一种RFMEMS开关的圆片级封装方法
专利汇可以提供一种RFMEMS开关的圆片级封装方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种RF MEMS 开关 的圆片级封装方法，利用一次涂胶、两次曝光、分步 刻蚀 的方法实现RF MEMS开关的封帽圆片，封帽圆片含有对应开关结构区域的腔体和对应 信号 传输线的凹槽，将键合材料嵌入凹槽之中，与开关圆片对准，通过圆片级键合的方法，采用氮气或惰性气体作为开关封装的腔体氛围，控制腔体压强，实现RF MEMS开关的封装。这种方法既实现了器件的封装和信号线的引出，又保证了腔体的密封，同时防止了开关的谐振，降低开关在工作过程中的阻尼，降低开关驱动 电压 ，提升开关性能。，下面是一种RFMEMS开关的圆片级封装方法专利的具体信息内容。
1.一种用于RF MEMS开关的圆片级封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)提供一衬底，在衬底材料上分别完成RF MEMS开关的传输线和悬臂梁结构，同提供一封帽圆片，在所述封帽圆片上刻有对应传输线的凹槽和对应开关结构区域的腔体片；
(2)将键合材料嵌入所述凹槽内；
(3)将所述封帽圆片与开关圆片对准，采用圆片级键合的方法，采用气体作为开关封装的腔体氛围，控制腔体气体压强，实现RF MEMS开关的封装。
2.根据权利要求1所述的圆片级封装方法，其特征在于，所述封帽圆片采用一次涂胶、两次曝光、分步刻蚀的方法实现，具体步骤如下：
(1)在圆片上均匀涂覆光刻胶，第一次曝光显影，显影完再次曝光；
(2)干法刻蚀已显影的区域，刻蚀腔体至一定深度；
(3)二次显影，再次干法刻蚀一定深度，同时完成腔体和凹槽的刻蚀。
3.根据权利要求2所述的圆片级封装方法，其特征在于，两次刻蚀的深度相加结果为对应开关结构区域的腔体深度；第二次刻蚀深度为对应传输线的凹槽的深度。
4.根据权利要求1所述的圆片级封装方法，其特征在于，所述腔体的深度高于开关结构表面30μm以上。
5.根据权利要求1所述的圆片级封装方法，其特征在于，所述传输线的厚度为2～3μm，开关悬臂梁的上表面距离衬底的距离为8～10μm。
6.根据权利要求1所述的圆片级封装方法，其特征在于，在对准时，将封帽圆片上的凹槽对准开关的信号传输线，将封帽圆片上的腔体对准含有开关可动结构的区域。
7.根据权利要求1所述的圆片级封装方法，其特征在于，所述键合材料的厚度比凹槽深度与传输线厚度的差值大1～2μm。
8.根据权利要求1所述的圆片级封装方法，其特征在于，步骤(3)中，圆片级键合的具体步骤为：在待封装的两个圆片中间插入SPACER，加热至130～160℃，腔体抽真空，将真空度抽至10-5～1.5×10-5Pa，保持10～15分钟，开始充气体至压强为7～9KPa，再次抽真空，保持
5～10分钟，然后充气体至一定压力5～7KPa，将SPACER撤下，两个圆片之间加400～500N的压力，开始键合，保持10～15分钟。
9.根据权利要求1所述的圆片级封装方法，其特征在于，所述气体为氮气或惰性气体。
10.根据权利要求9所述的圆片级封装方法，其特征在于，所述惰性气体为氦气或氩气。
一种RF MEMS开关的圆片级封装方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
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