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一种主动矩阵显示器件

阅读：990发布：2020-05-26

专利汇可以提供一种主动矩阵显示器件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种主动矩阵显示器件，包括背光模块与设置在背光模块上的像素单元层，所述像素单元层包括TFT模块和电致变色模块，每个像素单元包括TFT和电致变色器件；所述电致变色器件包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极间的电致变色材料层和固态电解质层；所述TFT的漏极通过连接孔与所述电致变色器件的阳极相连，所述TFT通过电压控制所述电致变色器件改变颜色和/或透射率，结构和制作工艺简单；所述电致变色材料为有机电致变色材料，响应速度快、色彩鲜明丰富；而且背光模块光源选择范围大，可以实现器件的柔性显示。，下面是一种主动矩阵显示器件专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种主动矩阵显示器件，包括背光模块与设置在背光模块上的像素单元层，其特征在于：所述像素单元层包括TFT模块和电致变色模块，每个像素单元包括TFT和电致变色器件；所述TFT与所述电致变色器件的阳极通过设置在所述TFT漏极上的连接孔相连接，所述TFT通过电压控制所述电致变色器件改变颜色和/或透射率；所述像素单元层中的TFT模块靠近所述背光模块设置。
2.根据权利要求1所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述像素单元层上设置有彩色滤光片。
3.根据权利要求1或2所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述背光源是有机电致发光器件（OLED）和/或发光电化学池（LEC）。
4.根据权利要求1或2所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述背光源是发光二极管（LED）和/或冷阴极萤光灯管（CCFL）。
5.根据权利要求1或2或4所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述背光模块还包括导光板。
6.根据权利要求3-5任一所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述TFT是非晶硅TFT、低温多晶硅TFT、有机TFT或者氧化物TFT。
7.根据权利要求1-6任一所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述电致变色器件包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极间的电致变色材料层和固态电解质层。
8.根据权利要求7所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述电致变色材料层为有机电致变色材料层。
9.根据权利要求8所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述电致变色材料层包括阳极显色聚合物层与阴极显色聚合物层，所述固态电解质层设置在所述阳极显色聚合物层与阴极显色聚合物层之间。
10.根据权利要求9所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述阳极显色聚合物和阴极显色聚合物不同，各自选自共轭高分子聚合物，和/或多种共轭高分子聚合物的混合物或共聚物。
11.根据权利要求10所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述共轭高分子聚合物为聚吡咯（PPy）及其衍生物、聚噻吩（PTh）及其衍生物或聚苯胺（PANI）及其衍生物。
12.根据权利要求9-11任一所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述固态电解质层是掺有碱金属或碱土金属可溶性盐的高分子凝胶。
13.根据权利要求12所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述固态电解质层是掺有锂盐的聚甲基丙烯酸甲酯、掺有锂盐的聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸)凝胶、掺有LiClO4的热塑性氯甲基环氧乙烷与环氧乙烷的共聚物中的一种或几种。
14.根据权利要求12或13所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述电致变色材料层通过电化学聚合、气相聚合、喷墨打印或喷铸的方法制备。
15.根据权利要求14所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述阳极显色聚合物层与所述阴极显色聚合物层的厚度均为100-5000nm。
16.根据权利要求15所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述阳极显色聚合物层与所述阴极显色聚合物层的厚度300-500nm。
17.根据权利要求12-15任一所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述固态电解质层通过丝网印刷、旋涂或喷墨打印的方法制备。
18.根据权利要求17所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述固态电解质层的厚度均为100-10000nm。
19.根据权利要求18所述的主动矩阵显示器件，其特征在于：所述固态电解质层为
300-600nm。

说明书全文

一种主动矩阵显示器件

技术领域

[0001] 本发明涉及电子领域，特别是一种带有电致变色器件的主动矩阵显示器件。

背景技术

[0002] 现有技术中全彩显示方案可分为主动发光和被动发光，被动发光的代表为现在已经技术成熟的液晶显示器，主动发光则为主动式驱动有机发光器件（英文全称为Active Matrix organic lighting emitting display,简称AMOLED）和场发射显示器。

