| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 101 | 在头/盘接口具有主动受控电位的磁记录盘驱动器 | CN200410078589.3 | 2004-09-15 | CN1609999B | 2010-04-07 | 彼得·M·鲍姆加特; 伯恩哈德·尼吉; 马修·马特 |
| 基于滑动器体和硬盘之间的滑动器体的浮动高度间隔，来消除滑动器体和硬盘驱动器的硬盘之间的电位差。在滑动器体和硬盘之间施加预定偏压，其包括DC分量、AC分量，并且其基于检测出的滑动器体的浮动高度间隔。在预定偏压的DC分量改变时，可以在AC分量的频率处，基于滑动器-盘间隙从滑动器的设计浮动高度的最小改变，来检测浮动高度间隔。另一方面，在DC分量改变时，可以基于滑动器对AC分量的AC频率的第一谐波的最小电动力响应，来检测浮动高度间隔。 | ||||||
| 102 | 在头/盘接口具有主动受控电位的磁记录盘驱动器 | CN200410078589.3 | 2004-09-15 | CN1609999A | 2005-04-27 | 彼得·M·鲍姆加特; 伯恩哈德·尼吉; 马修·马特 |
| 基于滑动器体和硬盘之间的滑动器体的浮动高度间隔，来消除滑动器体和硬盘驱动器的硬盘之间的电位差。在滑动器体和硬盘之间施加预定偏压，其包括DC分量、AC分量，并且其基于检测出的滑动器体的浮动高度间隔。在预定偏压的DC分量改变时，可以在AC分量的频率处，基于滑动器－盘间隙从滑动器的设计浮动高度的最小改变，来检测浮动高度间隔。另一方面，在DC分量改变时，可以基于滑动器对AC分量的AC频率的第一谐波的最小电动力响应，来检测浮动高度间隔。 | ||||||
| 103 | 图像显示装置及显示驱动方法 | CN02143817.X | 2002-09-25 | CN1410958B | 2010-04-28 | 鷲尾一; 海懶泰佳; 前田和宏; 久保田靖 |
| 在扫描信号线G的非选择期间，来自数据信号线驱动回路SD的输出，在对向电极的电位变化之前，通过电位保持电路10将呈现高阻抗的、处于浮动状态的数据信号线S的电位保持固定。因此，在对向电极的电位变化之际，由于数据信号线S与对向电极的电容耦合，该数据信号线S的电位不会变化到不希望的大的电位上，该数据信号线S的电位能以较低的电位将对应于应显示的灰度的电荷注入象素电容。这样就可减低数据信号线驱动回路SD的电源电压，并使耗电功率降低。即，在有效矩阵方式的液晶显示装置11中，由于行反转驱动和帧反转驱动，在进行对向交流驱动时可降低数据信号线驱动回路SD的电源电压，并使耗电功率降低。 | ||||||
| 104 | 图像显示装置及显示驱动方法 | CN02143817.X | 2002-09-25 | CN1410958A | 2003-04-16 | 鷲尾一; 海懶泰佳; 前田和宏; 久保田靖 |
| 在扫描信号线G的非选择期间，来自数据信号线驱动回路SD的输出，在对向电极的电位变化之前，通过电位保持电路10将呈现高阻抗的、处于浮动状态的数据信号线S的电位保持固定。因此，在对向电极的电位变化之际，由于数据信号线S与对向电极的电容耦合，该数据信号线S的电位不会变化到不希望的大的电位上，该数据信号线S的电位能以较低的电位将对应于应显示的灰度的电荷注入象素电容。这样就可减低数据信号线驱动回路SD的电源电压，并使耗电功率降低。即，在有效矩阵方式的液晶显示装置11中，由于行反转驱动和帧反转驱动，在进行对向交流驱动时可降低数据信号线驱动回路SD的电源电压，并使耗电功率降低。 | ||||||
