氮化硅沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法
专利汇可以提供氮化硅沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 属于 半导体 存储器 组件领域，具体为氮化 硅 沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法。一种氮化硅沉积炉管，包括外 石英 管和内石英管，所述内石英管设置于所述外石英管内部，所述内石英管内部还设置有晶舟，所述晶舟下方设有晶舟载台，所述晶舟载台的下方设有载盘遮护垫，所述载盘遮护垫边缘设置有环形遮护部，所述环形遮护部的外径与所述载盘遮护垫的直径为对应匹配所述晶舟底端设有底座套环，所述底座套环套于所述晶舟载台上。本发明通过改进现有氮化硅沉积炉管 硬件 设施，避免了晶舟载台金属物质与 腐蚀 气体产生化学反应产生黑色微尘颗粒，进而避免了因微尘颗粒导致 晶圆 产品 缺陷 的产生，提高了产品良率。，下面是氮化硅沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法专利的具体信息内容。
1.一种氮化硅沉积炉管，包括外石英管和内石英管，所述内石英管设置于所述外石英管内部，所述内石英管内部还设置有晶舟，所述晶舟下方设有晶舟载台，其特征在于，所述晶舟载台的下方设有载盘遮护垫，所述载盘遮护垫的直径大于所述晶舟载台的直径且大于所述内石英管的内径，所述载盘遮护垫边缘设置有环形遮护部，所述环形遮护部的外径与所述载盘遮护垫的直径为对应匹配，所述环形遮护部的外径小于所述外石英管的内径，所述环形遮护部顶部为空的，所述晶舟底端设有底座套环，所述底座套环套于所述晶舟载台上，所述外石英管设有底部进气口及排气口。
2.根据权利要求1所述的氮化硅沉积炉管，其特征在于，所述进气口设于所述外石英管的一面，并且所述进气口距离氮化硅沉积炉管底部的距离小于所述环形遮护部顶部距离氮化硅沉积炉管底部的距离，所述排气口设于所述外石英管在相对应于所述进气口的另一面，所述排气口距离氮化硅沉积炉管底部的距离大于所述进气口距离氮化硅沉积炉管底部的距离。
3.根据权利要求1所述的氮化硅沉积炉管，其特征在于，所述载盘遮护垫的直径介于
470～490mm，所述环形遮护部的高度介于90～110mm。
4.根据权利要求1所述的氮化硅沉积炉管，其特征在于，所述晶舟载台的直径介于290～310mm，所述晶舟载台的高度介于25～35mm，所述底座套环的内径介于310～330mm，所述底座套环的高度与所述晶舟载台的高度对应匹配。
5.一种氮化硅沉积炉管自动去膜工艺流程优化的方法，其特征在于，包括提供如权利要求1所述的一种氮化硅沉积炉管，所述方法还包括如下步骤：
步骤1：利用晶舟升降机将所述晶舟送入氮化硅沉积炉管内；
步骤2：通过所述进气口向氮化硅沉积炉管内通入氮气，随后再用泵通过所述排气口将氮气抽走，带走氮化硅沉积炉管内的微尘颗粒，然后将氮化硅沉积炉管内的压力抽到真空状态；
步骤3：经过步骤2后，将氮化硅沉积炉管内压力慢抽到5torr左右，再将压力快抽到底压，使得所述晶舟内承载的晶圆震动，并在此过程中进行降温处理；
步骤4：经过步骤3后，再从所述进气口通入腐蚀性气体A对残留在零件上的薄膜进行刻蚀；
步骤5：向氮化硅沉积炉管内再次通过所述进气口通入氮气，并通过泵从排气口将氮气抽走，带走从零件上脱落的薄膜并送入厂务端；并在此步骤中进行升温处理；
步骤6：再通过所述进气口向氮化硅沉积炉管内通入氨气，并通过泵从排气口将氨气抽走，利用氨气取代氮化硅沉积炉管内的氮气，为氮化硅覆盖做准备；
步骤7：经过步骤5和6的准备工作后，向氮化硅沉积炉管内通入混合气体B进行反应，在炉管内沉积一层四氮化三硅，并保证氮化硅沉积炉管管壁内覆盖满四氮化三硅薄膜；
步骤8：经过步骤7后，再向氮化硅沉积炉管内从所述进气口通入氮气，并用泵将氮气从所述排气口抽走，带走氮化硅沉积炉管内的微尘颗粒；
步骤9：随后持续通入氮气，将氮化硅沉积炉管内的压力通过多个回压步骤回压至大气状态，并进行降温处理；
步骤10：最后利用晶舟升降机将所述晶舟从反应氮化硅沉积炉管内卸出，完成整个自动去膜工艺流程。
6.根据权利要求5所述的氮化硅沉积炉管自动去膜工艺流程优化的方法，其特征在于，所述步骤3中所述降温是从550℃降低到400℃，以达到蚀刻对温度的要求。
7.根据权利要求5所述的氮化硅沉积炉管自动去膜工艺流程优化的方法，其特征在于，所述步骤4中所述腐蚀性气体A包含氟气和一氧化氮。
8.根据权利要求7所述的氮化硅沉积炉管自动去膜工艺流程优化的方法，其特征在于，所述氟气含量介于0.5～1.5L。
9.根据权利要求7所述的氮化硅沉积炉管自动去膜工艺流程优化的方法，其特征在于，所述一氧化氮含量介于0.5～1.5L。
10.根据权利要求5所述的氮化硅沉积炉管自动去膜工艺流程优化的方法，其特征在于，所述步骤4中所述刻蚀时间介于15～25min。
11.根据权利要求5所述的氮化硅沉积炉管自动去膜工艺流程优化的方法，其特征在于，所述步骤5中所述升温是从400℃上升到780℃，以达到氮化硅覆盖的要求。
12.根据权利要求5所述的氮化硅沉积炉管自动去膜工艺流程优化的方法，其特征在于，所述步骤7中所述混合气体B包含氨气和二氯二氢硅。
13.根据权利要求5所述的氮化硅沉积炉管自动去膜工艺流程优化的方法，其特征在于，所述步骤9中所述回压步骤次数介于3～5次。
14.根据权利要求5所述的氮化硅沉积炉管自动去膜工艺流程优化的方法，其特征在于，所述步骤9中所述降温是从780℃降低到550℃。
氮化硅沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
1b距离氮化硅沉积炉管底部的距离大于进气口1a距离氮化硅沉积炉管底部的距离，这样气体从进气口1a进入，沿着载盘遮护垫5上方设置的环形遮护部5a边缘向上流动，流经外石英管1和内石英管2中间，再通过排气口1b排除，由于环形遮护部5a的存在，改变了气体流向，使得气体不能直接吹向晶舟载台4，另外由于晶舟3底端底座套环3a的存在，刚好把晶舟载台4套在底座套环3a的内部，使得气体很难直接与晶舟载台4金属物质接触，因此，避免了腐蚀气体与晶舟载台4金属物质接触发生化学反应而产生微尘颗粒。
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