专利汇可以提供一种模拟开关的高稳定性控制方法及装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种模拟 开关 的高 稳定性 控制方法及装置,所述装置包括:模拟开关,用于提供低阻抗的导电通路;输入电源检测 电路 ,用于检测输入模拟电源的数值高低; 温度 检测电路,用于检测 硅 片 结点温度的数值高低;模拟开关的导通阻抗控制电路,用于实时地提供适当的模拟开关控制 电压 ,以使模拟开关的导通阻抗保持恒定,运转稳定可靠;片上记忆单元,用于记录模拟开关控制电压参数。本发明的有益效果是模拟开关在环境改变时,智能地调整控制电压随之变化,以保证模拟开关导通阻抗稳定。本发明可以广泛应用于高性能 信号 通讯与功率传输。,下面是一种模拟开关的高稳定性控制方法及装置专利的具体信息内容。
1.一种模拟开关的控制装置,其特征在于所述装置包括:
模拟开关,在控制电压的作用下用于提供低阻抗的导电通路;电源检测升压电路,用于检测输入电源的数值高低并智能地为闭环智能控制电路提供适当的、稳定的控制电源输入;检测电路,包含温度检测电路、硅片生产工艺的导通阻抗检测电路等,产生可用于参考的静态与动态参数存储于记忆单元中;检测电路中的温度检测电路,用于检测硅片结点温度的数值高低并产生相应的参数;检测电路中的硅片生产工艺的导通阻抗检测电路,用于检测硅片生产工艺的导通阻抗偏差并产生相应的参数;闭环智能控制电路,用于依据基准稳定参考电压、电源检测升压电路产生的控制电源和记忆单元内的静态与动态参数实时地提供适当的模拟开关控制电压,以使模拟开关的导通阻抗保持恒定,运转稳定可靠;片上记忆单元,用于记录用于控制模拟开关的静态与动态参数并为闭环智能控制电路提供参考;
闭环智能控制电路连接所述电源检测升压电路、片上记忆单元、以及模拟开关;所述片上记忆单元还与检测电路连接。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述片上记忆单元由静态电路保存固定参数控制论,如硅片生产工艺的导通阻抗偏差等。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述片上记忆单元由动态电路保存变动参数控制论,如硅片结点温度等。
4.一种使用权利要求1-3任意一项所述装置的模拟开关的高稳定性控制方法,其特征在于,检测输入模拟电源的数值高低,并设置模拟开关的控制电源高低。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述模拟开关的导通阻抗取决于其控制电压值的高低,控制电压选择逻辑由代表输入模拟电源高低的电器参数表征。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,输入模拟电源是1.8V标称值时,模拟开关的控制电源由三倍倍乘智能相关算法表征。
7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,输入模拟电源是3.3V标称值时,模拟开关的控制电源由一倍半倍乘智能相关算法表征。
8.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,输入模拟电源是5V标称值时,模拟开关的控制电源由一倍倍乘智能相关算法表征。
9.一种使用权利要求1-3任意一项所述装置的模拟开关的高稳定性控制方法,其特征在于,检测硅片生产工艺的导通阻抗偏差,并设置模拟开关的控制电源到控制电压的转换高低。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述模拟开关的导通阻抗取决于其控制电压值的高低,控制电压选择逻辑由代表硅片生产工艺的导通阻抗偏差的电器参数表征。
11.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,硅片生产工艺的导通阻抗偏高时,模拟开关的控制电压由较高数值表征。
12.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,硅片生产工艺的导通阻抗偏低时,模拟开关的控制电压由较低数值表征。
13.一种使用权利要求1-3任意一项所述装置的模拟开关的高稳定性控制方法,其特征在于,检测硅片结点的温度,并设置模拟开关的控制电源到控制电压的转换高低。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述模拟开关的导通阻抗取决于其控制电压值的高低,控制电压选择逻辑由代表硅片结点温度的电器参数表征。
15.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,硅片结点温度偏高时,模拟开关的控制电压由较高数值表征。
16.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,硅片结点温度偏低时,模拟开关的控制电压由较低数值表征。
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