【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、強磁性トンネル接合を感磁部として用いた磁気ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】高密度磁気記録における再生磁気ヘッドとして、異方性磁気抵抗（以下ＡＭＲと称する）効果を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下ＭＲ磁気ヘッドと称する）が商品化されている。 しかしながら、磁性膜にNiFe等のＡＭＲ効果膜を用いているため、磁気抵抗（ＭＲ）変化率が約２％、感度が０．５%/Oeと低い。 このため、さらに高ＭＲ変化率、高感度なＭＲ膜が望まれている。

【０００３】このような要望に応える技術として、近年、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）という新しい現象が見出され、従来のＡＭＲ効果より大きな磁気抵抗変化率が得られるということから、研究が進められている。
その中でも、スピンバルブ（ＳＶ）膜を用いたＧＭＲ効果が注目されている。 スピンバルブ膜は、強磁性膜／非磁性金属膜／強磁性膜／反強磁性膜の膜構成からなる多層膜であり、２〜５%/Oeの高感度な特性を示すため、次世代磁気ヘッドの再生素子として注目され、実用化研究が始められている。

【０００４】一方、ＧＭＲ効果とは別に、強磁性膜／絶縁膜／強磁性膜の接合構造を持ち、両強磁性膜の磁化の相対角度に依存してトンネル効果があらわれる強磁性トンネル効果という現象が見出され、この現象を利用した磁気抵抗効果素子の研究及び開発が進められている。 強磁性トンネル効果膜は非常に高い磁場感度を有するため、１０Gbit/inch ²以上の超高密度磁気記録における再生磁気ヘッドとして可能性がある。 S.Maekawa and V.Ga
fvert等は、IEEE Trans. Magn., MAG-18, 707(1982)において、磁性体／絶縁体／磁性体接合で両磁性膜の磁化の相対角度に依存してトンネル効果が現れることが期待されることを理論的、実験的に示した。

【０００５】特開平4-42417号公報は、強磁性トンネル効果膜を有する磁気ヘッドを開示しており、従来のＭＲ
磁気ヘッドにくらべ、微小な漏洩磁束の変化を高感度、
かつ、高分解能に検出できること、接合面積を狭めることにより、絶縁膜におけるピンホ−ルの発生確率を小さくして、再生感度を一層向上させることができる旨述べられている。

【０００６】また、特開平4-103014号公報は、磁性膜に反強磁性体からのバイアス磁界を印加する強磁性トンネル効果膜およびそれを用いた磁気ヘッドを開示している。

【０００７】更に、T.Miyazaki及びN.Tezuka等は、J.Ma
gn.Magn.Mater.139(1995)L231において、Fe/Al ₂ O ₃ /Feトンネル接合で室温においてＭＲ変化率１８％が得られたと報告している。 また、M.Pomerantz,JCSloczewski及びE.Spiller等は、Fe/a-Carbon/Fe膜について開示している。

【０００８】しかしながら、これまで報告された強磁性トンネル接合には、磁気ヘッドとして利用するに当たり、種々の解決すべき課題が存する。 その最大の課題は、高いＭＲ変化率を再現性よく得ることができる磁気ヘッドの実現である。

【０００９】また、シールド型磁気ヘッドを高密度記録再生に適用するためには、ＡＢＳ面でのシールド間隔を狭める必要がある。 シールド型磁気ヘッドにおいて、通常、シールド間には強磁性トンネル接合部の他、強磁性トンネル接合部とシールド膜との絶縁性を保つためのアルミナなどの絶縁膜が存在するから、シールド間隔を狭めるためには、絶縁膜や強磁性トンネル接合部の厚みをできる限り薄くしなければならない。 しかしながら、公知文献に示されるように、電極膜が、ＡＢＳ面に露出するようにすると、絶縁膜や強磁性トンネル接合部の厚みを薄くしても、電極膜とシールド膜との間に、依然として間隔が必要であるため、シールド間隔を狭めることができず、高密度記録再生に適さない。

【００１０】公知文献では、全ての電流が強磁性トンネル接合部を流れるようにするため、電極膜の面積を大きくしている。 しかし、強磁性トンネル接合部とシールド膜との間では一定レベル以上の絶縁耐電圧をとる必要があるため、公知文献に示されているよう広い電極膜面積にしてＡＢＳ面に露出させると、静電気による絶縁破壊などが起こりやすくなるため、望ましくない。

【００１１】なお、本発明における強磁性トンネル接合は上記の強磁性トンネル効果膜と同一のものである。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、高いＭＲ変化率を、再現性よく得ることができる強磁性トンネル接合型磁気ヘッドを提供することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決するため、本発明に係る磁気ヘッドは、スライダと、第１の磁気シールド膜と、第２の磁気シールド膜と、少なくとも一つの磁気変換素子とを含む。 前記第１の磁気シールド膜及び第２の磁気シールド膜は、前記スライダ上に、
互いに絶縁間隔を隔てて配置されている。

【００１４】前記磁気変換素子は、強磁性トンネル接合部を含んでいる。 前記強磁性トンネル接合部は、絶縁膜と、第１の強磁性膜と、第２の強磁性膜とを含み、前記第１の強磁性膜と前記第２の強磁性膜とが前記絶縁膜を介して積層され、前記第１の磁気シールド膜及び前記第２の磁気シールド膜の間に配置されている。 前記強磁性トンネル接合部の前記絶縁膜によるバリアポテンシャルが０．５〜３eVの範囲にある。

【００１５】もう一つの態様として、前記強磁性トンネル接合部は、接合面積が１０μm ²以下となるように設定される。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１は本発明に係る磁気ヘッドの斜視図である。 図において、寸法は誇張されている。 図示された本発明に係る磁気ヘッドは、スライダ１と、強磁性トンネル接合を利用した磁気変換素子（以下強磁性トンネル接合型磁気変換素子と称する）２と、更に、誘導型磁気変換素子３とを含む。 スライダ１は媒体対向面側にレール部１１、１２を有し、レール部１１、１２の表面が空気ベアリング面１３、１４を構成している。 レール部１１、１２は２本に限らない。 １〜３本のレール部を有することがあり、レール部を持たない平面となることもある。 また、浮上特性改善等のために、空気ベアリング面（以下ＡＢＳ面と称する）に種々の幾何学的形状が付されることもある。 何れのタイプのスライダであっても、本発明の適用が可能である。

