定层，形成在TFT上方并且具有开口。所述OLED显示器还包括：绝缘层，形成在所述开口中并且包括具有圆顶形状的顶表面；以及OLED，形成在绝缘层上方。，下面是有机发光二极管显示器及其制造方法专利的具体信息内容。
1.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
基底；
薄膜晶体管，形成在基底上方；
第一绝缘层，形成在薄膜晶体管上方并且具有平坦化的顶表面；
第一像素限定层，形成在第一绝缘层上并且具有使第一绝缘层的顶表面暴露的开口；
第二绝缘层，形成在所述开口中并且包括具有圆顶形状的顶表面；
有机发光二极管，形成在第二绝缘层上方；以及
第二像素限定层，形成在第一像素限定层上方以覆盖像素电极的端部，
其中，第二绝缘层的侧部接触开口的侧部，
其中，有机发光二极管包括：像素电极，形成在第二绝缘层上并且穿透第一像素限定层和第一绝缘层电连接到薄膜晶体管；中间层，形成在像素电极上方并且包括发射层；以及对电极，形成在中间层和第二像素限定层上方。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，第二绝缘层具有圆柱形状。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中，有机发光二极管显示器具有沿着第一方向延伸的长度和沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的高度，其中，第二绝缘层的圆柱形状沿着第二方向延伸。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，第二绝缘层具有球形形状。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，
其中，第二绝缘层的顶表面具有曲率中心，以及
其中，从第二绝缘层的顶表面上的任意点到曲率中心的距离相同。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中，像素电极的端部形成在第一像素限定层上方。
7.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括：
提供基底；
在基底上方形成薄膜晶体管；
在薄膜晶体管上方形成第一绝缘层，第一绝缘层具有平坦化的顶表面；
在第一绝缘层上形成第一像素限定层；
在第一像素限定层中形成使第一绝缘层的顶表面暴露的开口；
在所述开口中形成第二绝缘层，其中，第二绝缘层包括具有圆顶形状的顶表面；
在第二绝缘层上方形成有机发光二极管；以及
在第一像素限定层上方形成第二像素限定层，以覆盖像素电极的端部，
其中，形成有机发光二极管的步骤包括：在第二绝缘层上方形成像素电极以使其穿透第一像素限定层和第一绝缘层电连接到薄膜晶体管；在像素电极上方形成包括发射层的中间层；以及在中间层和第二像素限定层上方形成对电极。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成第二绝缘层的步骤包括：
将绝缘材料施加在开口中；以及
使绝缘材料干燥以形成具有圆柱形状的第二绝缘层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，干燥步骤包括利用干燥机，其中，所述干燥机在第二绝缘层的中心部分处比在第二绝缘层的边缘处具有更高排放率。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，形成第二绝缘层的步骤包括：
将绝缘材料施加在开口中；以及
使绝缘材料干燥以形成具有球形形状的第二绝缘层。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，干燥绝缘材料的步骤包括利用干燥机，所述干燥机在第二绝缘层的中心部分处比在第二绝缘层的边缘处具有更高排放率。
12.根据权利要求7所述的方法，其中，形成第二绝缘层的步骤包括：
在由第一像素限定层中的开口暴露的第一绝缘层上执行表面处理，使得第一绝缘层的亲水性质和疏水性质中的所选择的性质在开口的中心部分处不同于开口的边缘处；
将绝缘材料施加在开口中；以及
使绝缘材料干燥以形成第二绝缘层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，第一绝缘层的亲水性质或疏水性质在开口的中心部分处不同于开口的边缘处。
14.根据权利要求7所述的方法，
其中，第二绝缘层的顶表面具有曲率中心，以及
其中，从第二绝缘层的顶表面上的任意点到曲率中心的距离相同。
15.一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
基底；
多个像素，形成在基底上方，其中，每个像素包括：
薄膜晶体管；
第一绝缘层，形成在薄膜晶体管上方并且具有平坦化的顶表面；
第一像素限定层，形成在第一绝缘层上，其中，使第一绝缘层的顶表面暴露的开口被限定在第一像素限定层中；