| 105 | 像素单元及其成像方法和成像装置 | CN201810130554.1 | 2018-02-08 | CN108270982B | 2020-09-04 | 莫要武; 徐辰; 邵泽旭; 张正民; 马伟剑; 任冠京; 石文杰; 高哲; 谢晓 |
| 本发明涉及像素单元及其成像方法以及成像装置。该像素单元包括第一像素子部分及第二像素子部分，第一像素子部分及第二像素子部分分别包括：至少一个光电转换支路，每个光电转换支路包括：光电二极管；转移晶体管，耦合至浮动扩散区域，其经控制将光电二极管的电荷转移到浮动扩散区域；位晶体管，其用于重置浮动扩散区域的电位；电容，其第一极耦合到指定电压；增益控制晶体管，其耦合在所述电容的第二极和浮动扩散区域之间，对电容与浮动扩散区域进行隔离控制；复位晶体管，耦合至电容及所述增益控制晶体管，经控制信号对所述电容及增益控制晶体管耦合点进行电压复位；源极跟随晶体管，耦合至浮动扩散区域，对浮动扩散区域的信号放大输出。 | ||||||
| 106 | 像素单元及其成像方法和成像装置 | CN201810130554.1 | 2018-02-08 | CN108270982A | 2018-07-10 | 莫要武; 徐辰; 邵泽旭; 张正民; 马伟剑; 任冠京; 石文杰; 高哲; 谢晓 |
| 本发明涉及像素单元及其成像方法以及成像装置。该像素单元包括第一像素子部分及第二像素子部分，第一像素子部分及第二像素子部分分别包括：至少一个光电转换支路，每个光电转换支路包括：光电二极管；转移晶体管，耦合至浮动扩散区域，其经控制将光电二极管的电荷转移到浮动扩散区域；位晶体管，其用于重置浮动扩散区域的电位；电容，其第一极耦合到指定电压；增益控制晶体管，其耦合在所述电容的第二极和浮动扩散区域之间，对电容与浮动扩散区域进行隔离控制；复位晶体管，耦合至电容及所述增益控制晶体管，经控制信号对所述电容及增益控制晶体管耦合点进行电压复位；源极跟随晶体管，耦合至浮动扩散区域，对浮动扩散区域的信号放大输出。 | ||||||
| 107 | DC去耦电流测量 | CN201210195836.2 | 2012-06-14 | CN102830320B | 2014-12-24 | P.博格纳; L.佩特鲁齐 |
| 本发明涉及DC去耦电流测量。公开了一种用于测量经由负载晶体管的第一负载端子被提供至负载的负载电流的电路装置。根据本发明的一个示例，电路装置包括耦合至负载晶体管的感测晶体管，以提供表示感测晶体管的第一负载端子处的负载电流的感测电流。负载和感测晶体管的第一负载端子处于相应浮动电位。浮动感测电路耦合在感测晶体管和负载晶体管的负载端子之间，至少在一种操作模式中，感测电路接收感测电流并且提供表示该感测电流的浮动信号。非浮动测量电路经由DC去耦电容器被耦合至感测电路，用于将表示感测电流的浮动信号传送至非浮动测量电路。测量电路被配置成提供表示浮动信号以及因此表示感测电流的输出信号。 | ||||||
| 108 | 一种基于BCD工艺的高压浮动轨LDO | CN201810477301.1 | 2018-05-18 | CN108646848B | 2019-10-18 | 罗萍; 张辽; 王强; 凌荣勋; 甄少伟; 周泽坤 |
| 一种基于BCD工艺的高压浮动轨LDO，属于集成电路技术领域。包括浮动轨电路、误差放大器、调整管、第一分压采样电阻和第二分压采样电阻，浮动轨电路为误差放大器提供低压电源，浮动轨电路包括电流源和多个栅漏短接的带埋层的MOS管构成的串联结构，多个MOS管构成的串联结构的一端连接输入电压，另一端作为浮动电压端连接误差放大器电源轨的低电压端和电流源的负向端；带埋层的MOS管的外延层连接浮动电压端。通过改变浮动轨电路中带埋层的MOS管的个数可以自由选择误差放大器的电源轨，增大了误差放大器设计的灵活度；同时利用BCD工艺中的埋层电位，选择带埋层的PMOS管设计误差放大器，在保证误差放大器高性能同时，进一步压缩了高压LDO芯片面积。 | ||||||
