专利汇可以提供Indium antimonide photodiode and method of producing same专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且A method for forming indium antimonide photodiodes by ionic implantation of the S34+ isotope of sulphur on a p type indium antimonide substrate. These photodiodes may be readily coupled to an N channel charge transfer device which provides multiplexing of the photodiodes and readout of the charges.,下面是Indium antimonide photodiode and method of producing same专利的具体信息内容。
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