显示装置
阅读：389发布：2020-05-08
专利汇可以提供显示装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且提供了一种显示装置。所述显示装置包括： 显示面板 ，包括穿透显示面板的开口、与开口相邻的显示区域、位于开口与显示区域之间的第一非显示区域和围绕显示区域的第二非显示区域；以及输入检测层，位于显示面板上。输入检测层可以包括：第一线，位于第一非显示区域中；第二线，位于第二非显示区域中；以及 连接线 ，将第一线连接到第二线。，下面是显示装置专利的具体信息内容。
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，包括穿透所述显示面板的开口、与所述开口相邻的显示区域、位于所述开口与所述显示区域之间的第一非显示区域和围绕所述显示区域的第二非显示区域；以及输入检测层，位于所述显示面板上，所述输入检测层包括：第一线，位于所述第一非显示区域中；第二线，位于所述第二非显示区域中；以及连接线，将所述第一线连接到所述第二线。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二线具有恒定电压的电压电平。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一线具有围绕所述开口的环形形状。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述输入检测层包括在第一方向上布置的第一检测电极和在与所述第一方向交叉的第二方向上布置的第二检测电极，所述第一检测电极和所述第二检测电极位于所述显示区域中。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述输入检测层还包括：
第一导电层；
第一绝缘层，位于所述第一导电层上；
第二导电层，位于所述第一绝缘层上，并且包括所述第一检测电极和所述第二检测电极；以及
第二绝缘层，位于所述第二导电层上。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一导电层或所述第二导电层包括所述连接线。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述连接线包括与所述第一检测电极和所述第二检测电极的材料相同的材料。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中：
所述第一导电层包括所述第一线和所述第二线中的至少一条，并且
所述连接线经由所述第一绝缘层的接触孔连接到所述第一线和所述第二线中的至少一条。
9.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述连接线位于所述第一检测电极和所述第二检测电极下方，所述第一绝缘层位于所述连接线与所述第一检测电极和所述第二检测电极之间。
10.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述连接线位于所述第一检测电极和所述第二检测电极之中的相邻检测电极之间的间隙中。
11.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述连接线与所述第一检测电极和所述第二检测电极中的至少一个叠置。
12.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括连接所述第一检测电极之中的相邻第一检测电极或所述第二检测电极之中的相邻第二检测电极的连接电极扇区，所述连接电极扇区位于所述第一非显示区域中。
13.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括穿透所述基底的开口、显示区域、位于所述开口与所述显示区域之间的第一非显示区域以及与所述第一非显示区域间隔开的第二非显示区域，所述显示区域位于所述第一非显示区域与所述第二非显示区域之间；
多个显示元件，布置在所述显示区域中；
封装构件，覆盖所述多个显示元件；
第一检测电极，在第一方向上布置在所述封装构件上；
第二检测电极，在与所述第一方向交叉的第二方向上布置在所述封装构件上；以及第一线，在所述第一非显示区域中布置在所述封装构件上并围绕所述开口。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一线具有恒定电压的电压电平。
15.根据权利要求13所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二线，位于所述第二非显示区域中；以及
连接线，将所述第一线连接到所述第二线。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述连接线与所述第一检测电极位于同一层上。
17.根据权利要求16所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述第一线和所述第二线中的任一条与所述连接线之间的绝缘层，
其中，所述连接线经由所述绝缘层的接触孔连接到所述第一线和所述第二线中的任一条。
18.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述连接线与所述第一线和所述第二线中的任一条位于同一层上。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述连接线包括金属层。
20.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述连接线位于所述第一检测电极和所述第二检测电极之中的相邻检测电极之间的间隙中。
21.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述连接线与所述第一检测电极和所述第二检测电极中的至少一个叠置。
22.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一检测电极和所述第二检测电极分别包括透明导电层。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述第一线包括与所述第一检测电极和所述第二检测电极的材料不同的材料。
24.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一检测电极和所述第二检测电极分别包括金属层。
25.根据权利要求13所述的显示装置，所述显示装置还包括连接所述第一检测电极之中的相邻第一检测电极或所述第二检测电极之中的相邻第二检测电极的连接电极扇区。
显示装置
技术领域
[0002] 实施例涉及显示装置，更具体地，涉及一种包括开口区域或开口的显示装置。
背景技术
[0003] 近年来，显示装置的使用已经多样化。此外，随着显示装置的厚度和重量正在减小，显示装置的使用范围正在扩大。
发明内容
[0004] 实施例涉及一种显示装置，所述显示装置包括：显示面板，包括穿透显示面板的开口、围绕开口的显示区域、位于开口与显示区域之间的第一非显示区域和围绕显示区域的第二非显示区域；以及输入检测层，位于显示面板上。输入检测层可以包括：第一线，位于第一非显示区域中；第二线，位于第二非显示区域中；以及连接线，将第一线连接到第二线。
[0006] 第一线可以具有围绕开口的环形形状。
[0008] 输入检测层可以包括：第一导电层；第一绝缘层，位于第一导电层上；第二导电层，位于第一绝缘层上，并且包括第一检测电极和第二检测电极；以及第二绝缘层，位于第二导电层上。
[0009] 第一导电层或第二导电层可以包括连接线。
[0010] 连接线可以包括与第一检测电极和第二检测电极的材料相同的材料。
