一种OLED像素驱动电路及OLED显示器
专利汇可以提供一种OLED像素驱动电路及OLED显示器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种OLED 像素 驱动 电路 及OLED显示器，该驱动电路包括：所述第二 薄膜 晶体管的漏极分别与所述第三 薄膜晶体管 的源极和所述第五薄膜晶体管的源极连接，所述第三薄膜晶体管的栅极、所述第四薄膜晶体管的栅极、所述第五薄膜晶体管的栅极以及所述第六薄膜晶体管的栅极都接入控制 信号 ，所述第三薄膜晶体管的漏极分别与所述第一 有机发光 二极管 的 阳极 和所述第二有机 发光二极管 的 阴极 以及所述第六薄膜晶体管的源极连接；所述第五薄膜晶体管的漏极分别与所述第一 有机发光二极管 的阴极和所述第二有机发光二极管的阳极以及所述第四薄膜晶体管的源极连接。本发明的OLED像素驱动电路及OLED显示器，能够消除残影，提高显示效果。，下面是一种OLED像素驱动电路及OLED显示器专利的具体信息内容。
1.一种OLED像素驱动电路，其特征在于，包括：
第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、电容、第一有机发光二极管以及第二有机发光二极管；
所述第一薄膜晶体管的栅极接入扫描信号，所述第一薄膜晶体管的源极接入数据信号，所述第一薄膜晶体管的漏极分别与所述第二薄膜晶体管的栅极以及所述电容的一端连接；
所述第二薄膜晶体管的源极和所述电容的另一端都接入电源正电压，所述第二薄膜晶体管的漏极分别与所述第三薄膜晶体管的源极和所述第五薄膜晶体管的源极连接；
所述第三薄膜晶体管的栅极、所述第四薄膜晶体管的栅极、所述第五薄膜晶体管的栅极以及所述第六薄膜晶体管的栅极都接入控制信号，所述第三薄膜晶体管的漏极分别与所述第一有机发光二极管的阳极、所述第二有机发光二极管的阴极以及所述第六薄膜晶体管的源极连接；
所述第五薄膜晶体管的漏极分别与所述第一有机发光二极管的阴极、所述第二有机发光二极管的阳极以及所述第四薄膜晶体管的源极连接；
所述第六薄膜晶体管的漏极和所述第四薄膜晶体管的漏极都接入电源负电压。
2.如权利要求1所述的OLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管以及所述第六薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的OLED像素驱动电路，其特征在于，在显示当前帧图像时，所述控制信号为高电平；在显示下一帧图像时，所述控制信号为低电平。
4.如权利要求1所述的OLED像素驱动电路，其特征在于，所述OLED像素驱动电路还包括第七薄膜晶体管和第八薄膜晶体管；所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号；所述数据信号包括第一数据信号和第二数据信号；
所述第七薄膜晶体管的栅极接入所述第一控制信号，所述第七薄膜晶体管的源极接入第一数据信号；
所述第八薄膜晶体管的栅极接入所述第二控制信号，所述第八薄膜晶体管的源极接入第二数据信号；所述第一薄膜晶体管的源极分别与所述第七薄膜晶体管的漏极和所述第八薄膜晶体管的漏极连接；
所述第三薄膜晶体管的栅极和所述第四薄膜晶体管的栅极都接入所述第一控制信号；
所述第五薄膜晶体管的栅极以及所述第六薄膜晶体管的栅极都接入所述第二控制信号。
5.如权利要求4所述的OLED像素驱动电路，其特征在于，所述第七薄膜晶体管、所述第八薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管。
6.如权利要求4所述的OLED像素驱动电路，其特征在于，在显示当前帧图像时，所述第一控制信号为高电平，所述第二控制信号为低电平；在显示下一帧图像时，所述第二控制信号为高电平，所述第一控制信号为低电平。
7.如权利要求6所述的OLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一控制信号和所述第二控制信号均为方波信号，所述第一控制信号和所述第二控制信号的周期相同，极性相反。
8.如权利要求4所述的OLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一数据信号和所述第二数据信号均是根据所述第一有机发光二极管和所述第二有机发光二极管在相同灰阶下的亮度设置的，其中所述第一有机发光二极管和所述第二有机发光二极管在相同灰阶下的亮度相等。
9.如权利要求1所述的OLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管以及所述第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管以及非晶硅薄膜晶体管中的一种。
10.一种OLED显示器，其特征在于，包括如权利要求1至9任意一项所述的OLED像素驱动电路。
一种OLED像素驱动电路及OLED显示器
【技术领域】
AMOLED具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点，是目前平板显示技术中最受关注
的技术之一。
与所述第一有机发光二极管的阳极和所述第二有机发光二极管的阴极以及所述第六薄膜
晶体管的源极连接；
述第六薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管。
第一数据信号和第二数据信号；
第八薄膜晶体管的漏极连接；
述第一控制信号为低电平。
所述第一有机发光二极管和所述第二有机发光二极管在相同灰阶下的亮度相等。
均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管以及非晶硅薄膜晶体管中的一种。
了面板的显示效果。
【附图说明】
限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
管，所述第二薄膜晶体管T20为开关薄膜晶体管，所述电容C10为存储电容。具体地，所述第
二薄膜晶体管T20的栅极接入扫描信号Scan，源极接入数据信号Data，漏极电性连接第一薄
膜晶体管T10的栅极；所述第一薄膜晶体管T10的源极接入电源正电压OVDD，漏极电性连接
有机发光二极管D10的阳极；有机发光二极管D10的阴极接地。电容C10的一端电性连接第一
薄膜晶体管T10的栅极，另一端电性连接第一薄膜晶体管T10的源极。
Cst、第一有机发光二极管D1、以及第二有机发光二极管D2。其中所述第一薄膜晶体管T1为
驱动薄膜晶体管。OLED像素驱动电路输入有扫描信号Scan、数据信号Data以及控制信号SW。
述第二薄膜晶体管T2的栅极以及所述电容Cst的一端连接；
管T5的源极连接；
晶体管T3的漏极分别与所述第一有机发光二极管D1的阳极和所述第二有机发光二极管D2
的阴极以及所述第六薄膜晶体管T6的源极连接；
管T6均为P型薄膜晶体管。
晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管以及非晶硅薄膜晶体管中的一种。
似。
机发光二极管D2发光，第一有机发光二极管D1处于反偏状态。
象，如图6所示，本发明的OLED像素驱动电路还包括第七薄膜晶体管T7和第八薄膜晶体管
T8；所述控制信号包括第一控制信号SW1和第二控制信号SW2；所述数据信号包括第一数据
信号Data1和第二数据信号Data2；其中OLED像素驱动电路输入有第一数据信号Data、第二
数据信号Data2、第一控制信号SW1以及第二控制信号SW2。
体管T7的漏极和所述第八薄膜晶体管T8的漏极连接；
述第二控制信号SW2。
T4打开，第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6关闭，此时A点电压高于B点，驱动第一有机
发光二极管D1发光，而第二有机发光二极管D2处于反偏状态。
光，第一有机发光二极管D1处于反偏状态。
机发光二极管D1和所述第二有机发光二极管D2在相同灰阶下的亮度相同。
机发光二极管D2的亮度相等。第一有机发光二极管D1在测试灰阶下的亮度比第二有机发光
二极管D2的亮度小时，将第二数据信号调小，以使第一有机发光二极管D1在同一灰阶下的
亮度与第二有机发光二极管D2的亮度相等。
了面板的显示效果。
饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
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