[0003] OLED全彩化方法中RGB（三基色为Red、Green、Blue,简称RGB）像素并置法与彩色滤光片（英文全称为color filter，简称为CF）法是目前发展最成熟的两种方法。RGB像素并置法需要高精度的金属掩膜来实现高分辨率，成本很高，而且难以实现大面积的均匀制备，因此类似液晶面板领域全彩显示的彩色滤光片法得到了业界的重视，即白光OLED作为背光板起到液晶面板中背光板与液晶分子的作用，上面再加以滤光片以现实RGB子像素，这样能够很好的解决分辨率和大面积制备的问题。

[0004] 但对于AMOLED来说，是利用薄膜晶体管（英文全称为thin filmtransistor,简称为TFT）搭配电容存储信号来控制OLED的亮度灰阶表现，为了达到定电流驱动的目的，每个像素至少需要两个TFT和一个存储电容来构成。由TFT直接驱动OLED器件发光，必须采用电流驱动模式，对TFT的性能要求很高。在液晶领域广泛采用的非晶硅TFT无法应用于AMOLED，而需要工艺更复杂的低温多晶硅TFT或者氧化物半导体TFT，这样无疑增加了成本和技术难度，从而增加了OLED全彩化的成本。

[0005] 电致变色器件包括透明基板、透明电极、电致变色材料层和电解质层，在器件工作时，在两个透明电极之间加上一定的电压，电致变色材料在电压作用下发生稳定、可逆的光学属性（如反射率、透过率、吸收率等）的变化，在外观上表现为颜色和透明度的可逆变化，可以起到滤光片的作用。

[0006] 中国专利CN101859037A公开了一种液晶显示装置，包括背光模块和像素单元，每个像素单元又包括液晶和电致变色，通过第一控制子模块控制所述电致变色产生与图像像素的视频信号所对应的颜色，通过第二控制子模块控制所述液晶的转动从而控制光线的灰阶亮度。这种器件结构不仅需要两个电路模块来分别控制亮度和色彩，而且还需要灌装液晶，通过液晶的转动来控制亮度，结构和工艺复杂；而且液晶模块无法实现柔性显示，不符合现代显示技术的发展趋势。

发明内容

[0007] 为此，本发明所要解决的是现有显示技术中背光模块加滤光片结构的器件结构和工艺复杂的问题，提供一种新型主动矩阵显示器件。

[0008] 为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

[0009] 一种主动矩阵显示器件，包括背光模块与设置在背光模块上的像素单元层，所述像素单元层包括TFT模块和电致变色模块，每个像素单元包括TFT和电致变色器件；所述TFT与所述电致变色器件的阳极通过设置在所述TFT漏极上的连接孔相连接，所述TFT通过电压控制所述电致变色器件改变颜色和/或透射率；所述像素单元层中的TFT模块靠近所述背光模块设置。

[0010] 所述像素单元层上设置有彩色滤光片。

[0011] 所述背光源是有机电致发光器件（OLED）和/或发光电化学池（LEC）。

[0012] 所述背光源是发光二极管（LED）和/或冷阴极萤光灯管（CCFL）。

[0013] 所述背光模块还包括导光板。

[0014] 所述TFT是非晶硅TFT、低温多晶硅TFT、有机TFT或者氧化物TFT。

[0015] 所述电致变色器件包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极间的电致变色材料层和固态电解质层。

[0016] 所述电致变色材料层为有机电致变色材料层。

[0017] 所述电致变色材料层包括阳极显色聚合物层与阴极显色聚合物层，所述固态电解质层设置在所述阳极显色聚合物层与阴极显色聚合物层之间。

[0018] 所述阳极显色聚合物和阴极显色聚合物不同，各自选自共轭高分子聚合物，和/或多种共轭高分子聚合物的混合物或共聚物。

[0019] 所述共轭高分子聚合物为聚吡咯（PPy）及其衍生物、聚噻吩（PTh）及其衍生物或聚苯胺（PANI）及其衍生物。

[0020] 所述固态电解质层是掺有碱金属或碱土金属可溶性盐的高分子凝胶。

[0021] 所述固态电解质层是掺有锂盐的聚甲基丙烯酸甲酯、掺有锂盐的聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸)凝胶、掺有LiClO4的热塑性氯甲基环氧乙烷与环氧乙烷的共聚物中的一种或几种。

