| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 远程等离子体氧化室 | CN201880029034.X | 2018-03-27 | CN110612593A | 2019-12-24 | 克里斯托弗·S·奥尔森; 埃里克·克哈雷·施诺; 劳拉·哈夫雷; 阿古斯·索菲安·查德拉; 柴塔尼亚·A·普拉萨德 |
| 本公开内容的实施方式一般涉及一种用于高深宽比结构的共形氧化的处理腔室。处理腔室包括位于腔室主体的第一侧中的衬里组件和位于基板支撑部中的两个泵送口，基板支撑部邻近腔室主体的与第一侧相对的第二侧。衬里组件包括分流器，以引导流体流离开设置在处理腔室的处理区域中的基板的中心。衬里组件可由石英制成，以尽量减少与处理气体(例如自由基)的相互作用。该衬里组件旨在减少自由基的流动收缩，以致自由基浓度和通量增加。可单独控制两个泵送口以调节通过处理腔室的处理区域的自由基的流动。 | ||||||
| 2 | 等离子体氧化处理方法 | CN200780036402.5 | 2007-09-27 | CN101523576B | 2012-10-03 | 盐泽俊彦; 壁义郎; 小林岳志; 北川淳一; 伊佐和裕 |
| 本发明提供的硅氧化膜的形成方法包括：在等离子体处理装置的处理容器内，配置表面由硅构成且在表面具有凹凸形状的图案的被处理体；在所述处理容器内，按照处理气体中的氧的比例在5～20％范围，并且处理压力在267Pa以上400Pa以下的范围的条件形成等离子体；并且，通过所述等离子体，氧化所述被处理体的表面的硅形成硅氧化膜。 | ||||||
| 3 | 等离子体氧化处理方法 | CN200780009785.7 | 2007-08-27 | CN101405846A | 2009-04-08 | 堀胜; 盐泽俊彦; 壁义郎; 北川淳一 |
| 本发明提供一种等离子体氧化处理方法。其是在等离子体处理装置的处理室内，利用含氧的处理气体，使用O(1D2)自由基的密度是1×1012[cm－3]以上的等离子体对被处理体的表面实施氧化处理，形成硅氧化膜。在等离子体氧化处理期间，利用VUV单色仪63测量等离子体中的O(1D2)自由基的密度，修正等离子体处理条件。 | ||||||
| 4 | 远程等离子体氧化室 | CN201880029034.X | 2018-03-27 | CN110612593B | 2022-09-13 | 克里斯托弗·S·奥尔森; 埃里克·克哈雷·施诺; 劳拉·哈夫雷; 阿古斯·索菲安·查德拉; 柴塔尼亚·A·普拉萨德 |
| 本公开内容的实施方式一般涉及一种用于高深宽比结构的共形氧化的处理腔室。处理腔室包括位于腔室主体的第一侧中的衬里组件和位于基板支撑部中的两个泵送口，基板支撑部邻近腔室主体的与第一侧相对的第二侧。衬里组件包括分流器，以引导流体流离开设置在处理腔室的处理区域中的基板的中心。衬里组件可由石英制成，以尽量减少与处理气体(例如自由基)的相互作用。该衬里组件旨在减少自由基的流动收缩，以致自由基浓度和通量增加。可单独控制两个泵送口以调节通过处理腔室的处理区域的自由基的流动。 | ||||||
| 5 | 等离子体氧化方法和等离子体氧化设备 | CN201110092993.6 | 2011-04-13 | CN102222613B | 2015-07-15 | 高桥秀治; 进藤春雄 |
| 等离子体氧化方法和等离子体氧化设备，该方法包括步骤：用含氧的处理气体来产生含氧等离子体；对放置在工作台上的衬底施加偏压；以及将含氧等离子体中的正离子和负离子发射到衬底上从而对衬底执行等离子体氧化，同时控制衬底的偏压电位以使得偏压电位的最大值Vmax和最小值Vmin以及等离子体电位Vp满足以下关系：Vmin＜Vp＜Vmax。 | ||||||
| 6 | 等离子体氧化方法和等离子体氧化设备 | CN201110092993.6 | 2011-04-13 | CN102222613A | 2011-10-19 | 高桥秀治; 进藤春雄 |