【００１７】磁気変換素子２、３は、レール部１１、１
２の一方または両者の媒体移動方向ａ１の端部に設けられている。 媒体移動方向ａ１は、媒体が高速移動した時に連れ回る空気の流出方向と一致する。 スライダ１の媒体移動方向ａ１の端面には、強磁性トンネル接合型磁気変換素子２に接続された取り出し電極４１、４２及び磁気変換素子３に接続された取り出し電極４３、４４が設けられている。

【００１８】図２は図１に示した強磁性トンネル接合型磁気ヘッドの磁気変換素子部分の拡大断面図である。 強磁性トンネル接合型磁気変換素子２は再生素子であり、
誘導型磁気変換素子３は書き込み素子である。 強磁性トンネル接合型磁気変換素子２及び誘導型磁気変換素子３
は、スライダ１を構成するセラミック基体１０１の上に設けられた絶縁膜１０２の上に積層されている。 セラミック基体１０１は、通常、Al ₂ O ₃ -TiCで構成される。 Al ₂
O ₃ -TiCは導電性があるので、電気絶縁をする手段として、例えばAl ₂ O ₃でなる絶縁膜１０２が付着されている。 セラミック基体１０１が高い絶縁性を有する場合は、絶縁膜１０２は省略できる。

【００１９】図３は強磁性トンネル接合型磁気変換素子２の部分の拡大断面図、図４はその拡大斜視図である。
これらの図に示すように、強磁性トンネル接合型磁気変換素子２は、強磁性トンネル接合部２１と、電極膜２
２、２３とを含み、スライダ１の一部を構成する絶縁支持膜２４、２５によって支持されている。 強磁性トンネル接合部２１は、絶縁膜２１０と、第１の強磁性膜２１
１と、第２の強磁性膜２１２とを含んでいる。 第１の強磁性膜２１１と第２の強磁性膜２１２とは、絶縁膜２１
０を介して積層されている。

【００２０】電極膜２２、２３は、第１の電極膜２２
と、第２の電極膜２３とを含んでいる。 第１の電極膜２
２は第１の強磁性膜２１１に接続され、第２の電極膜２
３は第２の強磁性膜２１２に接続されている。

【００２１】これらの第１の電極膜２２及び第２の電極膜２３は、ＡＢＳ面１３（または１４）に露出しないように設けられている。 その具体的手段として、実施例では、強磁性トンネル接合部２１において、外部磁界を検出する先端をＡＢＳ面１３（または１４）に位置させると共に、第１の電極膜２２及び第２の電極膜２３を、強磁性トンネル接合部２１の先端の位置するＡＢＳ面１３
（または１４）から、間隔Ｄ１だけ後退させてある。

【００２２】強磁性トンネル接合型磁気変換素子２は、
第１の磁気シールド膜５１と、第２の磁気シールド膜５
２との間において、絶縁支持膜２４、２５の内部に配置されている。 第１の磁気シールド膜５１はセラミック基体１０１に設けられた絶縁膜１０２の上に付着され、絶縁支持膜２４は第１の磁気シールド膜５１の上に付着されている。

【００２３】上述のように、ＡＢＳ面１３（または１
４）に第１の電極膜２２及び第２の電極膜２３が露出しない構造にすることにより、第１の磁気シールド膜５１
及び第２の磁気シールド膜５２と、強磁性トンネル接合型磁気変換素子２、特に、第１の電極膜２２及び第２の電極膜２３との間で、静電破壊が起こりにくくなり、耐電圧が改善されることが解った。

【００２４】しかも、ＡＢＳ面１３（または１４）における第１の磁気シールド膜５１及び第２の磁気シールド膜５２と、感磁部となる強磁性トンネル接合部２１との間の間隔を狭くできるため、従来より高密度記録再生が可能になる。

【００２５】実施例には、再生素子となる強磁性トンネル接合型磁気変換素子２と共に、書き込み素子となる誘導型磁気変換素子３を有する複合型磁気ヘッドが図示されている。 誘導型磁気変換素子３は、強磁性トンネル接合型磁気変換素子２に対する第２の磁気シールド膜を兼ねている下部磁性膜５２、上部磁性膜３２、コイル膜３
３、アルミナ等でなるギャップ膜３４、ノボラック樹脂等の有機樹脂で構成された絶縁膜３５及びアルミナ等でなる保護膜３６などを有している。 下部磁性膜５２及び上部磁性膜３２の先端部は微小厚みのギャップ膜３４を隔てて対向する下部ポール部Ｐ１及び上部ポール部Ｐ２
となっており、下部ポール部Ｐ１及び上部ポール部Ｐ２
において書き込みを行なう。 下部磁性膜５２及び上部磁性膜３２は、そのヨーク部が下部ポール部Ｐ１及び上部ポール部Ｐ２とは反対側にあるバックギャップ部において、磁気回路を完成するように互いに結合されている。
絶縁膜３５の内部には、ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状にまわるように、コイル膜３３を形成してある。 コイル膜３３の両端は、取り出し電極４３、４４に導通されている。 コイル膜３３の巻数および膜数は任意である。

【００２６】次に、図５〜図１７を参照して本発明に係る磁気ヘッドを製造する方法を説明する。

【００２７】まず、膜厚３０μmのアルミナ絶縁膜１０
２が形成されたAlTiC基板１０１（図５参照）上に、センダストをＤＣスパッタ法でスパッタして、膜厚２μm
の第１の磁気シールド膜５１を形成し（図６参照）、次に、真空中において、約４５０℃の温度条件で約２時間の磁場中熱処理を行なった後、フォトリソ及びＡｒイオンエッチングにより所定の形状にした。

【００２８】次に、絶縁膜２４として膜厚１００ｎｍのアルミナ膜をＲＦスパッタ法で成膜（図７参照）し、続いて第１の電極膜２２としてＴａ／Ｃｕ／Ｔａ膜をＤＣ
スパッタ法で成膜した（図８参照）。 その後、レジストを用いてパターニングを行ない、次に、Ａｒイオンエッチングにより所定の形状に加工し、第１の電極膜２２とした（図９参照）。

