本発明は、真空プラズマ処理加工物又は基板処理装置に関する。

このような装置は、通常、加工対象物又は基板のそれぞれの処理に必要な真空度を受容器に確立し、例えば層堆積又はエッチングである処理中の処理雰囲気を維持するように、1つ又は複数のポンピングポートを介してポンピングされる真空受容器を備える。

特にエッチング処理としての様々な真空処理は、それぞれの処理の間にも最も効果的なポンピングを必要とする。効果的なポンピングのための要件の1つは、ポンピングポート全体の大きな流れの断面積である。

大きなポンピングポートを設けることは、比較的大きな容積の受容器につながる。

真空プラズマ処理チャンバの容積だけを見て、そのような容積を最小限に抑えることが、排気時間の短縮のためだけに望ましいことがよくある。従って、効果的なポンピングのための受容器の量及び真空プラズマ処理のための受容器の量に関して傾向がある。

この傾向は、受容器又は筐体を、ポンピングポートを含むポンピング室及び処理室に細分することによって解決された。

2つの室を構造的に分離することで、処理室からポンピング室への高い排気効率が可能になる。これにより、加工対象物又は基板は、その真空プラズマ処理中に2つの室の構造的な分離部の近くに配置される。指定された構造分離と、処理されるべき又は処理される加工対象物又は基板の相互の位置ずれは、加工対象物又は基板の処理に重大な影響を与える可能性がある。

本発明の目的は、指定されたタイプの改良された加工対象物又は基板処理反応器又は装置を提供することである。

これは、所定の圧力条件を含む所定の条件下で動作するように構成され、本発明による真空プラズマ処理装置によって達成される。

この装置は、受容器とも呼ばれる真空筐体を含む。

筐体(3)は、ポンピングポート(13)を含むポンピング室(7)と、処理室(5)とに細分される。これらの室は、フレームを支持する側板又はリムによって分離される。フレームは、真空プラズマ処理室への加工対象物又は基板のアクセス開口を画定する。フレームは、ポンピング室と処理室との間に隙間を相互に画定する多数のスポークを用いて側板又はリムによって保持される。隙間は、動作中にプラズマが所定の真空プラズマ処理条件でその中で燃焼しないように調整される。フレームは熱負荷の下で自由に伸縮し得るような方式で、フレームは、スポークを用いてリム又は側板によって保持される。従って、加工対象物のアクセス開口を画定するフレームの反りは、避けられる。それにもかかわらず、2室構造は、処理室を小さく保ちながら、プラズマ生成のための特定の加工対象物又は基板及び電極構成に適合させながら、大きなポンピングポートを通して高いポンピング効率を実現することを可能にする。ポンピングポートの要件を考慮せずに、エッチング室の容量を電極構成に十分に活用することができる。

真空プラズマ処理装置の一実施形態では、スポークは、圧縮性部材及び/又は屈曲性部材として構成される。

本発明による真空プラズマ処理装置の一実施形態において、この装置は、真空プラズマエッチング装置である。

この装置は、反応性気体雰囲気、好ましくは酸素又は酸素及びフッ素を含む雰囲気中で動作することができる。

本発明による真空プラズマ処理装置の一実施形態において、この装置は、容量結合RF真空プラズマエッチング装置である。

それによって、さらなる実施形態では、この装置は、真空容器内に、第1の電極構成と、第1の電極構成に面する第2の電極構成とからなる1つの電極構成と単に動作的に接触するプラズマ空間を含む。導電性ではない、又は電気的に浮遊するように動作する他の部材は、プラズマ空間と接触していてもよいが、電極とは見なされない。

第1の電極構成は、プラズマ空間に露出される第1の電極表面を画定する。

第2の電極構成は、プラズマ空間に露出される第2の電極表面を画定し、支持体表面を有する加工対象物支持体の表面を含む。

第1の電極面は、第2の電極面よりも大きく、第1の電極構成は、プラズマ供給Rf信号を発生する整合器装置を介してRf発生器装置の出力装置に電気的に接続されている。

この実施形態では、この装置は、2電極容量結合RFプラズマエッチング反応器又は装置であり、米国特許第6248219号明細書に示されるように、実質的にケーニッヒの法則に従う。このような反応器又は装置では、プラズマ空間は、第1の電極構成と、第1の電極構成に面する第2の電極構成とからなる電極構成と単に動作的に接触している。ケーニッヒの法則は、Rfプラズマ放電が発生する電極表面に隣接する時間平均電位降下の比が、それぞれの電極表面積の4乗に反比例することで定義されることを示している。前述のように、ケーニッヒの法則が有効である条件も当該特許で扱われている。その結果、Rfプラズマに露出される、より小さい電極表面が、主にスパッタ除去され、言い換えれば、エッチングされ、大きい方が、主にスパッタ被覆されると、当業者は結論付ける。

本発明による真空処理装置の今述べた実施形態の一実施形態では、Rf発生装置は、出力装置に超高周波数の少なくとも1つの第1のプラズマ供給信号を生成し、出力装置に超高周波数より低い高周波数の少なくとも1つの第2のプラズマ供給信号を生成する。

第1の電極構成は、整合器装置を介して出力装置に電気的に接続され、動作中に、第1及び第2のプラズマ供給信号によって電気的に供給される。

第2の電極構成は、少なくともエッチング動作中に、システム接地タブに電気的に接続されている。

プラズマ空間内でのプラズマの二重又は多重でさえあるRf周波数供給により、プラズマ密度、従ってエッチング効率は、著しく向上する。

それにもかかわらず、反応器又は装置の全体的な構造は、第1の電極構成のみが複数Rf供給され、整合器装置を備えているのに対して、第2の電極構成は、接地電位に保たれるという事実によって著しく容易にされる。加工対象物支持体を提供するのがこの第2の電極構成であるので、加工対象物取扱装置の構造もそれによって実質的に単純化される。

超高周波の供給信号及び高周波の供給信号が第1の電極構成に印加される全ての実施形態において、これらの少なくとも2つの供給信号が、少なくともエッチング動作の時間間隔の間に同時に印加されることに留意されたい。

本発明による真空処理装置の上記実施形態の一実施形態では、第1の電極配置は、プラズマ空間に自由に晒される周囲表面を有する金属体を含み、その周囲表面は、第1の電極表面の一部である。

この金属体の周囲表面が自由にプラズマ空間に露出されると我々が述べるとき、その表面のいくつかの軽微で無視できる部分が自由には露出されないが、プラズマ空間内のこの体の機械的載置を確立するために必ず用いられることは明らかである。

