多畴垂直取向模式的液晶显示器件
专利汇可以提供多畴垂直取向模式的液晶显示器件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种多畴垂直取向模式的 液晶 显示器 件，包括：一彩膜 基板 ，其表面形成有共 电极 ；一阵列基板，包括多个子 像素 区域，每个子像素内设置有像素电极；液晶层，填充在所述彩膜基板和阵列基板之间；其中，所述共电极或像素电极上形成有畴调制装置，每个子像素内液晶被所述畴调制装置划分成多个畴群，所述畴调制装置上设置有延伸部分，所述延伸部分至少和所述多个畴群中的一个叠置，所述多个畴群在叠置后具有基本相同的面积。本发明通过畴调制装置或者遮光层的延伸部分，或者通过 刻蚀 部分像素电极，使得多个畴群具有基本相同的面积，提供均匀的垂直和 水 平可视性，又不影响 亮度 差异及产品制造良率。，下面是多畴垂直取向模式的液晶显示器件专利的具体信息内容。
1、一种多畴垂直取向模式的液晶显示器件，包括：
一彩膜基板，其表面形成有共电极；
一阵列基板，包括多个子像素区域，每个子像素内设置有像素电极；
液晶层，填充在所述彩膜基板和阵列基板之间；
其中，所述共电极或像素电极上形成有畴调制装置，每个子像素内液晶被 所述畴调制装置划分成多个畴群，其特征在于，所述畴调制装置上设置有延伸部 分，所述延伸部分至少和所述多个畴群中的一个叠置，所述多个畴群在叠置后具 有基本相同的面积。
2、一种多畴垂直取向模式的液晶显示器件，包括：
一彩膜基板，其表面形成有遮光层和共电极；
一阵列基板，包括多个子像素区域，每个子像素内设置有像素电极；
液晶层，填充在所述彩膜基板和阵列基板之间；
其中，所述共电极或像素电极上形成有畴调制装置，每个子像素内液晶被 所述畴调制装置划分成多个畴群，其特征在于，所述遮光层上设置有延伸部分， 所述延伸部分至少和所述多个畴群中的一个叠置，所述多个畴群在叠置后具有基 本相同的面积。
3、一种多畴垂直取向模式的液晶显示器件，包括：
一彩膜基板，其表面形成有共电极；
一阵列基板，包括多个子像素区域，每个子像素内设置有像素电极；
液晶层，填充在所述彩膜基板和阵列基板之间；
其中，所述共电极或像素电极上形成有畴调制装置，每个子像素内液晶被 所述畴调制装置划分成多个畴群，其特征在于，所述多个畴群对应的像素电极至 少有一个被部分刻蚀掉，所述多个畴群在像素电极部分刻蚀后具有基本相同的面 积。
4、根据权利要求1、2或3所述的多畴垂直取向模式的液晶显示器件，其特 征在于，所述畴调制装置是突起或狭缝。
5、根据权利要求1或2所述的多畴垂直取向模式的液晶显示器件，其特征 在于，所述畴调制装置延伸部分位于子像素边缘处。
6、根据权利要求3所述的多畴垂直取向模式的液晶显示器件，其特征在于， 所述被部分刻蚀掉的像素电极位于子像素边缘处。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器件，特别是涉及一种多畴垂直取向模式 (Multi-domain Vertical Alignment，MVA/PVA)的液晶显示器件。
背景技术
由于多畴垂直取向模式(Multi-domain Vertical Alignment，MVA/PVA) 液晶显示器具有较快的反应速度、宽的可视角度、高的透光率、高的对比度和完 美的画质，近年来逐渐被广泛的应用。
