半導體裝置
阅读：428发布：2024-02-21
专利汇可以提供半導體裝置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本發明提供一種包括ESD保護二極體及縱型MOSFET的半導體裝置，所述ESD保護二極體不進行主動區域的縮小或晶片尺寸的擴大而具有期望的ESD耐量。包括： 基板 ；第一導電型的汲極區域及源極區域，設在基板內；第二導電型的基極區域，設在汲極區域與源極區域之間；閘極電極，以在基極區域形成通道的方式，包括經由閘極絕緣膜而與基極區域相接的第一導電型的第一多晶矽層；以及雙向二極體，包括閘極電極、第二導電型的第二多晶矽層及第一導電型的第三多晶矽層，閘極電極、第二多晶矽層及第三多晶矽層在與基板的表面垂直的方向上依次配置。，下面是半導體裝置专利的具体信息内容。
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