[0022] 所述电致变色材料层通过电化学聚合、气相聚合、喷墨打印或喷铸的方法制备。

[0023] 所述阳极显色聚合物层与所述阴极显色聚合物层的厚度均为100-5000nm。

[0024] 所述阳极显色聚合物层与所述阴极显色聚合物层的厚度300-500nm。

[0025] 所述固态电解质层通过丝网印刷、旋涂或喷墨打印的方法制备。

[0026] 所述固态电解质层的厚度均为100-10000nm。

[0027] 所述固态电解质层为300-600nm。

[0028] 本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：

[0029] 1、一种主动矩阵显示器件，包括背光模块与像素单元层，所述像素单元层包括TFT模块和电致变色模块，每个像素单元包括TFT和电致变色器件，使用所述TFT通过电压控制所述电致变色器件改变颜色和/或透射率，无需使用液晶来控制灰阶亮度，结构和制作工艺简单。

[0030] 2、所述TFT可以使用成本低廉、工艺成熟的非晶硅TFT，不但可以降低成本，还可以降低工艺难度。

[0031] 3、若选用OLED作为背光源，可以选用无需引入高精度的金属掩膜，工艺简单的OLED照明器件，不但可以实现大尺寸显示，而且使得本发明所述主动矩阵显示器件更加轻薄，工艺更加简单。

[0032] 4、选用柔性OLED作为背光源，可以实现器件的柔性显示；对于LED和CCFL等点光源或线光源来说，存在发光不均匀的问题，该类光源作为背光源就需要在背光模块中设置导光板，将电光源或者线光源转换成发光均匀的面光源，而OLED作为面光源，背光模块中无需设置导光板，工艺更加简单，而且还有效的降低了制作成本。

[0033] 5、所述电致变色材料为有机电致变色材料，相对于无机电致变色材料来说响应速度快、色彩鲜明丰富。附图说明

[0034] 为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中

[0035] 图1为本发明所述主动矩阵显示器件的模块结构示意图；

[0036] 图2为本发明实施例1的结构示意图；

[0037] 图3为本发明实施例2的结构示意图；

[0038] 图4是对比例1中有源矩阵液晶显示器件的结构示意图；

[0039] 图5是对比例2中有源矩阵OLED显示器件的结构示意图。

[0040] 图中附图标记表示为：1-背光模块、2-TFT模块、3-电致变色模块、4-彩色滤色片、101-基板、102-OLED阳极、103-功能层、104-OLED阴极、105-OLED封装层、106-第二TFT、
201-第一TFT、202-接触孔、203-电致变色器件的阳极、204-绝缘和平坦化层、301-阳极性显色聚合物层、302-阴极性显色聚合物层、303-固态电解质层、304-电致变色器件的阴极、305-钝化层、306-平坦化层、307-电致变色器件的封转层、401-RGB区域、402-黑矩阵、
501-第一偏光片、502-第二偏光片、503-下玻璃、504-显示电极、505-存储电容、506-液晶、507-支撑、508-胶框、509-配向膜、510-公共电极、511-保护膜、512-上玻璃。

