本発明は、高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子に関する。

高分子量の発光性材料や電荷輸送材料は、通常、溶媒に可溶であり、塗布法により発光素子の有機層を形成できるので、種々検討されている。 その中で、アミン含有ポリマーは、素子性能を向上させるため、発光層、正孔注入層等に使用されている（特許文献１、非特許文献１）。

特開２００５−３０２５６７号公報

月間ディスプレイ ２００５年 ９月号 第３頁

本発明の目的は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層等の材料として使用可能な新規な高分子化合物および該高分子化合物を用いた高分子発光素子を提供することにある。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明を成すに到った。 即ち、本発明は第一に、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする高分子化合物を提供する。

〔式中、ＸはＡ環上の２個の原子とＢ環上の２個の原子と一緒になって５員環または６員環を形成する原子または２価の基を表し、該原子または２価の基は、酸素原子、硫黄原子、セレン原子および珪素原子からなる群から選ばれる原子を少なくとも一つ含む。 Ａ環およびＢ環は独立に置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環または置換基を有していてもよい複素環を表し、複数の置換基が存在する場合には互いに結合して環を形成してもよく、Ａｒ１は置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基または複素環骨格を有する２価の有機基を表し、複数の置換基が存在する場合には互いに結合して環を形成してもよい。 Ａｒ２およびＡｒ３は独立に置換基を有していてもよい１価の芳香族炭化水素基または複素環骨格を有する１価の有機基を表し、複数の置換基が存在する場合には互いに結合して環を形成してもよい。 Ｒ

^*は連結基を表し、ｈは０又は１を表す。 複数存在するＲ

^*は同一であっても異なっていてもよい。 〕

本発明は第二に、正孔輸送性材料、電子輸送性材料および発光性材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と上記高分子化合物とを含有することを特徴とする高分子組成物を提供する。

本発明は第三に、下記一般式（４）：

〔式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｒ

^*及びｈは、上記のとおりである。 〕

で表される２級アミン化合物と、下記一般式（５）：

〔式中、Ｘは上記のとおりであり、Ｚはハロゲン原子または−ＳＯ

₂ Ｒ

⁹ （ここで、Ｒ

⁹は、アルキル基、アリール基またはアリールアルキル基を表す。）を表す。 〕

で表される化合物とを、金属縮合剤および脱酸剤の存在下で反応させることを特徴とする上記高分子化合物の製造方法を提供する。

本発明は第四に、上記高分子化合物および／または上記高分子組成物と、溶媒とを含有することを特徴とする液状組成物を提供する。

本発明は第五に、上記高分子化合物および／または上記高分子組成物を含有することを特徴とする薄膜を提供する。

本発明は第六に、上記薄膜を有することを特徴とする有機トランジスタを提供する。

本発明は第七に、陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた上記高分子化合物および／または上記高分子組成物を含む有機層とを有することを特徴とする高分子発光素子を提供する。

本発明は第八に、上記高分子発光素子を用いたことを特徴とする面状光源を提供する。

本発明は第九に、上記高分子発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置を提供する。

本発明は第十に、上記高分子発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置を提供する。

本発明は第十一に、上記高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置を提供する。

本発明の高分子化合物および該高分子化合物を含有する高分子組成物は、最大電流効率が優れており、発光素子の有機層（発光層、正孔輸送層、正孔注入層等）、インターレイヤー材料等として有用である。 したがって、この高分子化合物および／または高分子組成物を用いて、高分子発光素子を作製することができる。 こうして作製された本発明の高分子発光素子は、液晶ディスプレイのバックライトまたは照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイなどに好適に使用できる。 また、本発明の製造方法を適用することにより、前記高分子化合物を容易に製造することができる。 さらに、本発明の液状組成物を適用することにより、本発明の高分子化合物を含有する薄膜を容易に作製することができる。

以下、本発明について詳細に説明する。
＜高分子化合物＞
本発明の高分子化合物は、上記一般式（１）で表される繰り返し単位を含むものである。

−Ｘについて−
上記一般式（１）中、ＸはＡ環上の２個の原子とＢ環上の２個の原子と一緒になって５員環または６員環を形成する原子または２価の基（あるいは原子群）を表す。 Ｘの具体例としては、下記のものが挙げられる。

（式中、Ｒは独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、置換シリル基、シアノ基、ニトロ基、または複素環骨格を有する１価の有機基を表す。）

Ｒで表されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などが例示される。 以下、同様に、Ｒで表される基を具体的に説明する。

アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよく、炭素数が通常１〜２０程度である。 その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられる。

アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよく、炭素数が通常１〜２０程度である。 その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが挙げられる。

アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよく、炭素数が通常１〜２０程度である。 その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられる。

アリール基は、芳香族炭化水素から水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。 アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８である。 その具体例としては、フェニル基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシフェニル基（「Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂ 」は、炭素数１〜１２であることを示し、以下同様である。）、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点から、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシフェニル基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルフェニル基が好ましい。 Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシフェニル基として具体的には、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、ｉ−プロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、ｉ−ブトキシフェニル基、ｔ−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基などが挙げられる。 Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルフェニル基として具体的には、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示される。

アリールオキシ基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８である。 その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点から、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルフェノキシ基が好ましい。 Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシフェノキシ基として具体的には、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、ｉ−プロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、ｉ−ブトキシフェノキシ基、ｔ−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、２−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基などが例示される。 Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルフェノキシ基として具体的には、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１,３,５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、ｉ−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｉ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが例示される。

アリールチオ基は、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数が通常３〜６０程度である。 その具体例としては、フェニルチオ基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基などが挙げられる。

アリールアルキル基は、置換基を有していてもよく、炭素数が通常７〜６０程度である。 その具体例としては、フェニル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキル基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキル基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルフェニル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキル基などが挙げられる。

アリールアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、炭素数が通常７〜６０程度である。 その具体例としては、フェニル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシ基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシ基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルフェニル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシ基などが挙げられる。

アリールアルキルチオ基は、置換基を有していてもよく、炭素数が通常７〜６０程度である。 その具体例としては、フェニル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルチオ基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルチオ基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルフェニル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルチオ基などが挙げられる。

アルケニル基は、炭素数が通常２〜２０程度である。 その具体例としては、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、３−プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、へキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、シクロヘキセニル基などが挙げられる。 また、アルケニル基には１，３−ブタジエニル基などのアルカジエニル基も含まれる。

アルキニル基は、炭素数が通常２〜２０程度である。 その具体例としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、ヘプテニル基、オクチニル基、シクロヘキシルエチニル基が挙げられる。 また、アルキニル基には１，３−ブタジイニル基などのアルキジエニル基も含まれる。

アリールアルケニル基は、炭素数が通常８〜５０程度である。 アリールアルケニル基を構成するアリール基（即ち、アリール部位）、アルケニル基（即ち、アルケニル部位）としては、上記のアリール基、アルケニル基と同様である。 アリールアルケニル基の具体例としては、１−アリールビニル基、２−アリールビニル基、１−アリール−１−プロペニル基、２−アリール−１−プロペニル基、２−アリール−２−プロペニル基、３−アリール−２−プロペニル基などが挙げられる。 また、４−アリール−１，３−ブタジエニル基などのアリールアルカジエニル基も含まれる。

アリールアルキニル基は、炭素数が通常８〜５０程度である。 アリールアルキニル基を構成するアリール基（即ち、アリール部位）、アルキニル基（即ち、アルキニル部位）としては、上記のアリール基、アルキニル基と同様である。 アリールアルキニル基の具体例としては、アリールエチニル基、３−アリール−１−プロピオニル基、３−アリール−２−プロピオニル基等が挙げられる。 また、４−アリール−１，３−ブタジイニルなどのアリールアルカジイニル基も含まれる。

アシル基は、炭素数が通常２〜２０程度である。 その具体例として、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが挙げられる。

アシルオキシ基は、炭素数が通常２〜２０程度である。 その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。

アミド基は、炭素数が通常２〜２０程度である。 その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基などが挙げられる。

酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基が挙げられ、通常炭素数２〜６０程度であり、好ましくは２〜２０である。 酸イミド基の具体例としては、以下に示す基が挙げられる。 なお、具体例において「Ｍｅ」はメチル基を表し、以下、同じである。

イミン残基とは、イミン化合物（即ち、分子内に−Ｎ＝Ｃ−を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子がアルキル基等で置換された化合物等が挙げられる。）から水素原子１個を除いた残基が挙げられ、通常炭素数２〜６０程度であり、好ましくは２〜２０である。 具体的には、以下の構造式で示される基などが例示される。

（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）

置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、および複素環骨格を有する１価の有機基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基が挙げられる。 なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または複素環骨格を有する１価の有機基は置換基を有していてもよい。 置換アミノ基は炭素数が通常１〜４０程度である。 その具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ビス（トリフルオロメチル）アミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ビス（Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ビス（Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基、フェニル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルフェニル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルアミノ基、ビス（Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキル）アミノ基、ビス（Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルフェニル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルアミノ基などが挙げられる。

