一种磁性存储器、数据存储装置及控制方法
阅读：545发布：2020-05-12
专利汇可以提供一种磁性存储器、数据存储装置及控制方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种 磁性 存储器 、数据存储装置及控制方法，所述磁性存储器包括强自旋轨道耦合层及设于所述强自旋轨道耦合层上与所述强自旋轨道耦合层电 接触 的多个 磁隧道结 ，其中，所述强自旋轨道耦合层对应于每个磁隧道结的两侧设有与所述强自旋轨道耦合层连接的第一输入 电极 和第一输出电极；所述磁隧道结具有垂直磁 各向异性 ，所述磁隧道结的长和宽之比不为1，所述磁隧道结的对称轴与对应的所述强自旋轨道耦合层的对称轴形成预设夹 角 ，本发明的磁性存储器无需外加 磁场 ，并简化了存储器的控制 电路 ，提高了存储 密度 。，下面是一种磁性存储器、数据存储装置及控制方法专利的具体信息内容。
1.一种磁性存储器，其特征在于，包括强自旋轨道耦合层及设于所述强自旋轨道耦合层上与所述强自旋轨道耦合层电接触的多个磁隧道结，其中，所述强自旋轨道耦合层对应于每个磁隧道结的两侧设有与所述强自旋轨道耦合层连接的第一输入电极和第一输出电极；
所述磁隧道结具有垂直磁各向异性，所述磁隧道结的长和宽之比不为1，所述磁隧道结的对称轴与对应的所述强自旋轨道耦合层的对称轴形成预设夹角；
其中，当向强自旋轨道耦合层的延伸方向输入第一信号时，所述多个磁隧道结呈第一阻态，当沿第一输入电极和第一输出电极的方向输入第二信号时，所述第一输入电极和所述第一输出电极对应的磁隧道结呈第二阻态。
2.根据权利要求1所述的磁性存储器，其特征在于，所述磁隧道结包括与所述强自旋轨道耦合层电接触的自由层以及依次设于所述自由层上方的势垒层和固定层。
3.根据权利要求2所述的磁性存储器，其特征在于，所述自由层和固定层的材料为铁磁金属，所述势垒层为氧化物。
4.根据权利要求1所述的磁性存储器，其特征在于，所述磁隧道结为椭圆形或长方形。
5.根据权利要求1所述的磁性存储器，其特征在于，所述强自旋轨道耦合层为重金属薄膜或反铁磁薄膜。
6.根据权利要求5所述的磁性存储器，其特征在于，所述重金属薄膜的材料是铂Pt、钽Ta或钨W中的一种。
7.根据权利要求1所述的磁性存储器，其特征在于，所述强自旋轨道耦合层的延伸方向的两侧设有用于输入第一信号的第二输入电极和第二输出电极。
8.一种数据存储装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的磁性存储器、写入模块和读取模块；
所述写入模块与所述强自旋轨道耦合层、所述第一输入电极和所述第一输出电极分别连接，用于在复位时向强自旋轨道耦合层输入第一信号使所有磁隧道结呈第一阻态，在数据写入时向待写入的磁隧道结的第一输入电极输入第二信号，使待写入的磁隧道结呈第二阻态；
所述读取模块用于获取所述写入模块在数据写入时向所有磁隧道结输入的信号，得到所有磁隧道结的阻态对应的状态信号。
9.一种磁性存储器的控制方法，其特征在于，包括：
在t1时刻，向强自旋轨道耦合层输入第一信号，使所有磁隧道结呈第一阻态；
在t2时刻，向待写入的磁隧道结的第一输入电极输入第二信号，使待写入的磁隧道结呈第二阻态。
10.根据权利要求9所述的磁性存储器的控制方法，其特征在于，进一步包括：
获取所述写入模块在数据写入时向所有磁隧道结输入的信号，得到所有磁隧道结的阻态对应的状态信号。
11.一种计算机设备，包括存储器、处理器以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，
所述处理器执行所述程序时实现如权利要求9或10所述方法。
12.一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，
该程序被处理器执行时实现如权利要求9或10所述方法。
一种磁性存储器、数据存储装置及控制方法
技术领域
[0001] 本发明涉及磁性存储器技术领域，尤其涉及一种磁性存储器、数据存储装置及控制方法。
背景技术
[0002] 磁性随机存取存储器(Magnetic random access memory,MRAM)以磁隧道结(Magnetic tunnel junction,MTJ)为核心器件，具有低功耗、非易失性存储、写入速度快等优点。
