首页 / 技术领域 / 磁畴 / 专利数据
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
1 内联磁畴壁注入 CN201711092102.0 2017-11-08 CN108062960B 2023-07-25 A·韦塞
发明涉及一种用于生成沿输出磁性总线传播的磁畴壁流的方法(100)。该方法包括提供(101)一种包括磁传播层的设备(10)。该层包括多条磁性总线,包括用于引导传播磁畴壁的输出磁性总线。该层还包括多条磁性总线在其中汇聚并被接合在一起的中央区域(15)。多条磁性总线包括至少第一(11)和第二(12)磁性总线,第一和第二磁性总线具有彼此相反的磁化取向使得将相反的磁化状态分隔的磁畴壁(16)被围住在凸区域(15)中。该方法还包括通过将自旋轨道和/或转移扭矩施加(106)到经围住的磁畴壁(16)以交替(107)两个稳定配置之间的经围住的磁畴壁(16)来生成(105)沿输出磁性总线(13)传播的磁畴壁流,其中每个稳定配置对应于其中输出磁性总线被接合到中央区域(15)的至少一个区域中的输出磁性总线(13)的不同磁化状态。
2 磁畴观测装置 CN200810127456.9 2008-06-26 CN101320083B 2012-05-23 杨永斌; 徐文东
一种磁畴观测装置,其构成是:在电控位移台上固定有供置放待测样品的四维样品调整架,在该四维样品调整架的正前设有xy向扫描器,在该xy向扫描器中间的方形通孔内壁上设有沿z轴运动的z向扫描器,在该z向扫描器的后端固定磁头夹具,该磁头夹具的后端固定装有巨磁阻磁头的磁头悬架组件,在该巨磁阻磁头的一侧是光学显微镜、CCD摄像头和监视器,所述的CCD摄像头的输出端接所述的监视器的输入端,在所述的巨磁阻磁头的另一侧设有离子机,所述的巨磁阻磁头的读出信号端与数字源表相连,该数字源表的信号输出端与计算机相连。本发明具有造价较低、不易损坏,不受待测样品的尺寸限制,通用性强的特点。
3 磁畴观测装置 CN200810127456.9 2008-06-26 CN101320083A 2008-12-10 杨永斌; 徐文东
一种磁畴观测装置,其构成是:在电控位移台上固定有供置放待测样品的四维样品调整架,在该四维样品调整架的正前设有xy向扫描器,在该xy向扫描器中间的方形通孔内壁上设有沿z轴运动的z向扫描器,在该z向扫描器的后端固定磁头夹具,该磁头夹具的后端固定装有巨磁阻磁头的磁头悬架组件,在该巨磁阻磁头的一侧是光学显微镜、CCD摄像头和监视器,所述的CCD摄像头的输出端接所述的监视器的输入端,在所述的巨磁阻磁头的另一侧设有离子机,所述的巨磁阻磁头的读出信号端与数字源表相连,该数字源表的信号输出端与计算机相连。本发明具有造价较低、不易损坏,不受待测样品的尺寸限制,通用性强的特点。
4 磁畴能动装置 CN200610025567.X 2006-04-10 CN101056034A 2007-10-17 王文超
发明涉及一种利用磁畴能原理设计的磁畴能动装置。一电磁导轨滑动连接,连杆一端与钢性飞轮边缘转动连接,另一端与电磁铁转动连接;另一电磁铁与一钢性构件固接,并置于另一框架结构的钢性构件内;两电磁铁之间带有间距,同时在初始位置磁极面有部分相叠;飞轮中心部有两个半径大小不同的半圆槽,两个半圆槽相通形成贯通的异形槽;异形槽中滚动连接一个滚柱;滚柱固装在拉杆上,拉杆通过联动点联接推杆,推杆通过另一联动点联接另一带有固定支点的推杆。本发明根据磁畴能原理,将磁性材料中杂乱无序的磁畴,用一个很小能量将其排列有序,发出很大能量,使二磁钢之间作相对运动,并转换为旋转运动。利用旋转运动可带动发电机发电。
5 内联磁畴壁注入 CN201711092102.0 2017-11-08 CN108062960A 2018-05-22 A·韦塞