置換シリルオキシ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、および複素環骨格を有する１価の有機基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルオキシ基（Ｈ ₃ ＳｉＯ−）等が挙げられる。 なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、複素環骨格を有する１価の有機基を有していてもよい。 置換シリルオキシ基は、炭素数が通常１〜６０程度、好ましくは３〜３０である。 その具体例としては、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリ−ｎ−プロピルシリルオキシ基、トリ−ｉ−プロピルシリルオキシ基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ−ｐ−キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基などが挙げられる。

置換シリルチオ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、および複素環骨格を有する１価の有機基から選ばれる１〜３個の基で置換されたシリルチオ基（Ｈ ₃ ＳｉＳ−）等が挙げられる。 なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、複素環骨格を有する１価の有機基は、置換基を有していてもよい。 置換シリルチオ基は、炭素数が通常１〜６０程度、好ましくは３〜３０である。 その具体例としては、トリメチルシリルチオ基、トリエチルシリルチオ基、トリ−ｎ−プロピルシリルチオ基、トリ−ｉ−プロピルシリルチオ基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリルチオ基、トリフェニルシリルチオ基、トリ−ｐ−キシリルシリルチオ基、トリベンジルシリルチオ基、ジフェニルメチルシリルチオ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルチオ基、ジメチルフェニルシリルチオ基などが挙げられる。

置換シリルアミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および複素環骨格を有する１価の有機基から選ばれる１〜６個の基で置換されたシリルアミノ基（即ち、Ｈ ₃ ＳｉＮＨ−または（Ｈ ₃ Ｓｉ） ₂ Ｎ−）等が挙げられる。 なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、複素環骨格を有する１価の有機基は置換基を有していてもよい。 置換シリルアミノ基は、炭素数が通常１〜１２０程度、好ましくは３〜６０である。 その具体例としては、トリメチルシリルアミノ基、トリエチルシリルアミノ基、トリ−ｎ−プロピルシリルアミノ基、トリ−ｉ−プロピルシリルアミノ基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリルアミノ基、トリフェニルシリルアミノ基、トリ−ｐ−キシリルシリルアミノ基、トリベンジルシリルアミノ基、ジフェニルメチルシリルアミノ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルアミノ基、ジメチルフェニルシリルアミノ基、ビス（トリメチルシリル）アミノ基、ビス（トリエチルシリル）アミノ基、ビス（トリ−ｎ−プロピルシリル）アミノ基、ビス（トリ−ｉ−プロピルシリル）アミノ基、ビス（ｔ−ブチルジメチルシリル）アミノ基、ビス（トリフェニルシリル）アミノ基、ビス（トリ−ｐ−キシリルシリル）アミノ基、ビス（トリベンジルシリル）アミノ基、ビス（ジフェニルメチルシリル）アミノ基、ビス（ｔ−ブチルジフェニルシリル）アミノ基、ビス（ジメチルフェニルシリル）アミノ基などが挙げられる。

置換シリル基とは、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基および１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基を表す。 炭素数は通常１〜６０程度であり、好ましくは３〜３０である。 なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または複素環骨格を有する１価の有機基は置換基を有していてもよい。 置換シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−プロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが挙げられる。

Ｒの説明において、複素環骨格を有する１価の有機基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数が通常２〜６０程度である。 その具体例としては、チエニル基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ ₁ 〜Ｃ ₁₂アルキルピリジル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、オキサゾリル基、チアゾール基、チアジアゾール基などが挙げられる。

Ｘの中では、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−ＳｉＲ ₂ −または−ＣＲ ₂ Ｏ−が好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＲ ₂ Ｏ−がより好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−がさらに好ましい。

−Ａ環・Ｂ環について−
上記一般式（１）中、Ａ環およびＢ環は、独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環または複素環を表し、複数の置換基が存在する場合には互いに結合して環を形成してもよい。

芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環単独または複数個のベンゼン環が縮合したものが好ましく、その例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香族炭化水素環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環、ナフタレン環がより好ましい。

Ａ環とＢ環との組合せとして、好ましくはベンゼン環とナフタレン環、ベンゼン環とアントラセン環、ベンゼン環とフェナントレン環、ナフタレン環とアントラセン環、ナフタレン環とフェナントレン環、アントラセン環とフェナントレン環の組合せ等が挙げられ、ベンゼン環とナフタレン環の組合せがより好ましく、共にベンゼン環である組合せがさらに好ましい。 これらのＡ環とＢ環との組合せの例示において、各々の環は置換基を有していてもよい。

芳香族炭化水素環が置換基を有する場合には、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点から、該置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、複素環骨格を有する１価の有機基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。

芳香族炭化水素環が置換基を有する場合のアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、複素環骨格を有する１価の有機基の定義、具体例は、上記Ｒの記載と同様である。

芳香族炭化水素環が置換基を有する場合の置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、または複素環骨格を有する１価の有機基で置換されたカルボキシル基等が挙げられ、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは２〜４８である。 この置換カルボキシル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基などが挙げられる。 なお、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または複素環骨格を有する１価の有機基は、置換基を有していてもよく、この場合、置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。

上記Ａ環、Ｂ環の複素環としては、環に含まれる炭素原子がヘテロ原子で置き換えられた構造のもの等が例示され、具体的には、置換基を有していてもよいＣ ₄ 〜Ｃ ₂₀複素環が例示される。 このＣ ₄ 〜Ｃ ₂₀複素環を選択すると、得られる化合物の薄膜状態での蛍光強度、青色から赤色までの可視光領域での発光色の制御性がより優れる。

上記Ａ環、Ｂ環の複素環は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。 アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられる。 アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが挙げられる。 アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられる。 ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

上記Ａ環、Ｂ環の複素環の具体例としては、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、キノリン環、キノキサリン環、フェナントロリン環、フェノチアジン環、テトラヒドロフラン環、テトラヒドロチオフェン環、テトラヒドロインドール環、テトラヒドロピラン環、ヘキサヒドロピリジン環、テトラヒドロチオピラン環、オキソカン環、テトラヒドロキノリン環、テトラヒドロイソキノリン環、クラウンエーテル類などが挙げられる。

−Ａｒ１について−
上記一般式（１）中、Ａｒ１は置換基を有していてもよい２価芳香族炭化水素基または複素環骨格を有する２価の有機基を表し、複数の置換基が存在する場合には互いに結合して環を形成してもよい。

上記Ａｒ１の２価芳香族炭化水素基または複素環骨格を有する２価の有機基とは、芳香族炭化水素環または複素環から水素原子２個を除いてなる原子団をいう。

芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環単独または複数個のベンゼン環が縮合したものが好ましく、その例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環、ナフタレン環がより好ましい。 即ち、２価芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントラセン−ジイル基、テトラセン−ジイル基、ペンタセン−ジイル基、ピレン−ジイル基およびフェナントレン−ジイル基から選ばれる基が挙げられ、好ましくはフェニレン基、ナフチレン基である。

芳香族炭化水素環（あるいは、２価芳香族炭化水素基）が置換基を有する場合には、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点から、該置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、複素環骨格を有する１価の有機基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。 これらの置換基は、前記Ａ環およびＢ環の項で芳香族炭化水素環が置換基を有する場合の置換基として具体的に説明し、例示したものと同じである。

上記Ａｒ１は、下記一般式（３）：

〔式中、Ｒ

¹ 〜Ｒ

⁴は独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、複素環骨格を有する１価の有機基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表し、Ｒ

¹ 〜Ｒ

⁴は互いに結合して環を形成していてもよい。 〕

であることがより好ましい。

これらＲ ¹ 〜Ｒ ⁴で表されるこれらの基は、前記Ａ環およびＢ環の項で芳香族炭化水素環が置換基を有する場合の置換基として具体的に説明し、例示したものと同じである。

Ａｒ１の複素環骨格を有する２価の有機基を構成する複素環としては、環に含まれる炭素原子がヘテロ原子で置き換えられた構造のもの等が例示され、具体的には、置換基を有していてもよいＣ ₄ 〜Ｃ ₂₀複素環が例示される。 より具体的には、チオフェン環、フラン環、ピリジン環、キノリン環、キノキサリン環、フェナントロリン環、フェノチアジン環等が例示される。

Ａｒ１で表される２価芳香族炭化水素基または複素環骨格を有する２価の有機基が置換基を有する場合には、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点から、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。 これらの置換基は、前記Ａ環およびＢ環の項で芳香族炭化水素環が置換基を有する場合の置換基として具体的に説明し、例示したものと同じである。

−Ａｒ２、Ａｒ３について−
上記一般式（１）中、Ａｒ２およびＡｒ３は独立に、置換基を有していてもよい１価芳香族炭化水素基または複素環骨格を有する１価の有機基を表し、複数の置換基が存在する場合には互いに結合して環を形成してもよい。

Ａｒ２、Ａｒ３の１価芳香族炭化水素基または複素環骨格を有する１価の有機基とは、芳香族炭化水素環または複素環から水素原子１個を除いてなる原子団をいう。 芳香族炭化水素環および複素環は、上記Ａｒ１の項で具体的に説明し例示したものと同じである。