具体实施方式

[0041] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

[0042] 图1是本发明所述主动矩阵显示器件的模块结构示意图。其中背光模块1中的背光源可以是有机电致发光器件（OLED）、发光二极管（LED）、发光电化学池（LEC）或者冷阴极萤光灯管（CCFL）等能够发出白光的光源，OLED具有轻薄、省电、抗震、可实现柔性显示等优点，而且OLED为面光源，不需要在背光板上设置导光板；在OLED器件中，照明器件的结构和工艺更加简单，成本较低，所以在这里优选白光OLED照明器件作为背光源。若使用点光源或者线光源，为了使背光模块1发光均匀，背光模块1中还应设置导光板。TFT模块2用来驱动电致变色模块3，第一TFT201可以是常规的非晶硅TFT、低温多晶硅TFT、有机TFT（OTFT）以及氧化物TFT等，其功能是为电致变色模块3提供电压驱动。每个像素单元由TFT模块中的晶体管所施加的电压控制该像素单元中的电致变色器件来控制所显示的颜色和/或透射率。所述电致变色器件由电致变色器件的阳极203、电致变色器件的阴极304以及它们之间的阳极性显色聚合物层301、阴极性显色聚合物层302、固态电解质层303构成，当电压变化时，其颜色和/或透过率变化，用以过滤从白光背光源发出的白光，实现各种颜色和灰度的显示。

[0043] 根据电致变色材料的选择不同，该模块的设计可以但不限于以下两种情况：

[0044] 1.采用可见光波段透射率随电压的变化而整体变化的电致变色材料。此时该模块可分为两个子模块：传统全彩滤光片和电致变色模块，通过电致变色材料调节灰度，而像素颜色仍由传统的全彩滤光片调节。

[0045] 2.采用通过调节电压即可调节颜色和灰度的电致变色材料，而不需额外的RGB滤光片。

[0046] 针对上述两种情况，对本发明实施方式作进一步地详细描述。

[0047] 下述实施例中，聚[双(3-,4-乙烯二氧噻吩)-N-甲基咔唑]、聚（N-磺丙氧基-丙撑二氧吡咯）、掺有锂盐的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚（5,5-二甲撑二氧噻吩）（简写为PBiEDOT）、聚（二-二甲撑二氧噻吩-N-甲基咔唑）（简写为PBEDOT-NMeCz）以及PBiEDOT与PBEDOT-NMeCz共聚物的制备方法参见文献：《chemistry of materials（材料化学）》的2004年第16卷，4401-4412页；聚烯丙基胺盐酸盐（PAH）制备方法参见文献：《Displays（显示器件）》的2006年第27卷，2-18页。

[0048] 滤光片即液晶行业采用的常规滤色片，购自住友化学。

[0049] 实施例1

[0050] 本实施例是主动矩阵显示器件A的制备实施例，如图2所示，所述主动矩阵显示器件由以下四部分组成：背光模块1、TFT模块2、电致变色模块3、传统滤光片4。

[0051] 其中，背光源是白光OLED照明器件，还可以是任何平面的白光光源，如LED，LEC，CCFL等，均能够实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。若使用点光源或者线光源，为了使背光模块1发光均匀，背光模块1中还应设置导光板。白光OLED照明器件由玻璃或柔性基板101、OLED阳极102、功能层103（功能层103包括空穴注入层、空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入层等中的一种或多种组合）、OLED阴极104和封装层105组成，封装方式可以是玻璃盖或薄膜封装。背光模块1通过键合、贴合等方式与TFT模块2连接。

[0052] TFT模块2是制备于玻璃或透明柔性基板上的薄膜晶体管，可以是非晶硅TFT、低温多晶硅TFT、高温多晶硅、有机TFT或者氧化物TFT，本实施例中采用技术成熟的非晶硅薄膜晶体管。图中第一TFT201的漏极通过接触孔202与电致变色器件的阳极203相连。在第一TFT201的背板上除电致变色器件的阳极203外的其他区域制备一层绝缘和平坦化层204，覆盖除电致变色器件的阳极203外的其他区域，用以定义像素单元。