【００２９】次に、強磁性トンネル接合部２１を形成する手段として、Co-50at%Fe(10nm)/酸化アルミニウム(5n
m)/Fe(5nm)及びその表面酸化防止膜Ta(5nm)を以下のように作成した。 まず、第１の電極膜２２の上にCo-50at%
Fe(10nm)/Al(5nm)をＤＣスパッタ法で連続成膜した。 その後、サンプルを大気中に取り出し、約６０℃の大気中に２４時間放置してアニールし、Al(5nm)を自然酸化させた。 これにより、第１の強磁性膜２１１と、中間の絶縁膜２１０となるCo-50at%Fe(10nm)／酸化アルミニウム
(5nm)膜とを形成した（図１０参照）。

【００３０】その後、短絡防止用絶縁膜２１３を形成するため、形成すべきトンネル接合部以外のところをレジストカバーし、ＲＦスパッタ法でアルミナ絶縁膜（膜厚
50nm)を成膜した。 その後に、レジストをリフトオフし、短絡防止用絶縁膜２１３を形成した（図１１参照）。 絶縁膜２１３は、強磁性トンネル接合部２１以外でトンネル電流が流れないようにするために形成されるものである。

【００３１】次に、サンプルを再びＤＣスパッタ装置内にセットし、Fe(5nm)及びTa(5nm)を連続成膜し、第２の強磁性膜２１２を形成した（図１２及び１３参照）。 なお、Ta(5nm)膜はプロセス遂行中に表面が酸化されるのを防止する保護膜となる。

【００３２】次に、レジストを用いてパターニングし、
Ａｒイオンエッチングをした後、レジストを剥離して、
強磁性トンネル接合部２１を形成した。 次に再び、レジストを用いてパターニングし、続いてＴａ／Ｃｕ／Ｔａ
膜を成膜し、その後、リフトオフ法により、第２の電極膜２３を形成した（図１４参照）。

【００３３】次に、上部の絶縁膜２５として、膜厚１２
０nmのアルミナ膜をＲＦスパッタ法で形成（図１５）した。 次に、第２の磁気シールド膜５２として、NiFe(膜厚２μm)をＤＣスパッタ法で成膜し、その後、フォトリソグラフィ及びエッチング技術により、所定の形状にパターンニングした（図１６参照）。

【００３４】この後、図１及び図２に示した磁気ヘッドを得るために必要な工程を実行し、更に、図１７のＸ１
ーＸ１線に沿って、ウエハ切断、加工研磨を施すことにより、ＡＢＳ面に強磁性トンネル接合部２１を露出させた。 以上のようにして、接合面積１μm×２μm（接合高１μm、接合幅２μm）の強磁性トンネル接合部２１を有する磁気ヘッドを得た。

【００３５】比較として、電極膜２２、２３がＡＢＳ面に露出している強磁性トンネル接合型磁気ヘッドも作製した。

【００３６】＜特性評価＞作製した磁気ヘッドを磁気ヘッドジンバルに取り付け、静電破壊試験を行なった。 静電破壊試験に当たっては、表面を研磨した金属板を用意し、この金属板に電源を接続し、金属板に磁気ヘッドを載せた。 磁気ヘッドをアースに接続し、磁気ヘッド及び金属板の間の抵抗と、金属板に印加された電圧との関係を調べた。 その結果、電極膜２２、２３がＡＢＳ面に露出している従来の磁気ヘッドでは、印加電圧が５０Ｖで抵抗が急激に上昇し、静電破壊を生じた。 これに対し、
本発明の磁気ヘッドでは約１５０Ｖではじめて静電破壊が起こり、従来の磁気ヘッドの約３倍の耐電圧を有することがわかった。

【００３７】第１の強磁性膜２１１及び第２の強磁性膜２１２の間に備えられた絶縁膜２１０は、高いＭＲ変化率を再現性良く得ること、及び、磁気ヘッド構造を簡素化するために、きわめて重要な役割を担っている。 特に、絶縁膜２１０によるバリアポテンシャルを０．５〜
３eVの範囲に設定した場合、高いＭＲ変化率を再現性良く得るとともに、磁気ヘッド構造を簡素化できる。 次にこの点について述べる。

【００３８】強磁性トンネル接合において、電子ｅがスピンの向きを保ったまま、第１の強磁性膜２１１から、
絶縁膜２１０を介して、第２の強磁性膜２１２に通り抜けるとき、電子ｅの透過率はスピンを考慮して求めた波動関数を用いて、入射波と透過波の振幅自乗比から求められ、そのトンネルコンダクタンスＧは、 G=G ₀ ′(1+P ₁ ′・P ₂ ′)COSθ と表される。 ここで、 P ₁ ′=[(K _1↑ -K _1↓ )/(K _1↑ +K _1↓ )]α ₁ P ₂ ′=[(K _2↑ -K _2↓ )/(K _2↑ +K _2↓ )]α ₂ G ₀ ′：両強磁性膜内での電子の波数K _1↑ 、K _1↓ 、K _2↑ 、K
_2↓及びバリアポテンシャルの高さで定まる定数 α ₁ 、α ₂ ：バリアポテンシャルの高さに依存する係数 P ₁ ′、P ₂ ′：両強磁性膜１、２の有効スピン偏極度 P ₁ 、P ₂ ：両強磁性膜１、２のスピン偏極度（有効スピン偏極度P ₁ ′、P ₂ ′の分数部分） である。 トンネルコンダクタンスの変化率△G/G ₀は、 △G/G ₀ =2・P ₁ ′・P ₂ ′ となる。 トンネルコンダクタンスの変化率△G/G ₀はＭＲ
変化率と同義である。

【００３９】バリアポテンシャルの高さが低いと、それに依存する係数α ₁ 、α ₂が小さくなるため、両強磁性膜の有効スピン偏極度P ₁ ′、P ₂ ′も小さくなり、ＭＲ変化率が低くなる。 逆に、バリアポテンシャルが充分に高いと、有効スピン偏極度P ₁ ′、P ₂ ′が、スピン偏極度P ₁ 、P
₂に近づき、高いＭＲ変化率が得られる。

【００４０】バリアポテンシャルが０．５〜３eVの範囲にある場合、高いＭＲ変化率を、再現性よく得ることができる。 その理由の一つは、バリアポテンシャルを０．
５〜３eVの範囲に保つことにより、均一性が良好で、ピンホールの非常に少ない絶縁膜２１０の形成が保証されるためと推測される。

【００４１】もう一つの理由は、上述したバリアポテンシャルの範囲では、第１の強磁性膜２１１と第２の強磁性膜２１２との間に、絶縁膜２１０を介して、安定した反強磁性的結合を生じるためと推測される。 バリアポテンシャルが１．５〜２．５eVの範囲では、特に好ましい結果が得られた。