また、Ｒ ^*で表される連結基としては、例えば、アルキレン基、アルケニレン基などがあげられ、その中の４級炭素原子が−Ｏ−、−Ｓ−、―ＣＯ−、−ＣＯ ₂ −、−ＳＯ−、―ＳＯ ₂ ―、−ＳｉＲ ¹ Ｒ ² −、ＮＲ ³ −、−ＢＲ ⁴ −、−ＰＲ ⁵ −、及び−Ｐ（＝Ｏ）―で置換されていてもよい。

−高分子化合物の具体例−
上記一般式（１）で表される繰り返し単位を含む高分子化合物の具体例としては、以下のものが挙げられるが、これらの例示は本発明の範囲を限定するものではない。 なお、これらの例示において、ｎは正の整数であり、通常、該高分子化合物が後述するポリスチレン換算の重量平均分子量の範囲内となる正の整数である。 Ｒは前記の通りであり、ａは０〜３、ｂは０〜４、ｃは０〜５、ｄは０〜７、ｅは０〜２、ｆは０〜６の整数を表す。 ａ〜ｆが複数存在する場合には、各々、同一であっても異なっていてもよい。

−高分子化合物の分子量−
本発明の高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は、通常、１０ ³ 〜１０ ⁸程度であり、成膜性の観点および素子に用いた場合の電流効率の観点から、５×１０ ⁴ 〜５×１０ ⁶が好ましく、１０ ⁵ 〜５×１０ ⁶がさらに好ましい。 前記重量平均分子量がかかる好ましい範囲を満たすと、得られる高分子化合物は、単独で素子に用いた場合でも２種類以上を混合して素子に用いた場合でも高電流効率の素子が作製できるものとなる。

−高分子化合物の用途−
本発明の高分子化合物は、通常、固体状態で蛍光または燐光を発し、高分子発光体(高分子量の発光性材料)として用いることができる。 また、該高分子化合物は優れた電荷輸送能を有しており、高分子発光素子用材料や電荷輸送材料として好適に用いることができる。

さらに、本発明の高分子化合物はレーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜などの伝導性薄膜用材料；蛍光や燐光を発する発光性薄膜材料；高分子電界効果トランジスタの製造に用いられる材料としても好ましく使用できる。

本発明の高分子化合物は、上記の用途を始めとする様々な用途に如何なる状態で用いてもよく、例えば、高分子化合物の状態で用いても、後述の高分子組成物、液状組成物等の状態としてから用いてもよい。 以下、具体的に説明する。

−高分子化合物の製造方法−
本発明の高分子化合物は、如何なる方法で製造されたものであってもよいが、好ましくは、以下の方法で製造することできる。 即ち、下記一般式（４）：

〔式中、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、上記のとおりである。 〕

で表される２級アミン化合物と、下記一般式（５）：

〔式中、Ｘは上記のとおりであり、Ｚはハロゲン原子または−ＳＯ

₂ Ｒ

⁵ （ここで、Ｒ

⁵は、アルキル基、アリール基またはアリールアルキル基を表す。）を表す。 〕

で表される化合物とを、金属縮合剤および脱酸剤の存在下で反応させることにより、上記一般式（１）で表される繰り返し単位を含む本発明の高分子化合物を作製することができる。

上記一般式（５）中、Ｚは、ハロゲン原子であることが好ましい。 ハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられるが、反応性の点で、塩素原子、臭素原子が好ましく、臭素原子がより好ましい。

また、前記Ｒ ⁵で表されるアルキル基、アリール基およびアリールアルキル基は、前記Ｘの項において、Ｒで表されるアルキル基、アリール基およびアリールアルキル基として具体的に説明し例示したものと同じものである。

前記金属縮合剤としては、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ等の遷移金属または遷移金属化合物が用いられるが、Ｃｕ、Ｐｄおよびその化合物が好ましく、Ｐｄおよびその化合物がより好ましく、パラジウム触媒がさらに好ましい。

前記金属縮合剤の使用量は、通常、前記２級アミン化合物１モルに対して、０．００１モル以上である。 上限は限定的ではないが、原料費の観点から、０．１モル以下であることが好ましい。

前記脱酸剤としては、例えば、アルカリ金属やアルカリ土類金属の炭酸塩、重炭酸塩、水酸化物、アルコキシドなどが挙げられ、これらの中でも、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシド、ナトリウムｔ−ブトキシド、炭酸セシウム等が好ましい。

前記脱酸剤の使用量は、特に限定されないが、通常、前記式（４）で表される２級アミン化合物１モルに対して、２〜２０モルである。

また、本反応には、中性配位子を添加することが、重合度向上の観点から好ましい。 この中性配位子とは、アニオンやカチオンを有していない配位子であり、具体的には、２，２'−ビピリジル、１，１０−フェナントロリン、メチレンビスオキサゾリン、Ｎ，Ｎ'−テトラメチルエチレンジアミン等の含窒素配位子、トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ−ｔ−ブチルホスフィン、トリフェノキシホスフィン、１，２−ビスジフェニルホスフィノエタン、１，３−ビスジフェニルホスフィノプロパン等の第三級ホスフィン配位子などが例示される。 前記金属縮合剤としてＰｄ、その化合物を使用する場合には、重合度の点で、中性配位子としては第三級ホスフィン配位子が好ましい。

本反応は、通常、溶媒中で行われる。 使用される溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルホスホリックトリアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、ベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、テトラリン、デカリン等の脂肪族炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸メチルなどのエステル系溶媒、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化アルキル系溶媒などが例示される。 これらの中でも、高分子量化の観点から、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒が好ましい。

本反応の反応温度は、特に限定されず、通常、０〜２００℃程度であり、低加熱費の観点から、２０〜１６０℃程度が好ましい。 また、溶媒の沸点近くまで昇温し、還流させてもよい。

本反応の反応時間は、通常、０．２５〜２００時間程度であり、生産性等の観点から、０．２５〜５０時間程度が好ましい。

−高分子組成物−
本発明の高分子化合物は、正孔輸送性材料、電子輸送性材料および発光性材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と混合して高分子組成物とすることができる。 即ち、本発明の高分子組成物は、本発明の高分子化合物と、正孔輸送性材料、電子輸送性材料および発光性材料から選ばれる少なくとも１種類の材料とを含有してなるものである。 なお、正孔輸送性材料、電子輸送性材料、発光性材料は、詳細には、後述の高分子発光素子の項で述べるとおりである。 この高分子組成物は、特に膜質を安定させる等の効果でプロセス性を改良する場合や、電荷の注入性、輸送性等の素子性能改良する場合に好適である。

この高分子組成物において、前記材料の合計の配合量および割合は、特に限定されず、該高分子組成物の用途によって異なる。 例えば、高分子発光素子の材料として用いる場合には、後述の高分子発光素子の項で説明する配合量および割合とすればよい。

−インターレイヤー−
本発明の高分子化合物および／または高分子組成物は、インターレイヤー材料として使用することができる。 即ち、該インターレイヤー材料は、本発明の高分子化合物および／または高分子組成物を含有してなるものである。 本明細書において、「インターレイヤー材料」とは、インターレイヤー層に使用される材料を意味する。 「インターレイヤー層」とは、後述の高分子発光素子において、該高分子発光素子が正孔注入層と発光層とを有するものである場合に該正孔注入層と発光層との間に設けられる層（通常、正孔輸送層）を意味するものである。

インターレイヤー材料には、前記高分子化合物、高分子組成物以外の任意成分を配合してもよく、例えば、架橋剤、電荷輸送材料、発光材料、界面活性剤、安定剤などの添加物を配合してもよい。 この任意成分は、前記高分子化合物および高分子組成物の合計量１００重量部に対して、好ましくは０〜４００重量部、より好ましくは０〜１５０重量部である。

−液状組成物−
本発明の高分子化合物および／または高分子組成物は、溶媒（液状組成物の説明において、「溶媒」とは、溶媒のみならず分散媒をも含む。）に溶解または分散させることにより、液状組成物として調製することができる。 即ち、本発明の液状組成物は、本発明の高分子化合物および／または高分子組成物と、溶媒とを含有してなるものであり、２５℃において液状のものである。 この高分子化合物、高分子組成物は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。 また、本発明の液状組成物は、前記高分子化合物および／または高分子組成物が溶媒に完全に溶解した状態が好ましいが、本発明の作用・効果を損なわない範囲であれば、溶媒に分散した状態あるいは一部が未溶解の状態であっても差し支えない。 なお、本発明の液状組成物はインク組成物と呼ばれることもある。 この液状組成物は、高分子発光素子用の薄膜の作製に有用であり、該薄膜を印刷法、スピンコート法等の方法で成膜することができる点で特に有用である。

液状組成物に含まれる本発明の高分子化合物、高分子組成物は、１種類でも２種類以上でもよく、素子特性等を損なわない範囲で本発明の高分子化合物以外の高分子化合物を含んでいてもよい。