[0053] 在像素单元中，电致变色器件由电致变色器件的阳极203、电致变色器件的阴极304、阳极性显色聚合物层301，阴极性显色聚合物层302和固态电解质层303组成。本实施例中，电致变色器件的阳极203和电致变色器件的阴极304均为透明氧化铟锡（ITO）电极，阳极性显色聚合物层301和阴极性显色聚合物层302通过电化学聚合的方法形成，但还可以通过气相聚合、喷墨打印、喷铸等方式形成，同样能达到本发明的目的，属于本发明的保护范围。本实施例中阳极性显色聚合物层301的材料是聚[双(3-,4-乙烯二氧噻吩)-N-甲基咔唑]，相应的阴极性显色聚合物层302的材料是聚烯丙基胺盐酸盐（PAH），相应的固态电解质层303的材料是掺有锂盐的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）。阳极性显色聚合物层301所用材料还可以是聚(3,4乙撑二氧噻吩):聚对苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）等，相应的阴极性显色聚合物层302的材料还可以是PEDOT的十六烷基衍生物，聚烯丙基胺盐酸盐（PAH）等，相应的固态电解质层303材料还可以是聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸)凝胶等，均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。本实施例中阳极性显色聚合物层301和阴极性显色聚合物层302膜厚为500nm，固态电解质层303膜厚为600nm。

[0054] 在本发明的其他实施例中，阳极性显色聚合物层301和阴极性显色聚合物层302先在电致变色器件的阳极203上交替沉积；然后再制作固态电解质层303后，再按照电致变色器件的阳极203上阳极性显色聚合物层301和阴极性显色聚合物层302的沉积顺序，对称地交替沉积阳极性显色聚合物层301和阴极性显色聚合物层302；最后，再用溅射或喷雾热分解法制备电致变色器件的阴极304。

[0055] 之后，在电致变色器件的阴极304上覆盖钝化层305和平坦化层306，再进行施行封装层307，封装的方式可以是加盖封装，也可以是薄膜封装。最后在封装层307上贴合彩色滤光片4，使RGB区域401对准电致变色器件定义的像素单元区域，黑矩阵402遮住其他区域。滤光片的选择和贴合方法采用本领域的惯常方法。

[0056] 器件工作时，薄膜晶体管控制电致变色器件阴阳极间电压，使其在0-2V间变化，电致变色器件的透射率会随着电压的增大而下降，带来灰阶的变化，不同灰阶亮度的白光透过彩色滤光片即会产生不同亮度的红色、绿色和蓝色，三种不同颜色混合后可得到一个彩色的色点投影到显示器面板上。与全彩液晶显示器件相比，所述主动矩阵显示器件只需利用所述电致变色器件便可以达到灰阶控制的目的，而所述电致变色器件制备工艺简单，只需要进行多层有机材料的沉积便可以制成，而且所述主动矩阵显示器件还可以制成柔性显示器件；与全彩AMOLED相比，所述主动矩阵显示器件无需采用高性能电流驱动的TFT，工艺简单，成本低廉。

[0057] 实施例2

[0058] 本实施例是主动矩阵显示器件B的制备实施例，如图3所示，所述主动矩阵显示器件由以下三部分组成：背光模块1、TFT模块2、电致变色模块3。

[0059] 其中，背光模块1和TFT模块2的选择和制备方式同实施例1，唯一不同的是在第一TFT201的背板上除电致变色器件的阳极203外的其他区域制备一层透射率极低的平坦化树脂作为黑矩阵402，覆盖除电致变色器件的阳极203外的其他区域，用以定义电致变色像素单元，同时也阻挡器件外区域的漏光。