[0003] 目前，自旋轨道矩(Spin orbit torque,SOT)是最具应用潜力的MRAM写入技术之一。SOT-MTJ不易击穿，可靠性高，且读写路径分离，可独立优化。尤其是，对于目前普遍采用的具有垂直磁各向异性(Perpendicular magnetic anisotropy,PMA)的磁隧道结而言，SOT-MRAM的写入速度有望达到亚纳秒级。但是，为利用SOT实现PMA-MTJ状态的确定性翻转，普遍需要施加额外的磁场以人为地破坏体系对称性。然而，磁场的使用将使MRAM电路的设计更加复杂化，引起额外的面积和功耗开销。
发明内容
[0004] 本发明的一个目的在于提供一种磁性存储器，无需外加磁场，并简化了存储器的控制电路，提高了存储密度。本发明的另一个目的在于提供一种数据存储装置。本发明的再一个目的在于提供一种磁性存储器的控制方法。本发明的还一个目的在于提供一种计算机设备。本发明的另一个目的在于提供一种可读介质。
[0005] 为了达到以上目的，本发明一方面公开了一种磁性存储器，包括强自旋轨道耦合层及设于所述强自旋轨道耦合层上与所述强自旋轨道耦合层电接触的多个磁隧道结，其中，所述强自旋轨道耦合层对应于每个磁隧道结的两侧设有与所述强自旋轨道耦合层连接的第一输入电极和第一输出电极；
[0006] 所述磁隧道结具有垂直磁各向异性，所述磁隧道结的长和宽之比不为1，所述磁隧道结的对称轴与对应的所述强自旋轨道耦合层的对称轴形成预设夹角；
[0008] 优选的，所述磁隧道结包括与所述强自旋轨道耦合层电接触的自由层以及依次设于所述自由层上方的势垒层和固定层。
[0010] 优选的，所述磁隧道结为椭圆形或长方形。
[0011] 优选的，所述强自旋轨道耦合层为重金属薄膜或反铁磁薄膜。
[0012] 优选的，所述重金属薄膜的材料是铂Pt、钽Ta或钨W中的一种。
[0013] 所述强自旋轨道耦合层的延伸方向的两侧设有用于输入第一信号的第二输入电极和第二输出电极。
[0014] 本发明还公开了一种数据存储装置，包括如上所述的磁性存储器、写入模块和读取模块；
[0015] 所述写入模块与所述强自旋轨道耦合层、所述第一输入电极和所述第一输出电极分别连接，用于在复位时向强自旋轨道耦合层输入第一信号使所有磁隧道结呈第一阻态，在数据写入时向待写入的磁隧道结的第一输入电极输入第二信号，使待写入的磁隧道结呈第二阻态；
[0016] 所述读取模块用于获取所述写入模块在数据写入时向所有磁隧道结输入的信号，得到所有磁隧道结的阻态对应的状态信号。
[0017] 本发明还公开了一种磁性存储器的控制方法，包括：
[0018] 在t1时刻，向强自旋轨道耦合层输入第一信号，使所有磁隧道结呈第一阻态；
[0019] 在t2时刻，向待写入的磁隧道结的第一输入电极输入第二信号，使待写入的磁隧道结呈第二阻态。
[0020] 优选的，进一步包括：
[0021] 获取所述写入模块在数据写入时向所有磁隧道结输入的信号，得到所有磁隧道结的阻态对应的状态信号。
[0022] 本发明还公开了一种计算机设备，包括存储器、处理器以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，
[0023] 所述处理器执行所述程序时实现如上所述方法。
[0024] 本发明还公开了一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序，
[0025] 该程序被处理器执行时实现如上所述方法。
[0026] 本发明在强自旋轨道耦合层上设置与强自旋轨道耦合层电接触的多个磁隧道结，其中，每个磁隧道结可视为一个存储单元，即本发明将多个存储单元存储集成在强自旋轨道耦合层上，从而减少了每个存储单元控制所需的端口数量，即减少了相应的访问控制晶体管的数量，降低存储器的空间，提高存储密度。本发明是强自旋轨道耦合层中输入第一信号时，多个磁隧道结呈第一阻态，相当于去除了多个磁隧道结中存储的数据，使多个磁隧道结都恢复至初始状态，在写入数据时，仅对需要待写入的磁隧道结输入第二信号，使待写入的磁隧道结的阻态呈现为第二阻态，第二阻态区别于第一阻态，从而通过改变多个磁隧道结的阻态以实现存储不同数据的目的。本发明的磁性存储器在数据写入时，写入状态只取决于第一输入电极的第二信号，从而磁隧道结可设置为单向电流输入第二信号，简化电路设计，同时缓解控制输入电流的控制晶体管的源极退化效应，降低功耗。此外，本发明的磁性存储器，第一信号和第二信号输入时均不需要经过磁隧道结，可减少磁隧道结势垒击穿的风险，提高了器件的可靠性。附图说明