[0011] 第一导电层可以包括第一线和第二线中的至少一条，并且连接线可以经由第一绝缘层的接触孔连接到第一线和第二线中的至少一条。
[0012] 连接线可以位于第一检测电极和第二检测电极下方，第一绝缘层位于连接线与第一检测电极和第二检测电极之间。
[0013] 连接线可以位于第一检测电极和第二检测电极之中的相邻检测电极之间的间隙中。
[0014] 连接线可以与第一检测电极和第二检测电极中的至少一个叠置。
[0015] 显示装置还可以包括连接第一检测电极之中的相邻第一检测电极或第二检测电极之中的相邻第二检测电极的连接电极扇区，连接电极扇区位于第一非显示区域中。
[0016] 实施例还涉及一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括穿透基底的开口、显示区域、位于开口与显示区域之间的第一非显示区域以及与第一非显示区域间隔开的第二非显示区域，显示区域位于第一非显示区域与第二非显示区域之间；多个显示元件，布置在显示区域中；封装构件，覆盖多个显示元件；第一检测电极，在第一方向上布置在封装构件上；第二检测电极，在与第一方向交叉的第二方向上布置在封装构件上；以及第一线，在第一非显示区域中布置在封装构件上并围绕开口。
[0017] 第一线可以具有恒定电压的电压电平。
[0018] 显示装置还可以包括：第二线，位于第二非显示区域中；以及连接线，将第一线连接到第二线。
[0019] 连接线可以与第一检测电极位于同一层上。
[0020] 显示装置还可以包括设置在第一线和第二线中的任一条与连接线之间的绝缘层。连接线可以经由绝缘层的接触孔连接到第一线和第二线中的任一条。
[0021] 连接线可以与第一线和第二线中的任一条位于同一层上。
[0022] 连接线可以包括金属层。
[0023] 连接线可以位于第一检测电极和第二检测电极之中的相邻检测电极之间的间隙中。
[0024] 连接线可以与第一检测电极和第二检测电极中的至少一个叠置。
[0025] 第一检测电极和第二检测电极可以分别包括透明导电层。
[0026] 第一线可以包括与第一检测电极和第二检测电极的材料不同的材料。
[0027] 第一检测电极和第二检测电极可以分别包括金属层。
[0029] 通过参照附图详细描述示例实施例，特征对于本领域技术人员将变得明显，在附图中：
[0030] 图1示出了根据示例实施例的显示装置的透视图；
[0031] 图2示出了根据示例实施例的显示装置的剖视图；
[0032] 图3A至图3C示出了根据示例实施例的显示面板的剖视图；
[0033] 图4A至图4C示出了根据其他实施例的显示面板的剖视图；
[0034] 图5示出了根据示例实施例的显示面板的平面图；
[0036] 图7示出了根据示例实施例的显示面板的一部分的平面图；
[0037] 图8示出了根据示例实施例的一个像素的剖视图；
[0038] 图9示出了根据示例实施例的显示面板上的输入检测层的平面图；
[0039] 图10示出了根据示例实施例的输入检测层的剖视图；
[0040] 图11A示出了根据示例实施例的输入检测层中的第一导电层的平面图；
[0041] 图11B示出了根据示例实施例的输入检测层中的第二导电层的平面图；
[0042] 图12A示出了根据另一示例实施例的输入检测层中的第一导电层的平面图；
[0043] 图12B示出了根据另一示例实施例的输入检测层中的第二导电层的平面图；
[0044] 图13示出了根据示例实施例的作为输入检测层的开口区域的周围的局部平面图；
[0045] 图14示出了根据示例实施例的输入检测层中的第一线周围的结构的平面图；
[0046] 图15A示出了沿图14的连接线的延伸方向截取的剖视图；
[0048] 图16示出了根据另一示例实施例的输入检测层中的第一线周围的结构的平面图；
[0049] 图17示出了沿图16的连接线的延伸方向截取的剖视图；
[0050] 图18示出了根据另一示例实施例的输入检测层中的第一线周围的结构的平面图；
[0051] 图19示出了沿图18的连接线的延伸方向截取的剖视图；
[0052] 图20示出了根据另一示例实施例的输入检测层中的第一线周围的结构的平面图；
[0053] 图21示出了沿图20的连接线的延伸方向截取的剖视图；
[0054] 图22示出了根据另一示例实施例的显示面板上的输入检测层的平面图；
[0055] 图23示出了根据另一示例实施例的输入检测层中的第一线周围的结构的平面图；以及
[0056] 图24示出了沿图23的连接线的延伸方向截取的剖视图。
具体实施方式
[0057] 现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，它们可以以不同的形式体现，并且不应该被解释为局限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达示例实施方式的范围。在附图中，为了清楚说明，可以夸大层和区域的尺寸。同样的附图标记始终表示同样的元件。
[0058] 虽然诸如“第一”、“第二”等的术语可以用于描述各种组件，但是这些组件不必受上述术语限制。上述术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。
[0059] 以单数使用的表述包含复数的表述，除非它在上下文中具有明显不同的含义。
[0061] 将理解的是，当组件或层被称作“在”另一组件或层“上”时，该组件或层可以直接在所述另一组件或层上，或者可以存在中间组件或层。
[0062] 当可以不同地实施特定实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者可以按与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
[0063] 将理解的是，当层、区域或组件连接到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件不仅可以被直接连接，而且还可以经由其间的另一层、区域或组件被间接连接。例如，在说明书中，当层、区域或组件电连接到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件不仅可以被直接电连接，而且还可以经由其间的另一层、区域或组件被间接电连接。
[0064] 如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(者/种)”指仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者它们的变型。
[0065] 图1是根据示例实施例的显示装置1的透视图。
[0066] 参照图1，显示装置1包括发光的显示区域DA和不发光的非显示区域NDA，非显示区域NDA与显示区域DA相邻。显示装置1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素发射的光来提供图像。
[0067] 显示装置1可以包括被显示区域(或第二区域)DA至少部分地围绕的开口区域(或第一区域)OA。参照图1，在示例实施例中，开口区域OA可以被显示区域DA完全围绕。开口区域OA可以被布置在显示区域DA中的多个像素限定或围绕。非显示区域NDA可以包括围绕开口区域OA的第一非显示区域(或中间区域、第三区域)NDA1以及围绕显示区域DA外部的第二非显示区域(或外围区域、第四区域)NDA2。位于开口区域OA与显示区域DA之间的第一非显示区域NDA1可以完全围绕开口区域OA，显示区域DA可以完全围绕第一非显示区域NDA1，第二非显示区域NDA2可以完全围绕显示区域DA。
[0068] 在下文中，有机发光显示装置被描述为根据示例实施例的显示装置1的示例。作为另一示例，可以使用诸如无机发光显示装置(或无机电致发光(EL)显示装置)、量子点发光显示器、液晶显示器等的各种类型的显示装置。
[0069] 图2是沿图1的线II-II'截取的根据示例实施例的显示装置1的剖视图。