このような体によって、第1の電極構成の有効表面は、著しく拡大される。

それによって、本発明による真空処理装置の一実施形態では、金属体は、動作中にプラズマが所定の条件において貫通開口及び/又は貫通スリット内で燃焼するように調整されたこれらの貫通開口及び/又は貫通スリットのパターンを含む。

このような貫通開口及び/又は貫通スリットによって、プラズマ空間内のプラズマ分布は制御され、従って、加工対象物又は基板へのエッチング効果の分布は制御されることができる。

本発明による真空処理装置について述べた実施形態のさらなる実施形態では、第1の電極表面は、第1の平面に沿って延びる第1の表面領域、第2の平面に沿って延びる第2の表面領域を含む。第1及び第2の表面領域は、動作中にプラズマが所定の条件で間隙内及び間隙に沿って燃焼するように調整された間隙を画定し、さらなる実施形態では、間隙は、できるだけ狭い。

それによって、本発明による真空処理装置のさらなる実施形態において、第2の電極表面は、第3の平面に沿って延びる表面領域を含み、第1、第2及び第3の平面は、平行な平面である。

従って、この反応器は、一実施形態において主に、平行電極反応器である。

このような体が、プラズマがその中で燃焼することを可能にするのに丁度十分に大きく、大き過ぎない幅を有する間隙を形成するように構成され、取り付けられる場合、第1の電極の有効表面は、プラズマ空間の全容積、従って、真空受容器の全容積を大幅に増大させることなく、大幅に拡大する。

本発明による真空処理装置のさらなる実施形態において、上記の金属体は、プレートである。

本発明による真空処理装置の一実施形態では、上述のように、プラズマ空間に自由に露出され、浸される金属体の周囲表面の第1の部分と、第1の部分に面する、第1の電極表面の第2の部分との間の間隔が、10mmから40mm、好ましくは20mmである。

本発明による真空処理装置の一実施形態では、加工対象物又は基板支持体に面する上述の第1の電極表面の大部分と、加工対象物支持体の表面の大部分との間の間隔は、40mmから80mm、好ましくは65mmである。

本発明による真空処理装置の一実施形態では、上述の第1のプラズマ供給信号及び第2のプラズマ供給信号のうちの少なくとも一方は、局所的に異なる接点で第1の電極構成に接続される。

これにより、プラズマ空間内のプラズマ分布が改善され、特に、大きな加工対象物又は基板を処理する場合に、定常波の発生を減らすことができる。

一実施形態では、 10 MHz ≦ f_vhf ≦ 400 MHz、 又は、 10 MHz ≦ f_vhf ≦ 300 MHz、 又は、 20 MHz ≦ f_vhf ≦ 300 MHz、 又は、 20 MHz ≦ f_vhf ≦ 100 MHz、 及び、 0.01 f_vhf ≦ f_hf ≦ 0.5 f_vhf、 又は、 0.05 f_vhf ≦ f_hf ≦ 0.5 f_vhf が成立する。

f_hfは、指定された高周波数供給信号の周波数であり、f_vhfは、指定された超高周波数供給信号の周波数である。

本発明による真空処理装置の一実施形態は、フレームに向かって及びフレームから駆動可能な加工対象物支持体を備える。

本発明による真空処理装置の一実施形態は、加工対象物のアクセス開口の軸の方向に処理室に向かって及び処理室から駆動可能な加工対象物支持体を備える。

本発明による真空処理装置の一実施形態は、加工対象物のアクセス開口の軸の方向に処理室に向かって及び処理室から移動できない加工対象物支持体を備える。

上述したようにケーニッヒの法則を従う、本発明による真空処理装置の一実施形態は、加工対象物のアクセス開口の軸の方向に処理室に向かって及び処理室から移動できない加工対象物又は基板支持体を備え、第1の電極構成は、加工対象物又は基板を搬入/搬出するための駆動可動な扉を備える。

本発明による真空処理装置の一実施形態は、搬入/搬出位置から処理位置へ及びその逆に駆動可能な加工対象物又は基板支持体を備え、それによって、フレームは、処理位置にある加工対象物支持体上の加工対象物又は基板の下降保持部材として作用する。

本発明による真空処理装置の一実施形態では、スポークの少なくとも一部は、各々長さ範囲の方向を定義し、長さ範囲のそれぞれの方向が、それぞれのスポーク固定の中心でフレーム上の接線と角度αで交差し、90°>α≧0°が成立するように、フレームに取り付けられる。

この実施形態では、それぞれのスポークは、屈曲性部材である。

一実施形態では、スポークの少なくとも一部は、長さ範囲の方向を画定し、長さ範囲のそれぞれの方向が、それぞれのスポーク固定の中心でフレーム上の接線と角度αで交差し、α=90°が成立し、これらのスポークが圧縮性部材であるように、フレームに取り付けられる。

本発明による真空処理装置の一実施形態は、加工対象物支持体を含み、加工対象物支持体は、搬入/搬出位置から処理位置へ及びその逆に駆動可能であり、下降保持部材は、処理室に露出される加工対象物又は基板の表面の周囲にそれに沿って処理位置において加工対象物支持体に加工対象物又は基板を保持するように構成され、加工対象物支持体は、液体の加熱又は冷却媒体を受容するように構成された流路構成、及び、熱伝導気体を受容するように構成された更なる流路構成を備え、加工対象物又は基板に対する加工対象物支持体の支持体表面に穴及び/又はスリットパターンによって放出する。

それによって、さらなる実施形態では、更なる流路構成及び支持体表面に放出する穴及び/又はスリットのパターンは、支持体表面と基板又は加工対象物との間の空間の周囲に沿って、空間のより中央部内でそれに沿った圧力に少なくとも等しい熱伝導気体の圧力を確立するように調整される。

本発明による真空処理装置の一実施形態では、側板又はリムは、筐体の一部であり、又は、筐体の一部を含む。

本発明による真空処理装置の一実施形態は、加工対象物支持体を含み、側板又はリムは、別個の分散された弾性接触部材によって加工対象物又は基板の処理位置において加工対象物支持体に電気的に接続される。