液状組成物に含まれる溶媒としては、本発明の高分子化合物、高分子組成物を溶解または均一に分散できるものが好ましい。 この溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコールおよびその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。 これらの有機溶媒は、一種単独で、または二種以上を組み合わせて用いることができる。 これらの溶媒の中でも、ベンゼン環を少なくとも１個以上含む構造を有し、かつ融点が０℃以下（典型的には０〜−１００℃）、沸点が１００℃以上（典型的には１００〜２００℃）である有機溶媒を１種類以上含むことが好ましい。

溶媒の種類としては、有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましい。 また、液状組成物に含まれる溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましい。

本発明の液状組成物は、本発明の高分子化合物、高分子組成物以外にも、任意成分として、例えば、正孔輸送性材料、電子輸送性材料、発光性材料、安定剤、粘度および／または表面張力を調節するための添加剤等を含んでいてもよい。 この添加剤としては、粘度を高めるための増粘剤（通常、高分子量の化合物、貧溶媒等）、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤等を適宜組み合わせて使用することができる。

前記増粘剤である高分子量の化合物としては、本発明の高分子化合物、高分子組成物と同じ溶媒に可溶性であり、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよい。 例えば、高分子量のポリスチレン、ポリメチルメタクリレート等を用いることができる。 なお、本発明の高分子化合物として分子量が大きいもの（例えば、ポリスチレン換算の重量平均分子量が２×１０ ⁵ 〜２×１０ ⁶程度のもの）を用いると、液状組成物の粘度をより高くすることができる。

前記増粘剤として貧溶媒を用いる場合には、液状組成物中の固形分（即ち、組成物中に含まれる溶媒以外の固体成分（２５℃において固体の成分）であって、通常、高分子化合物、高分子組成物、および場合によっては含まれる添加剤等の任意成分を意味する。）に対して貧溶媒を少量添加することで、粘度を高めることができる。 この目的で貧溶媒を添加する場合には、液状組成物中の固形分が析出しない範囲で溶媒の種類と添加量を選択すればよい。 具体的には、保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、液状組成物の全重量に対して５０重量％以下であることが好ましく、３０重量％以下であることが更に好ましい。

また、液状組成物は、保存安定性を改善するために酸化防止剤を含有していてもよい。 酸化防止剤としては、本発明の高分子化合物、高分子組成物と同じ溶媒に可溶性であり、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤などが例示される。

さらに、液状組成物は、水、金属およびその塩を、得られる液状組成物に対して重量基準で１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。 金属の具体例としては、リチウム、ナトリウム、カルシウム、カリウム、鉄、銅、ニッケル、アルミニウム、亜鉛、クロム、マンガン、コバルト、白金、イリジウム等が挙げられる。 また、珪素、リン、フッ素、塩素、臭素を、得られる液状組成物に対して重量基準で１〜１０００ｐｐｍの範囲で含んでいてもよい。

液状組成物中における本発明の高分子化合物および高分子組成物の全重量は、溶媒以外の成分（即ち、高分子組成物、高分子化合物および場合によっては添加される任意成分であって、該任意成分に貧溶媒が含まれる場合には貧溶媒は溶媒以外の成分に含まれない。）の全重量に対して、通常、２０重量％〜１００重量％であり、好ましくは４０重量％〜１００重量％である。

液状組成物中の必須成分である溶媒の割合は、該液状組成物の全重量に対して、通常、１重量％〜９９．９重量％であり、好ましくは６０重量％〜９９．５重量％であり、さらに好ましく８０重量％〜９９．０重量％である。

液状組成物の粘度は、適用する印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法等、該液状組成物が吐出装置を経由する方法に適用する場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために、２５℃において２〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましく、５〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることがより好ましく、７〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることがさらに好ましい。

−薄膜−
次いで、本発明の薄膜について説明する。
本発明の薄膜は、本発明の高分子化合物および／または高分子組成物を含有するものである。 この薄膜は、如何なる方法によって製造されたものであってもよいが、好ましくは、上述で説明した液状組成物を用いて印刷法により製造することができる。 また、薄膜の種類としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜等が例示される。 なお、「薄膜」とは、通常、０．１〜１００００ｎｍ、好ましくは１〜１０００ｎｍの厚さを持つ膜を意味する。

前記液状組成物を用いて薄膜を製造する場合には、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等により薄膜を作製することができる。 これらの中でも、液状組成物をスクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法により成膜することが好ましく、インクジェットプリント法で成膜することがより好ましい。

発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が５０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましく、７０％以上であることがさらに好ましい。

導電性薄膜は、表面抵抗が１ＫΩ／□以下であることが好ましく、１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□以下であることがさらに好ましい。 下限は特に限定されないが、典型的には１Ω／□程度である。 薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物などをドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。

有機半導体薄膜は、電子移動度または正孔移動度のいずれか大きいほうが、１０ ^-5 ｃｍ ² ／Ｖ／秒以上であることが好ましく、１０ ^-3 ｃｍ ² ／Ｖ／秒以上であることがより好ましく、１０ ^-1 ｃｍ ² ／Ｖ／秒以上であることがさらに好ましい。 上限は特に限定されないが１０００ｃｍ ² ／Ｖ／秒程度である。

本発明の薄膜を有機半導体薄膜として用いることにより、該薄膜を有する有機トランジスタを作製することができる。 その作成方法は特に限定されないが、例えば、ＳｉＯ ₂などの絶縁膜とゲート電極とを形成させたＳｉ基板上に有機半導体薄膜を形成させ、Ａｕなどでソース電極とドレイン電極を形成させることにより、有機トランジスタを作製することができる。

−高分子発光素子−
次に、本発明の高分子発光素子（なお、高分子ＬＥＤということもある。）について説明する。

本発明の高分子発光素子は、陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本発明の高分子化合物および／または高分子組成物を含む有機層とを有するものである。 有機層とは、有機物を含む層を意味し、特に限定されないが、具体的には、例えば、発光層、正孔注入層、電子注入層（本明細書において、正孔注入層および電子注入層を総称して「電荷注入層」ということがある。）、正孔輸送層、電子輸送層（本明細書において、正孔輸送層および電子輸送層を総称して「電荷輸送層」ということがある。）等が挙げられる。 本発明の高分子化合物は、これらの発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等の一種または二種以上の層に用いることができ、特には、正孔の注入、輸送性に優れるので、正孔注入層、正孔輸送層に用いることが好ましい。

本発明の高分子発光素子は、素子の輝度等の観点から、陽極と陰極との間に３．５Ｖ以上（典型的には、３．５〜１５Ｖ程度、より典型的には５Ｖ）の電圧を印加したときの最大外部量子収率が１％以上であることが好ましく、１．５％以上であることがより好ましい。

本発明の高分子発光素子の構造は、特に限定されず、例えば、（１）陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた発光層ならびに本発明の高分子化合物および／または高分子組成物を含む正孔輸送層とを有する高分子発光素子、（２）陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた発光層、正孔輸送層と、該正孔輸送層と該陽極との間に設けられた本発明の高分子化合物および／または高分子組成物を含む正孔注入層とを有する高分子発光素子、（３）陽極および陰極からなる電極と、該電極間に設けられた発光層および正孔注入層と、該発光層および正孔注入層の間に設けられ本発明の高分子化合物および／または高分子組成物を含む正孔輸送層とを有する高分子発光素子等が代表的なものとして挙げられる。

その他にも、例えば、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子発光素子；陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子発光素子；陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。

また、電子注入層および正孔注入層を設けた高分子発光素子であってもよく、例えば、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子；陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。

さらに、電荷注入を容易にする機能を有する絶縁層を設けた高分子発光素子であってもよく、例えば、陰極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子；陽極に隣接して絶縁層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。 本発明の高分子発光素子において、絶縁層の平均膜厚は、下限が0.5mm、上限が4.0mmであることが好ましい。

本発明の高分子発光素子の構造に関して、積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜調整すればよい。 また、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層、絶縁層は、それぞれ独立に２層以上から構成されていてもよい。

より詳細には、例えば、以下のとおりである。
ａ）陽極／発光層／陰極ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極ｅ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極ｆ）陽極／発光層／電子注入層／陰極ｇ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極ｈ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極ｊ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極ｋ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極ｍ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極ｎ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極ｐ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極ｑ）陽極／絶縁層／発光層／陰極ｒ）陽極／発光層／絶縁層／陰極ｓ）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極ｔ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極ｖ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極ｗ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極ｙ）陽極／絶縁層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極ｚ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極ａｂ）陽極／絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／絶縁層／陰極（ここで、「／」は各層が隣接することを意味する。）

以下、高分子発光素子が有し得る層について、具体的に説明する。

・発光層 発光層とは、発光する機能を有する層を意味する。 前記発光層が本発明の高分子化合物を含有する場合（即ち、前記有機層が発光層である場合）には、該発光層がさらに正孔輸送性材料、電子輸送性材料および発光性材料から選ばれる一種または二種以上の材料を含んでいてもよい。 ここで、発光性材料とは、蛍光および／または燐光を示す材料を意味する。