| 等离子体氧化方法和等离子体氧化设备，该方法包括步骤：用含氧的处理气体来产生含氧等离子体；对放置在工作台上的衬底施加偏压；以及将含氧等离子体中的正离子和负离子发射到衬底上从而对衬底执行等离子体氧化，同时控制衬底的偏压电位以使得偏压电位的最大值Vmax和最小值Vmin以及等离子体电位Vp满足以下关系：Vmin＜Vp＜Vmax。 | ||||||
| 7 | 等离子体氧化及氧化材料的去除 | CN200680007411.7 | 2006-02-27 | CN101164121B | 2011-01-26 | 金允圣; A·贝利三世; 尹央锡; A·M·豪瓦德 |
| 一种蚀刻导电层的方法，包括转化此导电层的至少一部分和蚀刻此导电层以基本去除此导电层的被转化部分并由此暴露保留的表面。保留的表面具有低于大约10nm的平均表面粗糙度。也公开了用于蚀刻导电层的系统。 | ||||||
| 8 | 等离子体氧化及氧化材料的去除 | CN200680007411.7 | 2006-02-27 | CN101164121A | 2008-04-16 | 金允圣; A·贝利三世; 尹央锡; A·M·豪瓦德 |
| 一种蚀刻导电层的方法，包括转化此导电层的至少一部分和蚀刻此导电层以基本去除此导电层的被转化部分并由此暴露保留的表面。保留的表面具有低于大约10nm的平均表面粗糙度。也公开了用于蚀刻导电层的系统。 | ||||||
| 9 | 等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置 | CN200780036177.5 | 2007-09-27 | CN101523574B | 2012-05-02 | 小林岳志; 北川淳一; 壁义郎; 盐泽俊彦 |
| 本发明提供等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置。该等离子体氧化处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，在处理气体中的氧的比例在20％以上、且处理压力在400Pa以上1333Pa以下的条件下形成等离子体，利用上述等离子体，对露出在被处理体的表面的硅进行氧化而形成硅氧化膜。 | ||||||
| 10 | 等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置 | CN200780036197.2 | 2007-09-27 | CN101523575B | 2011-02-16 | 盐泽俊彦; 壁义郎; 小林岳志; 足立光; 北川淳一; 山本伸彦 |
| 本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置和存储介质。该等离子体氧化处理方法包括：在配置在等离子体处理装置的处理容器内的载置台上载置表面具有硅的被处理体的工序；在处理容器内形成含氧的处理气体的等离子体的工序；在形成等离子体时，向载置台供给高频电力，向被处理体施加高频偏压的工序；和利用等离子体，氧化被处理体表面的硅，形成硅氧化膜的工序。 | ||||||
| 11 | 等离子体氧化处理方法和等离子体处理装置 | CN200880011183.X | 2008-03-28 | CN101652842B | 2012-11-14 | 壁义郎; 小林岳志; 盐泽俊彦; 北川淳一 |
| 本发明提供等离子体氧化处理方法、等离子体处理装置、以及存储介质，在等离子体处理装置的处理室内，在对具有凹凸图案的被处理体实施基于等离子体的氧化处理从而形成氧化硅膜时，在处理气体中的氧的比率是0.5％以上不足10％并且处理压力为1.3～665Pa的条件下，在向载置被处理体的载置台施加高频电力的同时形成等离子体。 | ||||||
| 12 | 用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置 | CN201810521197.1 | 2018-05-25 | CN108735570B | 2019-06-18 | 刘新宇; 汤益丹; 王盛凯; 白云; 杨成樾 |
