1.一种相变存储器设备，包括：
存储器阵列，所述存储器阵列包括：
第一本地位线，连接到第一存储器单元，所述第一存储器单元包括BJT技术中的第一选择器，所述第一选择器被布置为与第一相变元件串联，所述第一相变元件具有与第一逻辑数据相关联的第一电阻值，其中所述第一本地位线具有第一寄生电容；
第二本地位线，连接到第二存储器单元，所述第二存储器单元包括BJT技术中的第二选择器，所述第二选择器被布置为与第二相变元件串联，所述第二相变元件具有与所述第一电阻值不同的第二电阻值，所述第二电阻值与第二逻辑数据相关联，其中所述第二本地位线具有第二寄生电容；
第一主位线，具有第三寄生电容；以及
第二主位线，具有第四寄生电容；
电源线，被设计为提供第一电源电压；
第一预充电开关，在所述第一主位线和所述电源线之间；
第二预充电开关，在所述第二主位线和所述电源线之间；
第一本地开关，在所述第一本地位线和所述第一主位线之间；
第二本地开关，在所述第二本地位线和所述第二主位线之间；
控制器，可操作地耦合到所述第一预充电开关和所述第二预充电开关的相应的控制端子以及所述第一本地开关和所述第二本地开关的相应的控制端子，所述控制器被配置为：
在第一瞬时，闭合所述第一预充电开关和所述第二预充电开关，用于以所述第一电源电压对所述第三寄生电容和所述第四寄生电容进行充电；
在时间上处于所述第一瞬时之后的第二瞬时，断开所述第一预充电开关和所述第二预充电开关，并且闭合所述第一本地开关和所述第二本地开关，用于使用所述第三寄生电容和所述第四寄生电容的电压来对所述第一寄生电容和所述第二寄生电容进行充电；以及在时间上处于所述第二瞬时之后的第三瞬时，激活所述第一选择器，以便使所述第一寄生电容和所述第三寄生电容能够通过所述第一存储器单元以第一放电速率放电，所述第一放电速率是所述第一电阻值的函数，并且激活所述第二选择器，以使所述第二寄生电容和所述第四寄生电容能够通过所述第二存储器单元以第二放电速率放电，所述第二放电速率是所述第二电阻值的函数；以及
读取级，被耦合到所述存储器阵列，并且被配置为通过比较所述第一充电速率和所述第二充电速率来读取包含在所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的所述逻辑数据。
2.根据权利要求1所述的相变存储器设备，其中所述读取级具有第一输入端子和第二输入端子；
其中所述第一寄生电容和所述第三寄生电容两者都被耦合到接地端子和第一中间节点；
其中所述第二寄生电容和所述第四寄生电容两者都被耦合到所述接地端子和第二中间节点；
其中所述相变存储器设备进一步包括第一主选择开关和第二主选择开关，所述第一主选择开关在所述第一输入端子和所述第一中间节点之间，所述第二主选择开关在所述第二输入端子和所述第二中间节点之间；
其中所述控制器进一步被配置为：在所述第二瞬时和所述第三瞬时之间的或者与所述第二瞬时同时的第四瞬时，闭合所述第一主选择开关和所述第二主选择开关，用于在所述第一输入端子生成第一电压并且在所述第二输入端子生成第二电压，其中所述第一电压根据所述第一放电速率随时间减小，并且所述第二电压根据所述第二放电速率随时间减小；
以及
其中所述比较包括比较所述第一电压和所述第一电压。
3.根据权利要求2所述的相变存储器设备，其中所述读取级包括读出放大器，所述读出放大器包括：
第一输入端子，被耦合到所述读取级的所述第一输入端子；
第二输入端子，被耦合到所述读取级的所述第二输入端子；
