SUBSTITUTED DONOR ATOMS IN SILICON CRYSTAL FOR QUANTUM COMPUTER
专利汇可以提供SUBSTITUTED DONOR ATOMS IN SILICON CRYSTAL FOR QUANTUM COMPUTER专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且A patterned layer of electrically active donor atoms is incorporated into the surface of a silicon crystal via annealing or heat treatment. The layer may be encapsulated via epitaxial silicon growth. The patterned layer may comprise phosphorus atoms, and formed by exposing a selectively-desorbed hydrogen passivating layer to phosphine gas. A scanning tunneling microscope is used to view donor atoms and to measure their electrical activity. The donor atoms may be used as qubits in a solid state quantum computer.，下面是SUBSTITUTED DONOR ATOMS IN SILICON CRYSTAL FOR QUANTUM COMPUTER专利的具体信息内容。
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