| 一种用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置，包括外腔体和设置在所述外腔体内的多个微孔/微纳结构双耦合谐振腔，其中所述谐振腔包括一圆柱形腔体，所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列，所述微孔的直径是波长的奇数倍，所述腔体的内壁上具有金属微纳结构，所述金属微纳结构的周期尺寸为λ/n，λ为入射波长，n为谐振腔材料的折射率，所述外腔体上设置有进气口，用于向所述外腔体内输送含氧气体，所述含氧气体在所述谐振腔周围形成用于氧化SiC的氧等离子体，所述谐振腔的下方设置有载物台。本发明的微波等离子体发生装置可实现高效、均匀性良好的SiC样品的氧化。 | ||||||
| 13 | 用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置 | CN201810521197.1 | 2018-05-25 | CN108735570A | 2018-11-02 | 刘新宇; 汤益丹; 王盛凯; 白云; 杨成樾 |
| 一种用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置，包括外腔体和设置在所述外腔体内的多个微孔/微纳结构双耦合谐振腔，其中所述谐振腔包括一圆柱形腔体，所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列，所述微孔的直径是波长的奇数倍，所述腔体的内壁上具有金属微纳结构，所述金属微纳结构的周期尺寸为λ/n，λ为入射波长，n为谐振腔材料的折射率，所述外腔体上设置有进气口，用于向所述外腔体内输送含氧气体，所述含氧气体在所述谐振腔周围形成用于氧化SiC的氧等离子体，所述谐振腔的下方设置有载物台。本发明的微波等离子体发生装置可实现高效、均匀性良好的SiC样品的氧化。 | ||||||
| 14 | 转盘式低温等离子体灭菌器过氧化氢注入装置 | PCT/CN2012/001241 | 2012-09-05 | WO2013127041A1 | 2013-09-06 | 李亚东; 李金镖; 钱军; 纪登才; 朱天龙 |
转盘式低温等离子体灭菌器过氧化氢注入装置，采用固定弹夹（5），弹夹（5）内装有过氧化氢胶囊，利用步进电机驱动弹夹（5）360度旋转移动，及对弹夹（5）内的胶囊定位；利用另一步进电机驱动注射针头（25），使注射针头（25）前后运动的方式来工作；注射针头（25）与注液阀（13）连接，注液阀（13）与灭菌室连接，通过注射针头（25）向前运动刺破弹夹内的过氧化氢胶囊，通过控制注液阀（13），使过氧化氢注入灭菌室。该注入装置具有注入可靠、安全、结构简便等优点。 |
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| 15 | 一种排级式等离子体裂解氧化反应器 | CN202020575821.9 | 2020-04-17 | CN213433767U | 2021-06-15 | 符春茂; 郭朝阳 |
| 本实用新型涉及异味废气处理设备技术领域，特别涉及一种排级式等离子体裂解氧化反应器，包括外壳，且通过设有喷淋箱，将外部处理液连接进液管，使得处理液经过喷淋板下表面的雾化喷头进行喷出，使得雾化后的处理液对废气进行初步的处理，且雾化后的处理液便于吸附废气中的细小灰尘，并经过出液管排出，避免细小灰尘进入到等离子箱内部，吸附在等离子盘上，设有喷淋箱，使得喷淋箱对废气进行预处理，且预处理后的废气经过干燥剂的干燥后进入到等离子箱内，使得等离子盘对废气进行进一步的裂解氧化处理，进而提高本实用新型对废气的处理效果，对废气处理的更加彻底。 | ||||||
| 16 | 一种产生过氧化氢等离子体的装置 | CN202020646809.2 | 2020-04-16 | CN212631274U | 2021-03-02 | 郑重; 付冬梅 |
| 本实用新型公开了一种产生过氧化氢等离子体的装置，包括电极和保护罩，所述电极位于保护罩中部，且保护罩下部设置有保护盖，所述保护罩上部设置有密封螺母，且密封螺母与保护罩螺纹连接，所述电极外部设置有两个绝缘套，且两个绝缘套之间设置有密封垫，该产生过氧化氢等离子体的装置，电极一端固定在灭菌舱内的电极网上，另一端通过正极连接线连接在高频电源上，高频电源负极通过负极连接线固定在保护罩壳体上。整个等离子装置用快装方式固定在灭菌舱上，既绝缘又密封，会使灭菌器具有更强的灭菌能力，同时分解过剩的过氧化氢，保护人员及环境。 | ||||||