第一反相器，具有输入端子和输出端子，所述输入端子被耦合到所述读出放大器的所述第一输入端子，所述输出端子被耦合到所述读出放大器的所述第二输入端子；以及第二反相器，具有输入端子和输出端子，所述输入端子被耦合到所述读出放大器的所述第二输入端子，所述输出端子被耦合到所述读出放大器的所述第一输入端子。
4.根据权利要求3所述的相变存储器设备，进一步包括电压比较器，所述电压比较器具有第一比较输入和第二比较输入，所述第一比较输入被耦合到所述第一反相器的输出端子，所述第二比较输入被耦合到所述第二反相器的输出端子。
5.根据权利要求4所述的相变存储器设备，其中所述读出放大器进一步包括第一补偿电容器和第二补偿电容器，所述第一补偿电容器在所述第一反相器的输出端子和所述读出放大器的第二输入端子之间，所述第二补偿电容器在所述第二反相器的输出端子和所述读出放大器的第一输入端子之间；以及
其中所述电压比较器的第一比较输入被连接在所述第一反相器的输出端子和所述第一补偿电容器之间，并且所述电压比较器的第二比较输入被连接在所述第二反相器的输出端子和所述第二补偿电容器之间。
6.根据权利要求3所述的相变存储器设备，其中所述读取级进一步包括：
第一耦合电容器，在所述读取级的第一输入端子和所述读出放大器的第一输入端子之间；以及
第二耦合电容器，在所述读取级的第二输入端子和所述读出放大器的第二输入端子之间；
其中由第二电源电压对所述第一反相器和所述第二反相器供电，所述第二电源电压比所述第一电源电压低。
7.根据权利要求6所述的相变存储器设备，其中所述读取级进一步包括：
第一耦合开关，在所述读取级的第一输入端子和所述第一耦合电容器之间；以及第二耦合开关，在所述读取级的第二输入端子和所述第二耦合电容器之间；
其中所述控制器进一步被配置为：在所述第三瞬时之后的第五瞬时，断开所述第一耦合开关和所述第二耦合开关，用于中断在所述读取级的第一输入端子处的所述第一电压随时间的所述减小，以及中断在所述读取级的第二输入端子处的所述第二电压随时间的所述减小。
8.根据权利要求7所述的相变存储器设备，进一步包括：
第一电压钳位开关，在所述电源线和所述读取级的第一输入端子之间，所述第一电压钳位开关与串联的所述第一预充电开关和所述第一主选择开关并联；以及第二电压钳位开关，在所述电源线和所述读取级的第二输入端子之间，所述第二电压钳位开关与串联的所述第二预充电开关和所述第二主选择开关并联。
9.根据权利要求8所述的相变存储器设备，进一步包括：
读取开关，具有第一传导端子和第二传导端子，所述第一传导端子被连接在所述第一耦合开关和所述第一耦合电容器之间，所述第二传导端子被连接在所述第二耦合开关和所述第二耦合电容器之间；
第一平衡开关，与所述第一反相器并联；以及
第二平衡开关，与所述第二反相器并联。
10.根据权利要求8所述的相变存储器设备，其中所述控制器进一步被配置为：
在所述第一瞬时和所述第二瞬时之间的瞬时，闭合所述第一耦合开关和所述第一电压钳位开关，以便以所述第一电源电压对所述第一耦合电容器进行充电；
在所述第一瞬时和所述第二瞬时之间的瞬时，闭合所述第二耦合开关和所述第二电压钳位开关，用于以所述第一电源电压对所述第二耦合电容器进行充电；以及在所述第四瞬时和所述第三瞬时之间的第六瞬时，断开所述第一耦合开关和所述第二耦合开关。
11.根据权利要求10所述的相变存储器设备，进一步包括：
读取开关，具有第一传导端子和第二传导端子，所述第一传导端子被连接在所述第一耦合开关和所述第一耦合电容器之间，所述第二传导端子被连接在所述第二耦合开关和所述第二耦合电容器之间；
第一平衡开关，与所述第一反相器并联；以及
第二平衡开关，与所述第二反相器并联，
所述控制器进一步被配置为：
在所述第五瞬时之后的第七瞬时，断开所述第一平衡开关和所述第二平衡开关，使所述读出放大器进入亚稳定平衡的状态，以及
