专利汇可以提供Integrated circuit of semiconductor and method for its fabrication专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE: To make the degree of integration high and to make the number of stages in the process low by forming region of semiconductor element in concaved area generated by anisotropic etching, by covering sloped side surface of the concaved area with polycrystalline Si, and thus by utilizing the difference in the rate of diffusion.
COPYRIGHT: (C)1977,JPO&Japio,下面是Integrated circuit of semiconductor and method for its fabrication专利的具体信息内容。
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