【００４２】バリアポテンシャルが３eVを越えると、高いＭＲ変化率を得ることができなくなる。 原因は明確ではないが、３eVを越えるバリアポテンシャルの範囲では、トンネル電流が流れなくなるためではないかと推測される。

【００４３】バリアポテンシャルが０．５eVよりも小さくなると、この種の強磁性トンネル接合において期待される高いＭＲ変化率を得ることができなくなる。 その理由は、絶縁膜２１０の均一性が劣化し、ピンホールが増えるためと推測される。

【００４４】次に、バリアポテンシャルが０．５〜３eV
となる範囲において、第１の強磁性膜２１１と第２の強磁性膜２１２との間に、絶縁膜２１０を介して、安定した反強磁性的結合を生じさせ得る可能性は、この強磁性トンネル接合を、磁気ヘッドの読み取り用磁気変換素子に用いる場合に大きな利点をもたらす。

【００４５】図１８は反強磁性的結合を生じている場合の磁場ー磁気抵抗変化率特性を示す図である。 図１８に示すように、反強磁性的結合を生じている場合、磁場ー磁気抵抗曲線Ｌ１、Ｌ２が零磁場付近の領域△Ｈで、Ｍ
Ｒ変化率が最も高い値を示すようになる。 従って、この強磁性トンネル接合を磁気ヘッドの読み取り用磁気変換素子として用いた場合、バイアス磁場を印加する必要がなく、形状効果のみで、零磁場付近で直線領域が得られる。 このため、磁気ヘッドの構造を簡素化することができる（図３、図４参照）。

【００４６】上述のようなバリアポテンシャルを確保し得る絶縁膜２１０の一例は、大気中で４０〜１００℃アニールした酸化アルミニウム膜である。 かかる酸化アルミニウム膜は、金属アルミニウムが局部的に存在しなくなったため、上下の強磁性膜２１１−２１２間でブリッジができなくなり、その結果、高いバリアポテンシャルを有する極薄絶縁膜２１０を有する強磁性トンネル接合が実現できる。

【００４７】絶縁膜２１０の他の例としては、ダイアモンド状炭素膜(Diamond-like carbon膜、以下ＤＬＣ膜と称する）も、高いバリアポテンシャルを有する極薄の絶縁膜２１０を実現するのに有効である。 特に、プラズマＣＶＤ法で作製したＤＬＣ膜は、数十Åという非常に薄い膜厚においても、均一、かつ、ピンホ−ルのない良好な絶縁膜２１０が得られる。

【００４８】なお、M.Pomerantz,JCSloczewski及びE.
Spiller等が開示した中間膜のＣ膜は、ＭＢＥ法で作製したアモルファス−Ｃ膜であり、プラズマＣＶＤ法で作製したＤＬＣ膜とは異なる。 具体的には、アモルファス−Ｃ膜は炭素同士がネットワ−ク状に結合しているものであるが、本発明のＤＬＣ膜は炭素と水素がネットワ−
ク状に結合しており、本質的に異なるものである。

【００４９】本発明において、通常、第１の強磁性膜２
１１の保磁力と、第２の強磁性膜２１２の保磁力とは、
互いに異ならせる。 図１９は第１の強磁性膜２１１の保磁力Ｈ１と、第２の強磁性膜２１２の保磁力Ｈ２とを、
Ｈ１＞Ｈ２（またはＨ２＞Ｈ１）のように異ならせた場合の磁化曲線を示している。 図示するように、磁化曲線は二段ループになっている。 図１９中、円内に示された２つの矢印は、第１の強磁性膜２１１の磁化の向き、及び、第２の強磁性膜２１２の磁化の向きをそれぞれ示している。

【００５０】第１の強磁性膜２１１の磁化の向きと、第２の強磁性膜２１２の磁化の向きは、印加磁界が保磁力Ｈ２（絶対値）より大きく、かつ、保磁力Ｈ１（絶対値）よりも小さい場合は、反平行になり、印加磁界が保磁力Ｈ１よりも大きい場合は、平行になる。 電気抵抗は、磁化の向きが反平行状態のとき大きく、磁化の向きが平行状態であるとき小さくなる。 磁化の向きが平行である時の抵抗値Ｒｓとし、磁化の向きが反平行から平行へ変化した時の抵抗の変化分を△Ｒとすると、ＭＲ変化率は△Ｒ／Ｒｓとなる。 これにより、外部印加磁界を検出することができる。

【００５１】別の例として、第２の強磁性膜２１２の磁化の向きを固定する。 こうすることにより、第１の強磁性膜２１１の磁化の向きだけを変化させることにより、
第２の強磁性膜２１２に対する第１の強磁性膜２１１の磁化の向きを平行または反平行にすることができる。

【００５２】次に、強磁性トンネル接合部２１の接合面積及び絶縁膜２１０について、実施例を挙げて説明する。

【００５３】＜実施例１＞図５〜図１７に示した製造方法において、酸化アルミニウム膜でなる絶縁膜２１０
は、アルミニウム膜を大気中において６０℃、２４時間の熱処理を行なって形成した。 強磁性トンネル接合の接合面積は０．２５〜２５００μm ²とした。

【００５４】上述した接合面積を持つ強磁性トンネル接合を、各２０個ずつ作製し、各接合面積毎のバリアポテンシャル、ＭＲ変化率の平均値及びそのばらつきを調べた。 また、歩留りについても調べた。 次に、強磁性トンネル接合の作製方法を具体的に説明する。

【００５５】まず、第１の強磁性膜２１１として、膜厚１０nmのNiFe膜をＲＦスパッタ法で成膜し、レジストフォトリソ、Ａｒイオンミリング、レジスト剥離の微細加工技術を用いて、0.5〜50μm×0.5mmの矩形状にパタ−
ニングした。

【００５６】その後、レジストパタ−ニングをおこない、第１の強磁性膜２１１を構成するNiFe膜の表面酸化膜を逆スパッタにより除去したあと、電子ビーム加熱式真空蒸着法により、膜厚5nmのアルミニウム膜を成膜した。

【００５７】その後、サンプルを真空蒸着装置から取り出して、大気中において６０℃、２４時間の熱処理を行なった後、リフト・オフ・プロセスを経て、酸化アルミニウム膜でなる絶縁膜２１０を形成した。