发明涉及一种用于生成沿输出磁性总线传播的磁畴壁流的方法(100)。该方法包括提供(101)一种包括磁传播层的设备(10)。该层包括多条磁性总线,包括用于引导传播磁畴壁的输出磁性总线。该层还包括多条磁性总线在其中汇聚并被接合在一起的中央区域(15)。多条磁性总线包括至少第一(11)和第二(12)磁性总线,第一和第二磁性总线具有彼此相反的磁化取向使得将相反的磁化状态分隔的磁畴壁(16)被围住在凸区域(15)中。该方法还包括通过将自旋轨道和/或转移扭矩施加(106)到经围住的磁畴壁(16)以交替(107)两个稳定配置之间的经围住的磁畴壁(16)来生成(105)沿输出磁性总线(13)传播的磁畴壁流,其中每个稳定配置对应于其中输出磁性总线被接合到中央区域(15)的至少一个区域中的输出磁性总线(13)的不同磁化状态。
6 磁畴观测装置 CN200810035176.5 2008-03-26 CN101266286A 2008-09-17 杨永斌; 徐文东
一种磁畴观测装置,其构成是:在电控位移台上固定有供置放待测样品的四维样品调整架,在该四维样品调整架的正前设有xy向扫描器,在该xy向扫描器中间的方形通孔内壁上设有沿z轴运动的z向扫描器,在该z向扫描器的后端固定磁头夹具,该磁头夹具的后端固定巨磁阻磁头,在该巨磁阻磁头的一侧是光学显微镜、CCD摄像头和监视器,所述的CCD摄像头的输出端接所述的监视器的输入端,在所述的巨磁阻磁头的另一侧设有离子机,所述的巨磁阻磁头的读出信号端与数字源表相连,该数字源表的信号输出端与计算机相连。本发明具有造价较低、不易损坏,不受待测样品的尺寸限制,通用性强的特点。
7 磁畴壁逻辑器件及互连 CN201480076331.1 2014-03-25 CN106030840B 2019-03-01 D·E·尼科诺夫; S·马尼帕特鲁尼; I·A·扬
描述了一种设备,其包括:第一、第二和第三自由磁层;耦合至第一和第三自由磁层的由第一材料构成的第一金属层;以及由不同于第一材料的第二材料构成的第二金属层,所述第二金属层耦合至第二和第三自由磁层。描述了一种STT多数决定器件,其包括:被配置成环形的自由磁层;以及耦合至所述自由磁层的第一、第二、第三和第四自由磁层。
8 畴壁位移磁光记录介质 CN01137436.5 2001-11-13 CN1201316C 2005-05-11 广木知之
一种磁光记录介质,其中利用光束再现信息,该记录介质包括:一个再现层,其中在通过移动畴壁放大记录磁畴的同时再现信息;一个记录层,用于保持与信息相对应的记录磁畴;及一个截断层,布置在所述再现层与所述记录层之间,并且具有比所述再现层和所述记录层的居里温度都低的居里温度,其中记录介质满足如下条件:(Tr-RT)/(Tc2-RT)≥1.8,其中Tr表示通过所述光束形成在所述再现层上的温度分布中的最大温度,Tc2表示所述截断层的居里温度,以及RT表示室温。
9 电流驱动的磁畴壁逻辑 CN202180027419.4 2021-01-26 CN115398538A 2022-11-25 罗昭初; 阿莱斯·赫拉贝茨; 劳拉·J·海德曼; 彼得罗·甘巴尔代拉; 仲·蓬·达奥
基于自旋的逻辑架构提供非易失性数据保持、近零泄漏和可扩展性,将技术路线图扩展至互补金属化物半导体(CMOS)逻辑之外。基于磁畴壁的架构利用快速畴壁运动、高密度、非易失性和灵活的设计来处理和存储信息。然而,这种方案依赖于使用外部磁场的畴壁操控和时钟计时,这限制了它们在密集的大规模芯片中的实现。本发明公开了在畴壁跑道中执行全电逻辑操作和级联的概念。本发明利用由界面Dzyaloshinskii‑Moriya相互作用引起的相邻磁畴之间的手性耦合来实现磁畴壁反转器,布尔逻辑的所有实现中的基本构建。本发明还公开了可重新配置的NAND和NOR逻辑,并通过电流引起的畴壁运动来执行操作。最后,级联若干个NAND门来构建XOR门和全加器门,从而示范逻辑电路中的磁数据和设备互连的电控制。本发明为可扩展的全电磁逻辑提供了可行平台,为逻辑存储器的应用铺平了道路。
10 磁畴壁逻辑器件及互连 CN201480076331.1 2014-03-25 CN106030840A 2016-10-12 D·E·尼科诺夫; S·马尼帕特鲁尼; I·A·扬
描述了一种设备,其包括:第一、第二和第三自由磁层;耦合至第一和第三自由磁层的由第一材料构成的第一金属层;以及由不同于第一材料的第二材料构成的第二金属层,所述第二金属层耦合至第二和第三自由磁层。描述了一种STT多数决定器件,其包括:被配置成环形的自由磁层;以及耦合至所述自由磁层的第一、第二、第三和第四自由磁层。
