1.一种用于半导体器件制造的掩模图形，包括：
抗蚀剂图形；以及
抗蚀剂图形的表面上的凝胶层，该凝胶层具有包括质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键的结点，其中凝胶层的所述结点包括：
能经受氢键合以及其中质子供体聚合物和质子受体聚合物在其间氢键合的多个区域；
以及
缺陷区域，其中质子供体聚合物和质子受体聚合物在其间不被氢键合以便在氢键区之间形成缺乏氢键合的区域，凝胶层的所述缺陷区域在氢键区之间形成回线，以及其中质子受体聚合物包括第一重复单元，该第一重复单元包括具有酰胺基的单体单元，所述具有酰胺基的单体单元为根据下列化学式的乙烯基单体单元：
其中R5是氢或甲基；
R6和R7每个独立地是氢或C1至C20烷基，以及
R6和R7可以以-R6-R7形式连接，以形成环状结构，由此所得的乙烯基单元具有下列化学式：
其中n是1至5的整数；或者
所述具有酰胺基的单体单元为根据下列化学式的乙烯基单体单元：
其中R8是氢或甲基；以及
R9和R10每个独立地是氢、甲基、正丙基或异丙基；
质子供体聚合物包括第一重复单元，该第一重复单元包括根据下式的马来酸单体单元：
其中R3和R4每个独立地是氢、甲基(异丙基)(2-甲基-丁-3-酮-2基)或乙酰基(异丙基)(2-甲基-丁-3-酮-2基)或C1至C20酸-不稳定的基，
所述酸-不稳定的基选自：叔-丁基、异降冰片基、2-甲基-2-金刚烷基、2-乙基-2-金刚烷基、3-四氢呋喃基、3-氧代环己基、γ-丁基内酯-3-基、甲羟戍酸内酯、γ-丁内酯-2-基、3甲基-γ-丁内酯-3-基、2-四氢吡喃基、2-四氢呋喃基、2，3-碳酸亚丙酯-1-基、1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-(2-甲氧基乙氧基)乙基、1-(2-乙酸基乙氧基)乙基、叔丁氧羰基甲基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、三甲氧基甲硅烷基和三乙氧基甲硅烷基。
2.根据权利要求1的掩模图形，其中凝胶层是不溶于水的。
-
3.根据权利要求1的掩模图形，其中缺陷区的质子供体聚合物还包括-COO 基。
4.根据权利要求1的掩模图形，其中缺陷区的质子供体聚合物还包括-COOR基，其中R是甲基(异丙基)(2-甲基-丁-3-酮-2基)或乙酰基(异丙基)(2-甲基-丁-3-酮-2基)，或C1至C20酸-不稳定的基，
所述酸-不稳定的基选自：叔-丁基、异降冰片基、2-甲基-2-金刚烷基、2-乙基-2-金刚烷基、3-四氢呋喃基、3-氧代环己基、γ-丁基内酯-3-基、甲羟戍酸内酯、γ-丁内酯-2-基、3甲基-γ-丁内酯-3-基、2-四氢吡喃基、2-四氢呋喃基、2，3-碳酸亚丙酯-1-基、1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-(2-甲氧基乙氧基)乙基、1-(2-乙酸基乙氧基)乙基、叔丁氧羰基甲基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、三甲氧基甲硅烷基和三乙氧基甲硅烷基。
5.根据权利要求4的掩模图形，其中R是三甲氧基甲硅烷基或三乙氧基甲硅烷基。
6.根据权利要求1的掩模图形，其中质子供体聚合物还包括单体重复单元，该单体重复单元包括-COOH或-COOR基，其中R是甲基(异丙基)(2-甲基-丁-3-酮-2基)或乙酰基(异丙基)(2-甲基-丁-3-酮-2基)，或C1至C20酸-不稳定的基，
所述酸-不稳定的基选自：叔-丁基、异降冰片基、2-甲基-2-金刚烷基、2-乙基-2-金刚烷基、3-四氢呋喃基、3-氧代环己基、γ-丁基内酯-3-基、甲羟戍酸内酯、γ-丁内酯-2-基、3甲基-γ-丁内酯-3-基、2-四氢吡喃基、2-四氢呋喃基、2，3-碳酸亚丙酯-1-基、1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-(2-甲氧基乙氧基)乙基、1-(2-乙酸基乙氧基)乙基、叔丁氧羰基甲基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、三甲氧基甲硅烷基和三乙氧基甲硅烷基。
7.根据权利要求1的掩模图形，其中质子供体聚合物还包括第二重复单元，该第二重复单元包括含丙烯酰胺单体单元、乙烯基单体单元、亚烷基二醇单体单元、无水马来酸单体单元、乙撑亚胺单体单元、含 唑啉基单体单元、丙烯腈单体单元、烯丙基酰胺单体单元、3，
4-二氢吡喃单体单元或2，3-二氢呋喃单体单元的至少一种。
8.根据权利要求1的掩模图形，其中质子供体聚合物具有1,000至100,000道尔顿范围内的重量平均分子量。