[0060] 电致变色器件主要由电致变色器件的阳极203、电致变色器件的阴极304、阳极性显色聚合物层301，固态电解质层303和阴极性显色聚合物层302组成。本实施例中，电致变色器件的阳极203和阴极304均为透明氧化铟锡（ITO）电极，选择聚（N-磺丙氧基-丙撑二氧吡咯）作为阳极性显色聚合物层301的材料，其厚度为300nm。该材料选择并非仅限此种，带隙Eg>2.8eV的有机电致变色材料均能实现本发明的目的，属于本发明的保护范围；选择聚（5,5-二甲撑二氧噻吩）（简写为PBiEDOT）与聚（二-二甲撑二氧噻吩-N-甲基咔唑）（简写为PBEDOT-NMeCz）的共聚物作为阴极性显色聚合物层302的材料，其厚度为300nm。阳极性显色聚合物层301和阴极性显色聚合物层302采用气相聚合的方法制备，但还可以通过气相聚合、喷墨打印、喷铸等方式形成，同样能达到本发明的目的，属于本发明的保护范围。R、G、B颜色由阴极性显色聚合物层302中共聚物PBiEDOT:PBEDOT-NMeCz的比例来调节，其中蓝色像素比例范围为10:0-9:1、红色像素为6:4-4:6、绿色像素为
0.5:9.5-0:10。本实施例中蓝色像素中PBiEDOT:PBEDOT-NMeCz的比值为为10:0，红色像素中PBiEDOT:PBEDOT-NMeCz的比值为5:5，绿色像素中PBiEDOT:PBEDOT-NMeCz的比值为
0:10。

[0061] 本发明中阳极性显色聚合物层301和阴极性显色聚合物层302的材料也并非仅限此体系，还可以为聚烷撑二氧噻吩（PXDOT）及其衍生物、聚苯胺（PANI）、聚（N-甲基吡咯）、聚（3-甲基噻吩）、聚烷撑二氧吡咯（PXDOP）及其衍生物中的一种或多种，或根据该领域的现状和公知，可作出各种选择，同样能达到本发明的目的，属于本发明的保护范围。

[0062] 固态电解质层303的厚度范围为100-10000nm，其材料为固体或凝胶状电解质，可以但不限于采用掺有锂盐的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA），聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸)凝胶，掺有LiClO4的热塑性氯甲基环氧乙烷与环氧乙烷的共聚物等，本实施例优选采用掺有锂盐的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA），厚度为600nm，采用旋涂的方式制备，还可用但不限于丝网印刷、喷墨打印等方式制备，同样能实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。所述电致变色器件中的阳极性显色聚合物层301，固态电解质层303和阴极性显色聚合物层302的层叠次序和制备工艺同实施例1，最后，再用溅射或喷雾热分解法制备电致变色器件的阴极304。

[0063] 之后，在电致变色器件的阴极304上覆盖钝化层305和平坦化层306，再进行施行封装层307，封装的方式可以是加盖封装，也可以是薄膜封装。

[0064] 实施例3

[0065] 本实施例是主动矩阵显示器件C的制备实施例，所述主动矩阵显示器件由以下两部分组成：背光模块1和电致变色模块3。

[0066] 背光模块1包括白光LED平面照明器件和导光板，具体实施方式同已公知技术，电致变色模块3设置在所述LED平面照明器件上，具体实施方式同实施例2中电致变色模块3的制备方法。

[0067] 实施例4

[0068] 本实施例是主动矩阵显示器件D的制备实施例，所述主动矩阵显示器件由以下两部分组成：背光模块1和电致变色模块3。

[0069] 背光模块1为白光LEC器件，具体实施方式同已公知技术，电致变色模块3设置在所述白光LEC器件上，具体实施方式同实施例2中电致变色模块3的制备方法。

[0070] 实施例5

[0071] 本实施例是主动矩阵显示器件E的制备实施例，所述主动矩阵显示器件由以下两部分组成：背光模块1和电致变色模块3。

[0072] 背光模块1包括白光冷阴极萤光灯管（CCFL）和导光板，具体实施方式同已公知技术，电致变色模块3设置在所述白光冷阴极萤光灯管（CCFL）上，具体实施方式同实施例2中电致变色模块3的制备方法。

