专利汇可以提供一种高安全性生物质硅合成SiOx@C材料的制备方法及其应用专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供一种高安全性 生物 质 硅 合成SiOx@C材料的制备方法,该方法包括以下几个步骤:将稻壳灰 酸洗 ,取适量在惰性气氛中 碳 化,将碳化后产物与金属粉,熔融盐混合球磨均匀,置于炉中,通入惰性气体,高温反应,酸洗洗净副产物,得到产物为SiOx@C材料。该发明工艺简单易行,原料丰富廉价,较镁热还原安全性更高,得到SiOx@C颗粒具有多孔结构,碳包覆均匀, 倍率性能 良好,可以应用到锂 电池 负极材料 领域。,下面是一种高安全性生物质硅合成SiOx@C材料的制备方法及其应用专利的具体信息内容。
1.一种锂离子电池负极SiOx@C材料,其特征在于:所述的SiOx@C材料是一种SiO(x 0<x<2)与碳复合的材料。
2.如权利要求1所述SiOx@C材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
1)将生物质硅源混合,酸洗干燥,置于炉中,通入保护气,在一定温度下反应一定时间,得到产物A;
2)将产物A与金属粉按一定比例混合,加入一定量熔融盐,球磨均匀,置于炉中,通入保护气,在一定温度下反应一定时间,酸洗干燥,得到产物B,产物B为SiOx@C材料。
3.如权利要求1所述SiOx@C材料的制备方法,其特征在于:所述生物质硅源为椰子壳,稻壳,竹叶,秸秆中的一种或两种以上。
4.如权利要求1所述SiOx@C材料的制备方法,其特征在于:所述酸洗使用的酸为氢氟酸,盐酸,磷酸,硫酸中的一种或两种以上,浓度为0.1-10 mol/L。
5.如权利要求1所述SiOx@C材料的制备方法,其特征在于:所述步骤1)烧结过程中,烧结温度在400-700℃,烧结时间在2-12小时。
6.如权利要求1所述SiOx@C材料的制备方法,其特征在于:所述金属粉为铝粉,铜粉,镁粉,铁粉中的一种或两种以上。
7.如权利要求1所述氧化亚硅碳复合材料的制备方法,其特征在于:所述生物质硅源中硅与金属粉摩尔比例为0.5-1。
8.如权利要求1所述SiOx@C材料的制备方法,其特征在于:所述熔融盐为卤盐包括氯化钠,氯化钾,氯化锌,氯化钙,溴化钠中的一种或两种以上,熔融盐与生物质硅源质量比为
0.5-5。
9.如权利要求1所述SiOx@C材料的制备方法,其特征在于:所述步骤2)球磨过程的转速在100-800转每分钟,时间在0.5-8小时。
10.如权利要求1所述SiOx@C材料的制备方法,其特征在于:所述烧结过程中,采用惰性气体为氮气,氩气,氢氩混合气的一种或两种以上。
11.如权利要求1所述SiOx@C材料的制备方法,其特征在于:所述步骤2)烧结过程中,烧结温度在600-1000℃,烧结时间在2-12小时。
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