| 17 | 一种等离子体氧化辅助磨削装置 | CN201721495517.8 | 2017-11-10 | CN207888328U | 2018-09-21 | 吴勇波; 李偲偲 |
| 本实用新型涉及精密加工领域，公开了一种等离子体氧化辅助磨削装置，包括刀具、刀具驱动装置、等离子体电源与电解液供给装置，刀具驱动装置包括一可绕自身轴心主动旋转的驱动轴，驱动轴与刀具连接，等离子体电源用于向待加工的工件输入等离子体电流，电解液供给装置用于向工件的待加工表面供给电解液。本实用新型可在工件表面生成低硬度的氧化层，因此可以实现氧化层的快速去除，相比于直接磨削钛合金而言，其材料去除速度得到了极大的提升；同时，氧化层的摩擦系数远低于钛合金，且与刀具材料的亲合力较弱，切屑不易粘结在刀具表面上，故可以有效地减少刀具的磨损，有助于延长刀具的使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 18 | 一种等离子体催化氧化废气处理装置 | CN202322167447.5 | 2023-08-14 | CN220802649U | 2024-04-19 | 李操 |
| 本实用新型公开了一种等离子体催化氧化废气处理装置，包括箱体、催化机构和等离子反应机构。本实用新型通过控制屏打开微波发生器，微波发生器产生高频微波能量，微波能量与废气接触并转化为热能，在高温和高能量激励下，废气形成等离子体态，在微波能量的电磁场作用下，反应物中的电子和离子受到激发和加热，从而促进废气的活化和转化，微波在分子层面上实现了非均匀的加热，从而可以在相对较低的温度下激活反应，温度检测器检测到反应室内的温度过高时，可以打开水冷散热器，使进水管和出水管里的冷却剂循环流经等离子反应机构来吸收和带走反应室中的热量，以确保反应环境处于适宜的温度范围内，从而优化催化反应的效果和系统的稳定性。 | ||||||
| 19 | 一种排级式等离子体氧化反应器 | CN202120103294.6 | 2021-01-14 | CN214210009U | 2021-09-17 | 李金懋; 宋春莲; 刘锋; 路丹丹; 黄睿; 张皓博; 郑毅; 逄鹏; 张宁 |
| 本实用新型属于废弃处理技术领域，公开了一种排级式等离子体氧化反应器，壳体内部上端开设有预处理室，预处理室下端连通有等离子体反应室，等离子体反应室下端设置有光催化反应室；预处理室内壁通过螺丝固定有多个荷电喷雾头，等离子体反应室内设置有若干排间隔设置的等离子管，若干排等离子管设置有交错设置的电极放电管和接地电极放电管。本实用新型通过预处理室、等离子体反应室和光催化反应室可以对有机废气进行多级处理，通过预处理室内的荷电喷雾头可以进行荷电喷雾，降低气流中恶臭污染物浓度，同时进行预降温处理，通过等离子体反应室和光催化反应室，大大提高废气处理的速度和效率，达到对废气进行净化的目的，工艺简单投资小。 | ||||||
| 20 | 过氧化氢等离子体灭菌器 | CN202020684216.5 | 2020-04-28 | CN212997585U | 2021-04-20 | 司富强; 聂开云; 曹广侠 |
| 本实用新型涉及过氧化氢灭菌器技术领域，具体是过氧化氢等离子体灭菌器，用于解决现有技术中对在同一灭菌器内同时对多种物品进行灭菌时，多种物品间可能在灭菌室内存在挤压，甚至相互间形成污染，从而可能会极大的损坏各物品的问题。本实用新型包括灭菌器本体和灭菌室，所述灭菌室的内壁上从上到下的安装有多个载物组件，所述载物组件与灭菌室间可拆卸连接，所述载物组件向外伸出的长度可调节。本实用新型中当对多个物品进行灭菌时，可以将多个物品分别放置在不同的载物组件上，这样将多个物品相互分离，在灭菌的时候，多个物品间不会相互挤压，也就不会发生相互污染的情况，从而可以极大的减少对物品的损坏程度。 | ||||||
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