11 磁畴观测装置 CN200820119785.4 2008-06-26 CN201210185Y 2009-03-18 杨永斌; 徐文东
一种磁畴观测装置,其构成是:在电控位移台上固定有供置放待测样品的四维样品调整架,在该四维样品调整架的正前设有xy向扫描器,在该xy向扫描器中间的方形通孔内壁上设有沿z轴运动的z向扫描器,在该z向扫描器的后端固定磁头夹具,该磁头夹具的后端固定装有巨磁阻磁头的磁头悬架组件,在该巨磁阻磁头的一侧是光学显微镜、CCD摄像头和监视器,所述的CCD摄像头的输出端接所述的监视器的输入端,在所述的巨磁阻磁头的另一侧设有离子机,所述的巨磁阻磁头的读出信号端与数字源表相连,该数字源表的信号输出端与计算机相连。本实用新型具有造价较低、不易损坏,不受待测样品的尺寸限制,通用性强的特点。
12 磁畴能动装置 CN03235527.0 2003-02-18 CN2598247Y 2004-01-07 刘书强
一种磁畴能动装置,包括机架,两端分别置于所述机架左右立梁滑槽内的横梁;所述横梁的中心位置以铰接方式与设置在机架上方的曲柄连杆机构中的连杆相结合;在横梁上对称于机架的中线两侧分别固接有一矩形电磁;在横梁上位于所述矩形电磁铁的左右两侧通过滚轮分别吊装有一矩形电磁铁,在所述矩形电磁铁的下方对应与中线两侧设置有一自上而下向中线两侧延伸的滑板;在机架的底部对称于中线两侧分别固接有一矩形电磁铁,所述矩形电磁铁之间的距离大于矩形电磁铁之间的距离;在该矩形电磁铁的左右两侧分别通过滚轮和滑槽设置有一矩形电磁铁,该矩形电磁铁分别连接有一动力输出轴。本实用新型优点是降低噪音,提高环保效果。
13 一种磁性线材的磁畴成像方法及磁畴壁形状判别方法 CN201810417270.0 2018-04-24 CN108918424B 2020-10-02 方晓华; 张向平; 赵永建
发明涉及材料磁畴测量领域,一种磁性线材的磁畴成像方法及磁畴壁形状判别方法,测量装置主要包括激光器、滤光片I、棱镜偏振器、白光源、分束器I、分束器II、1/2波片、1/4波片、分束器III、照像机、非球面镜I、滤光片II、沃拉斯顿棱镜、光电探测器I、光电探测器II、位移台、物镜、非球面镜II、样品、样品管、拾波线圈组、磁体、前置放大器、示波器、计算机,能通过照像机观察激光器发出的激光束在样品表面的光点位置,将激光器发射的激光的偏振设置为45度,当棱镜偏振器的偏振角设置为0度,则光束为S偏振,当棱镜偏振器的偏振角设置为90度,则光束为P偏振,能获得样品中磁化磁畴分布的三维矢量图,并提供磁畴形状判别方法。
14 磁畴壁移动元件、磁阵列和磁畴壁移动元件的制造方法 CN202180082105.4 2021-03-02 CN116569676A 2023-08-08 山田章悟; 柴田龙雄
本实施方式的磁畴壁移动元件包括:磁阻效应元件,其具有参照层、磁畴壁移动层和非磁性层,参照层和磁畴壁移动层包含磁性体;和分别与磁畴壁移动层直接或间接地接触的、彼此隔开间隔的第一磁化固定层和第二磁化固定层,第一磁化固定层具有:与磁畴壁移动层接触的第一区域;最靠近第一区域的非磁性的第一中间层;和与第一中间层接触的第二区域,第一区域具有与第一中间层接触的第一铁磁性层,第二区域具有与第一中间层接触的第二铁磁性层,第一铁磁性层和第二铁磁性层铁磁性耦合,第一区域中最靠近磁畴壁移动层的铁磁性层的膜结构与第二磁化固定层中最靠近磁畴壁移动层的铁磁性层的膜结构相同,第一区域的膜结构与第二区域的膜结构不同。
15 一种磁性线材的磁畴成像方法及磁畴壁形状判别方法 CN201810417270.0 2018-04-24 CN108918424A 2018-11-30 张向平; 方晓华; 赵永建
发明涉及材料磁畴测量领域,一种磁性线材的磁畴成像方法及磁畴壁形状判别方法,测量装置主要包括激光器、滤光片I、棱镜偏振器、白光源、分束器I、分束器II、1/2波片、1/4波片、分束器III、照像机、非球面镜I、滤光片II、沃拉斯顿棱镜、光电探测器I、光电探测器II、位移台、物镜、非球面镜II、样品、样品管、拾波线圈组、磁体、前置放大器、示波器、计算机,能通过照像机观察激光器发出的激光束在样品表面的光点位置,将激光器发射的激光的偏振设置为45度,当棱镜偏振器的偏振角设置为0度,则光束为S偏振,当棱镜偏振器的偏振角设置为90度,则光束为P偏振,能获得样品中磁化磁畴分布的三维矢量图,并提供磁畴形状判别方法。