[0027] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0028] 图1示出本发明一种磁性存储器一个具体实施例的结构示意图；
[0029] 图2示出本发明一种磁性存储器一个具体例子的结构示意图；
[0030] 图3示出图2的磁性存储器的工作时序图；
[0031] 图4示出本发明一种数据存储装置一个具体例子的结构示意图；
[0032] 图5示出本发明一种磁性存储器的控制方法一个具体例子的流程图之一；
[0033] 图6示出本发明一种磁性存储器的控制方法一个具体例子的流程图之二；
[0034] 图7示出适于用来实现本发明实施例的计算机设备的结构示意图。
具体实施方式
[0035] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0036] 根据本发明的一个方面，本实施例公开了一种磁性存储器。如图1所示，本实施例中，所述磁性存储器包括强自旋轨道耦合层4及设于所述强自旋轨道耦合层4上与所述强自旋轨道耦合层4电接触的多个磁隧道结，其中，所述强自旋轨道耦合层4对应于每个磁隧道结的两侧设有与所述强自旋轨道耦合层4连接的第一输入电极5和第一输出电极6。
[0037] 所述磁隧道结具有垂直磁各向异性，所述磁隧道结的长和宽之比不为1。所述磁隧道结的对称轴与对应的所述强自旋轨道耦合层的对称轴形成预设夹角。可选的，所述磁隧道结可为椭圆形或长方形等形状，所述强自旋轨道耦合层可为长方形或正方形，所述磁隧道结的对称轴与对应的所述强自旋轨道耦合层4的对称轴形成预设夹角，即磁隧道结的对称轴与强自旋轨道耦合层4方向相近的对称轴不位于同一条直线上，预设夹角的大小大于0°且小于90°，可根据实际需要确定。所述磁隧道结具有垂直磁各向异性，磁隧道结与强自旋轨道耦合层对应的对称轴形成预设夹角，则沿强自旋轨道耦合层的对称轴方向和与对称轴垂直的方向分别输入电流可使磁隧道结的呈现两种不同的阻态。
[0038] 其中，当向强自旋轨道耦合层4输入第一信号时，所述多个磁隧道结呈第一阻态，当沿第一输入电极5和第一输出电极6的方向输入第二信号时，所述第一输入电极5和第一输出电极6对应的磁隧道结呈第二阻态。
[0039] 本发明在强自旋轨道耦合层4上设置与强自旋轨道耦合层4电接触的多个磁隧道结，其中，每个磁隧道结可视为一个存储单元，即本发明将多个存储单元存储集成在强自旋轨道耦合层4上，从而减少了每个存储单元控制所需的端口数量，即减少了相应的访问控制晶体管的数量，降低存储器的空间，提高存储密度。本发明是强自旋轨道耦合层4中输入第一信号时，多个磁隧道结呈第一阻态，相当于去除了多个磁隧道结中存储的数据，使多个磁隧道结都恢复至初始状态，在写入数据时，仅对需要待写入的磁隧道结输入第二信号，使待写入的磁隧道结的阻态呈现为第二阻态，第二阻态区别于第一阻态，从而通过改变多个磁隧道结的阻态以实现存储不同数据的目的。本发明的磁性存储器在数据写入时，写入状态只取决于第一输入电极的第二信号，第二输入电极可采用接地等简单设置，从而磁隧道结可设置为单向电流输入第二信号，简化电路设计，同时缓解控制输入电流的控制晶体管的源极退化效应，降低功耗。此外，本发明的磁性存储器，第一信号和第二信号输入时均不需要经过磁隧道结，可减少磁隧道结势垒击穿的风险，提高了器件的可靠性。
[0040] 具体的，可在强自旋轨道耦合层4上并排设置至少两个磁隧道结，优选的，可设置n(n为大于2的正整数)个磁隧道结(MTJ0、MTJ1、MTJ2……MTJn)，n个磁隧道结的排列方向为强自旋轨道耦合层4的纵向，强自旋轨道耦合层4的横向的两侧对应于每个磁隧道结的位置的两侧分别设置有第一输入电极5和第一输出电极6，第一输入电极5和第一输出电极6与强自旋轨道耦合层4电接触以与磁隧道结电连接。其中，可沿多个强自旋轨道耦合层4的纵向输入电流IY的第一信号，沿与电流IY垂直的方向对应于每个磁隧道结分别输入电流IX0、IX1、IX2……IXn的第二信号。