| 109 | 像素单元及其成像方法和成像装置 | CN201810130550.3 | 2018-02-08 | CN108270981A | 2018-07-10 | 莫要武; 徐辰; 邵泽旭; 张正民; 马伟剑; 任冠京; 石文杰; 高哲; 谢晓 |
| 本发明提供像素单元及其成像方法和成像装置。像素单元包括：第一光电二极管，第一转移晶体管，耦合至浮动扩散区域并将第一光电二极管产生的电荷转移到浮动扩散区域；第二光电二极管，第二转移晶体管，耦合至浮动扩散区域并将第二光电二极管产生的电荷转移到浮动扩散区域，其中第二光电二极管的感光面积与所述第一光电二极管的感光面积不同；电容，其第一极耦合至指定电压；增益控制晶体管，耦合在电容第二极和浮动扩散区域之间，对电容和浮动扩散区域进行隔离控制；复位晶体管，耦合至电容的第二极和增益控制晶体管，经复位控制信号重置电容第二极和增益控制晶体管的耦合点电位；及源极跟随晶体管，耦合至浮动扩散区域，放大输出所述像素信号。 | ||||||
| 110 | 像素单元及其成像方法和成像装置 | CN201810130550.3 | 2018-02-08 | CN108270981B | 2021-05-14 | 莫要武; 徐辰; 邵泽旭; 张正民; 马伟剑; 任冠京; 石文杰; 高哲; 谢晓 |
| 本发明提供像素单元及其成像方法和成像装置。像素单元包括：第一光电二极管，第一转移晶体管，耦合至浮动扩散区域并将第一光电二极管产生的电荷转移到浮动扩散区域；第二光电二极管，第二转移晶体管，耦合至浮动扩散区域并将第二光电二极管产生的电荷转移到浮动扩散区域，其中第二光电二极管的感光面积与所述第一光电二极管的感光面积不同；电容，其第一极耦合至指定电压；增益控制晶体管，耦合在电容第二极和浮动扩散区域之间，对电容和浮动扩散区域进行隔离控制；复位晶体管，耦合至电容的第二极和增益控制晶体管，经复位控制信号重置电容第二极和增益控制晶体管的耦合点电位；及源极跟随晶体管，耦合至浮动扩散区域，放大输出所述像素信号。 | ||||||
| 111 | 一种基于BCD工艺的高压浮动轨LDO | CN201810477301.1 | 2018-05-18 | CN108646848A | 2018-10-12 | 罗萍; 张辽; 王强; 凌荣勋; 甄少伟; 周泽坤 |
| 一种基于BCD工艺的高压浮动轨LDO，属于集成电路技术领域。包括浮动轨电路、误差放大器、调整管、第一分压采样电阻和第二分压采样电阻，浮动轨电路为误差放大器提供低压电源，浮动轨电路包括电流源和多个栅漏短接的带埋层的MOS管构成的串联结构，多个MOS管构成的串联结构的一端连接输入电压，另一端作为浮动电压端连接误差放大器电源轨的低电压端和电流源的负向端；带埋层的MOS管的外延层连接浮动电压端。通过改变浮动轨电路中带埋层的MOS管的个数可以自由选择误差放大器的电源轨，增大了误差放大器设计的灵活度；同时利用BCD工艺中的埋层电位，选择带埋层的PMOS管设计误差放大器，在保证误差放大器高性能同时，进一步压缩了高压LDO芯片面积。 | ||||||
| 112 | DC去耦电流测量 | CN201210195836.2 | 2012-06-14 | CN102830320A | 2012-12-19 | P.博格纳; L.佩特鲁齐 |