本発明による真空処理装置の一実施形態では、この装置は、長方形又は正方形の基板用に成形されている。

本発明による真空処理装置の一実施形態では、処理のための所定の圧力条件は、0.1から0.5Paであり、両方の限界値を含む。

本発明はさらに、本発明による少なくとも1つの少なくとも1つの真空プラズマ処理装置、又は、その実施形態の1つ以上を含む加工対象物又は基板処理プラントに関する。一実施形態では、プラントは、コイルトゥコイルフォイル処理プラントを含むインラインプラントである。インラインプラントでは、加工対象物は、ある処理部から次の処理部へ一定のリズムで連続して搬送される。さらなる実施形態では、このプラントは、処理部が、例えば中央ハンドラーのようなハンドラーのように、選択可能なリズムで少なくとも1つの加工対象物又は基板が搬入され、搬出されるタイプのものである。

本発明はさらに、本発明による、又は、その1つ以上の実施形態による真空プラズマ処理装置、又は、本発明によるプラントを使用することによって、加工対象物又は基板を真空プラズマ処理する方法、又は、真空プラズマ処理された加工対象物又は基板を製造する方法に関する。

本発明による方法の一変形例では、指定された処理は、反応性気体雰囲気中で行われる。

矛盾しない限り、真空プラズマ処理装置の実施形態の1つ又は複数を組み合わせることができる。

以下に図面を参照して実施例によって本発明をさらに説明する。

以下に図面を参照して実施例によって本発明をさらに説明する。

本発明による装置の実施形態を最も概略的かつ単純化した図である。

図1のA−Aから見た、図1の実施形態の図面による本発明による装置の実施形態を再び概略的かつ単純化して示す図である。

図2の実施形態のスポークのフレームへのリンクを斜視図で概略的かつ単純化した図である。

本発明による装置の一実施形態による、第1の電極構成への重畳供給信号のRf供給を概略的かつ単純化した図である。

本発明による装置の一実施形態による、第1の電極構成への供給信号のRf供給を概略的かつ単純化した図である。

本発明による装置の一実施形態のリム又は側板の一部を概略的かつ単純化した図である。

概略的かつ単純化された、基板又は加工対象物支持体が第1の電極構成に向かって持ち上げられたり、そこから引き込まれたりしていない、本発明による装置の一実施形態の図である。

本発明による装置の実施形態を最も簡略化して概略的に示す図である。

本発明による装置の一実施形態における第1の電極構成の有効表面を拡大するという特徴を概略的かつ単純化した図である。

本発明による装置の一実施形態の第2の電極配置を接地電位に接続する1つの変形例を概略的かつ単純化した図である。

本発明による装置の一実施形態において加工対象物又は基板支持体と側板又はリムとの協働を実現する一変形例を概略的かつ単純化した図である。

本発明による装置の一実施形態に適用される側板又はリム構造の原理を概略的かつ単純化した図である。

本発明による装置の一実施形態に適用され、図12の助けを借りて説明された原理に従った側板又はリム構造の一実施形態を概略的かつ単純化した図である。

図13の線B−Bに沿った部分断面図で、概略的かつ単純化された、図13のリム又は側板及びフレーム配置を有する、基板又は加工対象物との昇降可能で格納できる加工対象物支持体の相互作用を示す図である。

本発明による装置の一実施形態において提供される加工対象物支持体の部分図を概略的かつ簡略化した図である。

本発明による1つ以上の装置を有する本発明によるインラインプラントを概略的かつ単純化した図である。

本発明によるプラントのさらなる実施形態を概略的かつ単純化した図である。

本発明によるプラントのさらなる別の実施形態を概略的かつ単純化したものである。

本発明によるプラントのさらなる別の実施形態を概略的かつ単純化したものである。

我々は、本明細書を通じて説明し、以下が有効であれば、周波数fを超高周波数f_vhfとして主張する: 10 MHz ≦ f_vhf ≦ 400 MHz、 又は、 10 MHz ≦ f_vhf ≦ 300 MHz、 又は、 20 MHz ≦ f_vhf ≦ 300 MHz、 又は、 20 MHz ≦ f_vhf ≦ 100 MHz。

我々は、本明細書を通じて説明し、以下が有効であれば、周波数fを高周波f_hfとして主張する: 0.01 f_vhf ≦ f_hf ≦ 0.5 f_vhf、 又は、 0.05 f_vhf ≦ f_hf ≦ 0.5 f_vhf。

反応器とも呼ばれる、本発明による、図1の実施形態の装置1は、金属筐体3内に真空チャンバを備える。筐体3内では、ポンピング室5は、密集したパターンの貫通孔及び/又は貫通スリット11を有する分離側板又はリム9によってエッチング室7から分離されている。下部室であるポンピング室5は、ポンプ装置15が接続可能な大きなポンピングポート13を含む。

基板支持体とも呼ばれる金属の加工対象物支持体19は、金属筐体3に堅固に取り付けられ電気的に接続された第1の金属部分19aと、二重矢印Wで示すように、部分19aに対して上下に駆動可能である可動部分19bとを有する。可動部分19bは、金属製の加工対象物又は基板支持体19cを支持する。部分19b及び19cの駆動は、図1には示されていない。

部分19cは、特にその縁が上の位置にあり、金属ベローズ21を介して部分19aに電気的に接地されている。

概略的に示されているように、金属筐体3は、図1に符号23で示されるように、例えば、システム接地−G−コネクタに電気的に接続可能である。

筐体3は、さらに符号25の位置で、側板又はリム9と電気的に接続され、例えば符号27の位置で、部分19aに電気的に接続されている。部分19bは、符号28の位置で、基板支持体19cに電気的に接続されている。

エッチング室7内には、第1の電極構成29が設けられている。反応器1のより大きな電極表面、従って主にスパッタ被覆されている電極表面を提供する第1の電極構成29は、プレート状の基部33及び枠状の側壁35を有する瓶型又はポット型の電極体31を含む。瓶型又はポット型の電極体31は、筐体3の近くにそれに沿って離れて存在する。それは、例えば、電気絶縁層を介して又は電気絶縁部材(図示せず)を介して筐体3に取り付けられてもよい。

第1の電極構成29は、線38で示すように、整合器装置39を介して供給発生器装置37に電気的に接続されている。それによって、電極体31の基部33は、例えば、本発明の一実施形態によれば、実質的に中央で、整合器装置39の出力装置の少なくとも2つの出力41_vhf及び41_hfに接続される。出力41_vhfから周波数f_vhfの第1のプラズマ供給信号が第1の電極装置29に供給され、出力41_hfから周波数f_hfの第2のプラズマ供給信号が第1のプラズマ供給信号に重畳されて第1の電極装置29に供給される。第1及び第2のプラズマ供給信号は、例えば、第1のプラズマ供給信号用の発生器と第2のプラズマ供給信号用の第2の発生器とを備える供給発生器装置37によって発生される。発生器装置37は、整合器への出力40_hfと同様に出力40_vhfを有する。