[0041] 在优选的实施方式中，所述强自旋轨道耦合层的延伸方向的两侧设有用于输入第一信号的第二输入电极7和第二输出电极8。第二输入电极7和第二输出电极8分别与强自旋轨道耦合层延伸的纵向的两端电接触，通过第二输入电极7可向强自旋轨道耦合层输入第一信号的电流，第二输出电极8可采用接地等简单设置方式。
[0042] 在优选的实施方式中，所述磁隧道结包括与所述强自旋轨道耦合层4电接触的自由层3以及依次设于所述自由层3上方的势垒层2和固定层1。可以理解的是，一个磁隧道结表示一个存储单元，可用于存储一个数据。在可选的实施方式中，所述磁隧道结的固定层1的上方还可设置上电极9，上电极9可与外部的读取电路电连接，当需要外部读取时，外部读取电路可通过上电极9向磁隧道结输入检测的电流或电压信号，通过检测经过磁隧道结的电流或电压的变化确定磁隧道结的电阻状态，从而得到磁隧道结存储的逻辑数据，实现存储器数据读取的目的。
[0043] 优选的，所述自由层3和固定层1的材料为铁磁金属，所述势垒层2为氧化物。所述磁隧道结具有垂直磁各向异性，则表示形成磁隧道结的自由层3和固定层1的磁化方向沿垂直方向。其中，铁磁金属可为钴铁CoFe、钴铁硼CoFeB或镍铁NiFe等材料中的至少一种形成的混合金属材料，混合的金属材料的比例可以相同也可以不同。所述氧化物可为氧化镁MgO或氧化铝Al2O3等氧化物中的一种，用于产生隧穿磁阻效应。在实际应用中，铁磁金属和氧化物还可以采用其他可行的材料，本发明对此并不作限定。
[0044] 磁隧道结的自由层3与强自旋轨道耦合层4电接触，可通过传统的离子束外延、原子层沉积或磁控溅射等方法将磁隧道结的各层按照从下到上的顺序依次镀在强自旋轨道耦合层4上，然后通过光刻、刻蚀等传统纳米器件加工工艺来制备形成多个磁隧道结。
[0045] 在一个优选的实施方式中，所述磁隧道结为椭圆形，所述磁隧道结的长轴和短轴与所述强自旋轨道耦合层4的纵向和横向两个对称轴形成预设夹角。通过使磁隧道结的长轴和短轴与强自旋轨道耦合层4的纵向和横向两个对称轴形成一定预设夹角，可使磁隧道结与强自旋轨道耦合层4形成错位，从而分别从强自旋轨道耦合层4正交的纵向和横向两个方向输入第一信号和第二信号时，可使磁隧道结与强自旋轨道耦合层4电接触的自由层3的磁矩方向发生改变，从而使磁隧道结的阻态变化，使自由层3磁矩与固定层1的磁矩平行或反平行以使磁隧道结呈现两种不同阻态，定义不同阻态分别表示写入了逻辑“0”和写入了逻辑“1”，从而可实现数据写入的目的。
[0046] 在优选的实施方式中，所述强自旋轨道耦合层4为重金属薄膜、反铁磁薄膜或其他材料构成的强自旋轨道耦合层。重金属薄膜或反铁磁薄膜可制成长方形，其顶面积需大于所有磁隧道结形成的轮廓的底面积，以能够设置多个磁隧道结，磁隧道结的底面形状完全内嵌于重金属薄膜或反铁磁薄膜的顶面形状。优选的，所述强自旋轨道耦合层的材料可以选用铂Pt、钽Ta或钨W等材料中的一种。在实际应用中，强自旋轨道耦合层还可以采用其他可行的材料形成，本发明对此并不作限定。
[0047] 下面通过一个具体例子来对本发明作进一步的说明。在一个具体例子中，作为强自旋轨道耦合层4的重金属薄膜上并排设置有4个磁隧道结(MTJ0、MTJ1、MTJ2和MTJ3)，4个磁隧道结的排列方向为重金属薄膜的纵向，重金属薄膜的横向的两侧对应于每个磁隧道结的位置的两侧分别设置有第一输入电极5和第一输出电极6，第一输入电极5和第一输出电极6与重金属薄膜电接触以与磁隧道结电连接。将多个磁隧道结制造于同一条重金属薄膜之上，与采用三端口磁隧道结的自旋轨道矩磁性存储器相比，减小了访问控制晶体管的数量，有利于提高集成度，提高存储密度。
[0048] 如图2和图3所示，在未写入数据之前，4个磁隧道结各自的阻态可能不一样，例如图3中示出t0时刻，MTJ0、MTJ1、MTJ2和MTJ3存储的逻辑数据分别为“0”、“1”、“1”和“0”，其中，SA0、SA1、SA2和SA3分别表示MTJ0、MTJ1、MTJ2和MTJ3中存储的逻辑数据。为了能够存入新的数据，需要在t1时刻，向强自旋轨道耦合层4输入第一信号，使所有磁隧道结呈第一阻态，即向Y方向(纵向)输入单向电流IY，使所有磁隧道结自由层3的磁矩变为一致，所有磁隧道结的固定层1的磁矩始终保持不变，则所有磁隧道结的阻态变为一致，为第一阻态，即低电阻状态。此时，MTJ0、MTJ1、MTJ2和MTJ3存储的逻辑数据分别为“0”、“0”、“0”和“0”。