[0073] 上述实施例中所述阳极显色聚合物和阴极显色聚合物不同，各自选自一种共轭高分子聚合物或几种该类型聚合物的混合物或共聚物，如聚吡咯（PPy）及其衍生物、聚噻吩（PTh）及其衍生物（包括烷氧基取代的PTh衍生物，如聚乙撑二氧噻吩等）、聚苯胺（PANI）及其衍生物等，包括但不限于聚[双(3-,4-乙烯二氧噻吩)-N-甲基咔唑]、聚(3,4乙撑二氧噻吩):聚对苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）、聚烷撑二氧噻吩（PXDOT）及其衍生物、聚（N-磺丙氧基-丙撑二氧吡咯）、聚苯胺（PANI）、聚（N-甲基吡咯）、聚（3-甲基噻吩）、聚烷撑二氧吡咯（PXDOP）及其衍生物中的一种或几种，均能实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。

[0074] 所述固态电解质层是一种掺有碱金属或碱土金属可溶性盐的高分子凝胶，如掺有锂盐的聚甲基丙烯酸甲酯、聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸)凝胶、掺有LiClO4的热塑性氯甲基环氧乙烷与环氧乙烷的共聚物中的一种或几种，均能实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。

[0075] 为了进一步比较本发明所述主动矩阵显示器件与现有技术中背光模块加滤光片结构的器件结构的性能，设计了如下对比例。

[0076] 对比例1

[0077] 本对比例是有源矩阵液晶显示器件F的制备实施例，如图4所示，包括背光模块1和显示模块，背光模块1的制备同实施例1，设置在背光模块1上的显示模块包括依次设置的第一偏光片501和下玻璃503，设置在下玻璃503上的第一TFT201、存储电容505、显示电极504、两层配向膜509，两层配向膜509之间还设置有液晶506和支撑507，并通过胶框508来封装；配向膜509上依次设置有公共电极510、保护膜511、彩色滤色片401和黑矩阵
402、下玻璃512以及第二偏光片502，具体工艺步骤同已经公知的制备方法。

[0078] 对比例2

[0079] 本对比例是有源矩阵OLED全彩显示器件G（背光模块加滤光片结构）的制备实施例，如图5所示。在基板101上设置有第二TFT106，第二TFT106上设置有依次设置有OLED阳极102、功能层103、阴极104、保护膜511、OLED封装层105；第二TFT106的漏极通过接触孔与OLED的阳极102相连；第二TFT106上OLED阳极102未覆盖区域还设置有绝缘和平坦化层204，OLED封装层105上设置有黑矩阵402和滤色片的RGB区域401。具体工艺步骤同已经公知的制备方法

[0080] 其中，基板101为玻璃或柔性基板；由于OLED器件为电流驱动器件，所以对TFT的半导体层的载流子浓度要求很高，因此在本对比例中第二TFT106必须采用低温多晶硅TFT或者氧化物TFT，而这两种TFT的工艺复杂，制作难度大，成本高；功能层103包括空穴注入层、空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入层等中的一种或多种组合；OLED阳极102，功能层103、以及OLED阴极104一起构成OLED器件，该OLED器件必须通过精细的掩膜定义其图形，移动掩膜或者基板的对位系统要求具有极高的精确度，而且掩膜开口尺寸易产生误差，易发生阻塞和污染，因此所述掩膜的制备和维护成本非常高，技术难度很大。

[0081] 通过光谱光度计测试器件的亮度；通过响应时间测试仪测试器件的响应时间；通过功耗仪测试器件的功率；通过光谱光度计测试器件亮暗比，从而推算对比度。

[0082] 上述实施例与对比例的器件性能如下表所示：

[0083]亮度(cd/m2) 响应时间(ms) 功率(W) 对比度
器件A 200 90 1.5 1000:1
器件B 250 50 1.5 2000:1
器件C 200 50 3 2000:1
器件D 90 50 1 2000:1
器件E 100 50 4 2000:1
器件F 200 20 3 5000:1
器件G 400 0.01 2.5 10000:1

[0084]

[0085] 可见，在亮度、响应时间和对比度基本达到LCD水平的情况下，本发明所提供的器件功耗有显著降低。此外本发明所提供的器件制备工艺简单，可实现柔性显示，而且成本较传统白光OLED+滤光片方案有大幅降低。

[0086] 显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

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