【００５８】次に、再びレジストパタ−ニングをおこなった後、第２の強磁性膜２１２として膜厚１００nmのＣ
ｏ膜をＲＦスパッタ法で成膜し、続いて、リフトオフプロセスを経て、第１の強磁性膜２１１と直角方向に0.5
〜50μm×0.5mmの矩形状パタ−ンを持つ第２の強磁性膜２１２を形成した。 これにより、接合面積０．２５〜２
５００μm ²の強磁性トンネル接合が得られた。

【００５９】また、比較として、従来用いられている自然酸化アルミニウム膜（成膜後、大気中において２４時間放置）を絶縁膜２１０としたNiFe／酸化アルミニウム／Ｃｏ強磁性トンネル接合も同様に作製した。

【００６０】実施例及び比較例において採用された第１
の強磁性膜２１１および第２の強磁性膜２１２の成膜条件は以下に示す通りである。 また、アルミニウム膜は、
到達圧力３×10 ^-5 Pa、蒸着速度０．０５nm/secで作製した。

【００６１】＜強磁性膜成膜条件＞ 到達圧力：１×10 ^-5 Pa タ−ゲット：Ni ₈₀ Fe ₂₀ at%、 Co(４インチφ) スパッタガス：Ar ５ sccm スパッタ圧力：０．５ Pa 投入パワ−：１５０ W 成膜レ−ト：NiFe ４５nm/min、 Co ４０nm/min 基板温度：水冷 このようにして作製したサンプルについて、直流４端子法で磁気抵抗（ＭＲ）曲線を測定した。 なお、測定時の最大印加磁場は±１kOeとし、−１kOeの磁場を印加させたのち、磁場を徐々に大きくして＋１kOeまでかけ、再び−１kOeに戻した。 また、バリアポテンシャルはトンネル接合のＶ−Ｉ特性を測定し、直線領域からのずれをもとめた。

【００６２】図２０に本発明に係る接合面積５０×５０
μm ²の強磁性トンネル接合の磁気抵抗曲線を示す。 印加磁場を−１kOeより大きくしていくと、＋５Oeにおいて、第１の強磁性膜２１１の磁化反転がおこり、第１の強磁性膜２１１と第２の強磁性膜２１２のスピンが反平行になるため、電気抵抗が大きくなる。 バリアポテンシャルを求めた結果０．５eVであり、作製した２０個のうち１６個において同様のＭＲ曲線が得られた。 ＭＲ変化率は６．６〜８．１％であり、ＭＲ変化率の平均値は７．６％で、変化率ばらつきは±７％であった。

【００６３】一方、自然酸化アルミニウム膜を絶縁膜２
１０とした比較例の強磁性トンネル接合においては、バリアポテンシャルは０．２eVしか得られなかった。 また、４個しかＭＲ曲線が観測できず、ＭＲ変化率平均値は１．５％と低く、平均値ばらつき±８８％と非常に大きかった。 種々の接合面積についても同様の評価を行なった。 これらの結果を表１ー１、１ー２に示す。

【００６４】表１から明らかなように、大気中６０℃熱処理により形成した酸化アルミニウム膜を絶縁膜２１０
としての用いることにより、０．５〜３eVの高いバリアポテンシャルと高いＭＲ変化率が得られ、しかもばらつきが少なく、高い歩留まりが得られる。 特にバリアポテンシャルが１．５〜２．５eVのとき歩留りが高い。 また、３０〜２５０℃の温度範囲で大気中熱処理して得られた酸化アルミニウム膜を絶縁膜２１０とした強磁性トンネル接合のＭＲ特性を調べた結果、４０〜１００℃熱処理した場合に、高いＭＲ変化率が得られ、しかも、ばらつきが少なく、高い歩留まりが得られることがわかった。

【００６５】＜実施例２＞第１の強磁性膜２１１はCo ₅₀
Fe ₅₀によって構成し、第２の強磁性膜２１２はＣｏによって構成した。 接合面積は０．２５〜２５００μm ²とした。 第１の強磁性膜２１１及び第２の強磁性膜２１２は実施例１と同様の方法で作製した。 絶縁膜２１０を構成するＤＬＣ膜は、プラズマＣＶＤ法により、膜厚５nmになるよう成膜し、リフトオフ法によりパタ−ニングした。 ＤＬＣ膜の成膜条件は以下に示す。

【００６６】＜ＤＬＣ膜成膜条件＞ 到達圧力：２×10 ^-3 Pa 導入ガス：メタン ５ sccm スパッタ圧力：３．５ Pa ＲＦパワ−：５０ W 自己バイアス：−１５０ V 成膜レ−ト：１０nm/min 基板温度：加熱および水冷なし また、比較例として、自然酸化アルミニウム膜を絶縁膜２１０としたCo ₅₀ Fe ₅₀ /酸化アルミニウム／Ｃｏ強磁性トンネル接合を作製した。

【００６７】上記実施例及び比較例のサンプルについて、直流４端子法でＭＲ特性を測定して得られた結果を表２ー１、２ー２に示す。

【００６８】上記実施例及び比較例のサンプルについて、直流４端子法でＭＲ特性を測定して得られた結果を表２ー１、２ー２に示す。

【００６９】表２から明らかなように、プラズマＣＶＤ
法で作製したＤＬＣ膜を、絶縁膜２１０として用いることにより、高いバリアポテンシャルおよび高いＭＲ変化率が得られ、しかも、ばらつきが少なく、高い歩留まりが得られることがわかる。 例えば、本実施例による接合面積５０×５０μm ²のサンプルについて、作製した２０
個のうち、１５個でＭＲ曲線が得られた。 ＭＲ変化率の平均値は１８．９％で、変化率のばらつきは±１２％であった。 また、実施例１と同様に、バリアポテンシャル１．５〜２．５eVのとき特に歩留りが高かった。 これに対して、自然酸化アルミニウム膜を絶縁膜２１０とした比較例の強磁性トンネル接合においては、バリアポテンシャルは小さく、５個しかＭＲ曲線が観測できず、ＭＲ
変化率平均値は３．３％と低く、ばらつきは±８８％と非常に大きかった。