[0049] 进一步的，在写入新的数据时，可在t2时刻，向待写入的磁隧道结的第一输入电极5输入第二信号，使待写入的磁隧道结呈第二阻态，即高电阻状态。本实施例中，沿与Y方向垂直正交的X方向(横向)向MTJ1输入单向电流IX1，使MTJ1自由层3的磁矩反向，从而磁隧道结的阻态变为第二阻态，即高电阻状态。从而可实现对磁隧道结中存储数据的写入和更新。
此时，MTJ0、MTJ1、MTJ2和MTJ3存储的逻辑数据分别为“0”、“1”、“0”和“0”，其中，mz1表示MTJ1的自由层单位磁矩的垂直分量在数据写入过程中的变化。本发明采用单向写入电流，可解决晶体管的源极退化效应，且无需外加磁场辅助写入，更符合实际生产需要，更易实现。SOT写入速度快，可达到亚纳秒级，比传统的自旋转移矩(Spin transfer torque,STT)快得多。
此时，MTJ0、MTJ1、MTJ2和MTJ3存储的逻辑数据分别为“0”、“1”、“0”和“0”，其中，mz1表示MTJ1的自由层单位磁矩的垂直分量在数据写入过程中的变化。本发明采用单向写入电流，可解决晶体管的源极退化效应，且无需外加磁场辅助写入，更符合实际生产需要，更易实现。SOT写入速度快，可达到亚纳秒级，比传统的自旋转移矩(Spin transfer torque,STT)快得多。
[0050] 由于磁隧道结中存储的数据仅由最后一次输入的信号的电流决定，故而可以通过对磁隧道结通入电流的方式实现对存储单元中的数据的擦除和写入，可根据最后一次电流是第一信号还是第二信号确定各个磁隧道结的阻态，从而确定最后一次写入的数据，无需额外设置复杂的读取模块和外加磁场。且磁隧道结中存储的信息只与最后一次写入电流的路径有关，而与写入电流的次数以及磁隧道结初始时电阻的状态无关，可简化电路设计，可大幅度提高存储器的性能与效率。
[0051] 需要说明的是，本实施例中以第一阻态为低电阻状态，第二阻态为高电阻状态为例，在实际应用中，也可以设置第一阻态为高电阻状态，第二阻态为低电阻状态，低电阻状态可表示逻辑数字“0”，高电平阻态可表示逻辑数据“1”，在实际应用中，也可以使低电阻阻态可表示逻辑数字“0”，高电阻状态可表示逻辑数据“1”，本实施例仅作示例性说明，并不限制本发明的保护范围。
[0052] 基于相同原理，本实施例还公开了一种数据存储装置。如图4所示，本实施例中，所述数据存储装置包括如本实施例所述的磁性存储器10、写入模块20和读取模块30。
[0053] 其中，所述写入模块20与所述强自旋轨道耦合层4、所述第一输入电极5和第一输出电极6分别连接，用于在复位时向强自旋轨道耦合层4输入第一信号使所有磁隧道结呈第一阻态，在数据写入时向待写入的磁隧道结的第一输入电极输入第二信号，使待写入的磁隧道结呈第二阻态。
[0054] 所述读取模块30用于获取所述写入模块在数据写入时向所有磁隧道结输入的信号，得到所有磁隧道结的阻态对应的状态信号。即所述读取模块30可获取到所述写入模块20是否向磁隧道结输入第二信号，使磁隧道结的阻态发生改变，从而确定各磁隧道结存储的逻辑数据，进而得到与各磁隧道结存储的逻辑数据对应的状态信号，即本发明通过获取写入模块20向各磁隧道结是否输入第二信号就可确定存储器存储的逻辑数据，而无需设置额外的读取电路。
[0055] 由于该数据存储装置解决问题的原理与以上磁性存储器类似，因此本数据存储装置的实施可以参见磁性存储器的实施，在此不再赘述。
[0056] 基于相同原理，本实施例还公开了一种磁性存储器的控制方法。如图5所示，本实施例中，所述方法包括：
[0057] S100：在t1时刻，向强自旋轨道耦合层4输入第一信号，使所有磁隧道结呈第一阻态。
[0058] S200：在t2时刻，向待写入的磁隧道结的第一输入电极输入第二信号，使待写入的磁隧道结呈第二阻态。
[0059] 在优选的实施方式中，如图6所示，所述方法进一步还可包括：
[0060] S300：获取所述写入模块在数据写入时向所有磁隧道结输入的信号，得到所有磁隧道结的阻态对应的状态信号。
[0061] 由于该方法解决问题的原理与以上磁性存储器类似，因此本方法的实施可以参见磁性存储器的实施，在此不再赘述。