第二绝缘层，形成在所述开口中并且包括顶表面，其中，顶表面具有曲率半径一致的圆顶形状；
有机发光二极管，形成在第二绝缘层上方并且电连接到薄膜晶体管；以及；
第二像素限定层，形成在第一像素限定层上方以覆盖像素电极的端部，
其中，第二绝缘层的侧部接触开口的侧部，
其中，有机发光二极管包括：像素电极，形成在第二绝缘层上并且穿透第一像素限定层和第一绝缘层电连接到薄膜晶体管；中间层，形成在像素电极上方并且包括发射层；以及对电极，形成在中间层和第二像素限定层上方。
16.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中，第二绝缘层的侧部的高度低于开口的侧部的高度。
17.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中，第二绝缘层的顶表面的圆顶形状具有曲率中心，其中，有机发光二极管具有与第二绝缘层的曲率中心相同的曲率中心。
18.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中，第二绝缘层具有圆柱形状或球形形状。
19.根据权利要求15所述的有机发光二极管显示器，其中，第二绝缘层具有第一厚度和第二厚度，其中，第一厚度大于第一像素限定层的厚度，其中，第二厚度小于第一像素限定层的厚度。
20.根据权利要求19所述的有机发光二极管显示器，其中，第一厚度是第二绝缘层的最大厚度，其中，第二厚度是第二绝缘层的最小厚度。
有机发光二极管显示器及其制造方法
技术领域
背景技术
[0004] OLED显示器包括形成在基底上的薄膜晶体管(TFT)和OLED。TFT向OLED供应驱动电流以发射光。这样的OLED显示器被用作用于诸如移动电话的小型移动设备的显示单元并且也被用作用于诸如电视机的较大设备的显示单元。发明内容
[0005] 一个发明方面是一种能够减小在不同视角处产生的色差和亮度偏差的OLED显示器以及制造该显示器的方法。
[0006] 另一方面是一种OLED显示器，所述OLED显示器包括：基底；TFT，设置在基底上方；第一像素限定层，设置在TFT上方并且具有开口；绝缘层，设置在第一像素限定层的开口中并且具有其曲率半径一致的顶表面；以及OLED，设置在绝缘层上方。
[0007] 绝缘层可以具有与圆柱形圆顶对应的形状。
[0008] 基底可以具有彼此垂直交叉的长轴和短轴，绝缘层可以具有与沿着短轴延伸的圆柱体的一部分对应的形状。
[0009] 绝缘层可以具有与球形圆顶对应的形状。
[0010] OLED可以包括：像素电极，设置在绝缘层上方并且电连接到TFT；中间层，设置在像素电极上并且包括发射层；以及对电极，面对像素电极设置。从绝缘层的顶表面的曲率中心到对电极的顶表面的距离可以一致。
[0011] OLED可以包括：像素电极，设置在绝缘层上方并且电连接到TFT；中间层，设置在像素电极上并且包括发射层；以及对电极，面对像素电极设置。所述OLED还可以包括设置在第一像素限定层上方以覆盖像素电极的边缘的第二像素限定层。
[0012] 另一方面是一种制造OLED显示器的方法，所述方法包括：提供基底；在基底上方形成TFT；在TFT上方形成第一像素限定层以具有开口；在第一像素限定层的开口中形成绝缘层；绝缘层具有其曲率半径一致的顶表面；以及在绝缘层上方形成OLED。
[0013] 形成绝缘层的步骤可以包括：通过利用溶液工艺施加用于形成绝缘层的材料；并且使用于形成绝缘层的材料干燥以形成与圆柱体的一部分对应的形状。
[0014] 形成绝缘层的步骤可以包括：通过利用溶液工艺施加用于形成绝缘层的材料；并且使用于形成绝缘层的材料干燥以形成与球形的一部分对应的形状。
[0015] 绝缘层的干燥步骤可以包括利用干燥机，其中，所述干燥机在绝缘层的中心部分处比在绝缘层的边缘处具有更高排放率。
[0016] 形成绝缘层的步骤可以包括：以如下方式执行表面处理，即，亲水性质和疏水性质中的一种在位于由像素限定层的开口暴露的绝缘层下面的层的中心部分和边缘处不同，利用溶液工艺施加用于绝缘层的材料，并且使用于绝缘层的材料干燥。
[0017] 执行表面处理的步骤可以包括：执行表面处理以使中心部分具有亲水性质。
[0018] 执行表面处理的步骤可以包括：执行表面处理以使边缘具有疏水性质。
[0019] 从绝缘层的顶表面的曲率中心到对电极的顶表面的距离可以一致。
[0020] 另一方面是一种OLED显示器，所述OLED显示器包括：基底；TFT，形成在基底上方；第一像素限定层，形成在TFT上方并且具有开口；绝缘层，形成在所述开口中并且包括具有圆顶形状的顶表面；以及OLED，形成在绝缘层上方。
[0021] 绝缘层具有基本上圆柱形形状。所述OLED显示器具有沿着第一方向延伸的长度和沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的高度，其中，绝缘层的圆柱形状沿着第二方向延伸。
