阵列基板以及其制作方法
专利汇可以提供阵列基板以及其制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种阵列 基板 ，包含基板、金属遮光层、导电保护层、 缓冲层 、晶体管和 像素 电极 。所述导电保护层 覆盖 所述金属遮光层。所述缓冲层位于所述基板上并覆盖所述导电保护层。所述晶体管位于所述缓冲层上，连接所述导电保护层。所述像素电极连接所述晶体管。有效的解决了金属 氧 化物 薄膜 晶体管驱动 背板 铜 氧化的问题，透明导电层覆盖在遮光层铜的表面，形成对铜的保护，防止铜氧化，避免铜的扩散，减少蚀刻对铜的伤害，减小遮光层铜剥离的 风 险。，下面是阵列基板以及其制作方法专利的具体信息内容。
1.一种阵列基板，其特征在于，包含：
基板；
金属遮光层，位于所述基板上；
导电保护层，覆盖所述金属遮光层；
缓冲层，位于所述基板上并覆盖所述导电保护层；
晶体管，位于所述缓冲层上，连接所述导电保护层；以及
像素电极，连接所述晶体管。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属遮光层的材质为钼、铝、铜、钛或合金中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属遮光层的厚度为50-1000nm。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，另包含第一电极，所述第一电极和所述像素电极形成存储电容，所述第一电极、所述像素电极以及所述导电保护层均为透明导电材料。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述晶体管包括：
有源层，位于所述缓冲层上；
N+半导体层，位于所述有源层；
所述晶体管的沟道，位于所述有源层；
栅极绝缘层，位于所述有源层上；
栅极金属层，位于所述栅极绝缘层上；
层间绝缘层，位于与所述栅极金属层上；
第一接触孔，所述第一接触孔贯穿所述层间绝缘层；
第二接触孔，所述第二接触孔贯穿所述层间绝缘层和所述缓冲层；以及输出极，位于层间绝缘层上，所述输出极通过所述第一接触孔连接到所述N+半导体层，所述输出极通过所述第二接触孔连接到所述导电保护层。
6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，其包含：
在基板上形成金属遮光层；
在所述基板上沉积第一透明导电层，并对所述第一透明导电层进行光刻形成第一电极以及导电保护层，所述导电保护层覆盖所述金属遮光层；
形成缓冲层于所述基板上并覆盖所述第一电极以及所述导电保护层；
形成晶体管位于所述缓冲层上；以及
形成像素电极位于所述晶体管上方，所述像素电极与所述第一电极形成存储电容。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述金属遮光层的材质为钼、铝、铜、钛或合金中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述金属遮光层的厚度为50-1000nm。
9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述形成晶体管步骤包括：
光刻沉积在所述缓冲层上的导电材料层以形成有源层；
沉积绝缘材料层和金属材料层于所述缓冲层上；
光刻金属材料层以形成栅极金属层；
以栅极金属层做为屏蔽，蚀刻所述绝缘材料层以形成栅极绝缘层；
对所述有源层进行等离子化制程，以形成N+半导体层以及所述晶体管的沟道；
光刻沉积于所述缓冲层上的层间绝缘层和所述缓冲层以形成第一接触孔以及第二接触孔，其中所述第一接触孔贯穿所述层间绝缘层，所述第二接触孔贯穿所述层间绝缘层和所述缓冲层；以及
形成所述晶体管的输出极，使得所述输出极通过所述第一接触孔连接到所述N+半导体层，所述输出极通过所述第二接触孔连接到所述导电保护层。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，还包括：
光刻沉积于所述层间绝缘层上的平坦化层以形成第三接触孔；以及
形成所述像素电极，使得所述像素电极通过所述第三接触孔连接到所述输出极。
阵列基板以及其制作方法
技术领域
背景技术
发明内容
一电极以及所述保护层；形成晶体管位于所述缓冲层上；以及形成像素电极位于所述晶体
管上方，所述像素电极与所述第一电极形成存储电容。
以形成栅极金属层；以栅极金属层做为屏蔽，蚀刻所述绝缘材料层以形成栅极绝缘层；对所述有源层进行等离子化制程，以形成N+半导体层以及所述晶体管的沟道；光刻沉积于所述
缓冲层上的层间绝缘层和所述缓冲层以形成第一接触孔以及第二接触孔，其中所述第一接
触孔贯穿所述层间绝缘层，所述第二接触孔贯穿所述层间绝缘层和所述缓冲层；以及形成
所述晶体管的输出极，使得所述输出极通过所述第一接触孔连接到所述N+半导体层，所述
输出极通过所述第二接触孔连接到所述导电保护层。
输出极。
具体实施方式
是后续的蚀刻损伤。导电保护层132的厚度为20-200nm。第一电极131位于基板110上，与导电保护层132皆为透明导电层，第一电极131和导电保护层132也可以同时形成。第一电极
131的厚度为20-200nm。
变为多晶硅而形成。具体的，为了使非晶硅结晶，可以利用快速热退火(RTA)制程、准分子激光退火(ELA)制程、固相结晶(SPC)制程、金属诱导结晶(MIC)制程、金属诱导横向结晶
(MILC)制程或连续横向固化(SLS)制程实现。通过等离子掺杂工艺对有源层161进行离子掺
杂，使得有源层161上未被栅极金属层163与栅极绝缘层162覆盖的区域的导电性增强形成N
+半导体层1612，被栅极金属层163与栅极绝缘层162覆盖的区域下面的保持半导体性能作
为晶体管160的沟道1611。
输出极164可以包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钼(Mo)、镍(Ni)、铂(Pt)、铝(Al)或铬(Cr)的单层或多层，或者诸如铝(Al):钕(Nd)合金、钼(Mo):钨(W)合金等合金；输出极164的厚度为
200-1000nm。
182穿过层间绝缘层142以及缓冲层141，第二接触孔182竖直向下延伸至导电保护层132上，第二接触孔182被源漏极金属层(亦即输出极164)覆盖并填充。
170上，平坦化层144可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚酰胺、苯并环丁烯(BCB)、压克力树脂或酚醛树脂等有机材料形成。平坦化层144为一层厚度为0.5-2um。
述基板120上并覆盖第一电极131以及保护层132；S40形成晶体管160位于缓冲层141上；S50形成像素电极170位于晶体管160上方，像素电极170与第一电极131形成存储电容；S60形成平坦化层144。
120是以金属铜作为说明，但并非用以限制。金属遮光层120的厚度为500-10000A，此结构可以减轻其他金属层的走线风险。
保护层132，避免金属铜的氧化以及可能的金属铜扩散或是后续的蚀刻损伤；另一部分第一透明导电层130覆盖在基板120上形成第一电极131。第一电极130的厚度为20-200nm。
(RTA)制程、准分子激光退火(ELA)制程、固相结晶(SPC)制程、金属诱导结晶(MIC)制程、金属诱导横向结晶(MILC)制程或连续横向固化(SLS)制程实现。
栅极绝缘层162覆盖的区域下面的晶体管160的沟道1611保持半导体性能。
冲层141，第二接触孔182竖直向下延伸至导电保护层132上。沉积输出极164(亦即源漏极金属层)于层间绝缘层142上，同时输出极164通过第一接触孔181和第二接触孔182分别接触N
+半导体层1612和导电保护层132。输出极164为钼、铝、铜、钛中的一种或多种的合金，输出极164的厚度为200-1000nm。
144位于像素电极170上，平坦化层144可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚酰胺、苯并环丁烯
(BCB)、压克力树脂或酚醛树脂等有机材料形成。平坦化层144的厚度为0.5-2um。
理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请
的限制。
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