图1是现有的多畴垂直取向模式液晶显示面板的子像素平面结构示意图。扫 描信号线10驱动薄膜晶体管13，将数据信号线12上的电压信号写入像素电极14。 存储电容公共线28与像素电极14形成储存电容，保持像素电极14上的电压稳定， 从而驱动液晶分子偏转。两个基板上的畴调制装置15和畴调制装置16将液晶分 成多个畴，使液晶分子倾斜在不同方向上，从而使得参考视角变宽。其中，畴调 制装置可以是突起或狭缝。然而，由于像素结构的关系，畴很可能有不同的面积， 难以提供均匀的垂直和水平可视性。具体来说，w1，w3，w5，w7属于同一畴群， w2，w4，w6，w8属于另一畴群，其中w1，w8面积相等，w2，w7面积相等，w3， w6面积相等，但由于像素结构的关系，w4，w5面积不等，w5面积略大于w4， 这样，两个相对应的畴群面积不等，引起可视性能的降低。
为了实现畴面积相等，专利CN200610092258.4提出了改变畴之间宽度和通过 存储线侧翼遮挡多余畴面积解决方案。请参见图2A，对子像素电极82b，共电极 狭缝92将其分成四畴，为使A、B、C、D四个畴面积相等，改变Wa/Wb和Wc/Wd 的比例。请继续参见图2B，Wa/Wb和Wc/Wd的比例不变，在存储电容公共线28上 伸出侧翼，存储电容公共线侧翼29将畴多余面积遮住，从而保持畴有效亮度面积 相等。
上述方案虽然可以实现畴面积相等，但仍存在一些问题。图2A方案改变了畴 之间的宽度，将引起不同宽度的畴中液晶分子倾斜角度和响应速度的不一致，从 而产生亮度差异。图2B虽然没有这个问题，但加大了存储线和像素电极以及数据 线之间的重叠面积，因而增加了发生短路的可能。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种多畴垂直取向模式的液晶显示器件，包括： 一彩膜基板，其表面形成有共电极；一阵列基板，包括多个子像素区域，每个子 像素内设置有像素电极；液晶层，填充在所述彩膜基板和阵列基板之间；其中， 所述共电极或像素电极上形成有畴调制装置，每个子像素内液晶被所述畴调制装 置划分成多个畴群，所述畴调制装置上设置有延伸部分，所述延伸部分至少和所 述多个畴群中的一个叠置，所述多个畴群在叠置后具有基本相同的面积。
上述多畴垂直取向模式的液晶显示器件中，所述畴调制装置是突起或狭缝。
上述多畴垂直取向模式的液晶显示器件中，所述畴调制装置延伸部分位于子像 素边缘处。
本发明提供了另一种多畴垂直取向模式的液晶显示器件，包括：一彩膜基板， 其表面形成有遮光层和共电极；一阵列基板，包括多个子像素区域，每个子像素 内设置有像素电极；液晶层，填充在所述彩膜基板和阵列基板之间；其中，所述 共电极或像素电极上形成有畴调制装置，每个子像素内液晶被所述畴调制装置划 分成多个畴群，所述遮光层上设置有延伸部分，所述延伸部分至少和所述多个畴 群中的一个叠置，所述多个畴群在叠置后具有基本相同的面积。
上述多畴垂直取向模式的液晶显示器件中，所述畴调制装置是突起或狭缝。
上述多畴垂直取向模式的液晶显示器件中，所述畴调制装置延伸部分位于子像 素边缘处。
本发明还提供了另一种多畴垂直取向模式的液晶显示器件，包括：一彩膜基板， 其表面形成有共电极；一阵列基板，包括多个子像素区域，每个子像素内设置有 像素电极；液晶层，填充在所述彩膜基板和阵列基板之间；其中，所述共电 极或像素电极上形成有畴调制装置，每个子像素内液晶被所述畴调制装置划分成 多个畴群，所述多个畴群对应的像素电极至少有一个被部分刻蚀掉，所述多个畴 群在像素电极部分刻蚀后具有基本相同的面积。
上述多畴垂直取向模式的液晶显示器件中，所述畴调制装置是突起或狭缝。
上述多畴垂直取向模式的液晶显示器件中，所述被部分刻蚀掉的像素电极位于 子像素边缘处。