[0070] 参照图2，显示装置1可以包括显示面板10、布置在显示面板10上的输入检测层40以及光学功能层50，显示面板10、输入检测层40和光学功能层50中的全部可以被窗60覆盖。显示装置1可以是诸如移动电话、膝上型电脑和智能手表的各种电子装置中的任何一种。
[0071] 显示面板10可以显示图像。显示面板10可以包括布置在显示区域DA中的像素，每个像素包括显示元件和连接到显示元件的像素电路。显示元件可以包括有机发光二极管、无机发光二极管、量子点发光二极管等。
[0072] 输入检测(感测)层40可以获得外部输入(例如，根据触摸事件的坐标信息)。输入检测层40可以包括检测电极(感测电极或触摸电极)和连接到检测电极的迹线。输入检测层40可以布置在显示面板10上。输入检测层40可以经由例如互电容方法和/或自电容方法来检测外部输入。
[0073] 输入检测层40可以直接形成在显示面板10上，或者可以单独形成然后经由诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层结合到显示面板10。例如，输入检测层40可以在形成显示面板10的工艺之后连续形成，并且在这种情况下，粘合层可以不设置在输入检测层40与显示面板10之间。在图2中，输入检测层40设置在显示面板10与光学功能层50之间，但是在另一示例实施例中，输入检测层40可以布置在光学功能层50上。
[0074] 光学功能层50可以包括防反射层。防反射层可以降低从显示装置1的外部通过窗60朝向显示面板10入射的光(外部光)的反射率。防反射层可以包括例如延迟器和偏振器。
延迟器可以是膜型的或液晶涂覆型的，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型的或液晶涂覆型的。膜型偏振器可以包括拉伸合成树脂膜，并且液晶涂覆型偏振器可以包括以特定取向排列的液晶。延迟器和偏振器还可以包括保护膜。延迟器本身和偏振器本身或保护膜可以被限定为防反射层的基体层。
延迟器可以是膜型的或液晶涂覆型的，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型的或液晶涂覆型的。膜型偏振器可以包括拉伸合成树脂膜，并且液晶涂覆型偏振器可以包括以特定取向排列的液晶。延迟器和偏振器还可以包括保护膜。延迟器本身和偏振器本身或保护膜可以被限定为防反射层的基体层。
[0075] 在另一示例实施例中，防反射层可以包括黑矩阵和滤色器。可以考虑从显示面板10的每个像素发射的光的颜色来布置滤色器。在另一示例实施例中，防反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括布置在不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以产生相消干涉，因此可以减少外部光反射率。
[0076] 光学功能层50可以包括透镜层。透镜层可以提高从显示面板10发射的光的光输出效率，或者减少颜色偏差。透镜层可以包括具有凸透镜形状或凹透镜形状的层和/或具有不同折射率的多个层。光学功能层50可以包括上述的防反射层和透镜层中的两者或任何一者。
[0077] 显示面板10、输入检测层40和/或光学功能层50可以包括可完全穿透显示面板10、输入检测层40和/或光学功能层50的开口。在这方面，图2示出了其中显示面板10、输入检测层40和光学功能层50分别包括第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H的示例实施例。显示面板10包括从显示面板10的顶表面穿过或穿透到显示面板10的底表面的第一开口10H。输入检测层40包括从输入检测层40的顶表面穿过或穿透到输入检测层40的底表面的第二开口40H。光学功能层50包括从光学功能层50的顶表面穿过或穿透到光学功能层50的底表面的第三开口50H。第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H可以彼此叠置。第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H被定位为与开口区域OA对应。在另一示例实施例中，显示面板
10、输入检测层40和光学功能层50中的至少一个可以不包括开口。例如，在显示面板10、输入检测层40和光学功能层50之中选择的一个或更多个组件可以不包括开口。
10、输入检测层40和光学功能层50中的至少一个可以不包括开口。例如，在显示面板10、输入检测层40和光学功能层50之中选择的一个或更多个组件可以不包括开口。
[0078] 组件20可以与开口区域OA对应。组件20可以如由图2中的实线所示地位于第一开口10H、第二开口40H和/或第三开口50H中，或者可以如由图2中的虚线所示地布置在显示面板10下方。
[0079] 组件20可以包括电子元件。例如，组件20可以是使用光或声音的电子组件。例如，电子元件可以包括接收和使用光的传感器(诸如，红外传感器)、通过接收光来捕获图像的相机、通过输出和检测光或声音来测量距离的传感器或识别指纹的传感器、输出光的小型灯或者输出声音的扬声器。当电子元件使用光时，电子元件可以使用诸如可见光、红外光、紫外光等的各种波长带的光。根据一些实施例，开口区域OA可以被理解为从组件20输出或者朝向电子元件行进的光和/或声音可穿过其传输的透射区域。
[0080] 在另一示例实施例中，当显示装置1用作智能手表或仪表盘时，组件20可以是包括指示确定信息(例如，车辆速度)的时钟指针或指针的构件。当显示装置1包括时钟指针或仪表盘时，组件20可以通过窗60而被外部地暴露，并且窗60可以包括与开口区域OA对应的开口。
[0081] 组件20可以包括如上所述的与显示面板10的功能相关的组件，或者可以包括用于增加显示面板10的美感的诸如饰件的组件。尽管未在图2中示出，但是包括光学透明粘合剂等的层可以位于窗60与光学功能层50之间。
[0082] 图3A至图3C是根据示例实施例的显示面板10的剖视图。
[0083] 在图3A至图3C中所示的示例实施例中，显示面板10包括显示元件层200，显示元件层200布置在基底100上，并且定位为与显示区域DA对应并包括多个像素。基底100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。例如，基底100可以包括主要包含SiO2的玻璃材料或者诸如增强塑料的树脂。
[0085] 显示面板10可以包括面对基底100的作为封装构件300的封装基底340。密封材料350可以设置在基底100与封装基底340之间。密封材料350可以在基底100与封装基底340之间围绕显示元件层200。例如，密封材料350的位于第一非显示区域NDA1中的部分可以围绕显示元件层200的第一边缘(内边缘)。密封材料350的位于第二非显示区域NDA2中的另一部分可以围绕显示元件层200的第二边缘(外边缘)。当从垂直于主表面的方向观看时，开口区域OA可以被密封材料350的所述部分完全围绕，并且显示元件层200的第二边缘可以被密封材料350的所述另一部分完全围绕。
[0086] 显示面板10可以包括与开口区域OA对应的第一开口10H。在这方面，图3A示出了基底100和封装基底340分别包括与开口区域OA对应的通孔100H和340H。显示元件层200也可以包括与开口区域OA对应的通孔。
[0087] 在另一示例实施例中，如图3B中所示，封装基底340包括与开口区域OA对应的通孔340H，而基底100可以不包括通孔。显示元件层200也可以包括与开口区域OA对应的通孔。在另一示例实施例中，如图3C中所示，基底100和封装基底340可以不包括与开口区域OA对应的通孔。显示元件层200可以包括与开口区域OA对应的通孔。此外，作为另一示例实施例，可以省略图3C的显示面板10中的设置在第一非显示区域NDA1中的密封材料350。此外，显示元件层200可以不包括与开口区域OA对应的通孔，图2的不需要高透射率的组件20可以设置在开口区域OA中，使得开口区域OA可以用作组件20的光穿透其的透射区域。即使当显示元件层200不包括与开口区域OA对应的通孔时，显示元件层200的与开口区域OA对应的区域也可以通过不包括像素电路(例如，图6的像素电路PC)的组件(例如，晶体管、存储电容器和布线)来确保透射率。
