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一种圆片级封装结构及其工艺方法

阅读:348发布:2020-06-22

专利汇可以提供一种圆片级封装结构及其工艺方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种圆片级封装结构及其工艺方法,所述结构包括 基板 (1),所述基板(1) 正面 倒装有芯片(2),所述芯片(2)正面设置有金属凸点(3),所述金属凸点(3)与基板(1)之间通过 锡 球(4)相连接,所述芯片(2)正面与基板(1)之间设置有底部填充胶(5),所述芯片(2)背面包封有塑封料(6),所述基板(1)背面电 镀 有金属层(7)。本发明一种圆片级封装结构及其工艺方法,圆片上的图面设计与引线框的图面完全对应,实现整片圆片倒装于引线框,再进行圆片的切割分离以及封装,实现单颗芯片尺寸等同于引线框单颗Unit的 晶圆 级封装。,下面是一种圆片级封装结构及其工艺方法专利的具体信息内容。

1.一种圆片级封装结构的工艺方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:
步骤一、取一圆片,圆片正面线路设计完全对应于引线框图面,单颗芯片尺寸等同于封装尺寸;
步骤二、在圆片正面电极上制作金属凸点;
步骤三、在金属凸点上制作球;
步骤四、圆片通过金属凸点上的锡球倒装于基板,基板单颗产品尺寸等同于单颗芯片尺寸;
步骤五、将完成倒装的圆片与基板放入回流焊设备进行回流焊;
步骤六、对完成回流焊的产品进行正面切割,切至基板正面,切穿圆片;
步骤七、对完成圆片切割的切割槽内注入底部填充胶,利用毛细现象填充芯片与基板之间空白区;
步骤八、对完成底部填充胶填充后产品进行塑封;
步骤九、对完成塑封后的产品进行基板背面电
步骤十、对完成电镀的产品进行切割,分离单个产品。
2.根据权利要求1所述的一种圆片级封装结构的工艺方法,其特征在于:所述圆片正面线路根据引线框图面进行扇出设计或引线框图面根据圆片正面线路进行匹配设计。

说明书全文

一种圆片级封装结构及其工艺方法

技术领域

[0001] 本发明涉及一种圆片级封装结构及其工艺方法,属于半导体封装技术领域。

背景技术

[0002] 现有的圆片级封装,先对圆片进行划片,将完成划片后分离的芯片正面粘贴在载板上,再对载板粘贴芯片的一侧进行塑封,去除载板,露出芯片正面,对芯片正面电极进行Fanout 重布线制作金属线路与产品电性的输出。圆片划片后单颗芯片排列粘贴在载板上进行包封、制作Fanout金属线路,一方面芯片排列对位的效率低,而且分离芯片排列对位容易产生位移偏差,这将造成后续芯片正面Fanout金属线路的偏移;由于圆片Fanout封装在封装厂进行,但是对于封装厂进行Fanout工艺涉及的密间距线路制作,难度比较高,容易出现线路短路、线路剥离的问题,良率偏低。

发明内容

[0003] 本发明的目的在于克服上述不足,提供一种圆片级封装结构及其工艺方法,圆片上的图面设计与引线框的图面完全对应,实现整片圆片倒装于引线框,再进行圆片的切割分离以及封装,实现单颗芯片尺寸等同于引线框单颗Unit的晶圆级封装。
[0004] 本发明的目的是这样实现的:一种圆片级封装结构,它包括基板,所述基板正面倒装有芯片,所述芯片正面设置有金属凸点,所述金属凸点与基板之间通过球相连接,所述芯片正面与基板之间设置有底部填充胶,所述芯片背面包封有塑封料,所述基板背面电有金属层。
[0005] 一种圆片级封装结构的工艺方法,所述方法包括以下步骤:
[0006] 步骤一、取一圆片,圆片正面线路设计完全对应于引线框图面,单颗芯片尺寸等同于封装尺寸;
[0007] 步骤二、在圆片正面电极上制作金属凸点;
[0008] 步骤三、在金属凸点上制作锡球;
[0009] 步骤四、圆片通过金属凸点上的锡球倒装于基板,基板单颗产品尺寸等同于单颗芯片尺寸;
[0010] 步骤五、将完成倒装的圆片与基板放入回流焊设备进行回流焊;
[0011] 步骤六、对完成回流焊的产品进行正面切割,切至基板正面,切穿圆片;
[0012] 步骤七、对完成圆片切割的切割槽内注入底部填充胶,利用毛细现象填充芯片与基板之间空白区;
[0013] 步骤八、对完成底部填充胶填充后的产品进行塑封;
[0014] 步骤九、对完成塑封后的产品进行基板背面电镀
[0015] 步骤十、对完成电镀的产品进行切割,分离单个产品。
[0016] 所述圆片正面线路可以根据引线框图面进行Fanout设计;
[0017] 所述引线框图面可以根据圆片正面线路进行匹配设计。
[0018] 与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
[0019] 1、芯片重布线制作与封装分别由各自擅长的晶圆FAB厂与封装厂完成,产品良率比较高;
[0020] 2、引线框单颗Unit尺寸等同于单独的芯片尺寸,不仅最大化地利用了金属引线框,而且可以缩小产品尺寸,提高引线框的利用率,降低材料成本;
[0021] 3、整片圆片一次倒装完成、大大提高了生产效率,降低了生产成本。附图说明
[0022] 图1为本发明一种圆片级封装结构的结构示意图。
[0023] 图2 图11为本发明一种圆片级封装结构工艺方法的各工序示意图。~
[0024] 其中:
[0025] 基板1
[0026] 芯片2
[0027] 金属凸点3
[0028] 锡球4
[0029] 底部填充胶5
[0030] 塑封料6
[0031] 金属层7。

具体实施方式

[0032] 参见图1,本发明一种圆片级封装结构,它包括基板1,所述基板1正面倒装有芯片2,所述芯片2正面设置有金属凸点3,所述金属凸点3与基板1之间通过锡球4相连接,所述芯片2正面与基板1之间设置有底部填充胶5,所述芯片2背面包封有塑封料6,所述基板1背面电镀有金属层7。
[0033] 其工艺方法如下:
[0034] 步骤一、参见图2,取一圆片,圆片正面线路设计完全对应于引线框图面,单颗芯片尺寸等同于封装尺寸;
[0035] 步骤二、参见图3,在圆片正面电极上制作金属凸点;
[0036] 步骤三、参见图4,在金属凸点上制作锡球;
[0037] 步骤四、参见图5,圆片通过金属凸点上的锡球倒装于基板,基板单颗产品尺寸等同于单颗芯片尺寸;
[0038] 步骤五、参见图6,将完成倒装的圆片与基板放入回流焊设备进行回流焊;
[0039] 步骤六、参见图7,对完成回流焊的产品进行正面切割,切至基板正面,切穿圆片;
[0040] 步骤七、参见图8,对完成圆片切割的切割槽内注入底部填充胶,利用毛细现象填充芯片与基板之间空白区;
[0041] 步骤八、参见图9,对完成底部填充胶填充后产品进行塑封;
[0042] 步骤九、参见图10,对完成塑封后的产品进行基板背面电镀;
[0043] 步骤十、参见图11,对完成电镀的产品进行切割,分离单个产品。
[0044] 所述圆片正面线路可以根据引线框图面进行Fanout设计;
[0045] 所述引线框图面可以根据圆片正面线路进行匹配设计。
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