专利汇可以提供一种双孢菇的栽培方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种双孢菇的栽培方法,包括将木腐菌菌糠经过 粉碎 ,并通过孔径10cm~15cm的网筛过滤后,得到菌糠碎料;将所述菌糠碎料和预配置的基料混合,配制得到蘑菇培养料;将配置得到的蘑菇培养料进行高温灭菌;将完成高温灭菌的蘑菇培养料冷却后进行接种;将完成接种的蘑菇培养料进行培菌与塑型,得到用于栽培双孢菇的 栽培原料;将栽培原料的 温度 保持在20~22℃,二 氧 化 碳 浓度为 0.5~1.1%,蘑菇菌丝在13~15天之间发满料层;在栽培原料上进行覆土,采用的覆土材料是草炭土。本发明以熟料生产代替 发酵 生产,通过将蘑菇培养料在高温条件下进行高温灭菌,杀死蘑菇培养料中的杂菌和 害虫 , 软化 蘑菇培养料表层结构,使得得到的栽培原料容易被蘑菇菌种定植并生长。,下面是一种双孢菇的栽培方法专利的具体信息内容。
1.一种蘑菇的栽培方法,其特征在于:包括如下步骤:
步骤一、将木腐菌菌糠经过粉碎,并通过孔径10cm~15cm的网筛过滤后,得到菌糠碎料;
步骤二、将所述菌糠碎料和预配置的基料混合,配制得到蘑菇培养料;
步骤三、将配置得到的蘑菇培养料进行高温灭菌;
步骤四、将完成高温灭菌的蘑菇培养料冷却后进行接种;
步骤五、将完成接种的蘑菇培养料进行培菌与塑型,得到用于栽培双孢菇的 栽培原料;
步骤六、将栽培原料的温度保持在20~22℃,二氧化碳浓度为 0.5~1.1%,蘑菇菌丝在13~15天之间发满料层;
步骤七、在栽培原料上进行覆土,采用的覆土材料是草炭土;
步骤八、发菌至菌丝出现在覆土表面前,不要通风换气,菌丝如果达到覆土表面的30~
60%,要充分喷水,第二天进行搔菌,把变硬的覆土打碎,再形成团粒结构,维持24~27℃一天,把菇床温度降低到17℃,同时通风,把二氧化碳浓度降低到0.1%以下,利用低温处理和通风促进出菇,出菇室内的循环风需要预先调节湿度。
2.根据权利要求1所述的一种双孢菇的栽培方法,其特征在于:所述步骤二中的基料由以下原料按质量百分比组成:沙柳木屑:72.62%,麸皮:11.55%,玉米粉:5.22%,豆粕:8.61%,生石膏:2%。
3.根据权利要求1所述的一种双孢菇的栽培方法,其特征在于:所述步骤三中高温灭菌的温度为100℃~120℃的温度条件下灭菌5个小时。
4.根据权利要求1所述的一种双孢菇的栽培方法,其特征在于:所述步骤七中的草炭土中含有有机肥,所述的有机肥包括40%秸秆、30%中药废渣和30%草煤,用好氧放线菌菌种液发酵10天,再干燥至水分小于10%,加入总重量2%的氨基酸制成有机肥料。
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