第1及び第2のプラズマ供給信号は、少なくともエッチング処理時間幅内の時間間隔の間、それによってエッチング処理時間幅内の優勢な時間間隔の間、さらには全エッチング処理時間幅の間でさえも同時に第1の電極構成29に印加−重畳−される。

整合器装置39は、プラズマ供給信号の重ね合わせのために、vhfプラズマ供給信号がhf発生器の出力をロードすること、及びその逆を妨げるように構成される。図1に概略的に示すように、出力40_vhfで生成されたf_vhfで調整されたバンドブロックフィルタ43_vhfは、出力40_vhfからの信号をブロックして出力40_hfをロードする。同様に、出力40_hfで生成されたf_hfで調整されたバンドブロックフィルタ43_hfは、出力40_hfからの信号をブロックして出力40_vhfをロードする。これは、バンドパスフィルタを介して電極構成29をそれぞれ供給することと等価である。

第2の電極構成45は、加工対象物支持物19の加工対象物支持体19cを持ち上げ位置(b)に有し、この位置は、加工対象物支持体19c上にある板状の加工対象物又は基板のエッチング位置である。

上述したように、加工対象物支持体19cは、システム接地電位にある。これは、例えば、反応器への及び反応器からの基板の取り扱いに目を向けて、反応器の全体構造を著しく単純化する。従って、基板が接地電位で動作すると、電極構成29は、浮遊DC電位で動作し、例えば通常、整合器装置39では、コンデンサ34で概略的に示されているように、電源発生器装置37への容量結合によってDCから切り離される。

一般的に言えば、この実施形態では、大きい方の電極には種々のRf周波数が供給され、小さい方の電極である基板支持体は、接地電位で動作する。

接地電位で作動する側板9は、電気的には第2の電極構成45の一部である。RFプラズマPLは、電極体31の内面31iと、側板9の上面9iと、エッチング室7に露出される加工対象物支持体19cの表面19ciとの間に閉じ込められる。

例えば、この空間が所定の動作エッチング条件において暗部間隔よりも小さくなるように、筐体3と電極体31の外表面31oとの間の間隙がそれぞれ考えられるという事実によって、又は、例えば、それぞれの間隙が、誘電材料空間層で埋められるという事実によって、電極体31の外表面31oと筐体3との間にプラズマが発生しない。

側板9の貫通開口又は貫通スリット11は、非常に小さい寸法になっているので、指定された条件ではプラズマがそこで燃焼することはない。貫通スリットは、指定された暗空間距離よりも狭い。貫通孔の直径も、指定された暗空間距離よりも小さい。それにもかかわらず、貫通孔又は貫通スリットの密度は、エッチング室7からポンピング室5への非常に低い気体流抵抗を保証するのに十分に高く、エッチングされた材料の非常に効率的な排気を保証する。側板9内の貫通穴又はスリット11は、プラズマがそこで燃焼しないように寸法決めされているので、そのような穴及び/又はスリットによる第2の電極構成45の表面増加は、電極構成29及び45間のスパッタリング/エッチング分布に影響しない。

第1の電極構成29の電極表面を実質的に大きくすることによって、基板47のエッチング効率が著しく改善される。これは、例えば、電極体31の表面31iから離れ、板状である少なくとも1つの金属体50を設けることによって実現される。例えば板状の金属体50は、この体50を取り付けて給電するためのいくつかの小さな領域を除いて、プラズマ空間PLに自由に晒される全体の周囲表面50iを有する。電気的にRFで供給され、符号52において概略的に示されるように、基板47のエッチングプロセスのための一般的な条件で暗空間距離よりも大きい距離d1だけ表面31iから離間された両方のプラズマ供給信号によって、例えば板状の体50は、Rfプラズマに完全に浸される。その全表面50iは、第1の電極構成29の電極表面の一部である。

従って、本発明によれば、金属体は、実質的にケーニッヒの法則に従う反応器内のプラズマ空間、及び、より大きな電極構成のRf電位に浸される。

そこを通ってプラズマ燃焼を可能にするように寸法決めされた貫通開口及び/又は貫通スリット54の選択されたパターンによって、例えば、基板47の周辺に沿ったこの分布に影響を与える可能性のある境界効果に対処するために、加工対象物又は基板47に沿ったエッチング速度分布を調整することができる。そうするために、板状体50の周囲のかなりの部分に沿ってその近くに高密度の貫通開口を提供すること、及び/又は、指定された周辺部分に沿ってその近くに延長スリットを設けることが提案される。

基板47上のエッチング速度分布における板状体50の貫通孔又は貫通スリット54のぼやけ又は描写は、エッチングされる基板47の表面と板状の体50の表面との間の距離d2を適切に十分に大きく選択することによって最小化され得る。反応器1の良好な実施形態では、指定された貫通スリット54は、電極体31の側壁35に隣接して、板状体50の周囲に沿った細長いスリットを含む、又は、さらにはそれからなるように実現される。

システム接地GへのRfリターンインピーダンスを最小にするために、例えば、例えば加工対象物又は基板支持体19cの全周に沿って分布された弾性接触部材56によって、側板又はリム9は、加工対象物支持体19cに電気的に接触する。これにより、図1の実施形態では、Rf電流は、筐体3に沿って、及び、加工対象物支持体19に沿って、システム接地Gに平行に導かれる。

気体、特に、例えばArである、単なる不活性作動ガスは、気体供給ライン53によってプラズマ空間PLに供給される。反応器1は、例えば酸素又は酸素とフッ素とを含む雰囲気で、反応性プラズマエッチングなどにも用いることができる。この場合、それぞれの反応性気体又は気体混合物もそれぞれの気体供給ラインを通してプラズマ空間に供給される。

強力なポンプ装置15を別個のポンピング室5内の大きなポンピングポート13に接続することができ、それは、第1及び第2の電極構成29、45に対するそれぞれの表面延長条件を有するエッチング室7の寸法設定から完全に独立して寸法設定することができるという事実により、及び、プラズマ空間PLが側板9の貫通開口又は貫通スリット11の密集パターンを介して気体流(プラズマではない)接続にあるという事実により、エッチング室7からのエッチングされた材料の非常に効果的なポンピング除去が達成される。

本発明のフレームにおいて、基板支持体19cが電極構成29に向かって、及び、電極構成29から、上下に移動可能である必要はないが、静止して設けられてもよい、例えば、図1において(b)で示される上の位置に設けられてもよいことに留意されたい。