[0022] 绝缘层具有基本上球形形状。所述OLED包括：像素电极，形成在绝缘层上方并且电连接到TFT；中间层，形成在像素电极上方并且包括发射层；以及对电极，形成在中间层上方，其中，绝缘层的顶表面具有曲率中心，其中，从绝缘层的顶表面上的任意点到曲率中心的距离基本相同。像素电极包括形成在第一像素限定层上方的端部，OLED显示器还包括形成在第一像素限定层上方以覆盖像素电极的端部的第二像素限定层。
[0023] 另一方面在于一种制造OLED显示器的方法，所述方法包括：提供基底；在基底上方形成TFT；在TFT上方形成第一像素限定层；在第一像素限定层中形成开口；在所述开口中形成第一绝缘层，其中，第一绝缘层包括具有圆顶形状的顶表面；以及在第一绝缘层上方形成OLED。
[0024] 形成第一绝缘层的步骤包括：将绝缘材料施加在开口中；以及使绝缘材料干燥以形成具有基本上圆柱形状的第一绝缘层。干燥步骤包括利用干燥机，所述干燥机在第一绝缘层的中心部分处比在第一绝缘层的边缘处具有更高排放率。形成第一绝缘层的步骤包括：将绝缘材料施加在开口中；以及使绝缘材料干燥以形成具有基本上球形形状的第一绝缘层。
[0025] 绝缘材料的干燥步骤包括利用干燥机，所述干燥机在第一绝缘层的中心部分处比在第一绝缘层的边缘处具有更高排放率。所述方法还包括在像素限定层和TFT之间形成第二绝缘层，其中，形成第一绝缘层的步骤包括：在由像素限定层中的开口暴露的第二绝缘层上执行表面处理，使得第二绝缘层的亲水性质和疏水性质中所选择的性质在开口的中心部分处不同于开口的边缘处；将绝缘材料施加在开口中；以及使绝缘材料干燥以形成第一绝缘层。
[0026] 第二绝缘层的亲水性质或疏水性质在开口的中心部分处不同于开口的边缘处。形成OLED的步骤包括：在第一绝缘层上方形成像素电极使其电连接到TFT；在像素电极上方形成包括发射层的中间层；以及在中间层上方形成对电极，其中，第一绝缘层的顶表面具有曲率中心，以及其中，从第一绝缘层的顶表面上的任意点到曲率中心的距离基本相同。
[0027] 另一方面是一种OLED显示器，所述OLED显示器包括：基底；多个像素，形成在基底上方，其中，每个像素包括：TFT；像素限定层，形成在TFT上方，其中，开口被限定在像素限定层中；绝缘层，形成在所述开口中并且包括顶表面，其中，顶表面具有曲率半径基本一致的圆顶形状；以及OLED，形成在绝缘层上方并且电连接到TFT。
[0028] 绝缘层的侧部接触开口的侧部，其中，绝缘层的侧部的高度低于开口的侧部的高度。绝缘层的顶表面的圆顶形状具有曲率中心，其中，OLED具有与绝缘层的曲率中心基本相同的曲率中心。绝缘层具有基本上圆柱形状或球形形状。绝缘层具有第一厚度和第二厚度，其中，第一厚度大于像素限定层的厚度，其中，第二厚度小于像素限定层的厚度。第一厚度是绝缘层的最大厚度，第二厚度是绝缘层的最小厚度。附图说明
[0029] 图1是示出根据实施例的OLED显示器的示意性剖视图。
[0030] 图2是示出图1的OLED显示器的示意性剖视图。
[0031] 图3是示出图1的OLED显示器的示意性剖视图。
[0032] 图4至图7是示出制造图1的OLED显示器的方法的剖视图。
具体实施方式
[0033] 标准的有机发光二极管(OLED)显示器和制造该有机发光二极管显示器的方法具有如下限制，即，在不从正常角度(即，垂直于显示器的平面)观看时，在显示的图像中发生颜色偏差(尤其是在相对大的OLED显示器上)。
[0034] 现在将详细地参照实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，同样的附图标记始终指示同样的元件。在这个方面，实施例可以具有不同的形式并且不应该被解释为受限于在此阐述的描述。因此，实施例仅通过参照附图在下面被描述以解释所描述的技术的方面。
[0035] 在下文中，将参照附图详细地描述所描述技术的实施例。然而，由于所描述的技术不限于下面公开的实施例，而是可以实施为各种不同的形式，所以提供下面的实施例以充分地公开所描述的技术并且将所描述技术的范围充分地传达给普通技术人员。另外，为了便于描述，在附图中，可以夸大或缩小元件的尺寸。例如，由于附图中组件的尺寸和厚度可以被夸大以便于解释，所以下面的实施例不限于此。
[0036] 在下面的实施例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴并且可以以更宽泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
[0037] 另一方面，将理解的是，当层、区域或组件被称作“形成在”另一层、区域或组件“上”时，其可以直接或间接形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，也可以存在中间层、区域或组件。
[0038] 图1是示出根据实施例的OLED显示器的示意性剖视图。
[0039] 参照图1，OLED显示器包括基底100、薄膜晶体管(TFT)、第一像素限定层120、绝缘层150和OLED 200。绝缘层150被称作第三绝缘层150以将第三绝缘层150与其它绝缘层区分开来。
