专利汇可以提供Photolithography simulation method专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE: To obtain the resist form of a repeating pattern in the smallest calculation area with high accuracy by allowing a repeating unit area of the repeating pattern to coincide with a light intensity distribution calculation area.
CONSTITUTION: An FFT system light intensity distribution simulator 11 calculates a two-dimensional light intensity distribution 6 of a repeating unit area that fetches the approximation effect of a peripheral pattern based on a mask pattern 4 of the repeating unit area and the input of an optical parameter 5. Then a three-dimensional sensitizer density distribution 8 within a resist of the repeating unit area is calculated by a sensitizer density distribution simulator 12 based on the distribution 6 and the input of a photosensitive parameter 7. Based on the distribution 8, a development simulator 13 using a ray tracing model calculates a three-dimensional development form of the repeating unit area according to a development parameter 9. In this case, by coinciding the repeating unit area of a repeating pattern with the light intensity distribution calculation area, calculation area can be minimized.
COPYRIGHT: (C)1990,JPO&Japio,下面是Photolithography simulation method专利的具体信息内容。
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