図2は、図1のA−Aから見た、図1の実施形態の図面を再び概略的かつ単純化して示す図である。エッチングされる基板は、長方形又は正方形と仮定する。従って、側板9は、基板支持体19cがエッチング位置に持ち上げられ(図1(b))又は基板搬入位置に向けて下げられる(図1(a))長方形又は正方形の操作開口55(図1)を囲む。側板又はリム9は、スポーク12間の貫通スリットの密集パターンを含む金属板である。この実施例によれば、側板11の半分において、スリット11は、長方形又は正方形の側板の一方の対角線の方向に実質的に延び、側板又はリム9の他方の半分の方向において、他方の対角線の方向に延びる。図2では、それぞれスリットの方向は、符号11a及び11bで示されている。スリット11を画定するスポーク12が操作開口55に当接しているところでは、その端部12eは、図3に示すように自由であり、セラミック材料フレーム57内に自由に支持されている。スリットは、板状の側板9に機械加工されている。

この実施例では、スポーク12の端部12eが、図3の二重矢印Vで示されるように、フレーム57に対して自由に拡張することができるため、RFエッチングプロセスによって熱負荷に最も晒される側板9及びフレーム57の部分は、互いに対して自由に膨張し、側板プレート9の反り及び/又はセラミック材料フレーム57の応力、反り及び場合によっては僅かな変位を回避する。

スリット11の開放空間表面に対する固体材料表面の比は、約1:1であり、スリットの幅d3は、3mmから10mmの間である。

今日使用されている良好な動作パラメータ: Ar動作圧力:0.1から0.5Pa、 f_vhf:60MHz、 f_hf:13.56MHz、 電源vhf供給信号

d1:指定された動作条件での暗空間距離よりも大きい:d1≧20mm、 d2:指定された動作条件での暗空間距離よりも大きい:d2≧65mm。

図4に概略的に示すように、重ね合わせたvhf及びhfプラズマ供給信号は、瓶形状の電極体31において局所的に異なる接点C1からCnにおいて、及び/又は、金属体50に対する接点E1からEnにおいて、第1の電極構成29に供給され得る。

図5に概略的に示されるように、vhfプラズマ供給信号及びhfプラズマ供給信号は、それによって、vhf供給信号に対してC11からC1n及び/又はE11からE1n、及び/又は、hf供給信号に対してC21からC2n及び/又はE21からE2nである、それぞれ1つまたは複数の局所的に異なる点で、第1の電極構成29、電極体31及び/又は金属体50に別々に供給され得る。1つのC1x及び/又はE1x及び/又は1つのみのC2x及び/又はE2x接触点も同様に可能である。

電極体31及び/又は金属体50は、互いに電気的に絶縁されたセグメントに細分され得、それぞれが第1及び第2のプラズマ供給信号の少なくとも一方が供給される。

Rf発生器装置はさらに、vhf第1プラズマ供給信号として、f_vhfに関してエッチング動作中に周波数変調されてもよく、及び/又は、電力変調されてもよい信号を生成してもよい。追加的に、又は代替的に、発生器装置は、hf第2プラズマ供給信号として、f_hfに関してエッチング動作中に周波数変調されてもよく、又は、電力変調されてもよい信号を生成してもよい。

選択されたf_vhfはさらに、f_hfの整数倍、位相同期又は非位相同期、場合によっては調整可能な、場合によっては時変の相互位相調整を伴うこともある。

異なるf_hfの2つ以上の第2のプラズマ供給信号は、第1の電極構成29に重ね合わせて適用されてもよい。

図6に概略的に示すように、第1の電極表面31iはさらに、電極体31のそれぞれの部分319によって側部又はリム9の上部を実現することによって、及び、意図されたエッチング条件において暗空間距離より狭い部分319への間隙を画定する筐体3の遮蔽部3₉によって部分319の底部表面を遮蔽することによって、増加し得る。部分319及び3₉の両方は、それぞれ貫通開口又はスリット11₃₁及び11₃を通って整列されている。明らかに、第1の電極表面はさらに、体31に類似する板状体50を瓶又はポット状等に成形することによって、及び/又は、例えば、板状で暗空間距離以上の距離で互い違いになっている2つ以上の金属体50を提供することによって、大幅に拡大され得る。

図1の実施形態では、加工対象物支持体19cは、動的に作動され、すなわち、上下に移動可能である。その低い取り扱い位置では、それは、エッチングされるべき加工支持体又は基板が搬入され、エッチング処理された加工支持体又は基板は、双方向ロードロックを介して搬出される。加工対象物支持体19cは、取り扱い位置(a)からエッチング処理すべき基板のためのエッチング位置(b)へと移動し、エッチング位置(b)から取り扱い位置(a)の下へ移動してエッチング処理された基板を搬出する。

最も概略的かつ単純化された図7において、加工対象物支持体又は基板支持体19cが静止している実施形態、すなわち、第1の電極構成に向かって及びそこから移動することができない実施形態が示されている。電極体31は、例えば駆動部62によって開閉可能な扉31dを有することができる。閉位置では、扉は、電極本体31の一部であってもよく、それでも内面31iに寄与する。加工対象物又は基板は、双方向の搬入ロック60を介して、加工対象物又は基板支持体19cに搬入及び搬出される。

加工対象物又は基板支持体は、それぞれの基板又は加工対象物と共に搬入ロック60を介して取り扱われてもよく、従って、いずれにせよ、第1の電極構成31に向かって持ち上げることができず、第1の電極構成31から引き込むことができない。

あるいは、体31に扉31dのような扉を設けることなく、基板又は加工対象物は、加工対象物又は基板支持体を伴って又は伴わずに、瓶又はポット状の体31を有する第1の電極構成の下を通過して搬入及び搬出され得る。

図8には、ケーニッヒの法則に従う容量結合RF真空エッチング装置が最も単純化されて概略的に示されている。Rfプラズマ空間は、より大きな第1の電極構成829とより小さな第2の電極構成845との間に閉じ込められている。より大きな第1の電極構成は、少なくとも1つの周波数を有するRf駆動信号を用いて、基準電位、例えば接地電位で金属筐体803に対して作動される。従って、動作中に、金属筐体803とより大きな電極構成829との間にRf電位差が存在する。電極構成829の外表面831oと筐体803の壁の内表面との間の間隔d4は、電極構成829から筐体803へのRf電力損失にとって決定的である。このようなRf損失を最小限に抑えるには、d4をできるだけ大きく選択し、間隙832を画定する、指定された表面間の静電容量を最小限に抑える。一方、指定された間隙832におけるプラズマ発生は、排除されるべきであり、それは、一般的なエッチング条件においてd4が暗空間距離よりも小さいことを必要とする。