本発明の高分子発光素子が発光層を有する場合、該発光層には本発明の高分子化合物以外の発光性材料を用いてもよい。

また、前記正孔輸送性材料は後述の正孔輸送層の項で説明するとおりであり、電子輸送性材料は後述の電子輸送層の項で説明するとおりである。

本発明の高分子化合物と正孔輸送性材料とを混合する場合には、得られる混合物全体に対して、正孔輸送性材料の混合割合は、通常、１重量％〜８０重量％であり、好ましくは５重量％〜６０重量％である。

本発明の高分子化合物と電子輸送性材料とを混合する場合には、得られる混合物全体に対して、電子輸送性材料の混合割合は、通常、１重量％〜８０重量％であり、好ましくは５重量％〜６０重量％である。

本発明の高分子化合物と発光性材料とを混合する場合には、得られる混合物全体に対して、発光性材料の混合割合は、通常、１重量％〜８０重量％であり、好ましくは５重量％〜６０重量％である。

本発明の高分子化合物と発光性材料、正孔輸送性材料および電子輸送性材料から選ばれる二種以上の材料を混合する場合には、得られる混合物全体に対して、発光性材料の混合割合は、通常、１重量％〜５０重量％であり、好ましくは５重量％〜４０重量％であり、正孔輸送性材料と電子輸送性材料の混合割合はそれらの合計で、通常、１重量％〜５０重量％であり、好ましくは５重量％〜４０重量％であり、本発明の高分子化合物、高分子組成物の含有量は、得られる混合物全体に対して９９重量％〜２０重量％である。

発光層は、如何なる方法で形成させてもよい。 例えば、高分子化合物を溶媒に溶解させてなる溶液（例えば、上記液状組成物）からの成膜による方法が挙げられる。 該溶液（例えば、上記液状組成物）からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができ、パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。

本発明の高分子発光素子が有する発光層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適切な値となるように選択すればよいが、例えば、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

・正孔輸送層 正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層を意味する。 本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、該正孔輸送層には本発明の高分子化合物以外の正孔輸送性材料を用いてもよい。 該正孔輸送性材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。

具体的には、該正孔輸送性材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらの中でも、正孔輸送層に用いる正孔輸送性材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送性材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。

また、正孔輸送性材料は低分子化合物であってもよい。 該低分子化合物としては、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等が例示される。 正孔輸送性材料として低分子化合物を用いる場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

高分子バインダーとしては、電荷輸送を著しく阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。 高分子バインダーとしては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。

ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。

ポリシランもしくはその誘導体は、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。 合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。

ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子量の正孔輸送性材料の構造を有するものが好適に用いられる。 特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。

正孔輸送層の作製において、本発明の高分子化合物と正孔輸送性材料とを混合する場合には、得られる混合物全体に対して、正孔輸送性材料の混合割合は、通常、０.０１〜８０重量％、好ましくは０．１〜６０重量％である。

正孔輸送層として用いられる薄膜は如何なる方法によって製造されたものでもよいが、例えば、低分子量の正孔輸送性材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示され、高分子量の正孔輸送性材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。 また、本発明の高分子化合物が正孔輸送層に用いられる場合には、該高分子化合物を溶媒に溶解させてなる溶液（例えば、上記液状組成物）からの成膜による方法が例示される。

前記溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料および高分子バインダーを溶解または均一に分散できるものが好ましい。 該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコールおよびその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。 該溶媒は、単独で、または複数組み合わせて用いることができる。

前記溶液からの成膜の方法としては、特に限定されず、例えば、溶液からの、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適切な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、厚過ぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。 従って、正孔輸送層の膜厚としては、例えば、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

・電子輸送層 電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層を意味する。 本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、該電子輸送層には本発明の高分子化合物以外の電子輸送性材料を用いてもよい。 電子輸送性材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。

具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらの中でも、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送性層の作製において、本発明の高分子化合物と電子輸送性材料とを混合する場合には、得られる混合物全体に対して、電子輸送性材料の混合割合は、通常、０．０１〜８０重量％、好ましくは０．１〜６０重量％である。

電子輸送層として用いられる薄膜は如何なる方法によって製造されたものでもよいが、例えば、低分子量の電子輸送性材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が例示され、高分子量の電子輸送性材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法が例示される。 溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。

高分子バインダーとしては、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル等が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送性材料および高分子バインダーを溶解または均一に分散できるものが好ましい。 該溶媒としては、前記の正孔輸送層の項で正孔輸送性材料および高分子バインダーを溶解または均一に分散できるものとして、具体的に説明し例示したものと同じである。 該溶媒は、単独で、または複数組み合わせて用いることができる。

溶液または溶融状態からの成膜の方法としては、特に限定されず、例えば、前記の正孔輸送層の項で正孔輸送性材料の溶液または溶融状態からの成膜の方法として、具体的に説明し例示したものと同じである。

電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適切な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、厚過ぎると、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。 従って、該電子輸送層の膜厚は、例えば、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層（正孔輸送層、電子輸送層）のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。

さらに、電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。

・電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）
電荷注入層は、電極との密着性向上や電極からの電荷注入を改善する機能を有する層を意味する。 電荷注入層である正孔注入層および電子注入層には、本発明の高分子化合物および／または高分子組成物を含有させることができる。 電荷注入層の膜厚としては、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。

本発明の高分子化合物が正孔注入層に用いられる場合には、電子受容性化合物と同時に用いられることが好ましい。 また、本発明の高分子化合物が電子輸送層に用いられる場合には、電子供与性化合物と同時に用いられることが好ましい。 ここで、同時に用いるためには、混合、共重合、側鎖として導入するなどの方法がある。

正孔注入層・電子輸送層として作用する電荷注入層の具体例としては、導電性高分子を含む層；陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送性材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層；陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送性材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが挙げられる。

電荷注入層が導電性高分子を含む層である場合には、該導電性高分子の電気伝導度は、１０ ^-5 Ｓ／ｃｍ以上１０ ³ Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０ ^-5 Ｓ／ｃｍ以上１０ ² Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０ ^-5 Ｓ／ｃｍ以上１０ ¹ Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。 通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０ ^-5 Ｓ／ｃｍ以上１０ ³ Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。 アニオンとしては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンとしては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。

電荷注入層に用いられる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、本発明の高分子化合物以外には、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。 また、架橋剤として、ＤＰＨＡ（ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）等を配合してもよい。

電荷注入層の作製において、本発明の高分子化合物をその他の材料（例えば、電子受容性化合物、電子供与性化合物、電荷注入層に用いられる本発明の高分子化合物以外の材料、架橋剤等）と混合する場合には、得られる混合物全体に対して、本発明の高分子化合物の混合割合は、通常、２０〜９９．９重量％であり、好ましくは４０〜９９重量％である。

・絶縁層 絶縁層とは、電極との密着性向上や電極からの電荷注入を改善する機能を有する層を意味する。 絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。

・基板 本発明の高分子発光素子を形成するために用いられる基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等の材料の基板が例示される。 不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。

・電極（陽極、陰極）
本発明の高分子発光素子を構成する電極のうち、陽極および陰極の少なくとも一方は、通常、透明または半透明である。 特に陽極側が透明または半透明であることが好ましい。

前記陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられ、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（例えば、ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。 これらの材料を用いて陽極を作製する方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。 また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。

陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。

前記陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。 例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち２種以上の合金、あるいはそれらのうち１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。 合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。 陰極を２層以上の積層構造としてもよい。

陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。 また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子発光素子を保護する保護層を装着していてもよい。 該高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。

保護層としては、ポリパラキシリレン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物、金属窒化物、有機無機ハイブリッド材料などを用いることができる。 保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該保護カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。 スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。 該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。 これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。

・特性、用途 本発明の高分子発光素子は、低電圧、高電流効率で駆動できる高性能の高分子発光素子である。 この高分子発光素子は、例えば、面状光源（例えば、照明用としての曲面状や平面状の光源）、セグメント表示装置（例えば、セグメントタイプの表示素子を用いた装置）、ドットマトリックス表示装置（例えば、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ）、液晶表示装置（例えば、液晶ディスプレイ）のバックライト等として用いることができる。 高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。 パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法等がある。 これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。 更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。 複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。 ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。 これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。 さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。 また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

−高分子電界効果トランジスタ−
次に、本発明の高分子化合物を高分子電界効果トランジスタの製造に用いる場合を説明する。
高分子電界効果トランジスタは、構造としては、ソース電極とドレイン電極とゲート電極と本発明の高分子化合物を含有してなる活性層と絶縁層とを有するものであり、具体的には、通常、ソース電極およびドレイン電極が、本発明の高分子化合物を含有してなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられている。 本発明の高分子化合物および／または高分子組成物は、前記活性層に用いることができる。

高分子電界効果トランジスタは、通常、支持基板上に形成される。 支持基板の材質としては、該高分子電界効果トランジスタとしての特性を阻害しなければ特に制限されないが、ガラス基板、フレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板等が挙げられる。

高分子電界効果トランジスタは、公知の方法、例えば、特開平５−１１００６９号公報に記載の方法により製造することができる。

活性層を形成させる際に、有機溶媒可溶性の高分子材料（例えば、本発明の高分子化合物）を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。 該高分子材料を有機溶剤に溶解した溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。