16 磁畴壁移动元件以及磁阵列 CN202310831474.X 2023-07-07 CN117642055A 2024-03-01 米村祥吾; 柴田龙雄; 山田章悟
磁畴壁移动元件具备:第一磁性层、非磁性层、第二铁磁性层、第一磁化固定部、第二磁化固定部、第一表面层、第二表面层,所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层夹持所述非磁性层,所述第二铁磁性层具有在内部形成有磁畴壁的区域,所述第一磁化固定部与所述第二铁磁性层相接,所述第二磁化固定部在不同于所述第一磁化固定部的位置与所述第二铁磁性层相接,所述第一磁化固定部比所述第二磁化固定部厚,所述第一表面层与所述第一磁化固定部的第一面相接,所述第二表面层与所述第二磁化固定部的第一面相接,所述第一表面层的与所述第一磁化固定部相接的部分的结构原子与所述第二表面层的与所述第二磁化固定部相接的部分的结构原子不同。
17 磁畴壁移动元件和磁记录阵列 CN202010103970.X 2020-02-20 CN111613721B 2023-08-01 芦田拓也; 佐佐木智生; 柴田龙雄
发明提供磁畴壁移动元件和磁记录阵列。本实施方式的磁畴壁移动型磁记录元件包括:第一磁性层、磁记录层、非磁性层以及第一电极和第二电极,第一电极包含磁化取向在与第一铁磁性层的磁化的朝向不同的方向的磁性体,磁记录层具有:与第一电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第一区域;与第二电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第二区域;以及被第一区域和第二区域夹着的第三区域,第一区域的与第一电极对置的第一部分的面积比第二区域的与第二电极对置的第二部分的面积大,第一铁磁性层在第一方向上与第一电极和第二电极的一部分重叠。本发明中电阻变化幅度大。
18 磁畴壁移动元件和磁阵列 CN202210636023.6 2022-06-07 CN115458678A 2022-12-09 山田章悟; 柴田龙雄
发明提供磁畴壁移动元件和磁阵列。本发明的磁畴壁移动元件包括磁阻效应部、第1电极、第2电极、第3电极、第1磁化固定层和第2磁化固定层。所述磁阻效应部包括参照层、磁畴壁移动层和非磁性层。所述磁畴壁移动层包括:磁化方向被固定的第1区域和第2区域;和磁化方向可变的第3区域。所述参照层在从第1方向俯视时与所述第1区域和所述第2区域中的至少一部分重叠,所述第1区域和所述第2区域中的至少一者的一部分在与所述第1方向和第2方向正交的第3方向上的长度比所述第3区域短。
19 包括多个垂直磁畴磁性隧道结单元 CN201310594047.0 2009-03-09 CN103594424B 2016-06-01 李霞; 升·H·康; 朱晓春
发明揭示一种包括多个垂直磁畴磁性隧道结单元。所述MTJ单元包括多个垂直侧壁。所述多个垂直侧壁中的每一者界定一独特垂直磁畴。所述独特垂直磁畴中的每一者适于存储一数字值。在一实施例中,所述MTJ单元包含位于电极层(110、112、114、116)与中心电极(108)之间的固定磁性层(102)、隧道结层(104)及自由磁性层(106)。
20 包括多个垂直磁畴磁性隧道结单元 CN200980116357.3 2009-03-09 CN102017128B 2013-12-25 李霞; 升·H·康; 朱晓春
发明揭示一种包括多个垂直磁畴磁性隧道结单元。所述MTJ单元包括多个垂直侧壁。所述多个垂直侧壁中的每一者界定一独特垂直磁畴。所述独特垂直磁畴中的每一者适于存储一数字值。在一实施例中,所述MTJ单元包含位于电极层(110、112、114、116)与中心电极(108)之间的固定磁性层(102)、隧道结层(104)及自由磁性层(106)。
QQ群二维码
意见反馈