在与所述第七瞬时同时的或者所述第七瞬时之后的第八瞬时，闭合所述读取开关，将所述第一耦合电容器和所述第二耦合电容器串联连接在一起，并且因此使所述读出放大器进入稳定平衡的状态。
12.一种用于读取存储在相变存储器设备中的逻辑数据的方法，所述相变存储器设备包括：
存储器阵列，所述存储器阵列包括：
第一本地位线，连接到第一存储器单元，所述第一存储器单元包括BJT技术中的第一选择器，所述第一选择器被布置为与第一相变元件串联，所述第一相变元件具有与第一逻辑数据相关联的第一电阻值，其中所述第一本地位线具有第一寄生电容；
第二本地位线，连接到第二存储器单元，所述第二存储器单元包括BJT技术中的第二选择器，所述第二选择器被布置为与第二相变元件串联，所述第二相变元件具有与所述第一电阻值不同的第二电阻值，所述第二电阻值与第二逻辑数据相关联，其中所述第二本地位线具有第二寄生电容；
第一主位线，具有第三寄生电容；以及
第二主位线，具有第四寄生电容；
电源线，被设计为提供第一电源电压；
第一预充电开关，在所述第一主位线和所述电源线之间；
第二预充电开关，在所述第二主位线和所述电源线之间；
第一本地开关，在所述第一本地位线和所述第一主位线之间；
第二本地开关，在所述第二本地位线和所述第二主位线之间；所述方法包括：
在第一瞬时，闭合所述第一预充电开关和所述第二预充电开关，以便以所述第一电源电压对所述第三寄生电容和所述第四寄生电容进行充电；
在时间上处于所述第一瞬时之后的第二瞬时，断开所述第一预充电开关和所述第二预充电开关，并且闭合所述第一本地开关和所述第二本地开关，以便使用所述第三寄生电容和所述第四寄生电容的电压来对所述第一寄生电容和所述第二寄生电容进行充电；
在时间上处于所述第二瞬时之后的第三瞬时，激活所述第一选择器，以便使所述第一寄生电容和所述第三寄生电容能够通过所述第一存储器单元以第一放电速率放电，所述第一放电速率是所述第一电阻值的函数，并且激活所述第二选择器，以使所述第二寄生电容和所述第四寄生电容能够通过所述第二存储器单元以第二放电速率放电，所述第二放电速率是所述第二电阻值的函数；以及
将所述第一放电速率和所述第二放电速率互相比较，并且产生所述比较的结果，从而读取所述逻辑数据。
13.根据权利要求12所述的方法，其中使用读取级执行所述比较，所述读取级具有第一输入端子和第二输入端子；
其中所述第一寄生电容和所述第三寄生电容两者都被耦合到接地端子和第一中间节点；
其中所述第二寄生电容和所述第四寄生电容两者都被耦合到所述接地端子和第二中间节点；
其中所述相变存储器设备进一步包括第一主选择开关和第二主选择开关，所述第一主选择开关在所述第一输入端子和所述第一中间节点之间，所述第二主选择开关在所述第二输入端子和所述第二中间节点之间；
其中所述方法进一步包括：在所述第二瞬时和所述第三瞬时之间的或者与所述第二瞬时同时的第四瞬时，闭合所述第一主选择开关和所述第二主选择开关，用于在所述第一输入端子生成第一电压并且在所述第二输入端子生成第二电压，其中所述第一电压根据所述第一放电速率随时间减小，并且所述第二电压根据所述第二放电速率随时间减小；以及其中所述比较的步骤包括比较所述第一电压和所述第一电压，以生成所述比较的结果。