一种发光二极管的保护器件芯片及生产工艺
专利汇可以提供一种发光二极管的保护器件芯片及生产工艺专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种发光 二极管 的保护器件芯片及生产工艺，通过采用窄衬底基区宽度结构，降低了体压降，提高了 开关 速度，降低了 开关损耗 ；采用气体携带液态磷源的浅N+结的扩散方法，很好的控制了扩散结的深度及浓度梯度，增加了击穿 电压 的 稳定性 ，并且具有良好的回弹性，使器件迅速导通，起到保护发光二级管的作用；增加了扩散结的平坦性、均一性，提高了保护管的可靠性及抗浪涌能 力 ；采用 电泳 的玻璃 钝化 工艺，提高了保护管的触发电压、 击穿电压 的稳定性，这种 发光二极管 的保护管具有开关速度快、 电路 断电自动恢复能力强、损耗低的特点，在某一发光二极管处于开路状态时能够迅速导通，不会导致整个发光二极管矩阵瘫痪，能够使电路继续工作，为高频、高 亮度 电路提供了可靠的照明功能。，下面是一种发光二极管的保护器件芯片及生产工艺专利的具体信息内容。
1.一种发光二极管的保护器件芯片生产工艺，其特征在于，包括如下次序的步骤：
1）氧化前处理：通过酸、碱、去离子水等工序，对硅片表面进行化学处理；
2）氧化：清洗干净的原始硅片，在1100～1200℃的氧化炉中长一层氧化层做掩膜，为下一步光刻的校对精确先做一个标记、开N+区窗口、开沟槽、开电泳玻璃沿区、金属接触区；
3）五次光刻：对氧化后的硅片进行涂胶、光刻标记、光刻发射区窗口、光刻台面、光刻玻璃沿区域、光刻金属接触区、曝光、显影、去氧化层工序，刻出标记、发射区窗口、台面图形、电泳玻璃沿区域和金属接触区图形；
4）扩散前处理：通过电子清洗剂、去离子水超声溢水对光刻窗口后的硅片进行化学处理；
5）硼扩散预沉积：采用氮气携带液态硼源，将清洗干净的硅片放入1100～1150℃的扩散炉中进行硼源预沉积；
6）硼扩散：对预沉积后的硅片在1200～1250℃扩散炉进行扩散推进，形成P层；
7）磷源扩散预沉积：对处理干净的硅片在1100～1200℃的扩散炉中进行磷源沉积，通入液态磷源；
8）磷源主扩散：对预沉积后的硅片在1200～1250℃扩散炉进行扩散推进，形成N层；
9）扩散后处理：用酸浸泡、去离子水超声清洗，使硅片分离，并去除表面氧化层；
10）双面台面腐蚀：使用氢氟酸、硝酸、冰乙酸，按照8:3:3的比例混合为混酸，用混酸刻蚀双面台面沟槽，混酸温度控制在8～12℃，并用去离子水冲净；
11）双面电泳：把硅片放在配置好的电泳液中，根据台面沟槽需沉积的玻璃重量设置时间，进行双面同时电泳；
12）烧结：把电泳后的硅片在800～820℃的烧结炉中进行烧结；
13）去氧化层：用稀释的氢氟酸浸泡、去离子水超声清洗去除烧结后硅片表面氧化层；
14）镀镍、镀金：将去氧化层后的硅片在专用镀槽中进行镀镍、镀金、干燥；
15）芯片切割：用划片机把镀金后的硅片从台面沟槽处划成单个芯片；
根据所述方法获得其结构为N-P-N-P-N型保护器件芯片。
2.一种发光二极管的保护器件芯片，其特征在于：其结构为N-P-N-P-N型，正面截层结构依次为芯片（1），腐蚀沟槽（2），钝化玻璃（3） ，金属层（4）；高浓度N区（5）；其剖面截层结构依次为腐蚀沟槽（2），钝化玻璃（3），金属层（4），高浓度N区（5），P区（6），基区N（7）。
一种发光二极管的保护器件芯片及生产工艺
技术领域
背景技术
发明内容
2）氧化：清洗干净的原始硅片，在1100～1200℃的氧化炉中长一层氧化层做掩膜，为下一步光刻的校对精确先做一个标记、开N+区窗口、开沟槽、开电泳玻璃沿区、金属接触区；