この問題を解決するために、1つ又は複数の電気的に浮遊する金属スクリーン830は、空間832内に、表面831o及び金属筐体803の内表面全体に沿って設けられている。そのような浮遊スクリーンによって、指定された表面間の静電容量は、小さく保たれるが、それぞれ暗空間距離よりも小さく保たれる、スクリーンの隣接表面と表面831o及び金属筐体803の内表面との間の間隔d5のため、プラズマは、空間832に着火しない。スクリーン830は、図8に概略的に示されているように、電気的に隔離された距離保持体834によって取り付けられてもよい。

図8によって説明される態様は、大きなRf作動電極から真空プロセス受容体の周囲の金属筐体までの間隙を通るRf電力損失を最小化し、それによって、その空間に沿ってその中に電気的に浮かぶ方法で取付けられた1つ以上の金属スクリーンを提供することによって、そのような空間におけるRfプラズマ発生を回避することである。そのようなスクリーン間、並びに、そのようなスクリーン、電極表面及び金属筐体表面の間の全ての副空間は、真空筐体内で操作されるべきプロセスの処理パラメータにおける暗部間隔よりも狭い。この側面は、それ自体、発明性があると考えられる。

図9には、ケーニッヒの法則に従う、本発明による容量結合RF真空エッチング装置の第1の電極構成の有効表面を拡大するための、本発明による手段が最も単純化されて概略的に示されている。

Rfプラズマ反応空間PLは、真空筐体903内のより大きな第1の電極構成929と、より小さな第2の電極構成945との間に閉じ込められている。電極構成929、945は、1つ又は複数の周波数のRf供給によって互いに対して供給される。より大きな第1の電極構成829の表面は、例えばプレート形状又は瓶形状に形成され、プラズマ反応空間PLに浸され、電極構成929の残りの部分の電位に作用する、少なくとも1つの金属体950を電極構成929に設けることによって著しく拡大される。

図10は、図1の実施形態と同様に、大きなポンピングポート1013を有するポンピング室1005とエッチング室1007とを備える容量結合RF真空エッチング装置を簡略化して概略的に示す。図1の実施形態と同様に、加工対象物支持体1019cを含む、より小さな第2の電極構成1045は、接地電位で動作し、側板1009をポンピング貫通孔及び/又は貫通スリット(図10には示されない)と電気的に接触させ、分散弾性接触部材1056によってエッチング位置に一旦持ち上げられる。筐体3に対する、図1における側板9と同様に、側板1009が金属筐体1003に電気的に接続されており、筐体1003が接地電位で動作するので、加工対象物支持体1019cは同様に、しっかりと接地電位に接続される。

Rf電流帰路が一対の並列インピーダンスを介して、すなわち、ポンピング室5に沿って筐体3を介して、及び、加工対象物支持体19を介して、システム接地Gへと導かれる、図1に関連して述べた接地概念とは反対に、図10の実施形態によれば、Rf帰路は、できるだけ短くなるように選択される。システム接地Gに対するシステム接地タブ1023は、エッチング室1007の上部で中央に設けられている。図1に示される接地概念は、どちらの場合も図10の接地概念によって置き換えられ得、より小さい第2の電極構成としての加工対象物支持体は、バイアス電位ではなく接地電位で動作する。

図11は、図1の実施形態と同様に、大きなポンピングポート1113を有するポンピング室1105とエッチング室1107とを備える装置の一実施形態を簡略化して概略的に示す。取り扱い開口1155は、貫通穴又はスリット1111を有するリム又は側板1109によって制限されている。取り扱い開口1155は、セラミック材料で作られた良い変形例では、フレーム1157によって境界が定められている。

図1に示されるような加工対象物支持体19cと側板又はリム9を有する加工対象物又は基板47との相互作用とは反対に、図11による実現の形態によれば、加工対象物支持体1119cのエッチング位置において、加工対象物又は基板1147の上部表面が、リム又は側板1109と実質的に同一平面上に位置するように、フレーム1157を有する側板1109は、加工対象物又は基板1147に対する停止部として作用する。それによって、そのエッチング位置にある加工対象物又は基板1147は、加工対象物支持体1119cとフレーム1157との間でしっかりとバイアスされて保持されるようになる。さらに、図11は、弾性接触部材1156が加工対象物支持体1119cに機械的に結合されてもよい一方で、図1によれば、それらが、側板9に機械的に結合されていることを示す。両方の変形例が可能であり、また弾性接触部材56、1156のいくつかが可動な加工対象物支持体19c、1119cに機械的に結合され、いくつかが固定リム又は側板9、1109に機械的に結合される組み合わせも可能である。

特に、言及したように、エッチング処理中に側板又はリムの境界が加工対象物又は基板と機械的に相互作用する場合、処理中にそのような相互作用を正確に一定に保つことが重要である。図11の実施形態では、そのような相互作用は、エッチング処理中に加工対象物又はウェハ1147をバイアスし保持する。従って、一般的に、特にこの場合において、基板又は加工対象物、特に薄くて大きな基板におけるそれぞれの効果に伴ってフレーム及び側板の相互のシフト及び又は反りをもたらす可能性がある異なる材料及び構造の相互の熱膨張にもかかわらず、高い機械的安定性は、達成される。

図3による実施形態において、スポーク12及びフレーム57の異なる熱膨張が、スポーク12の端部がしっかりとフレーム57に連結されていないという事実によって十分に考慮されるという事実にもかかわらず、図3のこの実施形態は、図11のように、エッチング処理中のようにフレームが加工対象物又はウェハ1147と機械的に相互作用する場合には最適ではない。

図12は、リム又は側板構成1209における平面図で、図3に示されるものとは別の構成における円形の加工対象物又は基板1247用のリング状フレーム1257の最も概略的かつ単純化された平面図である。それは、エッチング処理中にフレーム1257を基板1247のための機械的停止及び下方保持部材として利用するように調整されている。それにもかかわらず、それは、上で述べたように基板支持体が静止していて、実際に停止が必要ない場合にも適用され得る。

図12には、スポーク1212のうちのいくつかしか示されていない。スポーク1212の一端部1212_e1は、例えば、接着、溶接、はんだ付け、ねじ込みによって、フレーム1257に機械的に固定されている。図12に概略的にのみ示されているように、他端部1212_e2は、筐体1203に対して機械的に固定されている。全てのスポーク1212は、そこでプラズマが燃焼するのを防止するのに十分に狭い貫通スリット1211を有するリム又は側板1209を共に形成する。