[0088] 图4A至图4C是根据其他示例实施例的显示面板10'的剖视图。
[0089] 在图4A中所示的示例实施例中，显示元件层200位于基底100上。显示元件层200可以被作为薄膜封装层的封装构件300'覆盖。作为薄膜封装层的封装构件300'可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在图4A中所示的示例实施例中，封装构件300'包括第一无机封装层310'和第二无机封装层330'以及位于第一无机封装层310'与第二无机封装层330'之间的有机封装层320'。
[0090] 第一无机封装层310'和第二无机封装层330'可以均包括至少一种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括例如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。有机封装层320'可以包括例如以丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等为例的聚合物类材料。
[0091] 基底100可以包括聚合物树脂。基底100可以是多层的。例如，基底100可以包括以下面陈述的顺序顺序地堆叠的第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。
[0092] 第一基体层101和第二基体层103可以均包括聚合物树脂。例如，第一基体层101和第二基体层103可以均包括诸如聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)、醋酸丙酸纤维素(CAP)等的聚合物树脂。聚合物树脂可以是透明的。
[0093] 第一阻挡层102和第二阻挡层104可以均是防止外部杂质的渗透的阻挡层，并且可以是包括例如氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)的单层或多层。
[0094] 当显示面板10'包括为多层的基底100和为薄膜封装层的封装构件300'时，可以提高显示面板10'的柔性。
[0095] 在图4A中所示的示例实施例中，分别穿透基底100和封装构件300'(薄膜封装层)的通孔100H和300H'与显示面板10'的第一开口10H对应地设置。显示元件层200也可以包括与开口区域OA对应的通孔。
[0096] 在另一示例实施例中，如图4B中所示，封装构件300'(薄膜封装层)中的有机封装层320'包括与开口区域OA对应的通孔320H'，而基底100以及第一无机封装层310'和第二无机封装层330'可以不包括通孔。在另一示例实施例中，如图4C中所示，封装构件300'(薄膜封装层)中的层可以不包括与开口区域OA对应的通孔。因此，第一无机封装层310'和第二无机封装层330'以及有机封装层320'可以覆盖开口区域OA。在另一示例实施例中，当开口区域OA用作光穿透其的透射区域时，例如，当图2的不需要高透射率的组件20设置在开口区域OA中时，与图4A至图4C中所示的不同，显示元件层200可以不包括与开口区域OA对应的通孔。即使当显示元件层200不包括与开口区域OA对应的通孔时，显示元件层200的与开口区域OA对应的区域也可以通过不包括形成图6的像素电路PC的组件(例如，晶体管、存储电容器和布线)来确保透射率。
[0097] 图5是根据示例实施例的显示面板10的平面图，图6是显示面板10的一个像素P的等效电路图。
[0098] 参照图5，显示面板10包括开口区域OA、显示区域DA以及第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。图5可以被理解为显示面板10中的基底100的视图。例如，可以理解的是，基底100包括开口区域OA、显示区域DA以及第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。
[0099] 显示面板10包括布置在显示区域DA中的多个像素P。如图6中所示，每个像素P包括像素电路PC以及作为连接到像素电路PC的显示组件的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素P可以从有机发光二极管OLED发射例如红光、绿光或蓝光或者可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
[0100] 在图6中所示的示例实施例中，第二薄膜晶体管T2为开关薄膜晶体管，连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以根据从扫描线SL输入的开关电压将从数据线DL输入的数据电压传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从第二薄膜晶体管T2接收的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。
[0101] 在图6中所示的示例实施例中，第一薄膜晶体管T1为驱动薄膜晶体管，连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以基于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电压发射具有一定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
[0102] 在图6中，像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而变化。
[0103] 返回参照图5，第一非显示区域NDA1可以围绕开口区域OA。在本示例实施例中，第一非显示区域NDA1是未布置有诸如发射光的有机发光二极管的显示元件的区域，向设置在开口区域OA周围的像素P提供信号的信号线可以位于第一非显示区域NDA1中。向每个像素P提供扫描信号的扫描驱动器1100、向每个像素P提供数据信号的数据驱动器1200、用于提供第一电源电压和第二电源电压的主电源线(未示出)等可以布置在第二非显示区域NDA2中。在图5中，数据驱动器1200布置为与基底100的一个侧表面相邻，但是根据另一示例实施例，数据驱动器1200可以布置在电连接到布置在显示面板10的一侧处的垫(“pad”，或称为焊盘)的柔性印刷电路板(FPCB)上。
[0104] 图7是根据示例实施例的显示面板10的一部分的平面图，并且示出了位于第一非显示区域NDA1中的信号线。
[0105] 参照图7，像素P布置在开口区域OA周围的显示区域DA中，并且第一非显示区域NDA1可以位于开口区域OA与显示区域DA之间。
[0106] 像素P可以在开口区域OA周围彼此间隔开。在平面上，像素P可以基于开口区域OA布置在上部处和下部处，并且像素P可以基于开口区域OA布置在左侧处和右侧处。开口区域OA可以位于像素P之间。
[0107] 在向像素P供应信号的信号线之中，与开口区域OA相邻的信号线可以在开口区域OA周围迂曲或绕行。穿过显示区域DA的一些数据线DL可以在沿被第一非显示区域NDA1围绕的开口区域OA的边缘迂曲或绕行的同时在y方向上延伸以向布置在开口区域OA的上部处和下部处的像素P提供数据信号。穿过显示区域DA的一些扫描线SL可以在沿被第一非显示区域NDA1围绕的开口区域OA的边缘迂曲或绕行的同时在x方向上延伸以向布置在开口区域OA的左侧处和右侧处的像素P提供扫描信号。