[0040] 基底100可以由诸如包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺等的塑料基底或玻璃基底的透明基底形成。基底100不限于用于OLED显示器的底发射的透明基底。因此，如果需要，基底100可以由金属材料形成。
[0043] 栅电极105形成在半导体层103上方。当信号被施加到栅电极105时，源电极和漏电极107电连接。考虑到与相邻层的粘结、沉积层的表面均匀度和易于加工性，栅电极可以通过利用诸如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)的一种或多种材料由单层或多层形成。
[0044] 为了提供在半导体层103和栅电极105之间的电绝缘，由氧化硅和/或氮化硅形成的栅绝缘层104被设置在半导体层103和栅电极105之间。
[0045] 层间绝缘层106形成在栅电极105上并且可以形成为由氧化硅或氮化硅形成的单层或多层。
[0046] 源电极和漏电极107形成在层间绝缘层106上方。源电极和漏电极107通过形成在层间绝缘层106和栅绝缘层104中的接触孔电连接到半导体层103。考虑到源电极和漏电极107的电导率，源电极和漏电极可以通过利用诸如Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu的一种或多种材料由单层或多层形成。
[0047] 为了保护具有上述构造的TFT，覆盖TFT的第一绝缘层108形成为保护层。第一绝缘层108可以由诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机材料形成。第一绝缘层108在图1中示出为单层，但是第一绝缘层108可以进行各种修改使其具有多层结构。
[0048] 第二绝缘层110形成在基底100上方。第二绝缘层110可以是平坦化层或另一保护层。例如，如在图1中所示，当OLED形成在TFT上方时，第二绝缘层110形成为用于使覆盖TFT的第一绝缘层108的顶表面平坦的平坦化层。第一绝缘层108和第二绝缘层110可以由例如丙烯酸有机材料和苯并环丁烯(BCB)形成。如在图1中所示，栅绝缘层104、层间绝缘层106、第一绝缘层108和第二绝缘层110形成在基底100的整个表面上。
[0049] 参照图1，第一像素限定层120形成在TFT上方。第一像素限定层120形成在第二绝缘层110上并且具有开口。在第一像素限定层120中的开口限定了其中形成有第三绝缘层150(下面将描述)的区域。
[0050] 如上所述，第一像素限定层120具有其中形成有第三绝缘层150的开口。在一些实施例中，第三绝缘层150具有其顶表面具有预定的曲率半径的弯曲形状。顶表面的曲率半径是预定的，并且在一些实施例中，第三绝缘层150在x-z平面上的剖视图具有基本上半圆的形状。根据一些实施例，第三绝缘层150具有圆顶形状。第三绝缘层150可以由例如丙烯酸有机材料和BCB形成。
[0051] 如在图1中所示，第三绝缘层150形成在于第一像素限定层120中限定的开口中并且覆盖形成在第一像素限定层120中的开口的内侧的一部分。当第三绝缘层150在x-z平面上的剖视图具有基本上半圆的形状时，第三绝缘层150形成在第二绝缘层110上并且不覆盖限定在第一像素限定层120中的开口的内侧的一部分。第三绝缘层150的侧部接触开口的侧部，并且第三绝缘层150的侧部的高度低于开口的侧部的高度。第三绝缘层150具有第一厚度和第二厚度，其中，第一厚度大于第一像素限定层120的厚度，第二厚度小于第一像素限定层120的厚度。第一厚度是第三绝缘层150的最大厚度，第二厚度是第三绝缘层150的最小厚度。
[0052] OLED 200形成在第三绝缘层150上方。OLED 200包括像素电极210、包括发射层的中间层220和对电极230。
[0053] 如在图1中所示，像素电极210可以设置在第一像素限定层120上方以覆盖第三绝缘层150。在这种情况下，暴露TFT的源电极和漏电极107中的至少一个的开口存在于第一像素限定层120、第二绝缘层110和第一绝缘层108中。通过所述开口，像素电极210可以与TFT的源电极和漏电极107中的任意一个接触以电连接到TFT。
[0054] 另一方面，在图1中，用于将像素电极210连接到TFT的源电极和漏电极107中的一个的开口穿透第一像素限定层120、第二绝缘层110和第一绝缘层108。与图1的实施例相反，连接到TFT的源电极和漏电极107中的一个和像素电极210的开口可以穿透形成在开口(限定在第一像素限定层120中)中第三绝缘层150。
[0055] 即，连接到TFT的源电极和漏电极107中的一个和像素电极210的开口可以穿透第三绝缘层150、第二绝缘层110和第一绝缘层108。如上所述。第三绝缘层150具有基本上半圆形状的剖面。当开口如上所述形成在第三绝缘层150中时，开口可以改变第三绝缘层150的基本上半圆的形状。因此，在图1的实施例中，电连接到TFT的源电极和漏电极107中的一个和像素电极210的开口形成为穿透第一像素限定层120并且不穿透第三绝缘层150。