スポーク1212は、筐体1203に対するフレーム1257の相対的な拡張Eに対して板ばねとして機能する。符号1212’で一点鎖線で概略的に示されるように湾曲又は屈曲され得るスポーク1212は、長さ方向Dを画定し、長さ延長の方向Dが、90°ではなく、90°より小さく0°までの角度αを有するスポーク固定の中心でフレーム1257上の接線Tと交差するようにフレーム1257に取り付けられる。指定された角度範囲では、角度αがスポーク1212の一般的な板ばね効果に関しては重要ではないので、スポーク1212は、一点鎖線によって符号1212pで図12に概略的に表されるように、フレーム1257の円周の選択された部分にわたって互いに平行に配置され得る。実際に、スポークは、曲げ可能な部材として機能する。

フレーム1257は、多数のスポーク1212によって安定して取り付けられ、反りを生じることなく熱負荷時に自由に伸縮することができ、その結果、加工対象物又は基板1247の高精度の位置決め及び保持が達成される。

符号1212”で図12に示されるように、スポーク又はいくつかのスポークは、最も一般的には圧縮可能又は屈曲可能であり、「ジグザグ」又は波形のように圧縮可能であれば、α=90°で配置されてもよい。それらは、実際には圧縮可能な部材として機能する。

図13は、図3と同様に、大きな長方形の基板又は加工対象物のためのリム又は側板1309及びフレーム1357の配置を示し、図12に関連して述べたように一般的な手法に従って構成されている。

図14は、図13のB−B線に沿った部分断面図で、図13のようなリム又は側板1309及びフレーム1357の構成を有する基板又は加工対象物1447との昇降可能な加工対象物支持体1419cの相互作用を示す。

図13及び図14によると、一般的な図12の教示と同様に、フレーム1357は、正方形の基板又は加工対象物用の正方形の取り扱い開口1355を画定する。

図14から分かるように、図12と同様に、スポーク1312の一端部1312_e1は、フレーム1357に固定されている。特定の実施例では、両方とも酸化アルミニウムのようなセラミック材料で作られた良好な実施形態において、それらは、符号1358で接着され、フレーム1357とフレーム対応物1357_aとの間でバイアスされる。

他方の端部1357_e2(図13参照)は、筐体1303に直接又は間接的に固定される。それぞれの方向を向いたスポーク1312の4つのセクションIからIVは、相互交差の中心でフレーム接線に対して垂直に設けられるようにフレーム1357/1357_aに固定されていないウェブ1358によって別々に設けられる。優れた実施形態では、スポーク1312、ウェブ1358、及び、側板全体又はリム1309の部分1359のような周囲フレームは、スポーク1312間のスリットが機械加工されている単一の金属板で作られている。

図14から明らかなように、加工対象物支持体1419_cは、エッジ処理位置1147_uに移動すると、フレーム対応物1357_aの境界をバイパスし、それにより、加工対象物又は基板1447は、フレーム1357に対してバイアスする。

フレーム1357のように基板保持フレームを使用する代わりに、1419_cのように、例えば、静電気力を利用することによって、従って、静電チャックによって、又は、基板又は加工対象物の下に、縁取りプロセスに利用される真空よりも小さい圧力を確立する真空チャックによって、基板又は加工対象物が加工対象物支持体上にしっかりと保持されてもよいことを指摘しなければならない。そのような場合、側板又はリムの熱負荷は、それほど重要ではないかもしれない。

本発明による容量結合RF真空エッチング装置では、異なる仕立ての加工対象物支持体又はチャックを交換可能に適用することができる。

一実施形態では、加工対象部支持体は、冷却される。それは、図14に符号1448によって破線で示され、同様に図1に符号20によって破線で示されるように、液体冷却媒体のための流路のシステムを含む。

言及した実施形態では、真空筐体は、ポンピング室とエッチング室とで分離されており、基板又は加工対象物は、しっかりとバイアスされて加工対象物支持体上に保持されている。加工対象物又は基板の冷却は、冷却された加工対象物支持体と加工対象物又は基板の底面との間に熱伝導気体のクッションを設けることによって改善される。熱伝導気体は、加工対象物支持体の冷却表面と加工対象物又は基板の底面との間の隙間からポンピング室に流れ、エッチング室には無視できる程度で流れる。

この装置の一実施形態におけるこの手法は、図15に概略的に示されている。加工対象物支持体1519_cは、液体冷却媒体用の流路1548のシステムなどによって冷却される。加工対象物支持体1519_cは、その上面1552に隣接してそれに沿った気体流路システム1550をさらに備える。穴又はスリット1554は、気体流路システム1550を加工対象物支持体1519_cの表面1552に接続する。気体流路システム1552は、熱伝導気体用の気体供給源(図示せず)に接続されている。気体流路システム1552及びスリット又は穴1554は、加工対象物又は基板1547の底面に沿って、従って基板又は加工対象物支持体1547の周囲に沿って、最大で加工対象物支持体1519_cの周囲に沿って増加した圧力で実質的に均一な圧力分布を確立するように調整される。当業者は、気体流路システム1552に沿った流動抵抗の分布、及び/又は、穴若しくはスリット1554の分布、及び/又は、穴又はスリット1554の流路抵抗の分布をそれぞれ調整することによって加工支持体又は基板の底面に沿ってそれぞれの圧力分布を確立する方法を知っている。

加工対象物支持体1519_cの半径方向範囲rにわたって定性的に概略的に示されるように、圧力pは、加工対象物支持体の表面に沿って、又は、破線で示されるように、基板又は加工対象物1547の周囲に沿ってそれぞれの最大値で、実質的に一定になるように定められる。

側板又はリムが全体の真空容器又は筐体をエッチング室及びポンピング室に分ける装置のこれらの実施形態では、熱伝導気体流は、符号HGで図15に示すように、単にポンピング室への基板又は加工対象物と加工対象物支持体の上面との間に隙間を残すことがある。ここでは、エッチング室1507は、側板又はリム構成1509によってポンピング室1505から分離されている。加工対象物又は基板1547を処理している間、加工対象物又は基板1547は、例えばフレーム1557によって機械的に保持され、エッチング室をポンピング室から実質的に密閉する。従って、2つの室は、気体の流れに関して、処理中に、単に側板又はリム1509の穴又はスリットを通して通じる。冷却された加工対象物支持体1519cの上面と加工対象物又は基板1547の底面との間の隙間が、処理中に、フレーム1557のポンピング室1505側に位置しているので、熱伝導気体HGは、指定された空間をもっぱらポンピング室1505内に残す。それによって、縁取り室及び縁取りプロセスは、例えばHeである、熱伝導気体HGの影響を受けない。