[0108] 图8是沿着图7的线VIII-VIII'截取的根据示例实施例的一个像素P的剖视图。
[0109] 参照图8，像素电路PC可以布置在基底100上，并且电连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED可以布置在像素电路PC上。如上面参照图3A至图3C以及图4A至图4C描述的，基底100可以包括例如玻璃材料或聚合物树脂，并且可以是单层或多层。
[0111] 像素电路PC可以布置在缓冲层201上。像素电路PC可以包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。图8中示出的薄膜晶体管TFT可以与参照图6描述的驱动薄膜晶体管对应。在本示例实施例中，示出了其中栅电极GE布置在半导体层Act上且栅极绝缘层203位于栅电极GE与半导体层Act之间的顶栅型，但是根据另一示例实施例，薄膜晶体管TFT可以是底栅型。
[0112] 半导体层Act可以包括多晶硅。在另一实施方式中，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括例如包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以是包括这种材料的单层或多层。
[0113] 半导体层Act与栅电极GE之间的栅极绝缘层203可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪。栅极绝缘层203可以是包括这种材料的单层或多层。
[0114] 源电极SE和漏电极DE可以包括具有良好导电性的材料。源电极SE和漏电极DE可以均包括例如包含Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可以是包括这种材料的单层或多层。根据示例实施例，源电极SE和漏电极DE可以是Ti/Al/Ti的多层。
[0115] 存储电容器Cst可以包括与位于其间的第一层间绝缘层205叠置的下电极CE1和上电极CE2。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置。在这方面，图8示出了薄膜晶体管TFT的栅电极GE是存储电容器Cst的下电极CE1。在另一示例实施例中，存储电容器Cst和薄膜晶体管TFT可以彼此不叠置。存储电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。
[0116] 第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括无机绝缘材料，诸如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化铪。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以是包括这种材料的单层或多层。
[0117] 包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以被绝缘层(平坦化绝缘层)209覆盖。平坦化绝缘层209可以包括其顶表面是大致平坦的表面。平坦化绝缘层209可以包括有机绝缘材料，诸如通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的共混物。根据示例实施例，平坦化绝缘层209可以包括聚酰亚胺。平坦化绝缘层209可以包括无机绝缘材料或者可以包括无机绝缘材料和有机绝缘材料。
[0118] 像素电极221可以设置在平坦化绝缘层209上。像素电极221可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在另一示例实施例中，像素电极221可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、Al、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的混合物的反射膜。在另一示例实施例中，像素电极221还可以包括位于反射膜上和/或下方的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的膜。
[0119] 绝缘层可以设置在像素电极221上作为像素限定层211。像素限定层211可以包括暴露像素电极221的顶表面的开口同时覆盖像素电极221的边缘。像素限定层211可以包括有机绝缘材料。在另一实施方式中，像素限定层211可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅。在另一实施方式中，像素限定层211可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
[0120] 中间层222可以包括布置在发射层222b下方的第一功能层222a和/或布置在发射层222b上的第二功能层222c。发射层222b可以包括发射特定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。
[0121] 第一功能层222a可以是单层或多层。例如，当第一功能层222a包括高分子量有机材料时，第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。当第一功能层222a包括低分子量有机材料时，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
[0122] 当第一功能层222a和发射层222b包括高分子量有机材料时，可以设置第二功能层222c。第二功能层222c可以是单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
[0123] 可以针对显示区域DA中的每个像素设置中间层222的发射层222b。发射层222b可以接触像素电极221的通过像素限定层211的开口暴露的顶表面。中间层222的第一功能层222a和第二功能层222c中的每个可以是单一体，并且可以朝向第一非显示区域NDA1(见图
5)延伸，以位于第一非显示区域NDA1和显示区域DA中。
5)延伸，以位于第一非显示区域NDA1和显示区域DA中。
[0124] 对电极223可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极223可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、钙(Ca)或它们的合金的(半)透明层。在另一实施方式中，对电极223还可以包括位于包含上述材料的(半)透明层上的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极223作为单一体不仅可以设置在显示区域DA中，还可以设置在第一非显示区域NDA1中。中间层222和对电极223可以经由例如热沉积方法来设置。
[0125] 间隔件213可以设置在像素限定层211上。间隔件213可以包括例如以聚酰亚胺为例的有机绝缘材料。在另一实施方式中，间隔件213可以包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
[0126] 间隔件213可以包括与像素限定层211的材料不同的材料。在另一实施方式中，间隔件213可以包括与像素限定层211的材料相同的材料，并且在这种情况下，像素限定层211和间隔件213可以例如经由使用半色调掩模的掩模工艺一起形成。根据示例实施例，像素限定层211和间隔件213可以包括聚酰亚胺。
[0127] 盖层230可以布置在对电极223上。盖层230可以包括例如LiF的无机材料和/或有机材料。