[0056] 像素电极210可以形成为半透明电极和反射电极。当像素电极210为半透明电极时，像素电极210可以由ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和AZO中的至少一种形成。当像素电极210为反射电极时，像素电极210可以具有由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr以及它们的混合物中的至少一种形成的反射层和由ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和AZO中的至少一种形成的层。然而，像素电极210不限于此，像素电极210可以由各种材料形成并且可以具有诸如单层或多层的各种可修改的结构。
[0057] 第二像素限定层130形成在像素电极210上以及第一像素限定层120上方。在一些实施例中，第二像素限定层130覆盖像素电极210的边缘。在图1中，示出了像素电极210形成在基本上整个第一像素限定层120上方。然而，在其它实施例中，像素电极210覆盖第三绝缘层150并且延伸以覆盖第一像素限定层120的一部分。因此，形成在第一像素限定层120上方的第二像素限定层130覆盖像素电极210的边缘的一部分。
[0058] 形成在第一像素限定层120上方的第二像素限定层130通过具有与各个子像素对应的开口来限定像素。即，第二像素限定层130具有覆盖像素电极210的边缘并且暴露像素电极210的中心部分的开口。另外，第二像素限定层130将像素电极210的端部与像素电极210上方的对电极230分隔了一定距离，从而防止在像素电极210的端部发生电弧。如上所述，第一像素限定层120和第二像素限定层130可以由例如有机材料(诸如聚酰亚胺)形成。
[0059] 包括发射层的中间层220形成在通过第二像素限定层130中的开口限定的像素区域中。OLED 200的中间层220可以包含低分子物质或高分子物质。
[0060] 当包含低分子物质时，OLED 200的中间层220可以形成为通过沉积空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和其它层形成的单一结构或复合结构。可以使用诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPD)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)和其它有机材料的各种有机材料。
[0061] 当包含高分子物质时，中间层220通常可以具有包括HTL和EML的结构。在这些实施例中，聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)被用作HTL，并且诸如聚对苯乙烯撑(PPV)和聚芴的高分子材料可以被用作EML。然而，中间层220不限于此，而是可以具有各种结构。
[0062] 对电极230形成为覆盖包含EML的中间层220，对电极230与像素电极210相对并且形成在基底100的整个表面上方。对电极230可以形成为半透明电极和反射电极中的一个。
[0063] 当形成为半透明电极时，对电极230可以具有由具有低功函数的金属形成的层和由ITO、IZO、ZnO、In2O3等中的至少一种形成的半透明导电层，其中，所述具有低功函数的金属例如有Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Ag、Mg以及它们的混合物。当形成为反射电极时，对电极230可以具有由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg以及它们的混合物中的至少一种形成的层。对电极230的构造和材料不限于以上所述，并且可以进行各种修改。
[0064] 图2至图3是示出OLED显示器的剖视图。
[0065] 参照图2，如上所述，第三绝缘层150在x-z平面上具有基本上半圆形状的剖面。因此，形成在第三绝缘层150上方的OLED 200的剖面在x-z平面上也具有基本上半圆形状。
[0066] 从第三绝缘层150的剖面的曲率中心O到OLED 200的对电极230的顶表面的距离基本相同。如在图2中所示，距离d1被定义为沿着从第三绝缘层150的剖面的曲率中心O到对电极230的顶表面的z方向延伸。距离d2被定义为与z方向有一定角度地延伸，所述z方向为从第三绝缘层150的剖面的曲率中心O到对电极230的顶表面。距离d1和d2基本相同。
[0067] 换句话说，由于从第三绝缘层150的剖面的曲率中心O到第三绝缘层150的顶表面的距离与由第三绝缘层150限定的圆的半径对应，所以所述距离针对在第三绝缘层150的顶表面上的每个点基本相同。因此，从曲率中心开始沿着任意方向从第三绝缘层150的顶表面到对电极230的顶表面的距离基本相同。
