专利汇可以提供一种流苏石斛附石种植高产量方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种流苏石斛附石种植的方法,采用 石灰岩 作为种植基地,将藓类 植物 洗净后附植于石灰岩面,待藓类植物成活定植成功后,将流苏石斛高芽苗苗根部采用垂直手压式方法压在藓类植物里面伴生生长,经多次试验发现,伴生藓类植物厚度在4.0-5.5㎝之间,流苏石斛 生物 学性状最佳。,下面是一种流苏石斛附石种植高产量方法专利的具体信息内容。
1.一种流苏石斛附石种植的方法,其特征在于:
1)将种植基地岩面清扫干净;
2)搜集藓类植物,洗净后附植于石灰岩面;
3)待藓类植物成活定植成功后,将流苏石斛高芽苗苗根部采用垂直手压式方法压在藓类植物里面伴生生长,其中,伴生藓类植物厚度在4.0-5.5㎝之间。
2.按照权利要求1所述流苏石斛附石种植的方法,其特征在于:种植基地采用石灰岩,所述的石灰岩出露率大于70%,石灰岩面蜂窝状,需要人工搭建遮阳率为60%的遮阳网。
3.按照权利要求1-2任意一项所述流苏石斛附石种植的方法,其特征在于:所述苔藓选自青藓科、灰藓科和/或羽藓科藓类植物。
4.按照权利要求3所述流苏石斛附石种植的方法,其特征在于:所述藓类植物成活定植设置环境条件日光照时间3h~6h,光照度10000lux-15000lux,温度18℃~24℃,湿度>
90%。
5.按照权利要求4所述流苏石斛附石种植的方法,其特征在于:清扫干净的标准以岩面不残留腐殖土为准。
6.按照权利要求1-2任意一项所述流苏石斛附石种植的方法,其特征在于:流苏石斛假鳞茎的腋芽发育成高芽苗后,掰下高芽苗移栽于炼苗基质上炼苗,然后将流苏石斛高芽苗苗根部采用垂直手压式方法压在藓类植物里面伴生生长。
7.按照权利要求1-2任意一项所述流苏石斛附石种植的方法,其特征在于:所述的青藓属选自斜枝青藓、灰白青藓、毛尖青藓、柔叶青藓、尖叶青藓、野口青藓;灰藓科包括美灰藓、钙生灰藓、燕尾藓;羽藓科包括尖毛细羽藓、细叶小羽藓、短肋羽藓和/或狭叶小羽藓。
8.按照权利要求4所述流苏石斛附石种植的方法,其特征在于:所述藓类植物成活定植设置环境条件日光照时间4h~5h,光照度11000lux-13000lux,温度20℃~22℃,湿度>
93%。
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