专利汇可以提供Manufacture of hetero embedded semiconductor laser专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE:To prevent the crystal defect from happening at the boundary of mesa stripe by a method wherein the atmosphere when the liquidus growing solution comes into contact with the active layer in case of embedding is converted into the negative pressure. CONSTITUTION:The boat temperature is raised in the atmospheric gas such as hexagon and the like at the point B. Next the reacting gas is discharged by means of the vacuum pumping into the status under negative pressure and the substrate starts to come into contact with the solution at the point C. Then the discharging operation is stopped to introduce the atmospheric gas such as hexagon and the like again at the point D. Next the crystal growth is continued while the temperature is declining along the specified temperature gradient from the point E until the crystal growth is completed separating the substrate from the solution after specified time.,下面是Manufacture of hetero embedded semiconductor laser专利的具体信息内容。
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