9.根据权利要求1的掩模图形，其中质子受体聚合物包括第一重复单元，该第一重复单元包括乙烯基吡咯烷酮单体单元。
10.根据权利要求1的掩模图形，其中质子受体聚合物包括第一重复单元，该第一重复单元包括乙烯基己内酰胺单体单元。
11.根据权利要求1的掩模图形，其中质子受体聚合物还包括第二重复单元，该第二重复单元包括丙烯酰胺单体单元、乙烯基单体单元、亚烷基二醇单体单元、无水马来酸单体单元、乙撑亚胺单体单元、含 唑啉基单体单元、丙烯腈单体单元、烯丙基酰胺单体单元、3，
4-二氢吡喃单体单元或2，3-二氢呋喃单体单元的至少一种。
12.根据权利要求1的掩模图形，其中质子受体聚合物具有1,000至100,000道尔顿范围内的重量平均分子量。
13.根据权利要求1的掩模图形，其中凝胶层还包括表面活性剂。
14.根据权利要求1的掩模图形，其中抗蚀剂图形包括一种材料，该材料包括苯酚-甲醛树脂和/或基于重氮萘醌的化合物。
15.根据权利要求1的掩模图形，其中抗蚀剂图形使用包括光酸发生器(PAG)的化学地放大的抗蚀剂组合物来形成。
16.根据权利要求1的掩模图形，其中使用适合于使用g-线、i-线、KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)、F2准分子激光器(157nm)和/或电子束的抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图形。
17.根据权利要求1的掩模图形，其中使用正型抗蚀剂组合物或负型抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图形。
18.根据权利要求1的掩模图形，其中抗蚀剂图形形成有限定孔图形的多个开口。
19.根据权利要求1的掩模图形，其中抗蚀剂图形形成有限定线和间隔图形的多个线。
20.一种形成用于半导体器件制造的掩模图形的方法，包括：
在衬底上形成抗蚀剂图形；以及
在抗蚀剂图形的表面上形成凝胶层，该凝胶层具有通过质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键合形成的结点，其中凝胶层的所述结点包括：
能经受氢键合以及其中质子供体聚合物和质子受体聚合物在其间氢键合的多个区域；
以及
缺陷区域，其中质子供体聚合物和质子受体聚合物在其间不被氢键合以便在氢键区之间形成缺乏氢键合的区域，凝胶层的所述缺陷区域在氢键区之间形成回线，以及其中质子受体聚合物包括第一重复单元，该第一重复单元包括具有酰胺基的单体单元，所述具有酰胺基的单体单元为根据下列化学式的乙烯基单体单元：
其中R5是氢或甲基；
R6和R7每个独立地是氢或C1至C20烷基，以及
R6和R7可以以-R6-R7形式连接，以形成环状结构，由此所得的乙烯基单元具有下列化学式：
其中n是1至5的整数；或者
所述具有酰胺基的单体单元为根据下列化学式的乙烯基单体单元：
其中R8是氢或甲基；以及
R9和R10每个独立地是氢、甲基、正丙基或异丙基；
质子供体聚合物包括第一重复单元，该第一重复单元包括根据下式的马来酸单体单元：
其中R3和R4每个独立地是氢、甲基(异丙基)(2-甲基-丁-3-酮-2基)或乙酰基(异丙基)(2-甲基-丁-3-酮-2基)或C1至C20酸-不稳定的基，
所述酸-不稳定的基选自：叔-丁基、异降冰片基、2-甲基-2-金刚烷基、2-乙基-2-金刚烷基、3-四氢呋喃基、3-氧代环己基、γ-丁基内酯-3-基、甲羟戍酸内酯、γ-丁内酯-2-基、3甲基-γ-丁内酯-3-基、2-四氢吡喃基、2-四氢呋喃基、2，3-碳酸亚丙酯-1-基、1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-(2-甲氧基乙氧基)乙基、1-(2-乙酸基乙氧基)乙基、叔丁氧羰基甲基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、三甲氧基甲硅烷基和三乙氧基甲硅烷基。
21.根据权利要求20的方法，其中形成凝胶层包括：
制备包括质子供体聚合物、质子受体聚合物和/或基体的涂敷组合物；
使涂敷组合物与抗蚀剂图形的表面接触；以及
加热抗蚀剂图形至其中涂敷组合物与抗蚀剂图形的表面接触，以将抗蚀剂图形的酸扩散到涂敷组合物中的程度。
22.根据权利要求21的方法，其中制备涂敷组合物包括：
制备包括质子受体聚合物和/或基体的第一水溶液；以及
将包括质子供体聚合物的第二水溶液添加到第一水溶液，以获得混合的溶液。
23.根据权利要求22的方法，其中制备涂敷组合物还包括超声地处理包括第一水溶液和第二水溶液的混合溶液，以从涂敷组合物除去沉淀物或水凝胶。
24.根据权利要求22的方法，其中制备涂敷组合物还包括过滤包括第一水溶液和第二水溶液的混合溶液。