[0128] 图9是根据示例实施例的显示面板10上的输入检测层40的平面图。
[0129] 参照图9，输入检测层40可以包括第一检测电极410、连接到第一检测电极410的第一迹线415-1至415-4、第二检测电极420以及连接到第二检测电极420的第二迹线425-1至425-5。
[0130] 第一检测电极410可以在y方向上布置，第二检测电极420可以在与y方向交叉的x方向上布置。在y方向上布置的第一检测电极410可以经由其间的第一连接电极411彼此连接，并且可以形成第一检测线410C1至410C4。在x方向上布置的第二检测电极420可以经由其间的第二连接电极421彼此连接，并且可以形成第二检测线420R1至420R5。第一检测线410C1至410C4以及第二检测线420R1至420R5可以彼此交叉。例如，第一检测线410C1至
410C4可以与第二检测线420R1至420R5垂直。
410C4可以与第二检测线420R1至420R5垂直。
[0131] 第一检测线410C1至410C4可以通过设置在第二非显示区域NDA2中的第一迹线415-1至415-4连接到检测信号垫单元440的垫。例如，第一迹线415-1至415-4可以具有分别连接到第一检测线410C1至410C4的顶部和底部的双路由结构。分别连接到第一检测线
410C1至410C4的顶部和底部的第一迹线415-1至415-4可以连接到对应的第一垫441C1和
441C2。
410C1至410C4的顶部和底部的第一迹线415-1至415-4可以连接到对应的第一垫441C1和
441C2。
[0132] 第二检测线420R1至420R5可以通过设置在第二非显示区域NDA2中的第二迹线425-1至425-5连接到检测信号垫单元440的垫。例如，第二迹线425-1至425-5可以连接到对应的第二垫442R。
[0133] 接地线可以布置在第二非显示区域NDA2中，这可以帮助防止被引入到输入检测层40的外部静电放电(ESD)(例如，通过第二非显示区域NDA2引入的ESD)。例如，图9示出了沿第二非显示区域NDA2的左侧和顶侧延伸的第一接地线461以及沿第二非显示区域NDA2的右侧延伸的第二接地线462。第一接地线461和第二接地线462可以彼此间隔开一定距离。在这方面，图9示出了在第二非显示区域NDA2中的与显示区域DA的右上侧相邻的区域中彼此间隔开的第一接地线461和第二接地线462。第一接地线461和第二接地线462可以分别连接到垫446a和446b。第一接地线461和第二接地线462可以均具有恒定值的电压电平(例如，恒定零电压、恒定负直流(DC)电压或恒定正DC电压)。第一接地线461和第二接地线462可以具有彼此不同电平的恒定电压或相同电平的恒定电压。
[0134] 防护线可以布置在第一迹线415-1至415-4的组和第二迹线425-1至425-5的组周围，这可以帮助防止相邻线或布线之间的干扰。例如，如图9中所示，第一防护线451可以位于第一接地线461与第一迹线415-1至415-4的分别连接到第一检测线410C1至410C4的上侧的上组之间。第二防护线452可以位于第二接地线462与第二迹线425-1至425-5的组之间。第三防护线453可以位于第一迹线415-1至415-4的上组与第一迹线415-1至415-4的分别连接到第一检测线410C1至410C4的下侧的下组之间，第四防护线454可以位于第一迹线415-1至415-4的下组与第二迹线425-1至425-5的组之间。第一防护线451至第四防护线454可以分别连接到垫445a至445d。第一防护线451至第四防护线454可以均具有恒定电压的电压电平。例如，第一防护线451至第四防护线454可以具有彼此分别不同电平的恒定电压，或者具有相同电平的恒定电压。
[0135] 第一线470可以布置在第一非显示区域NDA1中，这可以帮助防止由引入到输入检测层40的外部ESD(例如，通过开口区域OA的周围引入的ESD)造成的损坏。如图9中所示，第一线470可以具有围绕开口区域OA的环形形状。根据另一示例实施例，第一线470可以具有部分(例如，至少90％)围绕开口区域OA的形状。根据示例实施例，第一线470可以具有连续、完全围绕的环形形状。
[0136] 第一线470可以具有恒定电压的电压电平。根据示例实施例，第一线470可以经由穿过显示区域DA的连接线480电连接到布置在第二非显示区域NDA2中的第三接地线430。
[0137] 第三接地线430可以位于例如显示区域DA与第一迹线415-1至415-4的上组之间。第三接地线430可以连接到包括在检测信号垫单元440中的垫443。第一非显示区域NDA1的第一线470、第二非显示区域NDA2的第三接地线430以及连接到第一线470和第三接地线430的连接线480可以具有相同的电压电平(恒定电压)。
[0138] 图9示出了其中第一迹线415-1至415-4分别连接到第一检测线410C1至410C4的上部和下部的双路由结构。在另一示例实施例中，第一迹线415-1至415-4可以仅连接到第一检测线410C1至410C4的上部或下部。
[0139] 图10是根据示例实施例的输入检测层40的剖视图，并且与沿图9的线X-X'截取的剖视图对应。
[0140] 参照图10，输入检测层40可以包括布置在显示面板10上的第一导电层CML1和第二导电层CML2。第一绝缘层43可以设置在第一导电层CML1与第二导电层CML2之间，并且第二绝缘层45可以设置在第二导电层CML2上。
[0141] 第一导电层CML1和第二导电层CML2可以包括例如金属层或透明导电层。金属层可以包括Mo、Ag、Ti、Cu、Al或它们的合金。透明导电层可以包括透明导电氧化物，诸如ITO、IZO、ZnO或ITZO。另外，透明导电层可以包括导电聚合物，诸如PEDOT、金属纳米布线或石墨烯。
[0142] 第一导电层CML1和第二导电层CML2可以包括单层或多层。单层的第一导电层CML1和第二导电层CML2可以包括金属层或透明导电层，金属层和透明导电层可以为如上所述的。多层的第一导电层CML1和第二导电层CML2可以包括多层的金属层。多层的金属层可以包括例如Ti/Al/Ti的3层。在另一实施方式中，多层的金属层可以包括金属层和透明导电层。第一导电层CML1和第二导电层CML2可以具有不同或相同的堆叠结构。例如，第一导电层CML1可以包括金属层，第二导电层CML2可以包括透明导电层。在另一实施方式中，第一导电层CML1和第二导电层CML2可以包括相同的多层的金属层。
[0143] 第一绝缘层43和第二绝缘层45可以包括无机材料，诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。在另一实施方式中，第一绝缘层43和第二绝缘层45可以包括有机材料。
[0144] 上面参照图9描述的第一检测电极410和第二检测电极420以及第一连接电极411和第二连接电极421中的一些可以包括在第一导电层CML1中，它们的其余部分可以包括在第二导电层CML2中。例如，如图10中所示，第一导电层CML1可以包括第一连接电极411，第二导电层CML2可以包括第一检测电极410和第二检测电极420(见图9和图10)以及第二连接电极421。相邻的第二检测电极420可以通过位于同一层上的第二连接电极421电连接。相邻的第一检测电极410可以在通过穿透第一绝缘层43的接触孔CNT连接到第一连接电极411的同时通过第一连接电极411电连接。
[0145] 在图10中所示的示例实施例中，输入检测层40包括第一导电层CML1、第一绝缘层43、第二导电层CML2和第二绝缘层45。根据另一示例实施例，还可以在第一导电层CML1下方布置包括无机材料或有机材料的绝缘层。