[0068] 如上所述，如上定义的距离d1和d2基本相同。因此，OLED 200的光学路径始于曲率中心O并且基本一致。
[0069] 标准的OLED形成在使TFT的顶表面平坦的平坦化层上，因此，标准的OLED具有平的形状。这使得标准的OLED的光学路径基于观察者的视角(相对于沿着z方向的视角)而变化。
[0070] 因此，在标准的OLED显示器中，从不同的点发射的光在传播的光学路径方面具有差异，引起发射的光的波长变化。当沿z方向发射的光的波长是大约λ时，从离z方向的视角θ发射的光的波长是大约λcosθ。因此，在相对z方向一定角度处发射的光的亮度低于沿着z方向发射的光的亮度。这在显示器中引起色差。
[0071] 根据图1和图2的实施例，由于距离d1和距离d2基本相同，所以无论视角如何，OLED 200的光学路径基本一致，其中，d1从第三绝缘层150的剖面的曲率中心O到对电极230的顶表面沿着z方向延伸，d2从曲率中心O到对电极230的顶表面离z方向一定角度处延伸。因此，由于光在曲率中心O处沿着轴方向发射，所以无论视角如何，可以减小色差。
[0072] 第三绝缘层150在三维视图中具有基本上圆柱形的形状，使得第三绝缘层150的剖面具有基本上半圆的形状。
[0073] 详细地讲，基底100可以具有彼此垂直交叉的沿着x轴方向的长轴和沿着y轴方向的短轴。在一些实施例中，长轴沿着基底的长度(x轴)，短轴沿着基底的高度(y轴)。第三绝缘层150具有沿着短轴(即，y方向)的基本上圆柱形的形状。因此，当OLED显示器垂直于地面站立时，各个子像素可以具有垂直于地面延伸的基本上圆柱形的形状。
[0074] 如在图2中所示，当第三绝缘层150具有基本上圆柱形的形状时，从第三绝缘层150的曲率中心O到对电极230的顶表面的距离基本一致。
[0075] 如上所述，当第三绝缘层150具有基本上圆柱形的形状并且假设曲率中心O位于x-y平面上时，无论视角如何，在同一x-y平面上从曲率中心O到对电极230的顶表面的距离基本一致。
[0076] 通常，大OLED显示器的水平长度比垂直长度长。从右和左的普通视角大于从上和下的视角。因此，从右视角或左视角可以感知到色差或不均匀现象。因此，当将实施例应用到大OLED显示器时，无论视角如何，在同一x-y平面上从曲率中心O到对电极230的顶表面的距离基本一致。因此，基于从左和右的视角产生的色差和亮度偏差被大幅度减小。
[0077] 根据一些实施例，第三绝缘层150具有基本上球形形状。如在图2中所示，当第三绝缘层150具有基本上球形形状时，从第三绝缘层150的剖面的曲率中心O到对电极230的顶表面的距离基本一致。
[0078] 当第三绝缘层150具有基本上球形形状时，在任意视角处由观察者看到的从曲率中心O到对电极230的顶表面的距离基本一致。因此，虽然从诸如顶和底以及左和右的任意视角处观看OLED显示器，但是光学路径始于曲率中心，从而显著地降低了基于视角的色差和亮度偏差。
[0079] 另一方面，在图2中，第三绝缘层150的剖面的曲率中心O位于层间绝缘层106和第一绝缘层108之间。然而，曲率中心O不限于此，并且可以随着圆的曲率的变化而位于另一位置中。即，圆的曲率中心O可以根据与第三绝缘层150的剖面对应的圆的曲率而移动，并且可以位于基底100上的显示器的任意部分中(如图2中所示)或者可以位于基底100的外部，因此，圆的曲率中心O可以进行各种改变。
[0080] 图3是示出图1的OLED显示器的剖面的示意图，其中，示出了视角根据观察者的位置而改变。
[0081] 当观察者在A点处看多个子像素时，在OLED 200中始于A点对面的子像素的曲率中心O1的距离h1与在OLED 200中始于位于离A点一定角度处的子像素的曲率中心O2的距离h3基本相同。另外，当观察者在B点处看多个子像素时，在OLED 200中始于B点对面的子像素的曲率中心O2的距离h4与在OLED 200中始于位于离B点一定角度处的子像素的曲率中心O1的距离h2基本相同。
[0082] 如上所述，标准的OLED由于形成在平坦化的表面上，所以具有平的表面。这使得在观察者直视的情况下始于OLED的光学路径和观察者处于离OLED一定视角处的光学路径彼此不同。因此，在标准的OLED中，根据标准的OLED相对于观察者的位置，存在由光的光学路径差引起的光的波长不同。当垂直发射的光的波长为大约λ时，从视角θ发射的光的波长为大约λcosθ。因此，在一定角度处发射的光的亮度低于垂直于OLED发射的光的亮度。这在标准的显示器中根据视角引起色差和亮度偏差。
[0083] 然而，根据至少一个实施例，OLED 200形成在具有半圆剖面形状的第三绝缘层150上方。因此，由于从圆的曲率中心O的距离在任意视角处基本一致，所以从曲率中心O发射的光的距离基本相同，从而发射光具有基本相同的性质而在各个视角处没有色差。
[0084] 换句话说，由于从任意位置看到的始于多个对应子像素的光的光学路径基本相同，所以在子像素之间的光学路径方面不存在差异。因此，从OLED 200发射到观察者的光具有基本一致的颜色和亮度，从而减小了色差和亮度偏差。