| 本发明涉及DC去耦电流测量。公开了一种用于测量经由负载晶体管的第一负载端子被提供至负载的负载电流的电路装置。根据本发明的一个示例，电路装置包括耦合至负载晶体管的感测晶体管，以提供表示感测晶体管的第一负载端子处的负载电流的感测电流。负载和感测晶体管的第一负载端子处于相应浮动电位。浮动感测电路耦合在感测晶体管和负载晶体管的负载端子之间，至少在一种操作模式中，感测电路接收感测电流并且提供表示该感测电流的浮动信号。非浮动测量电路经由DC去耦电容器被耦合至感测电路，用于将表示感测电流的浮动信号传送至非浮动测量电路。测量电路被配置成提供表示浮动信号以及因此表示感测电流的输出信号。 | ||||||
| 113 | 能吸收张力波动的浮动辊机构 | CN201611165603.2 | 2016-12-16 | CN106516841B | 2018-03-06 | 袁平; 杜勇奕; 刘海斌; 袁刚; 王晓峰; 徐美芳 |
| 本发明涉及薄膜生产加工技术领域，具体涉及一种能吸收张力波动的浮动辊机构，包括机架，浮动辊和两个导向辊，浮动辊设置在两个导向辊之间，机架上设有安装板，安装板上设有与导向辊平行的回转轴，回转轴一端固定有第一摆臂，导向辊安装在第一摆臂端部，回转轴上端固定有第二摆臂，机架上设有气缸，气缸的缸体尾端和机架铰接，气缸的活塞杆和第二摆臂的端部铰接，机架上设有用于测量气缸的活塞杆位移大小的直线电位器，还包括用于控制气缸活塞杆运动的气电转换器，气电转换器和直线电位器连接，本发明利用杠杆原理，通过直线电位器读位移的变化来体现角度的变化，放大的角度的变化量，取代传统的角位移电位器，精度大大提高。 | ||||||
| 114 | 能吸收张力波动的浮动辊机构 | CN201611165603.2 | 2016-12-16 | CN106516841A | 2017-03-22 | 袁平; 杜勇奕; 刘海斌; 袁刚; 王晓峰; 徐美芳 |
| 本发明涉及薄膜生产加工技术领域，具体涉及一种能吸收张力波动的浮动辊机构，包括机架，浮动辊和两个导向辊，浮动辊设置在两个导向辊之间，机架上设有安装板，安装板上设有与导向辊平行的回转轴，回转轴一端固定有第一摆臂，导向辊安装在第一摆臂端部，回转轴上端固定有第二摆臂，机架上设有气缸，气缸的缸体尾端和机架铰接，气缸的活塞杆和第二摆臂的端部铰接，机架上设有用于测量气缸的活塞杆位移大小的直线电位器，还包括用于控制气缸活塞杆运动的气电转换器，气电转换器和直线电位器连接，本发明利用杠杆原理，通过直线电位器读位移的变化来体现角度的变化，放大的角度的变化量，取代传统的角位移电位器，精度大大提高。 | ||||||
| 115 | 一种用于检测板带松紧的装置 | CN201620571445.X | 2016-06-15 | CN205803605U | 2016-12-14 | 吕平; 杨迅; 周惠; 刘惠文 |
| 本实用新型公开了一种用于检测板带松紧的装置，包括底板、前传动辊和后传动辊，所述前传动辊和后传动辊通过支撑架设在底板上，还包括浮动辊、浮动辊连接杆以及用于检测浮动辊浮动角度的电位器，所述浮动辊设在浮动辊连接杆一端，浮动辊连接杆另一端通过转轴铰接在支撑架上，电位器设在支撑架上与转轴相连。该装置结构设计合理，通过电位器和齿轮组可准确检测出板带的松紧度，从而自动控制干刷、水刷电机的转速，进而达到预期的松弛度；结构简单，制作成本低；并且，减少了操作员工岗位投入，经济实用。 | ||||||
| 116 | 一种卷取张力控制系统 | CN201420371691.1 | 2014-07-03 | CN203959451U | 2014-11-26 | 姚月腾 |
| 本实用新型公开了一种卷取张力控制系统，包括引取辊、导向辊、浮动辊、收卷装置，所述引取辊将薄膜输送给导向辊，所述导向辊将导向辊之间设有浮动辊，所述薄膜从底部绕过所述浮动辊，所述浮动辊还连接一气缸，所述气缸和浮动辊的竖直作用力作用于薄膜上用以产生薄膜张力，一电位器连接所述浮动辊用以感应浮动辊的浮动电信号，一控制器连接所述电位器用以接受该浮动电信号并控制收卷装置的收卷电机运行。本实用新型具有检测装置和反馈环节的控制系统，控制范围大，随意性强，具有较高的控制精度。 | ||||||