25.根据权利要求22的方法，其中基体包括胺、氢氧化四甲铵、或氢氧化四已铵。
26.根据权利要求22的方法，其中基体以基于涂敷组合物的总重量，在0.1至0.5wt％的数量范围内使用。
27.根据权利要求22的方法，其中第一水溶液还包括一种添加剂，该添加剂包括醇、醚、伯胺、仲胺、叔胺或有机盐。
28.根据权利要求21的方法，其中涂敷组合物包括以1∶9至9∶1范围内的重量比混合的质子供体聚合物和质子受体聚合物。
29.根据权利要求21的方法，其中涂敷组合物还包括表面活性剂和/或酸。
30.根据权利要求29的方法，其中表面活性剂和/或酸每个以基于涂敷组合物的总重量，在0.01至0.5wt％的数量范围内使用。
31.根据权利要求21的方法，其中质子供体聚合物和质子受体聚合物每个以基于涂敷组合物的总重量，在0.1至5.0wt％的数量范围内使用。
32.根据权利要求21的方法，其中质子供体聚合物还包括一种单体重复单元，该单体重复单元包括-COOH或-COOR基，其中R可以是C1至C20烃基。
33.根据权利要求32的方法，其中质子供体聚合物还包括第二重复单元，该第二重复单元包括丙烯酰胺单体单元、乙烯基单体单元、亚烷基二醇单体单元、无水马来酸单体单元、乙撑亚胺单体单元、含 唑啉基单体单元、丙烯腈单体单元、烯丙基酰胺单体单元、3，
4-二氢吡喃单体单元或2，3-二氢呋喃单体单元的至少一种。
34.根据权利要求21的方法，其中质子供体聚合物具有1,000至100,000道尔顿范围内的重量平均分子量。
35.如权利要求21的方法，其中质子受体聚合物包括第一重复单元，该第一重复单元包括乙烯基吡咯烷酮单体单元。
36.如权利要求21的方法，其中质子受体聚合物包括第一重复单元，该第一重复单元包括乙烯基己内酰胺单体单元。
37.如权利要求21的方法，其中质子受体聚合物还包括第二重复单元，该第二重复单元包括丙烯酸单体单元、乙烯基单体单元、亚烷基二醇单体单元、无水马来酸单体单元、乙撑亚胺单体单元、含 唑啉基单体单元、丙烯腈单体单元、烯丙基酰胺单体单元、3，4-二氢吡喃单体单元或2，3-二氢呋喃单体单元的至少一种。
38.根据权利要求21的方法，其中质子受体聚合物具有1,000至100,000道尔顿范围内的重量平均分子量。
39.根据权利要求21的方法，其中在120℃至170℃的温度范围内加热抗蚀剂图形。
40.根据权利要求21的方法，还包括使用去离子水除去在凝胶层的形成之后在凝胶层上残留的涂敷组合物。
41.一种制造半导体器件的方法，包括：
在半导体衬底上形成底层；
形成具有限定区的抗蚀剂图形，通过限定区露出底层；
在抗蚀剂图形的表面上形成凝胶层，该凝胶层具有通过质子供体聚合物和质子受体聚合物之间的氢键合形成的结点，其中凝胶层的所述结点包括：
能经受氢键合以及其中质子供体聚合物和质子受体聚合物在其间氢键合的多个区域；
以及
缺陷区域，其中质子供体聚合物和质子受体聚合物在其间不被氢键合以便在氢键区之间形成缺乏氢键合的区域，凝胶层的所述缺陷区域在氢键区之间形成回线，以及其中质子受体聚合物包括第一重复单元，该第一重复单元包括具有酰胺基的单体单元，所述具有酰胺基的单体单元为根据下列化学式的乙烯基单体单元：
其中R5是氢或甲基；
R6和R7每个独立地是氢或C1至C20烷基，以及
R6和R7可以以-R6-R7形式连接，以形成环状结构，由此所得的乙烯基单元具有下列化学式：
其中n是1至5的整数；或者
所述具有酰胺基的单体单元为根据下列化学式的乙烯基单体单元：
其中R8是氢或甲基；以及
R9和R10每个独立地是氢、甲基、正丙基或异丙基；
质子供体聚合物包括第一重复单元，该第一重复单元包括根据下式的马来酸单体单元：
其中R3和R4每个独立地是氢、甲基(异丙基)(2-甲基-丁-3-酮-2基)或乙酰基(异丙基)(2-甲基-丁-3-酮-2基)或C1至C20酸-不稳定的基，
所述酸-不稳定的基选自：叔-丁基、异降冰片基、2-甲基-2-金刚烷基、2-乙基-2-金刚烷基、3-四氢呋喃基、3-氧代环己基、γ-丁基内酯-3-基、甲羟戍酸内酯、γ-丁内酯-2-基、3甲基-γ-丁内酯-3-基、2-四氢吡喃基、2-四氢呋喃基、2，3-碳酸亚丙酯-1-基、1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-(2-甲氧基乙氧基)乙基、1-(2-乙酸基乙氧基)乙基、叔丁氧羰基甲基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、三甲氧基甲硅烷基和三乙氧基甲硅烷基；
以及
使用抗蚀剂图形和凝胶层作为刻蚀掩模，刻蚀底层。
42.根据权利要求41的方法，其中底层薄膜包括介质膜、导电膜、半导体膜和/或抗蚀剂膜。