【００７０】次に、接合面積と反転磁場との関係について述べる。 接合面積が小さいほど絶縁膜２１０のピンホールなどの欠陥が少なくなるため高い歩留まりが得られることは報告されている。 表１および表２からわかるように、本実施例の強磁性トンネル接合において、接合面積が小さいほどＭＲ変化率は高く、また高い歩留まりが得られる。 特にバリアポテンシャル１．５〜２．５eVのときに歩留りが高くなる。

【００７１】また、図２０に示す磁場Hab、即ち、第１
の強磁性膜２１１の磁化が反転する磁場が、負の方向にシフトしていくことがわかった。 特に、接合面積が１０
μm ²より小さくバリアポテンシャルが１．５〜２．５eV
のとき、零磁場において第１の強磁性膜２１１と第２の強磁性膜２１２の各々の磁化が反平行状態になる。 このことは、両磁性膜間に反強磁性的結合力が作用していることを示している。 接合面積が１０μm ²より小さい場合に高いＭＲ変化率と高い歩留まりが得られたのは、均一でピンホールの非常に少ない絶縁膜２１０を用い、かつ、接合面積を小さくすることにより、両磁性膜間に反強磁性的結合が生じたためと考えられる。 また実施例１
−７及び実施例２−８に示すように、接合面積が１０μ
m ²以下でもバリアポテンシャルが２．５eVより大きいと、両磁性膜間で反強磁性的接合は得られず、歩留りも若干低下する。

【００７２】次に、本発明に係る磁気ヘッドと従来のＡ
ＭＲ磁気ヘッドについて、特性評価を示す。

【００７３】＜本発明の磁気ヘッド＞実施例２によるCo
₅₀ Fe ₅₀ /DLC/Co強磁性トンネル接合を用いた磁気ヘッドを作製し、磁気記録媒体に書き込まれた記録信号を読み出し、再生感度および再生出力を調べ、従来のＡＭＲ磁気ヘッドと比較した。 本発明にかかる磁気ヘッドは、強磁性トンネル接合部２１の幅１μm 、長さ１μm とした。
すなわち、磁気ヘッドのトラック幅は１μmおよびＭＲ
ハイトは１μmである。 ＭＲシ−ルド間隔は０．２７μm
とした。

【００７４】＜従来のＡＭＲ磁気ヘッド：比較例＞比較のため、ＳＡＬバイアス方式のNiFe膜をＭＲ膜としたトラック幅１μm、ＭＲハイト１μm、ＭＲシ−ルド間隔０．２７μmの従来のＡＭＲ磁気ヘッドも作製した。 作製方法を以下に示す。 下部絶縁膜の形成までは本発明の強磁性トンネル接合型ＭＲ磁気ヘッドと同じである。 下部絶縁膜を形成した後、まずＳＡＬ膜としてNiFeRh膜、
磁気分離膜としてＴａ膜及び、ＭＲ膜としてNiFe膜をＤ
Ｃスパッタ法で成膜し、微細加工技術により矩形状に加工した。 その後、電極膜、上部絶縁膜及び上部シ−ルド膜を薄膜及び微細加工技術で形成した。

【００７５】この磁気ヘッドを用いて、保磁力２５００
Oe、膜厚５０nmの磁気記録媒体に書き込まれた記録信号を再生し、特性を調べた。

【００７６】図２１は、単位トラック幅当たりの再生出力と記録密度を比較した図である。 曲線Ｌ３は本発明に係る強磁性トンネル接合を用いた磁気ヘッドの特性、曲線Ｌ４は従来のＡＭＲ磁気ヘッドの特性をそれぞれ示している。 図２１に示すように、本発明の強磁性トンネル接合型磁気ヘッドによれば、従来のＡＭＲ磁気ヘッドより４〜５倍の再生出力が得られた。

【００７７】次に、本発明に係る強磁性トンネル接合型磁気ヘッドにおいて、強磁性トンネル接合部２１は、第１の強磁性膜２１１または第２の強磁性膜２１２に、磁気的制御手段を備えることもある。 そのような手段の一つは、第１の強磁性膜２１１または第２の強磁性膜２１
２の何れか一方の磁化の向きを固定することであり、もう一つの手段は、第１の強磁性膜２１１または第２の強磁性膜２１２のうち、磁化固定を受けていない強磁性膜に磁区制御を与えることである。 これらの手段は、通常は、併用されるが、単独で用いることもできる。

【００７８】＜磁化固定手段＞まず、磁化固定手段について説明する。 強磁性トンネル接合部２１の磁気抵抗変化は、第１の強磁性膜２１１の磁化の向きと第２の強磁性膜２１２の磁化の向きとの相対角度に依存するから、
微小磁場で高い再生出力を得るためには、外部磁場が零のときに、第１の強磁性膜２１１または第２の強磁性膜２１２は、磁化の向きが、互いに平行でないことが望ましい。 例えば、第１の強磁性膜２１１及び第２の強磁性膜２１２の磁化の向きを、互いに直交する方向にとる。

【００７９】特に、外部磁場に対し、第１の強磁性膜２
１１の磁化の向きが垂直となり、第２の強磁性膜２１２
の磁化の向きが平行となるように方向付けするのが好ましい。

【００８０】更に、第１の強磁性膜２１１は外部磁場に対して磁化の向きが自由に変化する自由強磁性膜として動作させ、第２の強磁性膜２１２は外部磁場に対して磁化の向きが固定されているピン止め強磁性膜として動作させることが望ましい。 こうすることにより、自由強磁性膜である第１の強磁性膜２１１の磁化の動きのみで、
両強磁性膜２１１、２１２の間に、磁化の向きに関して、相対角度変化を生じさせることができる。 この場合、外部磁場に対して、自由強磁性膜を構成する第１の強磁性膜２１１の磁化容易軸が垂直となり、ピン止め強磁性膜を構成する第２の強磁性膜２１２の磁化容易軸が平行となるように設定するのがよい。 こうすることにより、自由強磁性膜である第１の強磁性膜２１１の磁化の方向が、外部磁場により磁化回転モードで変化するため、高いＭＲ感度が得られると共に、スムーズな磁化反転が行なわれ、磁壁移動に伴うバルクハウゼンノイズの発生を低減できる。