[0085] 图4至图7是示出制造图1的OLED显示器的方法的剖视图。
[0086] 参照图4，制备基底100，然后在基底100上方形成TFT。在TFT上进一步形成保护层和平坦化层。
[0087] 基底100可以由玻璃、金属和/或塑料形成。在基底100上方形成的TFT包括具有非晶硅、多晶硅或有机半导体材料的半导体层103、栅电极105以及源电极和漏电极107。
[0088] 在形成TFT的步骤中，缓冲层102形成为使基底100的表面平坦并且形成为基本防止杂质渗透到半导体层103中。在缓冲层102上形成半导体层103。
[0089] 在半导体层103上方形成栅电极105。当信号被施加到栅电极105时，源电极和漏电极107电连接。
[0090] 为了在半导体层103和栅电极105之间提供绝缘，在半导体层103和栅电极105之间设置栅绝缘层104。
[0091] 在栅电极105上方形成层间绝缘层106，并且在层间绝缘层106上方形成源电极和漏电极107。源电极和漏电极107通过形成在层间绝缘层106和栅绝缘层104中的接触孔分别电连接到半导体层103。
[0092] 在TFT上面形成覆盖TFT的第一绝缘层108，作为用于保护具有所描述结构的TFT的保护层。第一绝缘层108在图4中被示出为单层，但是第一绝缘层108可以进行各种修改，诸如，具有多层结构。
[0093] 另外，在形成第一绝缘层108之后，在第一绝缘层108上形成第二绝缘层110。第二绝缘层110可以是平坦化层或另一保护层。如在图4中所示，当OLED 200形成在TFT上方时，第二绝缘层110形成为用于使覆盖TFT的第一绝缘层108的顶表面平坦的平坦化层。另外，如在图4中所示，在基底100的整个表面上方形成栅绝缘层104、层间绝缘层106、第一绝缘层108和第二绝缘层110。
[0094] 然后，参照图5，在第二绝缘层110上形成第一像素限定层120。第一像素限定层120具有开口，并且在第一像素限定层120的开口中形成第三绝缘层150。
[0095] 第一像素限定层120可以利用如下光刻工艺形成，即，将PR涂敷到第二绝缘层110上并且蚀刻与开口对应的一部分PR。形成第一像素限定层120的方法不限于此，并且第一像素限定层120可以利用普通工艺和各种工艺形成。第一像素限定层120具有限定其中形成有第三绝缘层150的区域的开口。
[0096] 如上所述，在第一像素限定层120中限定的开口中形成第三绝缘层150。参照图5，第三绝缘层150形成为使得在其顶表面处的曲率半径基本一致。换句话说，第三绝缘层150的剖面形成为具有基本上一致的曲率半径的半圆形状。
[0097] 在一些实施例中，通过利用喷墨印刷或喷嘴印刷的溶液工艺将用于第三绝缘层150的材料施加在通过第一像素限定层120中的开口暴露的第二绝缘层110上来形成第三绝缘层150。然后，如在图5中所示，第三绝缘层150通过干燥机400干燥以形成基本上一致的曲率半径的顶表面。低压干燥机(LPD)可以被用作干燥机400以使第三绝缘层150干燥。
[0098] LPD的一部分可以修改并且可以用在制造OLED显示器的过程中。普通的LPD通过利用贯穿LPD的整个表面的基本上一致的排放率均匀地干燥形成中间层220等的材料。
[0099] 然而，根据图5的实施例，排放率在第三绝缘层150的中心部分处比在第三绝缘层150的边缘处高的干燥机400被用在干燥第三绝缘层150的过程中。
[0100] 如在图5中所示，干燥机400包括以不同间隔形成的多个排气缝(或孔)410。即，形成在第三绝缘层150上方的排气缝410在第三绝缘层150中心部分处更大，并且朝着其边缘，排气缝410的尺寸逐渐减小。当利用干燥机400时，在使形成第三绝缘层150的材料干燥的同时，由于中心部分的排放率更高，所以形成第三绝缘层150的材料向第三绝缘层150的中心部分聚集，从而使第三绝缘层150的中心部分形成为凸面。
[0101] 如上所述，利用干燥机400使第三绝缘层150的顶表面的曲率半径形成为基本一致。在一些实施例中，基于干燥机的构造，第三绝缘层150的形状为基本上圆柱形。在其它的实施例中，第三绝缘层150具有基本上球形的形状。
[0102] 与在图5中示出的方法相比，第三绝缘层150可以利用在图6中示出的方法形成。
[0103] 参照图6，形成第三绝缘层150的步骤包括：在其中形成有第三绝缘层150的开口的内表面上执行表面处理，并且通过利用溶液工艺将用于绝缘层的材料施加到表面处理的内表面上。然后，将用于绝缘层的材料干燥。
[0104] 更详细地讲，表面处理可以以如下方式执行，即，亲水性或疏水性在形成在第三绝缘层150下面的第二绝缘层110的中心部分处和边缘处不同，其中，第三绝缘层150位于在第一像素限定层120中限定的开口中。如在图6中所示，表面处理通过将亲水材料150a施加到由第一像素限定层120中的开口暴露的第二绝缘层110的顶表面上来执行。亲水材料150a在由第一像素限定层120中的开口暴露的第二绝缘层110的顶表面的中心部分处以更大的浓度被施加，并且亲水材料150a的浓度向开口的边缘减小。