本发明对比现有技术有如下的有益效果：本发明通过畴调制装置或者遮光层 的延伸部分，或者通过刻蚀部分像素电极，使得多个畴群具有基本相同的面积， 提供均匀的垂直和水平可视性，又不影响亮度差异及产品制造良率。
附图说明
图1是现有的多畴垂直取向模式液晶显示面板的子像素平面结构示意图。
图2A是现有的通过改变畴之间宽度调整畴面积示意图。
图2B是现有的通过存储线侧翼遮挡多余畴面积示意图。
图3A、3B是本发明中通过畴调制装置的延伸部分遮挡多余畴面积示意图。
图4A、4B是本发明中通过遮光层的延伸部分遮挡多余畴面积示意图。
图5A、5B是本发明通过刻蚀部分像素电极调整畴面积示意图。
图中：
10：扫描信号线 12：数据信号线
13：薄膜晶体管 14：像素电极
15：狭缝 16：突起
17：畴调制装置的延伸部分 19：遮光层
20：遮光层延伸部分 22：像素电极被刻蚀部分
28：存储电容公共线 29：存储电容公共线侧翼
82b：子像素电极 92：共电极狭缝
具体实施方式
本发明提供的多畴垂直取向模式的液晶显示器件，包括：一彩膜基板，其表面 形成有共电极；一阵列基板，包括多个子像素区域，每个子像素位于扫描信号线 10和数据信号线12相交的位置，其内设置有像素电极14；液晶层，填充在所述 彩膜基板和阵列基板之间；其中，所述共电极或像素电极上形成有畴调制装置， 畴调制装置是狭缝15或突起16，所述畴调制装置将每个子像素内液晶划分成多个 畴群。请参照图1，畴w1，w3，w5，w7属于同一畴群，畴w2，w4，w6，w8属 于另一畴群，其中w1，w8面积相等，w2，w7面积相等，w3，w6面积相等，但 由于像素结构的关系，畴w4，畴w5面积不等，畴w5面积略大于畴w4。
图3A、3B是本发明中通过畴调制装置的延伸部分遮挡多余畴面积示意图。
请参照图3A、3B，本实施例中的液晶显示器件的子像素分别被设置在共电极 或者像素电极之上的狭缝15或突起16分成多个畴群，为使得各个畴的有效亮度 面积相等，对畴调制装置采取伸出侧翼或加宽延伸部分，以遮挡畴多余的面积。 畴调制装置的延伸部分17位于子像素边缘处，呈侧翼状遮挡畴w5，畴调制装置 的延伸部分17的大小由w4，w5面积差确定，以遮挡后的w5和w4的面积大致相 等为准，从而使得各个畴的有效亮度面积一致，得到了均匀的垂直和水平可视性。
图4B、4B是本发明中通过遮光层的延伸部分遮挡多余畴面积示意图。
请参照图4A、4B，为使得各个畴的有效亮度面积相等，遮光层19伸出一定面 积，位于子像素边缘处的遮光层延伸部分20呈侧翼状遮挡畴w5，遮挡后的w5和 w4的面积大致相等。
图5A、5B是本发明中通过刻蚀部分像素电极调整畴面积示意图。
请参照图5A、5B，为使得各个畴的有效亮度面积相等，将畴多余的面积的像 素电极部分刻蚀掉，像素电极被刻蚀部分22位于畴w5的边缘处，被刻蚀后的像 素电极形成一个或两个凹口，使得被刻蚀后的w5和w4的面积大致相等。
畴调制装置和遮光层的延伸部分也可以是其他位置或形状，以方便实施和调 整畴面积为准。同理对刻蚀部分像素电极也可以是其他位置或形状。上述实施例 中的延伸部分和像素电极凹口位于子像素边缘处，除了遮挡畴多余面积，还可以 减少并遮蔽黑纹。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领 域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此 本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
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