【００８１】外部磁場に対して、自由強磁性膜である第１の強磁性膜２１１の磁化容易軸が垂直、ピン止め強磁性膜である第２の強磁性膜２１２の容易軸が平行になるように方向付ける手段としては、次のような方法がある。 第１の方法は、自由強磁性膜である第１の強磁性膜２１１を低保磁力の軟質強磁性膜を用い、ピン止め強磁性膜である第２の強磁性膜２１２に高保磁力の硬質磁性膜を用いる方法である。 第２の方法は、第１の強磁性膜２１１及び第２の強磁性膜２１２の両者共、軟質強磁性膜によって構成し、ピン止め強磁性膜である第２の強磁性膜２１２に磁化固定膜を積層し、第２の強磁性膜２１
２の磁化の向きを固定する方法である。

【００８２】次に、上述したような要求を充たすための磁化固定手段の具体例について、図２２〜図２４を参照して説明する。

【００８３】図２２は本発明に係る磁気ヘッドの強磁性トンネル接合部２１を示す断面図、図２３は強磁性トンネル接合部２１の斜視図である。 この実施例では、第２
の強磁性膜２１２の面上に磁化固定膜２１６を有する。
磁化固定膜２１６は第２の強磁性膜２１２と、第２の電極膜２３との間に設けられており、第２の強磁性膜２１
２がピン止め強磁性膜となり、第１の強磁性膜２１１が自由強磁性膜となる。 図示は省略するけれども、磁化固定膜２１６は第１の強磁性膜２１１と第１の電極膜２２
との間に設けてもよい。 この場合は、第１の強磁性膜２
１１がピン止め強磁性膜となり、第２の強磁性膜２１２
が自由強磁性膜となる。

【００８４】実施例において、第１の強磁性膜２１１の磁化の向きＭ１がＡＢＳ面１３（または１４）と平行であり、第２の強磁性膜２１２の磁化の向きＭ２は、磁化固定膜２１６によりＡＢＳ面１３（または１４）に垂直となる方向に固定されている。

【００８５】磁化固定膜２１６としては、高保磁力の硬質強磁性膜または反強磁性膜の何れかを用いることができる。 磁化固定膜２１６として、硬質強磁性膜を用いた場合には、磁化固定膜２１６及び第２の強磁性膜２１２
の間に強磁性膜ー強磁性膜による交換結合が生じ、第２
の強磁性膜２１２の磁化の向きが固定され、ピン止め強磁性膜となる。 磁化固定膜２１６として、反強磁性膜を用いた場合には、磁化固定膜２１６及び第２の強磁性膜２１２の間に反強磁性膜ー強磁性膜による交換結合が生じ、第２の強磁性膜２１２の磁化の向きが固定され、ピン止め強磁性膜となる。

【００８６】硬質強磁性膜としては、 Ｃｏ合金、例えば、CoPt，CoPtCr，CoPtTa，CoPtTaCrを用いることができる。 反強磁性膜としては、金属系反強磁性材料あるいは酸化物系反強磁性材料の用いることができる。 金属系反強磁性材料の例はＭｎ合金である。 利用できるＭｎ合金としてはFeMn，NiMn，PtMn，RuMn，RhMn，IrMn，PdMn
及びそれらの合金を挙げることができる。 酸化物系反強磁性材料の例は、NiO，NiCoO，Fe ₂ O ₃ ，CoOである。

【００８７】図２４は図２２及び図２３に示した磁気ヘッドの強磁性トンネル接合部２１の動作を説明する図である。 印加磁場Ｈが零のとき、第２の強磁性膜２１２の磁化の向きＭ２は、磁化固定膜２１６（図２２、２３参照）により、ＡＢＳ面１３（または１４）に垂直になる方向に制御されている。 第１の強磁性膜２１１の磁化の向きＭ１はＡＢＳ面１３（または１４）と平行となる方向である。 この状態で、磁気ディスク等の磁気記録媒体から磁場Ｈが印加された場合、磁化固定膜２１６によりピン止めされている第２の強磁性膜２１２の磁化の向きＭ２は変化しないが、第１の強磁性膜２１１の磁化の向きＭ１は、例えば角度θだけ変化する。 これにより磁気抵抗効果が生じる。

【００８８】＜磁区制御手段＞次に、磁化固定を受けていない自由強磁性膜に対する磁区制御手段について説明する。 この種の磁気ヘッドにおいて、強磁性トンネル接合部２１は、微細な矩形状パターンとして形成される。
かかるパターンでは、パターン端部に磁気的な不安定部分が発生し、磁区が形成されてしまうのを回避することができない。 このため、磁壁移動モードでの磁化反転が部分的に発生し、ノイズを発生する。 そこで、自由強磁性膜の端部に磁区制御膜を設け、自由強磁性膜での磁区形成を抑制する。 磁区制御膜は磁気バイアス膜である。

【００８９】図２５は本発明に係る磁気ヘッドの強磁性トンネル接合部２１を示す平面図、図２６は図２５の２
６ー２６線に沿った断面図である。 この実施例は、第２
の強磁性膜２１２を自由強磁性膜とした例を示し、第２
の強磁性膜２１２の両端部に、磁区制御膜となるバイアス磁性膜２１４、２１５を形成し、第２の強磁性膜２１
２を単一磁区状態に保持する。 バイアス磁性膜２１４、
２１５としては、硬質強磁性膜または反強磁性膜を用いることができる。 このようなバイアス磁性膜２１４、２
１５を配置することにより、それが備えられた第２の強磁性膜２１２を単一磁区状態にすることができるため、
出力波形歪みの原因となるバルクハウゼンノイズの発生を抑えることができる。

【００９０】バイアス磁性膜２１４、２１５を構成する硬質強磁性膜としては、CoPt，CoPtCr，CoPtTa等の材料を用いることができる。 また、反強磁性膜としてはFeM
n，NiMn，PtMn，PdMn，RhMn，CrAl，CrSbなどの反強磁性材料やNiO,α-Fe ₂ O ₃などの酸化物系反強磁性などを用いることができる。

【００９１】図２７は本発明に係る磁気ヘッドの強磁性トンネル接合部２１の別の例を示す断面図である。 この実施例は、第１の強磁性膜２１１を自由強磁性膜とした例を示し、第１の強磁性膜２１１の両端部に、磁区制御膜となるバイアス磁性膜２１４、２１５を形成し、第１
の強磁性膜２１１を単一磁区状態に保持する。