[0062] 上述实施例阐明的系统、装置、模块或单元，具体可以由计算机芯片或实体实现，或者由具有某种功能的产品来实现。一种典型的实现设备为计算机设备，具体的，计算机设备例如可以为个人计算机、膝上型计算机、蜂窝电话、相机电话、智能电话、个人数字助理、媒体播放器、导航设备、电子邮件设备、游戏控制台、平板计算机、可穿戴设备或者这些设备中的任何设备的组合。
[0063] 在一个典型的实例中计算机设备具体包括存储器、处理器以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上所述的由客户端执行的方法，或者，所述处理器执行所述程序时实现如上所述的由服务器执行的方法。
[0064] 下面参考图7，其示出了适于用来实现本申请实施例的计算机设备600的结构示意图。
[0065] 如图7所示，计算机设备600包括中央处理单元(CPU)601，其可以根据存储在只读存储器(ROM)602中的程序或者从存储部分608加载到随机访问存储器(RAM))603中的程序而执行各种适当的工作和处理。在RAM603中，还存储有系统600操作所需的各种程序和数据。CPU601、ROM602、以及RAM603通过总线604彼此相连。输入/输出(I/O)接口605也连接至总线604。
[0066] 以下部件连接至I/O接口605：包括键盘、鼠标等的输入部分606；包括诸如阴极射线管(CRT)、液晶反馈器(LCD)等以及扬声器等的输出部分607；包括硬盘等的存储部分608；以及包括诸如LAN卡，调制解调器等的网络接口卡的通信部分609。通信部分609经由诸如因特网的网络执行通信处理。驱动器610也根据需要连接至I/O接口605。可拆卸介质611，诸如磁盘、光盘、磁光盘、半导体存储器等等，根据需要安装在驱动器610上，以便于从其上读出的计算机程序根据需要被安装如存储部分608。
[0067] 特别地，根据本发明的实施例，上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如，本发明的实施例包括一种计算机程序产品，其包括有形地包含在机器可读介质上的计算机程序，所述计算机程序包括用于执行流程图所示的方法的程序代码。在这样的实施例中，该计算机程序可以通过通信部分609从网络上被下载和安装，和/或从可拆卸介质611被安装。
[0068] 计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能光盘(DVD)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括暂存电脑可读媒体(transitory media)，如调制的数据信号和载波。
[0070] 本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
[0071] 这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
[0072] 这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
[0073] 还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0074] 本领域技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统或计算机程序产品。因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
[0075] 本申请可以在由计算机执行的计算机可执行指令的一般上下文中描述，例如程序模块。一般地，程序模块包括执行特定任务或实现特定抽象数据类型的例程、程序、对象、组件、数据结构等等。也可以在分布式计算环境中实践本申请，在这些分布式计算环境中，由通过通信网络而被连接的远程处理设备来执行任务。在分布式计算环境中，程序模块可以位于包括存储设备在内的本地和远程计算机存储介质中。
[0076] 本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
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