前記高分子電界効果トランジスタとしては、未封止の高分子電界効果トランジスタを作製後、封止してなる封止高分子電界効果トランジスタが好ましい。 これにより、高分子電界効果トランジスタが、大気から遮断されるので、特性の低下を抑えることができる。

封止方法としては、ＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のＳｉＯＮｘ膜などでカバーする方法、ガラス板やフィルムをＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂などで張り合わせる方法などが挙げられる。 大気との遮断を効果的に行うため、未封止の高分子電界効果トランジスタを作製後、封止するまでの工程を大気に曝すことなく、例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中などで、行うことが好ましい。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

−数平均分子量・重量平均分子量−
数平均分子量および重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ；島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）によりポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量を求めた。 測定する化合物は、約０．５重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに５０μＬ注入した。 ＧＰＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／分の流速で流した。 カラムは、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（商品名、東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨ２０００（商品名、東ソー製）１本を直列に繋げた。 検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製、商品名：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。

＜合成例１＞
−高分子化合物１の合成に用いるモノマー（化合物２Ｅ）の合成−
・化合物２Ａ

不活性雰囲気下、３００ｍｌ三つ口フラスコに１−ナフタレンボロン酸５．００ｇ（２９ｍｍｏｌ）、２−ブロモベンズアルデヒド６．４６ｇ（３５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１０.０ｇ（７３ｍｍｏｌ）、トルエン３６ｍｌ、イオン交換水３６ｍｌを入れ、室温で撹拌しつつ２０分間アルゴンバブリングした。 次いで、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１６．８ｍｇ（０.１５ｍｍｏｌ）を入れ、さらに室温で撹拌しつつ１０分間アルゴンバブリングした。 その後、系中を１００℃に昇温し、２５時間反応させた。 室温まで冷却後、トルエンで有機層を抽出した。 得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去した。 トルエン：シクロヘキサン＝１：２の混合溶媒を展開溶媒としたシリカゲルカラムで精製することにより、化合物２Ａ５.１８ｇ（収率８６％）を白色結晶として得た。

¹ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ ₃ ）：
δ７．３９〜７．６２（ｍ、５Ｈ）、７．７０（ｍ、２Ｈ）、７．９４（ｄ、２Ｈ）、８．１２（ｄｄ、２Ｈ）、９．６３（ｓ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ） ⁺ ２３３

・化合物２Ｂ

不活性雰囲気下、３００ｍｌの三つ口フラスコに化合物２Ａ８．００ｇ（３４.４ｍｍｏｌ）と脱水ＴＨＦ４６ｍｌを入れ、−７８℃まで冷却した。 次いで、ｎ−オクチルマグネシウムブロミド（１.０ｍｏｌ／ｌＴＨＦ溶液）５２ｍｌを３０分かけて滴下した。 滴下終了後０℃まで昇温し、１時間撹拌後、室温まで昇温して４５分間撹拌した。 氷浴して１Ｎ塩酸２０ｍｌを加えて反応を終了させ、酢酸エチルで有機層を抽出した。 得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した。 次いで、乾燥させた有機層から溶媒を留去した後、トルエン：ヘキサン＝１０：１の混合溶媒を展開溶媒としたシリカゲルカラムで精製することにより、化合物２Ｂ７．６４ｇ（収率６４％）を淡黄色のオイルとして得た。 ＨＰＬＣ測定では２本のピークが見られたが、ＬＣ−ＭＳ測定では同一の質量数であることから、異性体の混合物であると判断した。

・化合物２Ｃ

不活性雰囲気下、５００ｍｌ三つ口フラスコに化合物２Ｂ（異性体の混合物）５.００ｇ（１４.４ｍｍｏｌ）と脱水ジクロロメタン７４ｍｌを入れ、室温で撹拌、溶解させた。 次いで、三フッ化ホウ素のエーテラート錯体を室温で１時間かけて滴下し、滴下終了後、室温で４時間撹拌した。 撹拌しながらエタノール１２５ｍｌをゆっくりと加え、発熱がおさまったらクロロホルムで有機層を抽出し、該有機層を２回水洗し、水洗後の有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。 次いで、乾燥させた有機層から溶媒を留去した後、ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物２Ｃ３．２２ｇ（収率６８％）を無色のオイルとして得た。

¹ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ ₃ ）：
δ０．９０（ｔ、３Ｈ）、１．０３〜１．２６（ｍ、１４Ｈ）、２．１３（ｍ、２Ｈ）、４．０５（ｔ、１Ｈ）、７．３５（ｄｄ、１Ｈ）、７．４６〜７．５０（ｍ、２Ｈ）、７．５９〜７．６５（ｍ、３Ｈ）、７．８２（ｄ、１Ｈ）、７．９４（ｄ、１Ｈ）、８．３５（ｄ、１Ｈ）、８．７５（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ） ⁺ ３２９

・化合物２Ｄ

不活性雰囲気下、２００ｍｌ三つ口フラスコにイオン交換水２０ｍｌを入れ、撹拌しながら水酸化ナトリウム１８．９ｇ（０.４７ｍｏｌ）を少量ずつ加え、溶解させた。 得られた水溶液を室温まで冷却した後、トルエン２０ｍｌ、化合物２Ｃ５.１７ｇ（１５.７ｍｍｏｌ）、臭化トリブチルアンモニウム１．５２ｇ（４.７２ｍｍｏｌ）を加え、５０℃に昇温した。 次いで、臭化ｎ−オクチルを滴下し、滴下終了後、５０℃で９時間反応させた。 反応終了後、トルエンで有機層を抽出し、該有機層を２回水洗した。 水洗した有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した。 乾燥させた有機層から溶媒を留去した後、ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物２Ｄ５．１３ｇ（収率７４％）を黄色のオイルとして得た。

¹ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ ₃ ）：
δ０．５２（ｍ、２Ｈ）、０．７９（ｔ、６Ｈ）、１．００〜１．２０（ｍ、２２Ｈ）、２．０５（ｔ、４Ｈ）、７．３４（ｄ、１Ｈ）、７．４０〜７．５３（ｍ、２Ｈ）、７．６３（ｍ、３Ｈ）、７．８３（ｄ、１Ｈ）、７．９４（ｄ、１Ｈ）、８．３１（ｄ、１Ｈ）、８．７５（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ） ⁺ ４４１

・化合物２Ｅ

空気雰囲気下、５０ｍｌの三つ口フラスコに化合物２Ｄ４．００ｇ（９．０８ｍｍｏｌ）と、酢酸：ジクロロメタン＝１：１の混合溶媒５７ｍｌを入れ、室温で撹拌し、溶解させた。 次いで、三臭化ベンジルトリメチルアンモニウム７．７９ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を加えて撹拌しつつ、塩化亜鉛を三臭化ベンジルトリメチルアンモニウムが完全に溶解するまで加えた。 室温で２０時間撹拌後、５重量％亜硫酸水素ナトリウム水溶液１０ｍｌを加えて反応を停止させた。 次いで、クロロホルムで有機層を抽出し、該有機層を炭酸カリウム水溶液で２回洗浄した。 洗浄した有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した。 乾燥させた有機層から溶媒を留去した。 次いで、ヘキサンを展開溶媒とするフラッシュカラムで２回精製した後、エタノール：ヘキサン＝１：１の混合溶媒で再結晶し、次いで、エタノール：ヘキサン＝１０：１の混合溶媒で再結晶することにより、化合物２Ｅ４．１３ｇ（収率７６％）を白色結晶として得た。

¹ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ ₃ ）：
δ０．６０（ｍ、２Ｈ）、０．９１（ｔ、６Ｈ）、１．０１〜１．３８（ｍ、２２Ｈ）、２．０９（ｔ、４Ｈ）、７．６２〜７．７５（ｍ、３Ｈ）、７．８９（ｓ、１Ｈ）、８．２０（ｄ、１Ｈ）、８．４７（ｄ、１Ｈ）、８．７２（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ） ⁺ ５９８

＜実施例１＞
−高分子化合物１の合成−
化合物２Ｅ２２．５ｇと２，２'−ビピリジル１７．６ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。 これに、予めアルゴンガスでバブリングして脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）１５００ｇを加えた。 次に、得られた混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を３１ｇ加え、室温で１０分間攪拌した後、６０℃で３時間反応させた。 なお、この反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。

前記反応後、得られた反応溶液を冷却し、次いで、この溶液に２５重量％アンモニア水２００ｍｌとメタノール９００ｍｌとイオン交換水９００ｍｌとの混合溶液を注ぎ込み、約１時間攪拌した。 次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。 この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解させた。 こうして得られたトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通過させることにより精製した。 次に、このトルエン溶液を、１規定塩酸水溶液で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。 次に、この回収したトルエン溶液を、約３重量％アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。 次に、この回収したトルエン溶液をイオン交換水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。 次に、この回収したトルエン溶液を、メタノール中に注ぎ込み、再沈生成した。

次に、生成した沈殿を回収し、該沈殿をメタノールで洗浄した後、この洗浄した沈殿を減圧乾燥して、重合体６．０ｇを得た。 この重合体を高分子化合物１と呼ぶ。 こうして得られた高分子化合物１のポリスチレン換算の重量平均分子量は、８．２×１０ ⁵であり、数平均分子量は１．０×１０ ⁵であった。

