专利汇可以提供降低导通电阻的SiC MPS结构及制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种降低导通 电阻 的SiC MPS结构及制备方法,包括:N型衬底和成型于所述N型衬底上表面的N型 外延 层,所述N型外延层的上表面开设有沟槽;所述沟槽的底部成型有P型掺杂区;所述N型外延层的上表面以及所述沟槽内成型有 正面 金属层,所述正面金属层与所述N型外延层肖特基 接触 ,所述正面金属层与所述P型掺杂区 欧姆接触 。本发明节省了P型注入和P型注入区的欧姆接触区域的 光刻 制程;改善了MPS在低导通状态的导通电阻增加的问题。,下面是降低导通电阻的SiC MPS结构及制备方法专利的具体信息内容。
1.一种降低导通电阻的SiC MPS结构,其特征在于,包括:N型衬底和成型于所述N型衬底上表面的N型外延层,所述N型外延层的上表面开设有沟槽;
所述沟槽的底部成型有P型掺杂区;
所述N型外延层的上表面以及所述沟槽内成型有正面金属层,所述正面金属层与所述N型外延层肖特基接触,所述正面金属层与所述P型掺杂区欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的降低导通电阻的SiC MPS结构,其特征在于,所述N型衬底的下表面成型有背面金属层,所述背面金属层与所述N型衬底的下表面欧姆接触。
3.一种降低导通电阻的SiC MPS结构的制备方法,其特征在于,包括:
步骤1:在晶圆的上表面沉积一层SiO2层,根据沟槽所需开设的位置对SiO2层进行刻蚀,裸露出对应位置的N型外延层的上表面,所述晶圆包括N型衬底及N型衬底上表面的N型外延层;
步骤2:对裸露的N型外延层的上表面进行刻蚀,形成沟槽;
步骤3:向沟槽底部进行P型掺杂形成P型掺杂区,并去除SiO2层;
步骤4:在晶圆的表面形成一层炭膜,进行高温回火后去除所述炭膜;
步骤5:在沟槽的侧壁形成SiO2层或阻挡层;
步骤6:在所述晶圆上表面沉积第一金属层并进行刻蚀,利用选择性金属化技术进行第一次金属回火,只在P型掺杂区上形成欧姆接触的金属硅化物层;
步骤7:去除未形成金属硅化物的第一金属层,去除沟槽侧壁的SiO2层或阻挡层;
步骤8:在所述晶圆上表面沉积第二金属层并进行第二次金属回火,在所述晶圆上表面除所述金属硅化物以外的区域形成肖特基接触的正面金属层;
步骤9:在所述晶圆的下表面进行金属沉积及回火,形成欧姆接触的背面金属层。
4.根据权利要求3所述的降低导通电阻的SiC MPS结构的制备方法,其特征在于,所述步骤1中,通过化学气相沉积方式沉积SiO2层,根据沟槽所需开设的位置制备对准层光罩对SiO2层进行光刻,裸露出对应位置的N型外延层的上表面。
5.根据权利要求3所述的降低导通电阻的SiC MPS结构的制备方法,其特征在于,所述步骤2包括:对裸露的N型外延层的上表面进行干法刻蚀,干法刻蚀中调整SiO2层与N型外延层的刻蚀比例,确保SiO2层的残留厚度能够阻挡离子植入。
6.根据权利要求3所述的降低导通电阻的SiC MPS结构的制备方法,其特征在于,所述步骤3包括:通过高温离子植入的方式向沟槽底部进行P型掺杂形成P型掺杂区,并以湿法刻蚀的方式去除SiO2层。
7.根据权利要求3所述的降低导通电阻的SiC MPS结构的制备方法,其特征在于,所述步骤4中:所述炭膜通过在晶圆的表面利用沉积或烧结光刻胶的方式形成。
8.根据权利要求3所述的降低导通电阻的SiC MPS结构的制备方法,其特征在于,所述步骤5包括:以热氧化或沉积方式在晶圆的上表面和沟槽内形成一层SiO2层或阻挡层并以干法刻蚀的方式去除,调整干法刻蚀的各向异性,确保沟槽的侧壁留有SiO2层或阻挡层。
9.根据权利要求3所述的降低导通电阻的SiC MPS结构的制备方法,其特征在于,所述步骤6包括:
在所述晶圆上表面沉积第一金属层,在第一金属层上涂布光刻胶或非相性填充物,并进行刻蚀,露出沟槽外凸台上表面的第一金属层;
通过金属刻蚀去除沟槽外凸台上表面的第一金属层,并去除沟槽内的光刻胶或非相性填充物;
利用选择性金属化方法进行第一次金属回火,只在P型掺杂区上形成欧姆接触的金属硅化物层。
10.根据权利要求3所述的降低导通电阻的SiC MPS结构的制备方法,其特征在于,所述步骤7包括:以湿法刻蚀去除未形成金属硅化物的第一金属层,并去除沟槽侧壁的SiO2层或阻挡层。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
高性能PA66复合材料及其产品 | 2020-05-08 | 993 |
一种偏光背光源及液晶显示装置 | 2020-05-08 | 639 |
滑动构件 | 2020-05-08 | 638 |
一种显示器件及制备有机发光二极管显示面板的方法 | 2020-05-11 | 710 |
摄像模组及其电气支架和组装方法 | 2020-05-11 | 753 |
一种具有取向导热特性的石墨烯气凝胶相变复合材料及其制备方法 | 2020-05-08 | 107 |
一种磁化矢量测量方法 | 2020-05-08 | 591 |
二维各向异性网格单元度量张量场光滑化方法 | 2020-05-08 | 15 |
一种新型自配向添加剂及其制备方法与应用 | 2020-05-08 | 273 |
用于热成型玻璃工件的方法和设备及热成型的玻璃容器 | 2020-05-08 | 360 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。