[0146] 考虑到灵敏度，可以确定第一导电层CML1和第二导电层CML2的堆叠结构和材料，例如，第一检测电极410和第二检测电极420(见图9)与第一连接电极411和第二连接电极421的堆叠结构和材料。RC延迟会影响感测灵敏度。在一些实施方式中，与透明导电层相比，包括金属层的检测电极可以具有低的电阻，使得可以降低RC值。因此，可以减少限定在检测电极之间的电容器的充电时间。在一些实施方式中，与金属层相比，包括透明导电层的检测电极可以对用户不可见并且可以具有高输入面积，从而增大电容。
[0147] 图11A是根据示例实施例的输入检测层40中的第一导电层CML1的平面图，图11B是根据示例实施例的输入检测层40中的第二导电层CML2的平面图。
[0148] 参照图10、图11A和图11B，第一导电层CML1可以包括第一连接电极411，第二导电层CML2可以包括第一检测电极410、第二检测电极420和第二连接电极421。
[0149] 第二检测电极420可以通过与第二检测电极420设置在同一层上的第二连接电极421彼此连接。将相邻的第一检测电极410电连接的第一连接电极411可以通过设置在第一绝缘层43中的接触孔CNT连接到相邻的第一检测电极410。
[0150] 当第一检测电极410和第二检测电极420包括透明导电层时，第一检测电极410和第二检测电极420可以如图11B中所示地具有矩形形状或菱形形状，并且可以具有与上述形状对应的区域，因此与下面描述的网格型检测电极相比，可以具有相对大的输入面积并且具有高电容。
[0151] 图12A是根据另一示例实施例的输入检测层40中的第一导电层CML1的平面图，图12B是根据另一示例实施例的输入检测层40中的第二导电层CML2的平面图。
[0152] 参照图10、图12A和图12B，第一检测电极410和第二检测电极420以及第一连接电极411和第二连接电极421可以具有网格(或格子或栅格)形状。当第一检测电极410和第二检测电极420包括金属层时，第一检测电极410和第二检测电极420可以如图12A和图12B中所示地具有网格形状，这可以降低对用户的可视性。
[0153] 第一连接电极411和第二连接电极421可以分别包括位于网格形状的金属层之间的孔410H和420H。孔410H和420H可以设置为与图10的显示面板10的像素的发射区域P-E叠置。
[0154] 第二检测电极420可以通过与第二检测电极420设置在同一层上的第二连接电极421彼此连接。第一检测电极410可以通过与第一检测电极410设置在不同层上的第一连接电极411彼此连接。
[0155] 图13是根据示例实施例的作为输入检测层40的开口区域OA的周围的局部平面图。
[0156] 在图13中所示的示例实施例中，上面参照图9描述的第一线470位于开口区域OA周围，例如，位于第一非显示区域NDA1中。第一连接电极扇区491和第二连接电极扇区492可以布置在第一线470周围。
[0157] 第一检测电极410和第二检测电极420中的一些可以相对于开口区域OA彼此间隔开。例如，如图13中所示，布置在开口区域OA的右上处和右下处的第一检测电极410可以彼此间隔开并且通过第一连接电极扇区491彼此电连接。类似地，布置在开口区域OA的左下处和右下处的第二检测电极420可以彼此间隔开并且通过第二连接电极扇区492彼此电连接。
[0158] 图13示出了两个连接电极扇区作为示例。连接电极扇区的数量可以例如根据开口区域OA的大小和位置，基于在开口区域OA周围的第一检测电极410和第二检测电极420之中的彼此间隔开的检测电极的数量和类型而改变。第一连接电极扇区491和第二连接电极扇区492可以位于上面参照图10描述的第一导电层CML1上。在另一实施方式中，第一连接电极扇区491和第二连接电极扇区492可以位于第二导电层CML2(见图10)上。在另一实施方式中，第一连接电极扇区491和第二连接电极扇区492中的一些可以位于第一导电层CML1上，其他可以位于第二导电层CML2上，同时包括连接到上述第一导电层CML1的区域的区域。
[0159] 图14是根据示例实施例的输入检测层40中的第一线470周围的结构的平面图，图15A是沿图14的连接线480的延伸方向截取的剖视图，图15B和图15C是图15A的修改实施例。
为了方便，在图14中，省略了上面参照图13描述的连接电极扇区。
为了方便，在图14中，省略了上面参照图13描述的连接电极扇区。
[0160] 参照图14和图15A，连接线480(将位于第一非显示区域NDA1中的第一线470连接到位于第二非显示区域NDA2中的第三接地线430)可以在第一检测电极410与第二检测电极420之间穿过。连接线480可以通过第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2分别连接到第三接地线430和第一线470。
[0161] 第一检测电极410和第二检测电极420可以如上面参照图10、图11B和图12B描述的位于同一层上，并且可以彼此间隔开。第二导电层CML2的第二检测电极420可以连接到第二导电层CML2的第二连接电极421，第二导电层CML2的第一检测电极410可以连接到第一导电层CML1的第一连接电极411。根据示例实施例，如图14中所示，第一连接电极411(连接第一检测电极410)可以连接到位于第二导电层CML2中的中间电极411C。如此，相邻的第一检测电极410可以均经由第一连接电极411连接到中间电极411C，其中，中间电极411C可以用作连接电极。中间电极411C可以与第一检测电极410位于同一层上。
[0162] 根据示例实施例，第一虚设电极410D和第二虚设电极420D可以位于第一检测电极410与第二检测电极420之间。第一虚设电极410D和第二虚设电极420D可以与相邻电极间隔开。第一虚设电极410D和第二虚设电极420D可以处于电浮置状态。第一虚设电极410D和第二虚设电极420D可以通过第一检测电极410与第二检测电极420之间的间隔帮助防止第一检测电极410和第二检测电极420的莫尔图案(moire pattern)或图案对用户可见。第一检测电极410与第二检测电极420之间的间隔可以通过第一虚设电极410D和第二虚设电极
420D充分地分开。因此，可以改善触摸感测。第一虚设电极410D和第二虚设电极420D可以与第一检测电极410和第二检测电极420位于同一层上。例如，第二导电层CML2可以包括第一检测电极410和第二检测电极420以及第一虚设电极410D和第二虚设电极420D。
420D充分地分开。因此，可以改善触摸感测。第一虚设电极410D和第二虚设电极420D可以与第一检测电极410和第二检测电极420位于同一层上。例如，第二导电层CML2可以包括第一检测电极410和第二检测电极420以及第一虚设电极410D和第二虚设电极420D。
[0163] 连接线480可以位于第一检测电极410与第二检测电极420之间的间隙中和/或第一虚设电极410D与第二虚设电极420D之间的间隙中。参照图15A，第一导电层CML1可以包括第三接地线430和第一线470，第二导电层CML2可以包括连接线480。连接线480可以通过设置在第一导电层CML1与第二导电层CML2之间的第一绝缘层43中的第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2分别连接到第三接地线430和第一线470。根据示例实施例，连接线480可以包括与第一检测电极410和第二检测电极420的材料相同的材料，第一线470可以包括与第一检测电极410和第二检测电极420的材料不同的材料。
[0164] 第一导电层CML1可以包括金属层，金属层可以包括Mo、Mg、Ag、Ti、Cu、Al或它们的合金。第二导电层CML2可以包括ITO的透明导电层，并且包括透明导电层的第一检测电极410和第二检测电极420可以如图14和图11B中所示地具有具备一定面积的矩形形状或菱形形状。