【００９２】図２５〜図２７に示したように、磁区制御膜となるバイアス磁性膜２１４、２１５を設ける場合も、第１の強磁性膜２１１または第２の強磁性膜２１２
は、磁化の向きが、互いに平行でないことが望ましい。
例えば、印加磁場が零の場合に、第１の強磁性膜２１１
または第２の強磁性膜２１２のうちの一方の磁化の向きが、ＡＢＳ面１３（または１４）に平行であり、もう一方の強磁性膜の磁化の向きがＡＢＳ面に垂直になるように制御する。

【００９３】図２５及び図２６に示した構造の強磁性トンネル接合型磁気ヘッドにおいて、Fe(20nm)／酸化アルミニウム(4nm)/Co-10at%Fe(10nm)の膜構成でなる強磁性トンネル接合部２１を感磁部に用いた。 Co-10at%Feでなる第２の強磁性膜２１２の両端に、バイアス磁性膜２１
４、２１５として、CoPtでなる硬質磁性膜を配置した。

【００９４】この磁気ヘッドを用いて、実施例１と同様の静電破壊試験を行なった結果、金属板への印加電圧が約１８０Ｖで静電破壊が起こり、従来の磁気ヘッドより耐電圧が高かった。 また、保磁力２５００Oe、膜厚５０
nmの磁気記録媒体に書き込まれた信号を再生し、出力波形を調べた結果、図２８に示すように歪みのない良好な波形が得られた。

【００９５】＜磁化固定及び磁区制御の併用＞図２９は本発明に係る磁気ヘッドの強磁性トンネル接合部２１の別の例を示す断面図である。 この実施例は、第１の強磁性膜２１１を自由強磁性膜とし、第２の強磁性膜２１２
をピン止め強磁性膜とした例を示している。 第１の強磁性膜２１１の両端には磁区制御膜２１４、２１５が設けられており、また、第２の強磁性膜２１２の上には磁化固定膜２１６が設けられている。

【００９６】図３０は図２９に示した磁気ヘッドの強磁性トンネル接合部２１の動作を説明する図である。 印加磁場Ｈが零のとき、第２の強磁性膜２１２の磁化の向きＭ２は、磁化固定膜２１６により、ＡＢＳ面１３（または１４）に垂直になる方向に固定されている。 第１の強磁性膜２１１の磁化の向きＭ１はＡＢＳ面１３（または１４）と平行となる方向である。 この状態で、磁気ディスク等の磁気記録媒体から磁場Ｈが印加された場合、磁化固定膜２１６によりピン止めされている第２の強磁性膜２１２の磁化の向きＭ２は変化しないが、第１の強磁性膜２１１の磁化の向きＭ１は、例えば角度θだけ変化する。 これにより磁気抵抗効果が生じる。

【００９７】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、高いＭＲ変化率を、再現性よく得ることの可能な強磁性トンネル接合型磁気ヘッドを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気ヘッドの斜視図である。

【図２】図１に示した磁気ヘッドの磁気変換素子部分の拡大断面図である。

【図３】ＭＲ磁気変換素子の部分の拡大断面図である。

【図４】ＭＲ磁気変換素子の拡大斜視図である。

【図５】本発明に係る磁気ヘッドを製造する方法を説明する図である。

【図６】図５の工程の後の工程であって、本発明に係る磁気ヘッドを製造する方法を説明する図である。

【図７】図６の工程の後の工程であって、本発明に係る磁気ヘッドを製造する方法を説明する図である。

【図８】図７の工程の後の工程であって、本発明に係る磁気ヘッドを製造する方法を説明する図である。

【図９】図８の工程の後の工程であって、本発明に係る磁気ヘッドを製造する方法を説明する図である。

【図１０】図９の工程の後の工程であって、本発明に係る磁気ヘッドを製造する方法を説明する図である。

【図１１】図１０の工程の後の工程であって、本発明に係る磁気ヘッドを製造する方法を説明する図である。

【図１２】図１１の工程の後の工程であって、本発明に係る磁気ヘッドを製造する方法を説明する図である。

【図１３】図１２の工程の後の工程であって、本発明に係る磁気ヘッドを製造する方法を説明する図である。

【図１４】図１３の工程の後の工程であって、本発明に係る磁気ヘッドを製造する方法を説明する図である。

【図１５】図１４の工程の後の工程であって、本発明に係る磁気ヘッドを製造する方法を説明する図である。

【図１６】図１５の工程の後の工程であって、本発明に係る磁気ヘッドを製造する方法を説明する図である。

【図１７】図１６の工程の後の工程であって、本発明に係る磁気ヘッドを製造する方法を説明する図である。

【図１８】反強磁性的結合を生じている場合の磁場ー磁気抵抗変化率特性を示す図である。

【図１９】第１の強磁性膜の保磁力Ｈ１と、第２の強磁性膜の保磁力Ｈ２とを、Ｈ１＞Ｈ２のように異ならせた場合の磁化曲線を示している。

【図２０】接合面積５０×５０μm ²の強磁性トンネル接合の磁気抵抗曲線を示す。

【図２１】単位トラック幅当たりの再生出力と記録密度を比較した図である。

【図２２】本発明に係る磁気ヘッドの強磁性トンネル接合部を示す断面図である。

【図２３】本発明に係る磁気ヘッドの強磁性トンネル接合部の斜視図である。

【図２４】図２２及び図２３に示した磁気ヘッドの強磁性トンネル接合部の動作を説明する図である。

【図２５】本発明に係る磁気ヘッドの強磁性トンネル接合部を示す平面図である。

【図２６】図２５の２６ー２６線に沿った断面図である。

【図２７】本発明に係る磁気ヘッドの強磁性トンネル接合部の別の例を示す断面図である。

【図２８】本発明に係る磁気ヘッドの再生波形図である。

【図２９】本発明に係る磁気ヘッドの強磁性トンネル接合部の別の例を示す断面図である。

【図３０】図２９に示した磁気ヘッドの強磁性トンネル接合部の動作を説明する図である。

【符号の説明】

１ スライダ ２１ 強磁性トンネル接合部 ２１１ 第１の強磁性膜 ２１２ 第２の強磁性膜 ２１０ 絶縁膜 ２１４、２１５ 磁区制御膜 ２１６ 磁化固定膜 ２２ 第１の電極膜 ２３ 第２の電極膜 ２４、２５ 絶縁膜 １３、１４ ＡＢＳ面

【手続補正書】

【提出日】平成１２年６月６日（２０００．６．６）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項９

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１０

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１１

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１２

【補正方法】変更

【補正内容】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 学 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 佐野 正志 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内