专利汇可以提供一种钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料及其制备方法和有机发光二极管专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种钬钕共掺杂硫代 硅 酸钇上转换发光材料,其化学式为Y2-x-ySiS5∶xHo3+,yNd3+,其中0.01≤x≤0.1,0.01≤y≤0.06。该钬钕共掺杂硫代 硅酸 钇上转换发光材料可由红外至绿光的长波 辐射 激发,在490nm 波长 区由Ho3+离子5F3→5I8的跃迁辐射形成发射峰,可作为蓝光发光材料。本发明还提供了该钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法以及使用该钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的 有机发光 二极管 。,下面是一种钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料及其制备方法和有机发光二极管专利的具体信息内容。
1.一种钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料,其特征在于,其化学式为
3+ 3+
Y2-x-ySiS5∶xHo ,yNd ,其中0.01≤x≤0.1,0.01≤y≤0.06。
2.如权利要求1所述的钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料,其特征在于,所述x为
0.06,y为0.03。
3.一种钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)根据摩尔比为(2-x-y)∶2∶x∶y称取Y2S3,SiS2,Ho2S3和Nd2S3粉体,其中
0.01≤x≤0.1,0.01≤y≤0.06;
(2)将步骤(1)称取的粉体混合研磨20~60分钟,得到均匀的粉料前驱体;
(3)将步骤(2)所得前驱体在800~1000℃下灼烧0.5~5小时,之后降温到100~
500℃,保温0.5~3小时,然后随炉冷却至室温,得到钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材
3+ 3+
料,其化学式为Y2-x-ySiS5∶xHo ,yNd ,其中0.01≤x≤0.1,0.01≤y≤0.06。
4.如权利要求3所述的钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法,其特征在于,所述x为0.06,y为0.03。
5.如权利要求3所述的钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法,其特征在于,将步骤(1)称取的粉体在刚玉研钵中混合研磨。
6.如权利要求3所述的钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法,其特征在于,所述研磨时间为40分钟。
7.如权利要求3所述的钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述前驱体在980℃下灼烧3小时。
8.如权利要求3所述的钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法,其特征在于,将所述前驱体在980℃下灼烧3小时,之后冷却到250℃,再保温2小时,然后随炉冷却至室温,得到钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料。
9.如权利要求3所述的钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料的制备方法,其特征在于,步骤(3)进一步包括,将随炉冷却至室温后得到的块状钬钕共掺杂硫代硅酸钇上转换发光材料粉碎,得到粉体目标产物。
10.一种有机发光二极管,该有机发光二极管包括依次层叠的基板、阴极、有机发光层、透明阳极以及透明封装层,其特征在于,所述透明封装层中分散有钬钕共掺杂硫
3+ 3+
代硅酸钇上转换发光材料,其化学式为Y2-x-ySiS5∶xHo ,yNd ,其中0.01≤x≤0.1,
0.01≤y≤0.06。
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