[0165] 根据另一示例实施例，第一导电层CML1和第二导电层CML2可以包括金属层，并且包括金属层的第一检测电极410和第二检测电极420可以具有如图12B中所示的网格形状。当第一导电层CML1和第二导电层CML2包括金属层时，第一线470和第三接地线430中的一条可以包括在第一导电层CML1中，而另一条可以包括在第二导电层CML2中。在这方面，图15B示出了第三接地线430包括在第一导电层CML1中且第一线470包括在第二导电层CML2中。根据另一示例实施例，第三接地线430可以包括在第二导电层CML2中，第一线470可以包括在第一导电层CML1中。根据另一示例实施例，如图15C中所示，第一线470和第三接地线430可以包括在第二导电层CML2中。
[0166] 图16是根据另一示例实施例的输入检测层40中的第一线470周围的结构的平面图，图17是沿图16的连接线480的延伸方向截取的剖视图。为了方便，在图16中，省略了上面参照图13描述的连接电极扇区。
[0167] 参照图16和图17，除了连接线480与第三接地线430和第一线470位于同一层上(包括在第一导电层CML1中)之外，特征与上面参照图14和图15C描述的特征相同。在下文中，下面将主要描述不同之处。
[0168] 第一导电层CML1可以包括第三接地线430、第一线470和连接线480。第三接地线430、第一线470和连接线480可以是单体，因此，第一绝缘层43可以不包括用于连接第三接地线430和连接线480以及连接第一线470和连接线480的接触孔。
[0169] 图18是根据另一示例实施例的输入检测层40中的第一线470周围的结构的平面图，图19是沿图18的连接线480的延伸方向截取的剖视图。为了方便，在图18中，省略了上面参照图13描述的连接电极扇区。
[0170] 参照图18和图19，除了连接线480与第一检测电极410和第二检测电极420中的至少一个叠置之外，特征与上面参照图14和图15C描述的特征相同。下面将主要描述不同之处。
[0171] 在本示例实施例中，第一导电层CML1包括第三接地线430、第一线470和连接线480。连接线480可以与第三接地线430和第一线470形成单一体。穿过显示区域DA的连接线
480的第一部分可以与布置在显示区域DA中的第二检测电极420叠置，并且连接线480的第二部分可以与布置在显示区域DA中的第一检测电极410叠置。
480的第一部分可以与布置在显示区域DA中的第二检测电极420叠置，并且连接线480的第二部分可以与布置在显示区域DA中的第一检测电极410叠置。
[0172] 第一导电层CML1可以包括第一连接电极411和连接线480。连接线480的第二部分可以与第一检测电极410叠置，同时在第一连接电极411周围迂曲或绕行。根据另一示例实施例，当第一连接电极411包括在与第一导电层CML1不同的第三导电层中时，连接线480可以与第一连接电极411叠置，并且穿过显示区域DA的连接线480的一部分可以仅与第一检测电极410和第二检测电极420中的一个叠置。
[0173] 图20是根据另一示例实施例的输入检测层40中的第一线470周围的结构的平面图，图21是沿图20的连接线480的延伸方向截取的剖视图。为了方便，在图20中，省略了上面参照图13描述的连接电极扇区。
[0174] 参照图20和图21，连接线480可以位于第二检测电极420的子检测电极之间。例如，第二检测电极420可以包括第一子检测电极420A和第二子检测电极420B，连接线480可以位于第一子检测电极420A与第二子检测电极420B之间。
[0175] 第一导电层CML1可以包括第三接地线430、第一线470、第一连接电极411和子连接电极421S。第二导电层CML2可以包括第一检测电极410、中间电极411C、第一子检测电极420A和第二子检测电极420B、第一虚设电极410D和第二虚设电极420D以及连接线480。第一子检测电极420A和第二子检测电极420B可以经由子连接电极421S彼此电连接。
[0176] 连接线480可以通过第一绝缘层43的第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2分别连接到第三接地线430和第一线470，并且连接线480的一部分可以与显示区域DA中的子连接电极421S叠置。
[0177] 图22是根据另一示例实施例的显示面板10上的输入检测层40的平面图。除了省略了第三接地线430和相应的垫443之外，图22的输入检测层40具有与上面参照图9描述的构造相同的构造。
[0178] 参照图22，布置在第一非显示区域NDA1中同时围绕开口区域OA的第一线470电连接到布置在第二非显示区域NDA2中的第二布线，例如电连接到第三防护线453。第一线470和第三防护线453可以经由连接线480彼此电连接。在本示例实施例中，第三防护线453具有恒定电压的电压电平。第一线470可以与第三防护线453具有相同的电压电平。
[0179] 图23是根据另一示例实施例的输入检测层40中的第一线470周围的结构的平面图，图24是沿图23的连接线480的延伸方向截取的剖视图。尽管未在图23中示出，但是上面参照图13描述的连接电极扇区可以布置在第一非显示区域NDA1中。
[0180] 参照图23和图24，除了第一线470通过连接线480连接到第三防护线453之外，第一线470的特征与上面参照图14和图15C描述的特征相同。第一线470位于第一非显示区域NDA1中同时围绕开口区域OA，第三防护线453位于第二非显示区域NDA2中。
[0181] 例如，第一导电层CML1可以包括第三防护线453、第一线470和第一连接电极411。第二导电层CML2可以包括第一检测电极410和第二检测电极420、第一虚设电极410D和第二虚设电极420D、中间电极411C、第二连接电极421和连接线480。连接线480可以通过设置第一绝缘层43(设置在第一导电层CML1与第二导电层CML2之间)中的第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2分别连接到第三防护线453和第一线470。
[0182] 在图23中，作为示例，连接线480包括在第二导电层CML2中。根据另一示例实施例，连接线480可以如上面参照图16描述的包括在第一导电层CML1中，连接线480、第三防护线453和第一线470可以设置为单一体。根据另一示例实施例，连接线480可以如上面参照图18描述的包括在第一导电层CML1中同时与第一检测电极410和第二检测电极420中的至少一个叠置。根据另一示例实施例，连接线480可以如上面参照图20描述的包括在第二导电层CML2中，并且可以在第一子检测电极420A与第二子检测电极420B之间穿过。
[0183] 通过总结和回顾，在扩大显示装置中的由显示区域占据的面积的同时添加连接或链接到显示装置的各种功能。在扩大面积同时添加各种功能方面，已经考虑在显示区域中形成开口。
[0184] 在包括开口或开口区域的显示装置中，可能通过开口或开口区域引入外部的静电放电(ESD)，并且在这种情况下，用于检测施加到显示装置的触摸输入的电极或布线(或线)可能被ESD损坏。
[0185] 如上所述，实施例可以提供一种显示装置，该显示装置被构造为帮助防止输入检测层和输入检测层周围的组件被通过开口区域或开口引入的ESD损坏。
[0186] 这里已经公开了示例实施例，尽管采用了特定的术语，但是它们仅以一般性的和描述性的含义来使用并将被解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，自提交本申请之时起，对于本领域普通技术人员将明显的是，除非另外具体指出，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或者可以与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离本发明的如权利要求中阐述的精神和范围的情况下，可以做出形式和细节上的各种改变。
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