| 117 | 固态摄像器件 | CN201980019384.2 | 2019-01-10 | CN111886857A | 2020-11-03 | 佐藤守; 加藤昭彦; 大池祐辅 |
| 本发明提高了固态摄像器件中图像数据的图像质量，该固态摄像器件根据各对像素的浮动扩散区域之间的电位差读取信号。在本发明中，像素单元设置有多行，每行包括多个像素。每当经过了预定周期，读出行选择单元选择所述多行中的一行作为读取行，并使得所述读取行中的所述多个像素中的每个像素生成与光接收量相对应的信号电位。每当经过了预定周期，参考行选择单元从所述多行中选择与先前的行不同的行作为当前的参考行，并使得所述参考行中的所述多个像素中的每个生成预定参考电位。读出电路单元读取与所述信号电位与所述参考电位之间的差对应的电压信号。 | ||||||
| 118 | 约束电场动态调控电化学微增材制造方法 | CN201910523460.5 | 2019-06-17 | CN110230078A | 2019-09-13 | 房晓龙; 朱增伟; 李天宇 |
| 本发明提供一种约束电场动态调控电化学微增材制造方法。其特征在于，在微结构沉积生长的不同阶段，通过调节、控制沉积层表面电流密度分布，提高微结构成形精度和表面质量。具体应用方法为：借助带有辅助电极的双电位工具电极，在生长初始阶段，通过电子负载（具有自动调节内部电阻，实现稳定的电压降功能）设置辅助电极电位低于阴极电位（），来缩小阴极表面沉积电流作用区域，控制微结构初始段尺寸；在稳定生长阶段，通过电子负载设置辅助电极电位在阳极电位附近浮动（ ），可微调沉积层表面电流密度分布，提高沉积层表面平整度。 | ||||||
| 119 | 图象显示装置 | CN02151490.9 | 2002-09-25 | CN1265336C | 2006-07-19 | 鹫尾一; 海濑泰佳; 前田和宏; 久保田靖 |
| 在非扫描期间，通过充电电路把数据信号线驱动电路(SD)的输出变成高阻抗而处于浮动状态的数据信号线(S)的电位充电到该帧的数据信号的大致中间电位。从而各象素电容的电位相对于数据信号线S的电位不会产生非常大的偏差，这样可以抑制通过各象素的有源元件的漏电流的偏差。因此可以减少象素(PIX)的电位变动，提高上述非扫描期间的显示质量。即在有源矩阵式的液晶显示装置中，通过在待机画面等情况下把非扫描期间设定得比扫描期间充分地长，而使帧频降低，可以降低电功率消耗，以能提高显示质量。 | ||||||
| 120 | 图象显示装置和显示驱动方法 | CN02151490.9 | 2002-09-25 | CN1420482A | 2003-05-28 | 鹫尾一; 海濑泰佳; 前田和宏; 久保田靖 |
| 在非扫描期间通过充电电路把数据信号线驱动电路(SD)的输出变成高阻抗进而变成浮动状态的数据信号线(S)的电位充电到该帧的数据信号的大致中间电位。从而在与数据信号线S的电位相对应的各图象电容的电位上不会产生非常大的偏差，这样可以抑制通过各象素的有源元件的漏电流的偏差。因此可以减少象素(PIX)的电位变动，提高上述非扫描期间的显示等级。即在有源矩阵式的液晶显示装置中，通过把在待机画面上的非扫描周期设定得比扫描周期充分的长而使帧频率降低，这样即可以降低电功率消耗，又能提高显示等级。 | ||||||
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