本発明による1つ又は複数の装置は、少なくとも1つの加工対象物又は少なくとも1つのバッチの加工対象物が、固定された順序で1つの処理部から次の処理部に搬送される、いわゆるインライン加工対象物又は基板処理プラントで利用され得る。そのようなプラントは、図16に概略的に示されている。

加工対象物又は基板又は加工対象物若しくは基板1647のバッチは、一連の処理部1601₁、1601₂・・・を含む処理プラント1600に沿って運ばれる。処理部のうちの少なくとも1つは、その態様のうちの少なくとも1つに基づく本発明による装置である。処理部1601₁は、例えば、脱気部であり得、処理部1601₂は、指定された装置である。図16によるプラント1600では、1つの加工対象物又は基板又はその1つのバッチが各処理部1601_nにおいて同時に処理され、1つの加工対象物又は基板又はその1つのバッチが、同時に1つの処理部から次の処理部に搬送される。図16のインラインプラント1600の実施形態において、単一の加工対象物又は基板をバッチとして(単一の加工対象物又は基板だけで)扱う場合、搬送されるバッチ及び処理されるバッチの範囲は、チェーンに沿って一定である。これにより、搬送経路PCは、直線状でも曲線状でもよく、例えば、PCF’によって一点鎖線で示されるように円形に曲げられている。本発明に従って提供される装置は、持ち上げ可能な加工対象物支持体又は持ち上げ不可能な加工対象物支持体を用いて構成することができる。複数のそのような装置が提供される場合、いくつかは、持ち上げ可能な加工対象物支持体で構成され、いくつかは、持ち上げ不可能な加工対象物支持体で構成されてもよい。それらは、等しく構成される必要はないが、1つ以上の異なる実施形態を組み込んでもよい。

本発明による装置の少なくとも1つを組み込んでおり、その少なくとも1つの実施形態を実現することが可能であるインラインプラント1700の実施形態の図17では、処理部1701₁、1701₂、1701₃において同時に処理されるバッチの数(1つの加工対象物又は基板のみであり得る)は、異なる。一例として、脱気部1701₁は、N個のバッチを同時に処理し、冷却部1701₂は、異なるM個のバッチを同時に処理するが、本発明による装置1701₁は、同時に1つのバッチを処理する。処理部に入力されたバッチと処理部から出力されたバッチの平均レートは同じである。それによって、考慮される、同時に処理部に入力されたバッチと処理部から出力されたバッチの数は、異なり得る。搬送経路PCは、直線状でも曲線状でもよく、PC’によって一点鎖線で示すように円を描くように曲がっていてもよい。本発明に従って提供される装置は、持ち上げ可能な加工対象物支持体又は持ち上げ不可能な加工対象物支持体を用いて構成することができる。複数の装置が提供されている場合は、持ち上げ可能な加工対象物支持体で構成されているものや、持ち上げ不可能な加工対象物支持体で構成されているものがある。それらは、等しく構成される必要はない。

図18は、本発明による1つ又は複数の装置を組み込んだインラインプラント1800の具体例を示す。

加工対象物又は基板は、コイル1851から巻き出され、コイル1852に巻き戻されるフォイル1847である。コイル間では、フォイル1847は、本発明による少なくとも1つの装置1801を組み込んだ真空処理プラント1800を通過する。この実施形態では、装置1801の加工対象物支持体は、持ち上げ可能ではない。

図19によれば、本発明による少なくとも1つの装置は、クラスタプラントとも言える非インラインプラント1900に統合されている。複数の処理部1801₁、1801₂等は、中央のハンドラー1950によって、1つ又は複数のバッチ1947(バッチは、1つの加工支持体又は基板のみを含むことができる)が搬入及び搬出される。ハンドラー1950は、バッチ1947用の支持体1954を備えた少なくとも1つの駆動的に伸縮可能なアーム1952を有し、中心軸Aの周りに駆動的に回転可能である。

本発明による反応器の少なくとも1つを組み込んだこのプラントでは、バッチ1947が供給される処理部の順序、同時に搬送されるバッチ1947の数、それぞれの処理部で同時に処理されるバッチの数、及び、それぞれの処理部の処理期間は、選択可能であり、可変的に制御可能である。本発明に従って提供される装置は、持ち上げ可能な加工対象物支持体又は持ち上げ不可能な加工対象物支持体を用いて構成することができる。複数の装置が提供されている場合は、持ち上げ可能な加工対象物支持体で構成されているものや、持ち上げ不可能な加工対象物支持体で構成されているものがある。それらは、等しく構成される必要はない。

上述したような真空装置のさらなる態様を要約すると、それ自体は発明性があると考えられる。

筐体(3)及び加工対象物支持体を備える真空装置であって、前記筐体(3)が、ポンピングポート(13)を含むポンピング室(7)と処理室(5)とに細分され、前記室(5、7)が、貫通開口又は貫通スリット(11)のパターンを有する側板又はリム(9)によって分離され、所定の処理条件でプラズマを生成し、前記加工対象物支持体が、搬入/搬出位置から処理位置へ、及び、その逆に、駆動可能であり、前記加工対象物支持体(19c)の加工対象物又は基板が、前記処理室に露出される加工対象物又は基板の表面の全周囲に沿って、下方保持部材(57)によって前記処理位置において前記加工対象物支持体に機械的に保持され、前記加工対象物支持体(19c)が、液体加熱又は冷却媒体を保持するように構成された流路構成(20)、及び、前記処理室に露出される前記表面に対向する前記加工対象物又は基板の間の空間を有する穴又はスリット構成によって連通する熱伝導気体を保持するように構成されたさらなる流路構成を含む、真空装置が提供される。

3 筐体、真空筐体、真空容器 5 処理室 7 ポンピング室 9 側板、リム 9i 第2の電極表面 11 隙間 12 スポーク 13 ポンピングポート 19c 第2の電極構成、加工対象物支持体 19i 第2の電極表面 20 流路構成 23 システム接地タブ 29 第1の電極構成 31 第1の電極構成 31d 扉 31i 第1の電極表面 37 Rf発生装置 39 整合器装置 40 出力装置 45 第2の電極構成 47 加工対象物、基板 50 第1の電極構成、金属体 50i 周囲表面 55 アクセス開口 57 フレーム、下降保持部材 1023 システム接地タブ PL プラズマ空間