−高分子化合物１の蛍光特性評価−
得られた高分子化合物１の０．８重量％トルエン溶液を石英板上にスピンコートして高分子化合物１の薄膜を作製した。 この薄膜の蛍光スペクトルを蛍光分光光度計（ＪＯＢＩＮＹＶＯＮ―ＳＰＥＸ社製、商品名：Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ）を用い、励起波長３５０ｎｍで測定した。 薄膜での相対的な蛍光強度を得るために、水のラマン線の強度を標準に、波数プロットした蛍光スペクトルをスペクトル測定範囲で積分して、分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製、商品名：Ｃａｒｙ５Ｅ）を用いて測定した、励起波長での吸光度で割り付けた値を求めた。
こうして得られた高分子化合物１の蛍光ピーク波長は４５０ｎｍであり、蛍光強度は５．４であった。

＜合成例２＞
−高分子化合物２の合成に用いるモノマー（化合物３Ｅ）の合成−
・化合物３Ａ

不活性雰囲気下１ｌの四つ口フラスコに２，８−ジブロモジベンゾチオフェン７ｇとＴＨＦ２８０ｍｌを入れ、室温で撹拌し、溶解させた後、−７８℃まで冷却した。 ｎ−ブチルリチウム２９ｍｌ（１．６mol/lヘキサン溶液）を滴下した。 滴下終了後、温度を保持したまま２時間撹拌し、トリメトキシボロン酸１３ｇを滴下した。 滴下終了後、ゆっくり室温まで昇温した。 ３時間室温で撹拌後、ＴＬＣで原料の消失を確認した。 ５重量％硫酸１００ｍｌを加えて反応を終了させ、室温で１２時間撹拌した。 水を加えて洗浄し、有機層を抽出した。 溶媒を酢酸エチルに置換した後、３０重量％過酸化水素水５ｍｌを加え、４０℃で５時間撹拌した。 その後、有機層を抽出し、１０重量％硫酸アンモニウム鉄（II）水溶液で洗浄後乾燥、溶媒を除去することにより、茶色の固体４．４３ｇを得た。 ＬＣ−ＭＳ測定からは二量体などの副生成物も生成しており、化合物３Ａの純度は７７％であった（ＬＣ面積百分率；以下、化合物の純度を単に「ＬＣ面百」と示す。）。

ＭＳ（ＡＰＣＩ（−））：（Ｍ−Ｈ） ^- ２１５

・化合物３Ｂ

不活性雰囲気下で２００ｍｌの三つ口フラスコに化合物３Ａ４．４３ｇ、臭化ｎ−オクチル２５．１ｇ、および炭酸カリウム１２．５ｇ（２３．５ｍｍｏｌ）を入れ、溶媒としてメチルイソブチルケトン５０ｍｌを加えて１２５℃で６時間加熱還流した。 反応終了後、溶媒を除き、クロロホルムと水で有機層と水層に分離し、有機層を抽出し、該有機層をさらに水で２回洗浄した。 無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラム（展開溶媒：トルエン／シクロヘキサン＝１／１０）で精製することにより、８．４９ｇ（ＬＣ面百９７％、収率９４％）の化合物３Ｂを得た。

¹ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ ₃ ）：
δ０．９１（ｔ、６Ｈ）、１．３１〜１．９０（ｍ、２４Ｈ）、４．０８（ｔ、４Ｈ）、７．０７（ｄｄ、２Ｈ）、７．５５（ｄ、２Ｈ）、７．６８（ｄ、２Ｈ）

・化合物３Ｃ

１００ｍｌ三つ口フラスコに化合物３Ｂ６．６７ｇと酢酸４０ｍｌを入れ、オイルバスでバス温度１４０℃まで昇温した。 次いで、３０重量％過酸化水素水１３ｍｌを冷却管から加え、１時間激しく撹拌した後、冷水１８０ｍｌに注いで反応を終了させた。 クロロホルムで抽出し、得られた有機層を乾燥後、溶媒を除去することによって、６．９６ｇ（ＬＣ面百９０％、収率９７％）の化合物３Ｃを得た。

¹ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ ₃ ）：
δ０．９０（ｔ、６Ｈ）、１．２６〜１．８７（ｍ、２４Ｈ）、４．０６（ｔ、４Ｈ）、７．１９（ｄｄ、２Ｈ）、７．６９（ｄ、２Ｈ）、７．８４（ｄ、２Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ） ⁺ ４７３

・化合物３Ｄ

不活性雰囲気下２００ｍｌ四つ口フラスコに化合物３Ｃ３．９６ｇと酢酸／クロロホルム＝１：１混合液（容量基準）１５ｍｌを加え、７０℃で撹拌し、溶解させた。 次いで、臭素６．０２ｇを酢酸／クロロホルム＝１：１混合液（容量基準）３ｍｌに溶解させて加え、３時間撹拌した。 得られた溶液にチオ硫酸ナトリウム水溶液を加えて未反応の臭素を除き、クロロホルムと水で有機層と水層に分離し、該有機層を抽出し、乾燥させた。 乾燥させた有機層から溶媒を除去し、シリカゲルカラム（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン＝１／４）で精製することにより、４．４６ｇ（ＬＣ面百９８％、収率８４％）の化合物３Ｄを得た。

¹ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ ₃ ）：
δ０．９５（ｔ、６Ｈ）、１．３０〜１．９９（ｍ、２４Ｈ）、４．１９（ｔ、４Ｈ）、７．０４（ｓ、２Ｈ）、７．８９（ｓ、２Ｈ）
ＭＳ（ＦＤ ⁺ ）Ｍ ⁺ ６３０

・化合物３Ｅ

不活性雰囲気下２００ｍｌ三つ口フラスコに化合物３Ｄ３．９ｇとジエチルエーテル５０ｍｌを入れ、４０℃まで昇温し、撹拌した。 得られた溶液に、水素化アルミニウムリチウム１．１７ｇを少量ずつ加え、５時間反応させた。 水を少量ずつ加えることによって過剰な水素化アルミニウムリチウムを分解させ、３６重量％塩酸５．７ｍｌで洗浄した。 クロロホルム、水で有機層と水層に分離し、該有機層を抽出後、乾燥させた。 乾燥させた有機層から溶媒を除去し、シリカゲルカラム（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン＝１／５）で精製することにより、１．８ｇ（ＬＣ面百９９％、収率４９％）の化合物３Ｅを得た。

¹ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ ₃ ）：
δ０．９０（ｔ、６Ｈ）、１．２６〜１．９７（ｍ、２４Ｈ）、４．１５（ｔ、４Ｈ）、７．４５（ｓ、２Ｈ）、７．９４（ｓ、２Ｈ）
ＭＳ（ＦＤ ⁺ ）Ｍ ⁺ ５９８

ＭＳ（ＡＰＣＩ（+））法によれば、６１５、５９８にピークが検出された。

＜実施例２＞
−高分子化合物２の合成−
Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−１，４−フェニレンジアミン０．５２ｇ、化合物３Ｅ１．２２ｇ、およびｔ−ブトキシナトリウム０．５８ｇを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。 これに、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）０．０５ｇを加えた後、この混合液に、トリ−ｔ−ブチルホスフィンを０．０２ｇ加え、１００℃で８時間反応させた。 なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。 反応終了後、この溶液を室温まで冷却した後、イオン交換水２０ｍｌとメタノール２０ｍｌの混合液に該冷却後の溶液を注加し、撹拌した。 撹拌後、水層を除去し、ラヂオライト１ｇ加え撹拌し、得られた混合液をシリカ−活性アルミナ上でろ過し、ろ液を回収した。 回収したろ液を、メタノール４５ｇに注ぎ込み、攪拌した。 次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収し、減圧乾燥した。 乾燥後、重合体０．８６ｇを得た。 この重合体を高分子化合物２と呼ぶ。 高分子化合物２のポリスチレン換算の重量平均分子量は、３．７×１０ ⁴であり、数平均分子量は、１．０×１０ ⁴であった。

−高分子化合物２の蛍光特性評価−
こうして得られた高分子化合物２の蛍光特性評価を実施例１と同様にして行った。 高分子化合物２の蛍光ピーク波長は４６２ｎｍであり、蛍光強度は１．２であった。

＜合成例３＞
−高分子化合物３の合成に用いるモノマー（化合物４Ｄ）の合成−
・化合物４Ａ

不活性雰囲気下、１ｌの三つ口フラスコにベンゾフラン23.2ｇ（137.9mmol）と酢酸232ｇを入れ、室温で撹拌し、溶解させた後、７５℃まで昇温した。 昇温後、臭素92.6ｇ（579.3mmol）を酢酸54ｇで希釈したものを滴下した。 滴下終了後、温度を保持したまま３時間撹拌し、放冷した。 ＴＬＣで原料の消失を確認した後、チオ硫酸ナトリウム水を加え反応を終了させ、室温で１時間撹拌した。 撹拌後、ろ過を行い、ケーキをろ別し、さらにチオ硫酸ナトリウム水、水で洗浄した後、乾燥した。 得られた粗生成物をヘキサンにて再結晶し、化合物４Ａを得た。 収量は21.8ｇであり、収率は49％であった。