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述读取级包括读出放大器，所述读出放大器包括：第一输入端子，被耦合到所述读取级的第一输入端子；第二输入端子，被耦合到所述读取级的第一输入端子；第一反相器，具有输入端子和输出端子，所述输入端子被耦合到所述读出放大器的第一输入端子，所述输出端子被耦合到所述读出放大器的第二输入端子；第二反相器，所述第二反相器具有输入端子和输出端子，所述输入端子被耦合到所述读出放大器的第二输入端子，所述输出端子被耦合到所述读出放大器的第一输入端子；第一补偿电容器，在所述第一反相器的输出端子和所述读出放大器的第二输入端子之间；以及第二补偿电容器，在所述第二反相器的输出端子和所述读出放大器的第一输入端子之间；以及其中所述比较的步骤包括将在所述第一反相器的输出端子和所述第一补偿电容器之间存在的电压与在所述第二反相器的输出端子和所述第二补偿电容器之间存在的电压进行比较。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述读取级进一步包括第一耦合电容器和第二耦合电容器，所述第一耦合电容器在所述读取级的第一输入端子和所述读出放大器的第一输入端子之间，所述第二耦合电容器在所述读取级的第二输入端子和所述读出放大器的第二输入端子之间；以及
其中所述方法进一步包括由第二电源电压对所述第一反相器和所述第二反相器供电，所述第二电源电压比所述第一电源电压低。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述读取级进一步包括第一耦合开关和第二耦合开关，所述第一耦合开关在所述读取级的第一输入端子和所述第一耦合电容器之间，所述第二耦合开关在所述读取级的第二输入端子和所述第二耦合电容器之间；以及其中所述方法进一步包括在所述第三瞬时之后的第五瞬时，断开所述第一耦合开关和所述第二耦合开关，以中断在所述读取级的第一输入端子处的所述第一电压随时间的所述减小，以及中断在所述读取级的第二输入端子处的所述第二电压随时间的所述减小。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述相变存储器设备进一步包括：第一电压钳位开关，在所述电源线和所述读取级的第一输入端子之间，所述第一电压钳位开关与串联的所述第一预充电开关和所述第一主选择开关并联；所述第二电压钳位开关，在所述电源线和所述读取级的第二输入端子之间，所述第二电压钳位开关与串联的所述第二预充电开关和所述第二主选择开关并联；以及
其中所述方法进一步包括：
在所述第一瞬时和所述第二瞬时之间的瞬时，闭合所述第一耦合开关和所述第一电压钳位开关，以便以所述第一电源电压对所述第一耦合电容器进行充电；
在所述第一瞬时和所述第二瞬时之间的瞬时，闭合所述第二耦合开关和所述第二电压钳位开关，以便以所述第一电源电压对所述第二耦合电容器进行充电；以及在所述第四瞬时和所述第三瞬时之间的第六瞬时，断开所述第一耦合开关和所述第二耦合开关。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述读取级进一步包括读取开关、第一平衡开关和第二平衡开关，所述读取开关具有第一传导端子和第二传导端子，所述第一传导端子被连接在所述第一耦合开关和所述第一耦合电容器之间，所述第二传导端子被连接在所述第二耦合开关和所述第二耦合电容器之间，所述第一平衡开关与所述第一反相器并联，所述第二平衡开关与所述第二反相器并联；以及
其中所述方法进一步包括：
在所述第五瞬时之后的第七瞬时，断开所述第一平衡开关和所述第二平衡开关，使所述读出放大器进入亚稳定平衡的状态；以及
在与所述第七瞬时同时的或者所述第七瞬时之后的第八瞬时，闭合所述读取开关，将所述第一耦合电容器和所述第二耦合电容器串联连接在一起，并且因此使所述读出放大器进入稳定平衡的状态。
19.一种相变存储器设备，包括：