3）五次光刻：对氧化后的硅片进行涂胶、光刻标记、光刻发射区窗口、光刻台面、光刻玻璃沿区域、光刻金属接触区、曝光、显影、去氧化层工序，刻出标记、发射区窗口、台面图形、电泳玻璃沿区域和金属接触区图形；
4）扩散前处理：通过电子清洗剂、去离子水超声溢水对光刻窗口后的硅片进行化学处理；
5）硼扩散预沉积：采用氮气携带液态硼源，将清洗干净的硅片放入1100～1150℃的扩散炉中进行硼源预沉积；
6）硼扩散：对预沉积后的硅片在1200～1250℃扩散炉进行扩散推进，形成P层；
7）磷源扩散预沉积：对处理干净的硅片在1100～1200℃的扩散炉中进行磷源沉积，通入液态磷源；
8）磷源主扩散：对预沉积后的硅片在1200～1250℃扩散炉进行扩散推进，形成N层；
9）扩散后处理：用酸浸泡、去离子水超声清洗，使硅片分离，并去除表面氧化层；
10）双面台面腐蚀：使用氢氟酸、硝酸、冰乙酸，按照8:3:3的比例混合为混酸，用混酸刻蚀双面台面沟槽，混酸温度控制在8～12℃，并用去离子水冲净；
11）双面电泳：把硅片放在配置好的电泳液中，根据台面沟槽需沉积的玻璃重量设置时间，进行双面同时电泳；
12）烧结：把电泳后的硅片在800～820℃的烧结炉中进行烧结；
13）去氧化层：用稀释的氢氟酸浸泡、去离子水超声清洗去除烧结后硅片表面氧化层；
14）镀镍、镀金：将去氧化层后的硅片在专用镀槽中进行镀镍、镀金、干燥；
15）芯片切割：用划片机把镀金后的硅片从台面沟槽处划成单个芯片；
根据所述方法获得其结构为N-P-N-P-N型保护器件芯片。
具体实施方式
2）氧化：清洗干净的原始硅片，在1100～1200℃的氧化炉中长一层氧化层做掩膜，为下一步光刻的校对精确先做一个标记、开N+区窗口、开沟槽、开电泳玻璃沿区、金属接触区；
3）五次光刻：对氧化后的硅片进行涂胶、光刻标记、光刻发射区窗口、光刻台面、光刻玻璃沿区域、光刻金属接触区、曝光、显影、去氧化层工序，刻出标记、发射区窗口、台面图形、电泳玻璃沿区域和金属接触区图形；
4）扩散前处理：通过电子清洗剂、去离子水超声溢水对光刻窗口后的硅片进行化学处理；
5）硼扩散预沉积：采用氮气携带液态硼源，将清洗干净的硅片放入1100～1150℃的扩散炉中进行硼源预沉积；
6）硼扩散：对预沉积后的硅片在1200～1250℃扩散炉进行扩散推进，形成P层；
7）磷源扩散预沉积：对处理干净的硅片在1100～1200℃的扩散炉中进行磷源沉积，通入液态磷源；
8）磷源主扩散：对预沉积后的硅片在1200～1250℃扩散炉进行扩散推进，形成N层；
9）扩散后处理：用酸浸泡、去离子水超声清洗，使硅片分离，并去除表面氧化层；
10）双面台面腐蚀：使用氢氟酸、硝酸、冰乙酸，按照8:3:3的比例刻蚀双面台面沟槽，混酸温度控制在8～12℃，并用去离子水冲净；
11）双面电泳：把硅片放在配置好的电泳液中，根据台面沟槽需沉积的玻璃重量设置时间，进行双面同时电泳；
12）烧结：把电泳后的硅片在800～820℃的烧结炉中进行烧结；
13）去氧化层：用稀释的氢氟酸浸泡、去离子水超声清洗去除烧结后硅片表面氧化层；
14）镀镍、镀金：将去氧化层后的硅片在专用镀槽中进行镀镍、镀金、干燥；
15）芯片切割：用划片机把镀金后的硅片从台面沟槽处划成单个芯片；
根据所述方法获得其结构为N-P-N-P-N型保护器件芯片。
根据上述说明，结合本领域技术可实现本发明的方案。
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