[0105] 如上所述的选择性表面处理可以利用光刻工艺来执行。选择性表面处理不限于此，而是可以利用各种工艺执行。
[0106] 在图6中，示出了利用亲水材料150a来执行选择性表面处理。然而，选择性表面处理可以利用疏水材料(未示出)来执行。在这些实施例中，在由第一像素限定层120中的开口暴露的第二绝缘层110的顶表面的边缘处施加有更大浓度的疏水材料，并且疏水材料的浓度向开口的中心减小。
[0107] 在执行了选择性表面处理之后，通过利用喷墨印刷或喷嘴印刷的溶液工艺将用于形成第三绝缘层150的材料施加到由第一像素限定层120中的开口暴露的第二绝缘层110上。由于亲水材料150a聚集在由第一像素限定层120中的开口暴露的第二绝缘层110的中心部分上，所以用于形成第三绝缘层150的材料集中在中心部分上，从而形成在其顶表面处具有基本一致的曲率半径的第三绝缘层150。
[0108] 在将形成第三绝缘层150的材料施加到选择性表面处理的第一像素限定层120的开口内侧之后，使形成第三绝缘层150的材料干燥。如上所述，在选择性表面处理之后，由于将形成第三绝缘材料150的材料施加到由第一像素限定层120中的开口暴露的第二绝缘层110上，所以形成第三绝缘层150的材料被施加以使得第三绝缘层150的顶表面的曲率半径形成为基本上一致，从而保持此状态使用于形成第三绝缘层150的材料干燥。
[0109] 根据对由第一像素限定层120中的开口暴露的第二绝缘层110的顶表面的表面处理方法，第三绝缘层150的顶表面的曲率半径可以形成为基本一致。在这个实施例中，第三绝缘层150具有基本上圆柱形的形状。在其它实施例中，第三绝缘层150具有基本上球形的形状。
[0110] 参照图7，在利用图5和图6中示出的方法中的一个形成第三绝缘层150之后，在第三绝缘层150上方形成OLED 200。
[0111] 详细地讲，在形成第三绝缘层150之后，在第三绝缘层150上形成像素电极210以覆盖第三绝缘层150，同时覆盖第一像素限定层120的一部分。像素电极210可以被形成为半透明电极和反射电极的一种。然而，像素电极210可以由如上所述的各种材料形成，并且可以具有诸如单层或多层的各种可修改的结构。
[0112] 在形成像素电极210之后，在第一像素限定层120上方可以形成第二像素限定层130。第二像素限定层130可以形成为覆盖像素电极210的边缘。在图7中，示出了在第一像素限定层120的整个顶表面上方形成像素电极210。然而，像素电极210可以形成为覆盖第三绝缘层150并延伸以覆盖第一像素限定层120的一部分。因此，在第一像素限定层120上方形成的第二像素限定层130可以形成为覆盖像素电极210的边缘的一部分。
[0113] 形成在第一像素限定层120上方的第二像素限定层130通过具有与各个子像素对应的开口来限定像素，即，通过覆盖像素电极210的边缘并且暴露像素电极210的中心部分的开口来限定像素。另外，第二像素限定层130将像素电极210的端部与像素电极210上方的对电极230分开，从而防止在像素电极210的端部处发生电弧。
[0114] 在由第二像素限定层130中的开口限定的像素区域中可以形成包括EML的中间层220。OLED 200的中间层220可以包括低分子物质或高分子物质。然后，覆盖包括EML的中间层220并且与像素电极210相对的对电极230形成在基底100的整个表面上方。对电极230可以形成为半透明电极和反射电极中的一种。对电极230可以由如上描述的各种材料形成。对电极230的构造和材料不限于此，并且可以进行各种修改。
[0115] 在第三绝缘层150上方形成的OLED 200也具有基本上半圆的形状。即，第三绝缘层150的曲率中心O和OLED 200的对电极230的顶表面之间的距离基本上一致。因此，由于在任意视角处到曲率中心O的距离基本上一致，所以来自曲率中心O的发射光的距离基本相同，从而发射相同的光而在各个视角处没有色差和亮度偏差。
[0116] 换句话说，由于从特定位置看到的多个相应子像素的光学路径基本相同，所以在子像素之间不存在光学路径差异。因此，光通过具有基本相同颜色和亮度的OLED 200被发射到观察者，从而显著地减小了色差和亮度偏差。
[0118] 如上所述，根据至少一个实施例，提供一种能够减小根据视角的色差和亮度偏差的OLED显示器及其制造方法。
[0119] 应该理解的是，在此描述的示例性实施例应该仅被认为是描述性意义而不是为了限制的目的。在每个实施例中的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其它实施例中的其它相似特征或方面。
[0120] 虽然已经参照附图描述了所描述技术的一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节中进行各种改变。
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