¹ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ ₃ ）：
δ７．４４（ｄ、２Ｈ）、７．５７（ｄ、２Ｈ）、８．０３（ｓ、２Ｈ）

・化合物４Ｂ

不活性雰囲気下で５００ｍｌの四つ口フラスコに化合物４Ａ16.6ｇ（50.9mmol）とテトラヒドロフラン293ｇを入れ、−７８℃まで冷却した。 得られた溶液に、ｎ−ブチルリチウム80ml（<1.6mol/lヘキサン溶液、127.3mmol）を滴下した後、温度を保持したまま１時間撹拌した。 得られた反応液を、不活性雰囲気下で１０００ｍｌの四つ口フラスコにトリメトキシボロン酸31.7ｇ（305.5mmol）とテトラヒドロフラン250mlを入れ、−７８℃まで冷却したものに滴下した。 滴下終了後、ゆっくり室温まで戻し、２時間室温で撹拌後、ＴＬＣで原料の消失を確認した。 反応終了後、得られた反応溶液を、２０００ｍｌビーカーに濃硫酸30gと水600mlを入れたものに注入し、反応を終了させた。 得られた溶液にトルエン300mlを加え、有機層を抽出し、さらに水を加えて洗浄した。 溶媒を留去後、そのうち８ｇと酢酸エチル160mlを３００ｍｌの四つ口フラスコに入れ、次いで３０重量％過酸化水素水7.09gを加え、４０℃で２時間撹拌した。 こうして得られた反応液を、１０００ｍｌのビーカー中の硫酸アンモニウム鉄（II）71ｇおよび水500mlの水溶液に注入した。 得られた溶液を撹拌後、有機層を抽出し、有機層を水で洗浄した。 洗浄後の有機層から溶媒を除去することにより、化合物４Ｂの粗製物６．７２ｇを得た。

ＭＳスペクトル：Ｍ ⁺ 200.0

・化合物４Ｃ

不活性雰囲気下で２００ｍｌの四つ口フラスコに化合物４Ｂ2.28ｇ（11.4mmol）とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド23ｇを入れ、室温で撹拌、溶かした後、炭酸カリウム9.45ｇ（68.3mmol） を入れ６０℃まで昇温した。 昇温後、臭化ｎ−オクチル6.60ｇ（34.2mmol）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド11ｇで希釈したものをを滴下した。 滴下終了後、６０℃まで昇温し、温度を保持したまま２時間撹拌し、ＴＬＣで原料の消失を確認した。 水20mlを加え反応を終了させ、次いでトルエン20mlを加え、有機層を抽出し、該有機層を水で２回洗浄した。 洗浄した有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去した。 得られた粗生成物をシリカゲルカラムで精製することにより、化合物４Ｃを得た。 収量は1.84ｇであり、収率は38％であった。

ＭＳスペクトル：Ｍ ⁺ 425.3

・化合物４Ｄ

不活性雰囲気下５００ｍｌ四つ口フラスコに化合物４Ｃ7.50ｇ（17.7mmol）とＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを入れ、室温で撹拌し、溶解させた後、氷浴で冷却した。 冷却後、Ｎ−ブロモスクシンイミド6.38ｇ（35.9mmol）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド225mlで希釈したものを滴下した。 滴下終了後、氷浴で１時間攪拌し、室温で１８．５時間攪拌し、４０℃まで昇温し、温度を保持したまま６．５時間撹拌し、液体クロマトグラフィーで原料の消失を確認した。 得られた反応液から溶媒を除去し、そこにトルエン75mlを加えて溶解させた後、有機層を水で３回洗浄した。 無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去した。 得られた粗生成物の約半量をシリカゲルカラムおよび液体クロマトグラフィー分取で精製することにより、化合物４Ｄを得た。 収量は0.326ｇであった。

¹ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ ₃ ）：
δ０．９０（ｔ、６Ｈ）、１．２６〜１．９５（ｍ、２４Ｈ）、４．１１（ｔ、４Ｈ）、７．３４（ｓ、２Ｈ）、７．７４（ｓ、２Ｈ）

ＭＳスペクトル：Ｍ ⁺ 582.1

＜実施例３＞
−高分子化合物３の合成−
Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−１，４−フェニレンジアミン０．５２ｇ、化合物４Ｄ１．１９ｇ、およびｔ−ブトキシナトリウム０．５８ｇを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。 これに、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）０．０５ｇを加えた後、次に、この混合液に、トリ−ｔ−ブチルホスフィンを０．０２ｇ加え、１００℃で８時間反応した。 なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。 反応後、この溶液を室温まで冷却した後、イオン交換水２０ｍｌとメタノール２０ｍｌの混合液に該冷却後の溶液を注加し、撹拌した。 撹拌後、水層を除去し、ラヂオライト１ｇ加え撹拌し、シリカ−活性アルミナ上でろ過し、ろ液を回収した。 回収したろ液を、メタノール４５ｇに注ぎ込み、攪拌した。 次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収し、減圧乾燥した。 乾燥後、重合体０．９７ｇを得た。 この重合体を高分子化合物４と呼ぶ。 高分子化合物３のポリスチレン換算の重量平均分子量は、２．８×１０ ⁴であり、数平均分子量は、６．１×１０ ³であった。

−高分子化合物３の蛍光特性評価−
こうして得られた高分子化合物４の蛍光特性評価を実施例１と同様にして行った。 高分子化合物３の蛍光ピーク波長は４６７ｎｍであり、蛍光強度は１．１であった。

−正孔注入層１の作製−
高分子化合物２をトルエンに対して２重量％、さらに架橋剤としてＤＰＨＡ（ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（日本化薬製、商品名：KAYARAD DPHA））を高分子化合物１に対して２５重量％添加し、得られた溶液を０．２ミクロン径のテフロン（登録商標）フィルターでろ過して塗布溶液を調製した。 スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を設けたガラス基板に、この塗布溶液を１０００ｒｐｍでスピンコートにより製膜した。 こうして得られた膜を窒素雰囲気下において３００℃/２０分のベーク条件でベークし、ベーク後の膜厚が約５０ｎｍの正孔注入層１を得た。

−正孔注入層２の作製−
高分子化合物３をトルエンに対して２重量％、さらに架橋剤としてＤＰＨＡ（ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（日本化薬製、商品名：KAYARAD DPHA））を高分子化合物１に対して２５重量％添加し、得られた溶液を０．２ミクロン径のテフロン（登録商標）フィルターでろ過して塗布溶液を調製した。 スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を設けたガラス基板に、この塗布溶液を１０００ｒｐｍでスピンコートにより製膜した。 こうして得られた膜を窒素雰囲気下において３００℃/２０分のベーク条件でベークし、ベーク後の膜厚が約５０ｎｍの正孔注入層２を得た。

−ＰＥＤＯＴ正孔注入層の作成−
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、PEDOT：ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（スタルク社製、商品名：Ｂａｙｔｒｏｎ）を用いてスピンコートにより成膜し、こうして得られた膜を大気中においてホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥させて５０ｎｍの厚みのＰＥＤＯＴ正孔注入層を得た。

＜実施例４＞
−発光層用溶液組成物１の調製−
高分子化合物１をトルエンに対して０．５重量％、さらに電荷輸送性添加物としてＤＣＢＰ（4,4'-ビス（9-カルバゾイル）-ビフェニル（（株）同仁化学研究所製））を高分子化合物１に対して１６０重量％混合し溶解させた後、得られた溶液を０．２ミクロン径のテフロン（登録商標）フィルターでろ過して発光層用組成物１を調製した。

＜実施例５、６、比較例１＞
−発光素子の作成および評価−
陽極の上に、表１に示すとおりに正孔注入層を積層し、その上に発光層用溶液組成物をスピンコートにより約７０ｎｍの厚みでコーティングした。 これを減圧下９０℃で１時間乾燥した後、陰極バッファー層としてフッ化リチウムを４ｎｍ、陰極としてカルシウムを５ｎｍ、次いでアルミニウムを１００ｎｍ蒸着して、高分子発光素子を作製した。 蒸着のときの真空度は、いずれの場合も１×１０ ^-3 〜９×１０ ^-3 Ｐａの範囲内であった。 こうして得られた、発光部が２ｍｍ×２ｍｍ（面積４ｍｍ ² ）の高分子発光素子に電圧を段階的に印加することにより、高分子発光体からのＥＬ発光の輝度を測定し、この測定結果から電流効率値を得た。 得られた高分子発光素子の電流効率の最大値、ＥＬ発光のＣＩＥ色度座標のｙ値を表１に示す。

＜評価＞
表１から分かるように、本発明の高分子化合物を含む正孔注入層を有する実施例５、６で作製した高分子発光素子は、本発明の高分子化合物を含む正孔注入層を用いなかった比較例１の高分子発光素子に比べて、著しい最大電流効率の向上が認められた。 従って、本発明の高分子化合物は、正孔注入層等として好ましく用いることができる。