存储器阵列，所述存储器阵列包括：
第一本地位线，连接到第一存储器单元，所述第一存储器单元包括BJT技术中的第一选择器，所述第一选择器被布置为与第一相变元件串联，其中所述第一本地位线具有第一寄生电容；
第二本地位线，连接到第二存储器单元，所述第二存储器单元包括BJT技术中的第二选择器，所述第二选择器被布置为与第二相变元件串联，其中所述第二本地位线具有第二寄生电容；
第一主位线，具有第三寄生电容，其中所述第一寄生电容和所述第三寄生电容两者都被耦合到接地端子和第一中间节点；以及
第二主位线，具有第四寄生电容，其中所述第二寄生电容和所述第四寄生电容两者都被耦合到所述接地端子和第二中间节点；
电源线；
第一预充电开关，在所述第一主位线和所述电源线之间；
第二预充电开关，在所述第二主位线和所述电源线之间；
第一本地开关，在所述第一本地位线和所述第一主位线之间；
第二本地开关，在所述第二本地位线和所述第二主位线之间；
读取级，被耦合到所述存储器阵列，所述读取级包括读出放大器，所述读出放大器包括第一输入端子、第二输入端子、第一反相器、第二反相器，所述第一输入端子被耦合到所述读取级的第一输入端子；所述第二输入端子被耦合到所述读取级的第二输入端子；所述第一反相器具有输入端子和输出端子，所述输入端子被耦合到所述读出放大器的第一输入端子，所述输出端子被耦合到所述读出放大器的第二输入端子；所述第二反相器具有输入端子和输出端子，所述输入端子被耦合到所述读出放大器的第二输入端子，所述输出端子被耦合到所述读出放大器的第一输入端子；以及
第一主选择开关，在所述第一输入端子和所述第一中间节点之间；
第二主选择开关，在所述第二输入端子和所述第二中间节点之间；以及
电压比较器，具有第一比较输入和第二比较输入，所述第一比较输入被耦合到所述第一反相器的输出端子，所述第二比较输入被耦合到所述第二反相器的输出端子。
20.根据权利要求19所述的相变存储器设备，其中所述读出放大器进一步包括第一补偿电容器和第二补偿电容器，所述第一补偿电容器在所述第一反相器的输出端子和所述读出放大器的第二输入端子之间，所述第二补偿电容器在所述第二反相器的输出端子和所述读出放大器的第一输入端子之间；以及
其中所述电压比较器的第一比较输入被连接在所述第一反相器的输出端子和所述第一补偿电容器之间，并且所述电压比较器的第二比较输入被连接在所述第二反相器的输出端子和所述第二补偿电容器之间。
21.根据权利要求19所述的相变存储器设备，其中所述读取级进一步包括：
第一耦合电容器，在所述读取级的第一输入端子和所述读出放大器的第一输入端子之间；
第二耦合电容器，在所述读取级的第二输入端子和所述读出放大器的第二输入端子之间；
第一耦合开关，在所述读取级的第一输入端子和所述第一耦合电容器之间；以及第二耦合开关，在所述读取级的第二输入端子和所述第二耦合电容器之间。
22.根据权利要求21所述的相变存储器设备，进一步包括：
第一电压钳位开关，在所述电源线和所述读取级的第一输入端子之间，所述第一电压钳位开关与串联的所述第一预充电开关和所述第一主选择开关并联；以及第二电压钳位开关，在所述电源线和所述读取级的第二输入端子之间，所述第二电压钳位开关与串联的所述第二预充电开关和所述第二主选择开关并联。
23.根据权利要求22所述的相变存储器设备，进一步包括：
读取开关，具有第一传导端子和第二传导端子，所述第一传导端子被连接在所述第一耦合开关和所述第一耦合电容器之间，所述第二传导端子被连接在所述第二耦合开关和所述第二耦合电容器之间；
第一平衡开关，与所述第一反相器并联；以及
第二平衡开关，与所述第二反相器并联。